DE10044795A1 - Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von TrichlorsilanInfo
- Publication number
- DE10044795A1 DE10044795A1 DE2000144795 DE10044795A DE10044795A1 DE 10044795 A1 DE10044795 A1 DE 10044795A1 DE 2000144795 DE2000144795 DE 2000144795 DE 10044795 A DE10044795 A DE 10044795A DE 10044795 A1 DE10044795 A1 DE 10044795A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- iron
- silicon
- trichlorosilane
- copper
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
- C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10715—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material
- C01B33/10731—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
- C01B33/10736—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan durch Umsetzung von Silicium mit Wasserstoff, Siliciumtetrachlorid und gegebenenfalls Chlorwasserstoff, wobei die Umsetzung in Gegenwart eines eisenhaltigen Katalysators, vorzugsweise ohne Zusatz von Kupfer oder einer kupferhaltigen Verbindung durchgeführt wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan durch
Umsetzung von Silicium mit Siliciumtetrachlorid, Wasserstoff und gegebenenfalls
Chlorwasserstoff in Gegenwart eines eisenhaltigen Katalysators.
Trichlorsilan HSiCl3 ist ein wertvolles Zwischenprodukt beispielsweise zur
Herstellung von hochreinem Silicium, von Dichlorsilan H2SiCl2, von Silan SiH4 und
von Haftvermittlern.
Hochreines Silicium findet vielseitige Verwendung für elektronische und photo
voltaische Zwecke, beispielsweise zur Herstellung von Solarzellen. Zur Herstellung
von hochreinem Silicium wird beispielsweise metallurgisches Silicium in gasförmige
Siliciumverbindungen, vorzugsweise Trichlorsilan, überführt, diese Verbindungen
gereinigt und anschließend wieder in Silicium zurückgeführt.
Die Herstellung von Trichlorsilan erfolgt hauptsächlich durch Umsetzung von
Silicium mit Chlorwasserstoff oder von Silicium mit Siliciumtetrachlorid, Wasser
stoff und gegebenenfalls Chlorwasserstoff (Ullmann's Encyclopedia of Industrial
Chemistry, 5th ed. (1993), Vol. A24, 4-6). Die Reaktion von Silicium mit
Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff wird dabei in der Regel unter Einsatz von
Katalysatoren durchgeführt, wobei hauptsächlich Kupferkatalysatoren zum Einsatz
kommen.
So ist aus DE 41 04 422 A1 bekannt, die Umsetzung von Silicium mit
Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff in einem Wirbelbett ohne Anwendung von
Druck in Gegenwart von Kupfersalzen einer niederen, aliphatischen, gesättigten
Dicarbonsäure, insbesondere Kupferoxalat durchzuführen.
Ebenfalls ist es bekannt, die Reaktion von Silicium mit Siliciumtetrachlorid,
Wasserstoff und gegebenenfalls Chlorwasserstoff in Gegenwart von pulverförmigem
Kupfer (Chemical Abstracts CA 101, Nr. 9576d, 1984) oder von Gemischen aus
Kupfermetall, Metallhalogeniden und Bromiden oder Iodiden von Eisen, Aluminium
oder Vanadium (Chemical Abstracts CA 109, Nr. 57621b, 1988) durchzuführen.
Obwohl sich kupferhaltige Katalysatoren bei der Umsetzung von Silicium mit
Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff zu Trichlorsilan bewährt haben, ist der Einsatz
der Kupferkatalysatoren bzw. der Kupfer enthaltenen Katalysatormischungen mit
gewissen Nachteilen verbunden.
Die Umsetzung wird üblicherweise in der Wirbelschicht durchgeführt (Ullmann's
Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5th ed. (1993), Vol. A24, 4-6). Aus der
Wirbelschicht werden kleine Silicium/Katalysator-Partikel ausgetragen. Diese
Silicium/Katalysator-Partikel enthalten hohe Konzentrationen des Katalysators und
sind aufgrund der Feinheit meist pyrophor. In einem technischen Prozeß müssen
dieses zwangsweise anfallenden Silicium/Katalysator-Partikel aufgearbeitet und
entsorgt werden.
Die Aufarbeitung solcher Partikel ist in der Regel aufwendig und kostenintensiv.
Gemäß DE 195 07 602 C1 lassen sich siliciumhaltige Rückstände mit wäßriger
alkalischer Lösung oder Wasser behandeln. Eine weitere Verwendung, bei
spielsweise als Füll- oder Zusatzstoffe in der Bau- und/oder Gießereiindustrie, ist erst
möglich, nachdem die behandelten Rückstände getrocknet und/oder gemahlen oder
mit Zement und/oder Kalk enthaltenden Materialien vermischt, zu Grünkörpern
verdichtet und gegebenenfalls ausgehärtet wurden.
Eine Verwendung der Silicium/Katalysator-Partikel z. B. in der Metallurgie ist auf
grund des hohen Kupfergehaltes nur bedingt möglich. EP 786 532 A2 beschreibt die
Verwendung siliciumhaltiger Rückstände als Zusatz bei der Herstellung von
Gußeisen. Dabei muss der siliciumhaltige Rückstand jedoch vor dem Einsatz
aufwendig mit Kartonmasse und hydraulischem Zement versetzt und in Brikettform
gebracht werden.
Auch die Deponierung der anfallenden Silicium/Katalysator-Partikel ist wegen des
hohen Anteils an Schwermetall, insbesondere Kupfer problematisch. Aus DE 43 18 613 A1
ist bekannt, dass aus Siliciumrückständen, die metallisches Kupfer
enthalten, das Kupfer eluierbar ist. In DE 43 18 613 A1 wird daher eine komplexe
Art der Deponierung vorgeschlagen, bei der die siliciumhaltigen Rückstände
zusammen mit Schlacken aus metallurgischen Prozessen abgelagert werden. Die
Folge ist, dass bei Einsatz von Kupferkatalysatoren hohe Entsorgungskosten
entstehen.
Ein weiterer Nachteil ist, dass Kupferkatalisator vergleichsweise teuer ist. Aus dem
Reaktor wird ungenutzter Katalisator über den Gasstrom ausgetragen. Dies erhöht
die Menge an benötigtem Katalysator, da der ausgetragene Katalysator dem Reaktor
wieder zugesetzt werden muß. Durch den Austragsverlust an teurem Katalysator
entstehen also vergleichsweise hohe zusätzliche Kosten.
Es bestand daher die Aufgabe, eine Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan aus
Silicium, Wasserstoff, Siliciumtetrachlorid und gegebenenfalls Chlorwasserstoff zur
Verfügung zu stellen, das obig genannte Nachteile nicht aufweist und selbst ohne
Einsatz von Kupfer eine hohe Reaktionsgeschwindigkeit, bzw. hohe Raum
zeitausbeute, aufweist.
Überraschenderweise wurde nun gefunden, dass der Zusatz von Eisen bzw.
eisenhaltigen Verbindungen auch alleine ohne weiteren Zusatz von Kupfer die
Reaktion von Silicium mit Wasserstoff, Siliciumtetrachlorid und gegebenenfalls
Chlorwasserstoff ausreichend katalysiert. Der Vorteil des Einsatzes eines
eisenhaltigen Katalysators ist, dass der entstehende Abfallstoff ein eisenhaltiges
Silicium ist. Da Eisen im Gegensatz zum Kupfer keine Umweltprobleme verursacht,
spielt die Eluierbarkeit aus dem Rückstand bei einer Deponierung keine Rolle. Ein
eisenhaltiger Filterkuchen ist in der Metallurgie universell einsetzbar, wodurch sich
die Entsorgung deutlich vereinfacht und eine Deponierung vermieden werden kann.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan durch
Umsetzung von Silicium mit Wasserstoff, Siliciumtetrachlorid und gegebenenfalls
Chlorwasserstoff, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Umsetzung in Gegenwart
eines eisenhaltigen Katalysators durchgeführt wird, wobei bei Anwesenheit von
Kupfer, Bromide oder Iodide des Eisens als eisenhaltiger Katalysator ausgenommen
sind.
Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren ohne Zusatz von Kupfer oder einer
kupferhaltigen Verbindung durchgeführt.
Als eisenhaltiger Katalysator eignet sich beispielsweise metallisches Eisen, etwa in
Form von Eisenpulver, oder Verbindungen des Eisens.
Bei Einsatz von Eisenpulver wird vorzugsweise Eisenpulver eingesetzt, das eine
Korngröße kleiner 100 µm, besonders bevorzugt kleiner 20 µm aufweist.
Als Verbindungen des Eisens sind Eisenhalogenide bevorzugt. Insbesondere
bevorzugt werden Eisenchloride, wie z. B. Eisen-II-chlorid, eingesetzt.
Die Menge an eingesetztem eisenhaltigem Katalysator kann beispielsweise 0,5 bis
10 Gew.-% berechnet als Eisen bezogen auf die Summe der Masse an eingesetztem
Silicium und eisenhaltigem Katalysator betragen. Bevorzugt ist eine Menge von 1 bis
5 Gew.-%.
Das Silicium kann beispielsweise mit dem eisenhaltigen Katalysator gemischt und
anschließend in den Reaktor eingebracht werden. Es ist jedoch auch möglich,
Silicium und eisenhaltigen Katalysator getrennt dem Reaktor zuzuführen, wobei eine
Vermischung im Reaktor erfolgt. Bevorzugt werden Silicium und eisenhaltiger
Katalysator vor dem Einbringen in den Reaktor vermischt.
Die Mischung aus Silicium und eisenhaltigem Katalysator kann vor der erfin
dungsgemäßen Umsetzung zu Trichlorsilan einer Vorreaktion z. B. mit Chlor
wasserstoff oder Chlorwasserstoff und Wasserstoff unterzogen werden.
Bei Einsatz von Eisen-III-chloriden als eisenhaltiger Katalysator wirkt sich die
Flüchtigkeit dieser Chloride nachteilig aus. Es ist jedoch möglich, eine Mischung aus
Silicium und Eisen-III-chlorid zur Reduktion von Eisen-III-chloriden mit
Wasserstoff oder mit Mischungen aus Chlorwasserstoff und Wasserstoff zu
behandeln.
Beispielsweise wird die Mischung aus Silicium und eisenhaltigem Katalysator vor
der erfindungsgemäßen Umsetzung bei Temperaturen zwischen 250 bis 500°C,
vorzugsweise zwischen 300 und 350°C mit Chlorwasserstoff und Wasserstoff im
Molverhältnis von 1 : 0 bis 1 : 10 vozugsweise 1 : 0,5 bis 1 : 1 behandelt. Die Mischung
aus Silicium und eisenhaltigem Katalysator wird dabei vorzugsweise fluidisiert.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann beispielsweise bei einem Druck von 1 bis 40 bar
(absolut), bevorzugt von 20 bis 35 bar durchgeführt werden.
Beispielsweise wird bei Temperaturen von 400 bis 800°C, bevorzugt von 450 bis
600°C, gearbeitet.
Die Wahl des Reaktors, in dem die erfindungsgemäße Umsetzung erfolgen soll, ist
nicht kritisch, solange der Reaktor unter den Reaktionsbedingungen hinreichende
Stabilität aufweist und den Kontakt der Ausgangsstoffe erlaubt. Beispielsweise kann
in einem Festbettreaktor, einem Drehrohrofen oder einem Wirbelbettreaktor gear
beitet werden. Die Reaktionsführung in einem Wirbelbettreaktor ist bevorzugt.
Das Molverhältnis von Wasserstoff zu Siliciumtetrachlorid kann bei der erfin
dungsgemäßen Umsetzung beispielsweise 0,25 : 1 bis 4 : 1 betragen. Bevorzugt ist ein
Molverhältnis von 0,6 : 1 bis 2 : 1.
Bei der erfindungsgemäßen Umsetzung kann Chlorwasserstoff zugegeben werden,
wobei die Menge an Chlorwasserstoff in weiten Bereichen variiert werden kann.
Bevorzugt wird Chlorwasserstoff in einer Menge zugegeben, dass ein Molverhältnis
von Siliciumtetrachlorid zu Chlorwasserstoff von 1 : 0 bis 1 : 10, besonders bevorzugt
von 1 : 0,5 bis 1 : 1 resultiert.
Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren in Gegenwart von Chlorwasserstoff
durchgeführt.
Die erfindungsgemäße Umsetzung unter Einsatz eines eisenhaltigen Katalysators
führt verglichen mit einer Reaktionsführung unter Einsatz eines Kupferkatalysators
bezüglich der Ausbeute und der Zeit, bis der stationäre Zustand der Reaktion erreicht
wird, zu vergleichbaren Ergebnissen. Somit kann das erfindungsgemäße Verfahren
mit nahezu gleicher Ausbeute betrieben werden, hat jedoch gegenüber dem
Verfahren unter Einsatz eines Kupferkatalysators die genannten Vorteile.
Das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Trichlorsilan kann
beispielsweise zur Herstellung von Silan und/oder Reinst-Silicium verwendet
werden.
Demnach betrifft die Erfindung auch ein Verfahren zur Herstellung von Silan
und/oder Reinst-Silicium ausgehend von Trichlorsilan, das nach dem oben
beschriebenen Verfahren erhalten wird.
Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren in ein Gesamtverfahren zur
Herstellung von Reinst-Silicium integriert.
Besonders bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren in ein mehrstufiges
Gesamtverfahren zur Herstellung von Reinst-Silicium integriert, wie es
beispielsweise in "Economics of Polysilicon Process, Osaka Titanium Co., DOE/JPL
1012122 (1985), 57-78" beschrieben ist und das folgende Schritte umfasst:
- a) Herstellung von Trichlorsilan,
- b) Disproportionierung von Trichlorsilan unter Gewinnung von Silan,
- c) Reinigung des Silans zu Reinst-Silan und
- d) Thermische Zersetzung des Silans in einem Wirbelbettreaktor unter Ab scheidung von Reinst-Silicium auf Silicium-Partikeln, die das Wirbelbett bilden.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird in den folgenden Beispielen näher erläutert,
wobei die Beispiele jedoch nicht als Einschränkung des Erfindungsgedankens zu
verstehen sind.
In einem Reaktor, bestehend aus einem Glasrohr mit einem Durchmesser von 3 cm
und einer Höhe von 18 cm mit eingebauter Glasfritte, wurde Silicium der
Kornfraktion 315-425 µm mit Kupfer-I-chlorid gemischt. Die Mischung enthielt
1 Gew.-% Kupfer. 40 g dieser Mischung wurden auf 500°C aufgeheizt und durch
einen Wendelrührer bewegt. Durch diese Schüttung wurde von unten ein Gasgemisch
aus Wasserstoff und Siliciumtetrachlorid im Mol-Verhältnis 1,85 : 1 geleitet. Die
Gasgeschwindigkeit betrug 0,41 cm/s, die Verweilzeit der Gasmischung in der
Silicium-Schüttung betrug 11,8 s. Die Umsetzung erfolgte bei einem Druck von 1 bar
(absolut). Die Ausbeute an Trichlorsilan betrug 12,4%, bezogen auf die Menge an
eingesetztem Siliciumtetrachlorid. Die Dauer bis zum Erreichen des stationären
Zustandes betrug ca. 60 min.
In einem Reaktor, bestehend aus einem Glasrohr mit einem Durchmesser von 3 cm
und einer Höhe von 18 cm mit eingebauter Glasfritte, wurde Silicium der
Kornfraktion 315-425 µm mit Eisen-II-chlorid gemischt. Die Mischung enthielt
1 Gew.-% Eisen. 40 g dieser Mischung wurden auf 500°C aufgeheizt und durch
einen Wendelrührer bewegt. Durch diese Schüttung wurde ein Gasgemisch aus
Wasserstoff und Siliciumtetrachlorid im Mol-Verhältnis 1,85 : 1 geleitet. Die Gas
geschwindigkeit betrug 0,41 cm/s, die Verweilzeit der Gasmischung in der Silicium-
Schüttung betrug 11,8 s. Die Umsetzung erfolgte bei einem Druck von 1 bar
(absolut). Die Ausbeute an Trichlorsilan betrug 11,4%, bezogen auf die Menge an
eingesetztem Siliciumtetrachlorid. Die Dauer bis zum Erreichen des stationären
Zustandes betrug ca. 60 min.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan durch Umsetzung von Silicium
mit Wasserstoff, Siliciumtetrachlorid und gegebenenfalls Chlorwasserstoff,
dadurch gekennzeichnet, dass die Umsetzung in Gegenwart eines eisen
haltigen Katalysators durchgeführt wird, wobei bei Anwesenheit von Kupfer,
Bromide oder Iodide des Eisens als eisenhaltiger Katalysator ausgenommen
sind.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Umsetzung
ohne Zusatz von Kupfer oder einer kupferhaltigen Verbindung durchgeführt
wird.
3. Verfahren gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekenn
zeichnet, dass als eisenhaltiger Katalysator Eisenpulver eingesetzt wird.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Eisenpulver
eine Korngröße kleiner 100 µm aufweist.
5. Verfahren gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekenn
zeichnet, dass als eisenhaltiger Katalysator Eisenhalogenide eingesetzt
werden.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, dass als eisenhaltiger
Katalysator Eisenchloride eingesetzt werden.
7. Verfahren gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, dass 0,5 bis 10 Gew.-% des eisenhaltigen Katalysators berechnet als
Eisen bezogen auf die Summe der Masse an eingesetztem Silicium und
eisenhaltigem Katalysator eingesetzt werden.
8. Verfahren gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Umsetzung bei einem Druck von 1 bis 40 bar (absolut)
durchgeführt wird.
9. Verfahren gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Umsetzung bei Temperaturen von 400 bis 800°C durch
geführt wird.
10. Verfahren zur Herstellung von Silan und/oder Reinst-Silicium, dadurch
gekennzeichnet, dass von Trichlorsilan ausgegangen wird, das gemäß der
Ansprüche 1 bis 9 erhalten wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000144795 DE10044795B4 (de) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000144795 DE10044795B4 (de) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10044795A1 true DE10044795A1 (de) | 2002-04-04 |
DE10044795B4 DE10044795B4 (de) | 2009-10-15 |
Family
ID=7655751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000144795 Expired - Fee Related DE10044795B4 (de) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10044795B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008041974A1 (de) | 2008-09-10 | 2010-03-11 | Evonik Degussa Gmbh | Vorrichtung, deren Verwendung und ein Verfahren zur energieautarken Hydrierung von Chlorsilanen |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4343169A1 (de) * | 1993-12-17 | 1995-06-22 | Solvay Deutschland | Katalytische Hydrodehalogenierung halogenhaltiger Verbindungen von Elementen der vierten Hauptgruppe |
-
2000
- 2000-09-11 DE DE2000144795 patent/DE10044795B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008041974A1 (de) | 2008-09-10 | 2010-03-11 | Evonik Degussa Gmbh | Vorrichtung, deren Verwendung und ein Verfahren zur energieautarken Hydrierung von Chlorsilanen |
WO2010028878A1 (de) | 2008-09-10 | 2010-03-18 | Evonik Degussa Gmbh | Wirbelschichtreaktor, dessen verwendung und ein verfahren zur energieautarken hydrierung von chlorsilanen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10044795B4 (de) | 2009-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1341721B1 (de) | Verfahren zur herstellung von silan | |
EP1370490B1 (de) | Verfahren zur herstellung von chlorsilanen | |
DE4343169A1 (de) | Katalytische Hydrodehalogenierung halogenhaltiger Verbindungen von Elementen der vierten Hauptgruppe | |
WO2007023162A1 (de) | Mechanisch stabiler katalysator auf basis von alpha-aluminiumoxid | |
DE19654154A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan | |
EP0167156A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrachlorid | |
EP1341722B1 (de) | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan | |
EP1318967B1 (de) | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan | |
EP1326803B1 (de) | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan | |
EP0550857B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferpulver | |
EP1317400B1 (de) | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan | |
DE3523543A1 (de) | Verfahren zur aufarbeitung von hydrolyserueckstaenden aus der methylchlorsilansynthese | |
DE2247873B2 (de) | Verfahren zur herstellung von silanen | |
DD233128A5 (de) | Verfahren zur katalytischen herstellung von organohalogensilanen | |
WO2003059815A1 (de) | Verfahren zur herstellung von amorphem silicium und/oder hieraus gewonnenen organohalogensilanen | |
DE10049963B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan | |
EP1505070A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen | |
EP2467390B1 (de) | Katalysator zur hydrodechlorierung von chlorsilanen zu hydrogensilanen und verfahren zur darstellung von hydrogensilanen mit diesem katalysator | |
DE10044795B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan | |
DE69907295T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen | |
DE10048794A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan | |
DE4312494A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen | |
DD240730A1 (de) | Verfahren zur gewinnung von reinem siliziumpulver | |
DE2357751C3 (de) | Katalysator für die Äthinylierung | |
DE10056722A1 (de) | Verfahren zur Inertisierung von staubförmigen siliziummetallhaltigen Rückständen der Trichlorsilansynthese im Wirbelbett |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: SOLARWORLD AG, 53113 BONN, DE |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: EVONIK DEGUSSA GMBH, 45128 ESSEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |