DE10054166A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von HalbleiterscheibenInfo
- Publication number
- DE10054166A1 DE10054166A1 DE2000154166 DE10054166A DE10054166A1 DE 10054166 A1 DE10054166 A1 DE 10054166A1 DE 2000154166 DE2000154166 DE 2000154166 DE 10054166 A DE10054166 A DE 10054166A DE 10054166 A1 DE10054166 A1 DE 10054166A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carriers
- base plate
- polishing
- wafers
- semiconductor wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben durch Einseitenpolitur. Die Halbleiterscheiben werden auf Träger montiert und unter Zuführen eines Poliermittels mit einer Seite gegen ein Poliertuch eines rotierenden Poliertellers gedrückt. Die Träger sind in Aussparungen einer Grundplatte drehbar gelagert eingebettet und drehen sich wie die Grundplatte um jeweils eigene Achsen. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung, die zur Durchführung des Verfahrens geeignet ist.
Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren von
Halbleiterscheiben durch Einseitenpolitur, wobei die
Halbleiterscheiben auf Träger montiert werden und unter
Zuführen eines Poliermittels mit einer Seite gegen ein
Poliertuch eines rotierenden Poliertellers gedrückt werden.
Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung, die zur
Durchführung des Verfahrens geeignet ist.
Eine Halbleiterscheibe für die Verwendung in der Halbleiter
industrie muß eine hohe Ebenheit aufweisen, insbesondere um den
Anforderungen zur Herstellung integrierter Schaltkreise
Rechnung zu tragen.
Die endgültige Ebenheit einer Halbleiterscheibe wird durch
einen Polierprozess erzeugt. Dazu wird häufig ein Einseiten-
Polierprozess angewandt, bei dem die Halbleiterscheibe zusammen
mit mehreren anderen Halbleiterscheiben mittels Vakuum,
Adhäsion oder Wachs von einer Trägerplatte auf der Rückseite
gehalten und unter Zufluss eines Poliermittels mit Hilfe eines
Poliertuchs auf der Vorderseite poliert wird. Das Poliertuch
ist über einen sich drehenden Polierteller gespannt. Die
Trägerplatte steckt in einem Polierzylinder, der sie ebenfalls
in Drehung versetzt.
Neben Maschinen für die Einseitenpolitur sind auch solche zum
gleichzeitigen Polieren von Vorder- und Rückseite der
Halbleiterscheibe nach dem so genannten Doppelseiten-Polier
verfahren bekannt. Sie werden insbesondere zur Fertigung von
Halbleiterscheiben mit Durchmessern von 200 mm und 300 mm
eingesetzt. Die Halbleiterscheiben werden dabei in Läuferschei
ben (englisch: carrier) aus Metall oder Kunststoff, die über
geeignet dimensionierte Aussparungen verfügen, auf einer durch
die Maschinen- und Prozessparameter vorbestimmten Bahn zwischen
zwei rotierenden, mit einem Poliertuch belegten Poliertellern
in Gegenwart eines Poliermittels bewegt und poliert. Das
Polierergebnis ist bezüglich der angestrebten Planparallelität
der Scheibenseiten demjenigen überlegen, das bei Anwendung der
Einseitenpolitur erreicht wird.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Kinematik der
Einseitenpolitur derjenigen der Doppelseitenpolitur anzunähern,
um so Polierergebnisse erzielen zu können, die bisher nur durch
Doppelseitenpolitur erreichbar waren.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren von
Halbleiterscheiben durch Einseitenpolitur, wobei die
Halbleiterscheiben auf Träger montiert werden und unter
Zuführen eines Poliermittels mit einer Seite gegen ein
Poliertuch eines rotierenden Poliertellers gedrückt werden, das
dadurch gekennzeichnet ist, daß die Träger in Aussparungen
einer Grundplatte drehbar gelagert eingebettet sind und sich
die Grundplatte und die Träger um jeweils eigene Achsen drehen.
Gegenstand der Erfindung ist des weiteren eine Vorrichtung für
die Einseitenpolitur von Halbleiterscheiben, die gekennzeichnet
ist durch eine drehbare Grundplatte mit Aussparungen, in denen
Träger drehbar gelagert eingebettet sind, wobei die Träger
freie Oberflächen aufweisen, auf denen die Halbleiterscheiben
fixiert werden können.
Die Erfindung sieht erstmalig eine Eigenrotation der Halblei
terscheibe bei der Einseitenpolitur vor, so daß insgesamt drei
kinematische Freiheitsgrade zur Verfügung stehen, die im Zusam
menwirken das Polierergebnis positiv beeinflussen. Der Träger,
auf dem die Halbleiterscheibe fixiert ist, ist drehbar gelagert
und ermöglicht auf diese Weise die Eigenrotation der auf dem
Träger fixierten Halbleiterscheibe. Eine Halbleiterscheibe, die
erfindungsgemäß poliert wird, weist einen Geometriefehler nicht
mehr auf, der bei Halbleiterscheiben nachgewiesen werden kann,
die während einer Politur auf einer üblichen Trägerplatte
fixiert waren, und der eine Symmetrie in radialer Richtung der
Trägerplatte besitzt.
Die drei kinematischen Freiheitsgrade stehen bei der erfin
dungsgemäßen Lösung durch die Drehungen des Poliertellers,
einer Grundplatte und eines Trägers zur Verfügung. Die Halblei
terscheibe wird auf dem Träger mittels Vakuum, Adhäsion, Wachs
oder Kitt fixiert. Die Grundplatte unterscheidet sich von einer
bekannten Trägerplatte insbesondere durch Ausnehmungen, in die
die erfindungsgemäßen Träger so eingepaßt sind, daß sie sich um
ihre eigene Achse drehen können. Die Grundplatte kann bei
spielsweise als Bestandteil eines Antriebszylinders der Polier
maschine ausgeführt sein oder, wie bei der herkömmlichen
Einseitenpolitur die Trägerplatte, ein eigenes Bauteil sein,
das in den Polierzylinder der Poliermaschine eingeführt wird.
Für die in den Ausnehmungen der Grundplatte drehbar gelagerten
Träger kann ein eigener Antrieb vorgesehen sein. Zwingend
notwendig ist dies jedoch nicht.
Die Erfindung wird nachfolgend mit Figuren näher beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsge
mäßen Vorrichtung in Draufsicht.
Fig. 2 ist eine
Teilschnittdarstellung durch die Vorrichtung gemäß Fig. 1.
Die Vorrichtung umfaßt eine Grundplatte 1 mit mehreren
Ausnehmungen 2, wobei eine Anzahl von 5 bis 6 bevorzugt ist. In
die Ausnehmungen sind Träger 3 eingeführt, die vorzugsweise aus
keramischem Material gefertigt sind und eine freie Oberfläche
aufweisen, auf die mindestens eine Halbleiterscheibe 4
gekittet, gesaugt, geklebt oder auf eine andere Weise befestigt
werden kann. Bevorzugt ist es, daß die Träger so dimensioniert
sind, daß jeweils nur eine Halbleiterscheibe darauf Platz
findet. Ein Lager 5 gewährleistet, daß sich der Träger 3 frei
oder durch einen in den Figuren nicht dargestellten Antrieb
veranlaßt um eine eigene Achse drehen kann.
Claims (5)
1. Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben durch Ein
seitenpolitur, wobei dlie Halbleiterscheiben auf Träger
montiert werden und unter Zuführen eines Poliermittels mit
einer Seite gegen ein Poliertuch eines rotierenden Polier
tellers gedrückt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Träger in Aussparungen einer Grundplatte drehbar gelagert
eingebettet sind und sich die Grundplatte und die Träger um
jeweils eigene Achsen drehen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Träger frei drehbar sind oder durch einen Antrieb in Drehung
versetzt werden.
3. Vorrichtung für die Einseitenpolitur von Halbleiterscheiben,
gekennzeichnet durch eine drehbare Grundplatte mit Ausspa
rungen, in denen Träger drehbar gelagert eingebettet sind,
wobei die Träger freie Oberflächen aufweisen, auf denen die
Halbleiterscheiben fixiert werden können.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß 5
bis 6 Träger vorgesehen sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Oberfläche eines Trägers Platz für 1
Halbleiterscheibe bietet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000154166 DE10054166C2 (de) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000154166 DE10054166C2 (de) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10054166A1 true DE10054166A1 (de) | 2001-10-18 |
DE10054166C2 DE10054166C2 (de) | 2002-08-08 |
Family
ID=7661797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000154166 Expired - Fee Related DE10054166C2 (de) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10054166C2 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011089362A1 (de) | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
DE102013213838A1 (de) | 2013-07-15 | 2014-09-25 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
DE102013204839A1 (de) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Scheibe aus Halbleitermaterial |
DE102013205448A1 (de) | 2013-03-27 | 2014-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
DE102015217109A1 (de) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
CN114800222A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-07-29 | 中锗科技有限公司 | 一种锗晶片双面抛光的方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006044687A1 (de) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Peter Wolters Ag | Läuferscheibe für eine Werkzeugmaschine zur einseitigen Flachbearbeitung von Werkstücken |
WO2012119616A1 (en) | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Peter Wolters Gmbh | Method and device for the single-sided processing of flat workpieces |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4918870A (en) * | 1986-05-16 | 1990-04-24 | Siltec Corporation | Floating subcarriers for wafer polishing apparatus |
JP3453977B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2003-10-06 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨装置 |
-
2000
- 2000-11-02 DE DE2000154166 patent/DE10054166C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011089362A1 (de) | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
DE102013204839A1 (de) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Scheibe aus Halbleitermaterial |
US9193026B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-11-24 | Siltronic Ag | Method for polishing a semiconductor material wafer |
DE102013205448A1 (de) | 2013-03-27 | 2014-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
DE102013213838A1 (de) | 2013-07-15 | 2014-09-25 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
DE102015217109A1 (de) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
DE102015217109B4 (de) | 2015-09-08 | 2022-08-18 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
CN114800222A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-07-29 | 中锗科技有限公司 | 一种锗晶片双面抛光的方法 |
CN114800222B (zh) * | 2022-05-13 | 2023-09-26 | 中锗科技有限公司 | 一种锗晶片双面抛光的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10054166C2 (de) | 2002-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10235482B3 (de) | Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate | |
DE19723060C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren | |
EP0208315B1 (de) | Verfahren zum beidseitigen abtragenden Bearbeiten von scheibenförmigen Werkstücken, insbesondere Halbleiterscheiben | |
DE60213710T2 (de) | Waferplanarisierungsvorrichtung | |
DE10295893T5 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips | |
DE2462565A1 (de) | Verfahren zum befestigen von halbleiterwerkstuecken auf einer montageplatte | |
DE10208414B4 (de) | Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren | |
DE10153813B4 (de) | Poliervorrichtung zum Polieren von äußeren Umfangsabschnitten eines plattenförmigen Werkstücks | |
DE102008058822A1 (de) | Schleifscheibenanbringungsmechanismus | |
DE102013206613A1 (de) | Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben mittels gleichzeitiger beidseitiger Politur | |
DE10054166A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben | |
DE102019212581A1 (de) | Polierscheibe | |
DE2901968C2 (de) | ||
EP0881035B1 (de) | Verfahren zur materialabtragenden Bearbeitung der Kante einer Halbleiterscheibe | |
DE102010040221A1 (de) | Schleifvorrichtung mit Waferlademechanismus | |
DE102012215909B4 (de) | Werkzeug zum chemisch-mechanischen Planarisieren mit mehreren Spindeln | |
DE102009015878A1 (de) | Verfahren zum materialabtragenden Bearbeiten von flachen Werkstücken | |
DE102015222535A1 (de) | Schleifverfahren für Werkstücke | |
DE19720623C1 (de) | Poliervorrichtung und Poliertuch | |
EP0843342A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen einer Halbleiterscheibe von einer ebenen Unterlage | |
DE102022203968A1 (de) | Bearbeitungsverfahren | |
DE2734650A1 (de) | Poliervorrichtung | |
DE102020211312A1 (de) | Waferschleifverfahren | |
DE3319328C2 (de) | ||
DE60125185T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum kontrollieren der gleichmässigkeit von halbleiterscheiben in einem chemisch-mechanischen polierwerkzeug unter verwendung von trägerplattenkennzeichen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAV | Publication of unexamined application with consent of applicant | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |