DE10032607A1 - Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät - Google Patents
Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches TeilchenstrahlgerätInfo
- Publication number
- DE10032607A1 DE10032607A1 DE10032607A DE10032607A DE10032607A1 DE 10032607 A1 DE10032607 A1 DE 10032607A1 DE 10032607 A DE10032607 A DE 10032607A DE 10032607 A DE10032607 A DE 10032607A DE 10032607 A1 DE10032607 A1 DE 10032607A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pump
- particle beam
- beam device
- high vacuum
- ultra
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D19/00—Axial-flow pumps
- F04D19/02—Multi-stage pumps
- F04D19/04—Multi-stage pumps specially adapted to the production of a high vacuum, e.g. molecular pumps
- F04D19/046—Combinations of two or more different types of pumps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D25/00—Pumping installations or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/188—Differential pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2602—Details
- H01J2237/2605—Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und einer Präparatkammer die mit variablen Drücken bis 1 hPa betreibbar ist. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät hat zwischen dem Ultrahochvakuumbereich (6) und der Präparatkammer (1) genau zwei Zwischendruckbereiche (7), (8). Beide Zwischndruckbereiche (7), (8) werden mit Hilfe einer seriellen Pumpenanordnung aus einer Vorpumpe (16) und zwei Turbomolekularpumpen (13), (14), die u. a. jeweils zum Vorpumpen der anderen Pumpe dienen, evakuiert. DOLLAR A Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung dient die Vorpumpe (16) gleichzeitig auch zum Evakuieren der Präparatkammer. Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel ist eine zweite Vorpumpe (20) zum Evakuieren der Präparatkammer (1) vorgesehen. Mit dieser Anordnung ist das Ultrahochvakuum im Ultrahochvakuumbereich (6) bis zu Drücken von 100 hPa in der Präparatkammer (1) aufrecht erhaltbar. DOLLAR A Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät findet insbesondere Anwendung als sogenanntes Variable Pressure SEM (VP-SEM) oder als sogenantes ESEM.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum
zu betreibenden Teilchenquelle sowie eine kaskadenförmige Pumpanordnung für ein
entsprechendes Teilchenstrahlgerät.
In der US 5,828,064 ist ein sogenanntes Environmental Scanning Elektronenmikroskop
(ESEM) mit einer Feldemissionsquelle beschrieben. Derartige ESEM's erlauben die
elektronenmikroskopische Untersuchung von Proben unter normalem Atmosphärendruck
oder gegenüber dem normalen Atmosphärendruck nur geringfügig reduziertem Druck. Da
andererseits Feldemissionsquellen und auch die häufig als Feldemissionsquellen
bezeichneten sogenannten Schottky-Emitter für ihren Betrieb ein Ultrahochvakuum
benötigen, ist das gesamte Elektronenmikroskop als differentiell gepumptes System mit
drei Zwischendruckstufen aufgebaut. Das Gesamtsystem weist demzufolge fünf
Druckbereiche auf, die durch vier Druckstufen oder Druckstufenblenden voneinander
getrennt sind. Neben dem Aufwand für die Pumpen resultiert aus dem für die
Vakuumanschlüsse der drei Zwischendruckbereiche benötigten Bauraum ein zusätzlicher
Bedarf an Bauhöhe, wie dieser allein für die elektronenoptischen Komponenten nicht
erforderlich wäre.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Kopuskolarstrahlgerät, insbesondere ein
Rasterelektronenmikroskop anzugeben, das trotz variablem Druck in der Probenkammer
bis hin zu nahezu Umgebungsdruck und Ultrahochvakuum im Bereich der Teilchenquelle
einen vereinfachten Aufbau aufweist. Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es,
ein Vakuumpumpsystem anzugeben, mit dem ein entsprechend vereinfachter Aufbau eines
Kopuskolarstrahlgerätes ermöglicht wird.
Diese Ziele werden erfindungsgemäß durch ein Teilchenstrahlgerät mit den Merkmalen
des Anspruches 1 und eine Pumpenanordnung gemäß Anspruch 10 erreicht.
Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist eine im Ultrahochvakuum zu betreibende
Teilchenquelle und eine Präparatkammer auf, die mit Drücken vom Hochvakuumbereich
mit Drücken unter 10-3 hPa bis mindestens 1 hPa (Hektopascal) betreibbar ist. Zwischen
dem Ultrahochvakuumbereich der Teilchenquelle und der Probenkammer sind beim
erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgerät genau zwei weitere Druckbereiche vorgesehen.
Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist demgemäß genau vier Druckbereiche auf,
nämlich den Ultrahochvakuumbereich, in dem die Teilchenquelle angeordnet ist, zwei
Zwischendruckbereiche und die Präparatkammer. Insgesamt ergeben sich damit beim
erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgerät drei Druckstufen, für die drei Druckstufenblenden
insgesamt erforderlich sind.
Um mit nur drei Druckstufen auszukommen, ist vorzugsweise der dem
Ultrahochvakuumbereich benachbarte Druckbereich über eine Turbomolekularpumpe
gepumpt. Weiterhin vorzugsweise ist der Auslaß dieser ersten Turbomolekularpumpe
durch eine Vorpumpe oder zweite Turbomolekularpumpe vorgepumpt. Durch diese
Pumpenanordnung wird der Druck in dem dem Ultrahochvakuumbereich benachbarten
Druckbereich auf Werte größer 10-6 hPa gehalten.
Bei einem weiterhin vorteilhaften Ausführungsbeispiel weist die zweite
Turbomolekularpumpe einen zweiten Pumpenport auf, der an den der Probenkammer
benachbarten Druckbereich angeschlossen ist. Die zweite Turbomolekularpumpe kann
dadurch eine Doppelfunktion erfüllen, nämlich gleichzeitig den Auslaß der ersten
Turbomolekularpumpe vorpumpen und außerdem den der Probenkammer benachbarten
Druckbereich evakuieren.
Weiterhin vorzugsweise ist eine Vorpumpe vorgesehen, durch die der Auslaß der zweiten
Turbomolekularpumpe vorgepumpt ist. Diese Vorpumpe kann zusätzlich dazu dienen, die
Präparatkammer auf den gewünschten Druck zu evakuieren. Soweit das
Teilchenstrahlgerät auch bei Drücken oberhalb 5 hPa in der Probenkammer betreibbar sein
soll, empfiehlt sich jedoch eine zweite Vorpumpe zur Evakuierung der Präparatkammer
vorzusehen, so daß die erste Vorpumpe ausschließlich den Auslaß der zweiten
Turbomolekularpumpe vorpumpt.
Eine erfindungsgemäße kaskadenförmige Pumpenanordnung für ein entsprechendes
Teilchenstrahlgerät weist zwei Turbomolekularpumpen auf, von denen die zweite
Turbomolekularpumpe zum Vorpumpen des Ausganges der ersten Turbomolekularpumpe
dient.
Nachfolgend werden Einzelheiten der Erfindung anhand der in den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Im einzelnen zeigen:
Fig. 1: Eine Prinzipskizze eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung für
geringere Kammerdrücke und
Fig. 2: eine Prinzipskizze eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung für
höhere Kammerdrücke.
In der Fig. 1 ist mit (1) die Präparatkammer und mit (2) die elektronenoptische Säule des
Teilchenstrahlgerätes bezeichnet. Die elektronenoptische Säule (2) weist drei
Druckbereiche (6), (7), (8) auf, die jeweils durch Druckstufenblenden (9), (10), (11)
voneinander getrennt sind. Der - geometrisch gesehen - oberste Druckbereich (6) der
elektronenoptischen Säule (2) ist für die Aufrechterhaltung eines Ultrahochvakuums mit
einem Druck kleiner 5 × 10-8 hPa ausgelegt. Dieser Ultrahochvakuumbereich wird über
eine Ionengetterpumpe (12) evakuiert. In diesem Ultrahochvakuumbereich ist die
Teilchenquelle (3) in Form einer Feldemissionsquelle bzw. eines Schottky-Emitters
angeordnet.
Zwischen dem Ultrahochvakuumbereich (6) und dem zu diesem benachbarten
Zwischendruckbereich (7) ist der Kondensor (5) des Teilchenstrahlgerätes angeordnet, von
dem in der Fig. 1 nur die Polschuhe angedeutet sind. Etwa in Höhe des oder - in
Ausbreitungsrichtung der Elektronen gesehen - hinter dem Polschuhspalt der
Kondensorlinse (5) ist die Druckstufenblende (9) angeordnet, die für die Aufrechterhaltung
eines geeigneten Druckunterschiedes zwischen dem Ultrahochvakuumbereich (6) und dem
zu diesem benachbarten Zwischendruckbereich (7) gewährleistet.
Auf den ersten Zwischendruckbereich (7) folgt ein zweiter Zwischendruckbereich (8), der
von dem ersten Zwischendruckbereich (7) durch eine zweite Druckstufenblende (10)
getrennt ist. Zwischen diesem zweiten Zwischendruckbereich (8) und der Präparatkammer
ist die Objektivlinse (4) des Teilchenstrahlgerätes angeordnet, von der in der Fig. 1
ebenfalls nur die Polschuhe angedeutet sind. Zwischen oder - in Ausbreitungsrichtung der
Elektronen gesehen - vor den Polschuhen der Objektivlinse (4) ist die dritte
Druckstufenblende (11) angeordnet, die einen geeigneten Druckunterschied zwischen dem
zweiten Zwischendruckbereich (8) und der Präparatkammer (1) sicherstellt.
Für die Einstellung geeigneter Vakuumbedingungen ist beim Ausführungsbeispiel der
Fig. 1 neben der Ionengetterpumpe (12) für den Ultrahochvakuumbereich (6) eine
kaskadenförmige Pumpanordnung aus einer Vorpumpe (16) und zwei teilweise ebenfalls
seriell geschalteten Turbomolekularpumpen (13), (14) vorgesehen. Die Vorpumpe (16)
erfüllt dabei eine Doppelfunktion. Die Vorpumpe (16) dient einerseits zum Evakuieren der
Präparatkammer (1) direkt über eine separate Rohrverbindung und gleichzeitig zum
Abpumpen des Ausganges der ersten Turbomolekularpumpe (14). Die Evakuierung der
Präparatkammer (1) ist dabei über ein Ventil (17) in der Rohrverbindung regelbar. Der
Druck in der Präparatkammer ist über ein nicht dargestelltes, regelbares Gaseinlaßventil
einstellbar.
Die erste Turbomolekularpumpe (14) ist als leistungsstarke sogenannte Split-Flow-Pumpe
ausgelegt und erfüllt eine Dreifachfunktion. Der Ansaugstutzen des inneren
Turbinenbereiches ist über eine Rohrleitung (15) direkt an den zur Präparatkammer (1)
benachbarten Zwischendruckbereich (8) angeflanscht und sorgt dadurch für eine direkte
Evakuierung dieses Zwischendruckbereiches. Gleichzeitig ist der Ansaugstutzen des
inneren Turbinenbereiches über ein zweites Ventil (19) unmittelbar an die Präparatkammer
(1) angeflanscht. Der Ansaugstutzen des äußeren Turbinenbereiches der ersten
Turbomolekularpumpe (14) ist weiterhin an den Auslaß der zweiten
Turbomolekularpumpe (13) angeschlossen, so daß die erste Turbomolekularpumpe (14)
zusätzlich zur Evakuierung des der Probenkammer (1) benachbarten
Zwischendruckbereiches (8) zum Vorpumpen der zweiten Turbomolekularpumpe (13)
dient. Der Ansaugstutzen der zweiten Turbomolekularpumpe (13) ist an den zum
Ultrahochvakuumbereich (6) benachbarten Zwischendruckbereich (7) direkt
angeschlossen.
Soweit vorstehend oder nachfolgend von einem direkten Anschluß einer Vakuumpumpe an
einen Druckbereich gesprochen ist, ist damit gemeint, daß die durch diese Pumpe
erfolgende Evakuierung des betreffenden Druckbereiches direkt erfolgt, also ohne daß die
von dieser Pumpe abgepumpten Gasmoleküle zwischen dem betreffenden Druckbereich
und dem Ansaugstutzen der Pumpe eine Druckstufenblende passieren müssen.
Das vorstehend beschriebene Vakuumsystem ist ein differentiell gepumptes
Vakuumsystem mit insgesamt vier Druckbereichen.
Mit der beschriebenen kaskadenförmigen, seriell geschalteten Pumpanordnung läßt sich
mit Hilfe einer einzigen Ionengetterpumpe (12), den zwei Turbomolekularpumpen (13),
(14) und einer einzigen Vorpumpe (16) ein Ultrahochvakuum mit Drücken kleiner 5 × 10-8 hPa
in der Ultrahochvakuumkammer (6) bei Drücken zwischen 5 hPa und 107 hPa in der
Präparatkammer (1) aufrechterhalten. Bei gewünschten Drücken in der Präparatkammer
(1) zwischen 10-2 hPa und 5 hPa ist dabei das Ventil (17) zwischen der Vorpumpe (16) und
der Präparatkammer (1) geöffnet und das zweite Ventil (19) zwischen der ersten
Turbomolekularpumpe (14) und der Präparatkammer (1) geschlossen. Das Vakuum in der
Präparatkammer (1) ist dann ausschließlich durch das mit der Vorpumpe (16) erreichbare
bzw. an dieser eingeregelte Vakuum bestimmt. Durch das Vorpumpen des Auslasses der
zweiten Turbomolekularpumpe durch die erste Turbomolekularpumpe (14) und dadurch,
daß die komplette Pumpleistung des inneren Turbinenbereiches der ersten
Turbomolekularpumpe (14) ausschließlich zum Pumpen des der Präparatkammer
benachbarten Zwischendruckbereiches (8) dient, wird sichergestellt, daß in dem dem
Ultrahochvakuumbereich benachbarten Zwischendruckbereich (7) ein Vakuum zwischen
10-5 und 10-6 hPa aufrechterhalten wird.
Bei Drücken unter 10-2 hPa in der Präparatkammer (1), die mit der Vorpumpe (16) nicht
erreichbar sind, wird das erste Ventil (17) zwischen der Vorpumpe (16) und der
Präparatkammer (1) geschlossen und das zweite Ventil (19) zwischen der Präparatkammer
(1) und der ersten Turbomolekularpumpe (14) geöffnet. Die Vorpumpe (16) dient dann
ausschließlich zum Vorpumpen der ersten Turbomolekularpumpe (14). Sowohl die
Präparatkammer (1) als auch der der Präparatkammer (1) benachbarte
Zwischendruckbereich (8) werden dann durch die erste Turbomolekularpumpe (14) direkt
gepumpt. Die in der Objektivlinse (4) angeordnete Druckstufenblende (11) ist in diesem
Fall ohne Wirkung. Durch die mit der ersten Turbomolekularpumpe (14) vorgepumpte
zweite Turbomolekularpumpe (13) wird auch in diesem Fall in dem dem
Ultrahochvakuumbereich (6) benachbarten Zwischendruckbereich (7) ein Vakuum
zwischen 10-5 und 10-6 hPa aufrechterhalten.
Damit bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel auch beim Öffnen der Präparatkammer
(1) das Ultrahochvakuum im Ultrahochvakuumbereich (6) aufrechterhalten wird, ist
innerhalb der elektronenoptischen Säule, vorzugsweise zwischen dem
Ultrahochvakuumbereich und dem dem Ultrahochvakuumbereich benachbarten
Druckbereich (7) ein Absperrventil (18) vorgesehen, das vor dem Öffnen der
Präparatkammer (1) geschlossen wird. Die Vorpumpe (16) und die beiden
Turbomolekularpumpen (13), (14) können dadurch beim Öffnen der Präparatkammer (1)
außer Betrieb gesetzt werden.
Das in der Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im wesentlichen dem
Ausführungsbeispiel in Fig. 1. Demzufolge sind in der Fig. 2 diejenigen Komponenten,
die denen des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 entsprechen, mit identischen
Bezugszeichen versehen. Soweit beide Ausführungsbeispiele übereinstimmen, wird bzgl.
Fig. 2 auf die vorstehende Beschreibung der Fig. 1 verwiesen.
Der wesentliche Unterschied zwischen dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 und dem
nach Fig. 1 besteht darin, daß die Vorpumpe (16) beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 2
ausschließlich zum Vorpumpen der ersten Turbomolekularpumpe (14) dient, deren
vorvakuumseitige Dragstufe wiederum zum Vorpumpen der zweiten
Turbomolekularpumpe (13) dient. Zum Evakuieren der Präparatkammer (1) ist eine zweite
Vorpumpe (20) vorgesehen, deren Pumpleistung wiederum über ein erstes Ventil (17')
regelbar ist. Mit dieser alternativen Pumpenanordnung mit einer zweiten Vorpumpe (20)
ist das Teilchenstrahlgerät unter Aufrechterhaltung des Ultrahochvakuums im
Ultrahochvakuumbereich (6) auch bei Drücken in der Präparatkammer bis 100 hPa
einsetzbar. Bei Kammerdrücken unter 10-2 hPa in der Präparatkammer (1) wird sowohl die
Präparatkammer (1) als auch der der Präparatkammer (1) benachbarte
Zwischendruckbereich (8) ausschließlich über die erste Turbomolekularpumpe gepumpt.
In diesem Fall ist das erste Ventil (17') zwischen der zweiten Vorpumpe (20) und der
Präparatkammer (1) geschlossen und das zweite Ventil (19) zwischen der ersten
Turbomolekularpumpe (14) und der Präparatkammer (1) geöffnet. Bei Drücken zwischen
10-2 und 100 hPa ist demhingegen das erste Ventil (17') geöffnet, so daß die
Präparatkammer (1) durch die zweite Vorpumpe (20) evakuiert wird, und das zweite Ventil
(19) geschlossen. Der aufgrund der höheren Kammerdrücke stärkere Gasstrom zwischen
der Präparatkammer und der der Präparatkammer (1) benachbarten Zwischendruckkammer
(8) wird bei diesem Ausführungsbeispiel dadurch abgefangen, daß die erste Vorpumpe
(16) ausschließlich zum Vorpumpen der ersten Turbomolekularpumpe (14) dient, die
dadurch eine entsprechend erhöhte Förderleistung erhält. Auch in diesem Fall
gewährleistet die durch die erste Turbomolekularpumpe (14) vorgepumpte zweite
Turbomolekularpumpe (13) die Aufrechterhaltung eines Vakuums zwischen 10-5 und 10-6 hPa
in dem an den Ultrahochvakuumbereich (6) angrenzenden Zwischendruckbereich (7).
Bei dem in der Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel wird zwischen dem
Ultrahochvakuumbereich (6) und der Präparatkammer eine Druckdifferenz von bis zu 10
Größenodnungen, also von 1010 hPa über nur zwei Zwischendruckbereiche aufrecht
erhalten.
Grundsätzlich denkbar wäre es auch, wie beim zitierten Stand der Technik, auch den an
den Ultrahochvakuumbereich angrenzenden Zwischendruckbereich (7) mittels einer
zweiten Ionengetterpumpe zu evakuieren. In diesem Fall wäre dann der an die
Präparatkammer (1) angrenzende Zwischendruckbereich mittels einer durch eine
Turbomolekularpumpe vorgepumpte Turbomolekularpumpen zu evakuieren. Die zweite
Ionengetterpumpe müßte dann jedoch mit sehr hoher Pumpleistung ausgelegt sein,
wodurch wiederum wegen der größeren Abmessungen der Ionengetterpumpe eine größere
Bauhöhe der elektronenoptischen Säule resultieren würde.
Weiterhin auch denkbar ist es, eine weitere Vorpumpe zum separaten Vorpumpen der
zweiten Turbomolekularpumpe (13) vorzusehen.
Claims (12)
1. Teilchenstrahlgerät, das eine im Ultrahochvakuum zu betreibende Teilchenquelle (3)
und eine Präparatkammer (1) aufweist, die mit Drücken vom Hochvakuum mindestens
bis zu 1 hPa betreibbar ist, und wobei zwischen dem Ultrahochvakuumbereich (6) der
Teilchenquelle und der Probenkammer (1) genau zwei weitere Zwischendruckbereiche
(7), (8) vorgesehen sind.
2. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 1, wobei der dem Ultrahochvakuumbereich (6)
benachbarte Druckbereich mittels einer Turbomolekularpumpe (13) gepumpt ist.
3. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 2, wobei der Auslaß der Turbomolekularpumpe
(13) durch eine weitere Turbomolekularpumpe (14) vorgepumpt ist.
4. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 3, wobei die weitere Turbomolekularpumpe (14)
über einen zweiten Pumpenport gleichzeitig direkt an den der Präparatkammer (1)
benachbarten Druckbereich (8) angeschlossen ist.
5. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 4, wobei eine Vorpumpe (16) vorgesehen ist, durch
die der Auslaß der weiteren Turbomolekularpumpe (14) vorgepumpt ist.
6. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 5, wobei die Vorpumpe (16) über ein Ventil (17)
direkt an die Präparatkammer (1) angeschlossen ist.
7. Teilchenstrahlgerät nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei die weitere
Turbomolekularpumpe (14) zusätzlich über ein weiteres Ventil (19) direkt an die
Präparatkammer (1) angeschlossen ist.
8. Teilchenstrahlgerät nach Anspruch 5, wobei eine zweite Vorpumpe (20) vorgesehen
und an die Präparatkammer (1) angeschlossen ist.
9. Teilchenstrahlgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei eine Ionengetterpumpe
zum Evakuieren des Ultrahochvakuumbereiches (6) vorgesehen ist.
10. Kaskadenförmige Pumpanordnung für ein Teilchenstrahlgerät mit zwei
Turbomolekularpumpen (13), (14), wobei die Dragstufe einer Turbomolekularpumpe
an den Auslaß der zweiten Turbomolekularpumpe (13) angeschlossen ist.
11. Pumpenanordnung nach Anspruch 10, wobei die die weitere Turbomolekularpumpe
(13) vorpumpende Turbomolekularpumpe (14) zusätzlich an einen
Zwischendruckbereich (8) des Teilchenstrahlgerätes zu dessen Evakuierung
angeschlossen ist.
12. Pumpenanordnung nach Anspruch 10 oder 11, wobei eine weitere Vorpumpe (16) zum
Vorpumpen des Ausganges der weiteren Turbomolekularpumpe (14) vorgesehen ist.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10032607A DE10032607B4 (de) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät |
JP2002508824A JP4981235B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | 超高真空で作動する粒子源を備えた粒子放射装置およびこの種の粒子放射装置のためのカスケード状ポンプ装置 |
DE50113269T DE50113269D1 (de) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | Teilchenstrahlgerät mit einer im ultrahochvakuum zu betreibenden teilchenquelle und kaskadenförmige pumpanordnung für ein solches teilchenstrahlgerät |
EP01956509A EP1299898B1 (de) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | Teilchenstrahlgerät mit einer im ultrahochvakuum zu betreibenden teilchenquelle und kaskadenförmige pumpanordnung für ein solches teilchenstrahlgerät |
CZ20030367A CZ302134B6 (cs) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | Kaskádové cerpací usporádání pro prístroj s korpuskulárním zárením a prístroj s korpuskulárním zárením |
PCT/EP2001/007597 WO2002005310A1 (de) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | Teilchenstrahlgerät mit einer im ultrahochvakuum zu betreibenden teilchenquelle und kaskadenförmige pumpanordnung für ein solches teilchenstrahlgerät |
US10/337,795 US6872956B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-01-06 | Particle beam device with a particle source to be operated in high vacuum and cascade-type pump arrangement for such a particle beam device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10032607A DE10032607B4 (de) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10032607A1 true DE10032607A1 (de) | 2002-01-24 |
DE10032607B4 DE10032607B4 (de) | 2004-08-12 |
Family
ID=7647835
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10032607A Expired - Fee Related DE10032607B4 (de) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät |
DE50113269T Expired - Lifetime DE50113269D1 (de) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | Teilchenstrahlgerät mit einer im ultrahochvakuum zu betreibenden teilchenquelle und kaskadenförmige pumpanordnung für ein solches teilchenstrahlgerät |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50113269T Expired - Lifetime DE50113269D1 (de) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | Teilchenstrahlgerät mit einer im ultrahochvakuum zu betreibenden teilchenquelle und kaskadenförmige pumpanordnung für ein solches teilchenstrahlgerät |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6872956B2 (de) |
EP (1) | EP1299898B1 (de) |
JP (1) | JP4981235B2 (de) |
CZ (1) | CZ302134B6 (de) |
DE (2) | DE10032607B4 (de) |
WO (1) | WO2002005310A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003007329A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Nanofactory Instruments Ab | Sample chamber device for an electron microscope |
EP1347490A3 (de) * | 2002-03-18 | 2004-01-21 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Blenden-Zusatzvorrichtung für ein Rasterelektronenmikroskop |
WO2004055377A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-01 | The Boc Group Plc | Vacuum pumping system and method of operating a vacuum pumping arrangement |
EP1515359A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-03-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Kammer mit geringer durch Elektronen stimulierter Desorption |
US20070176102A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-02 | Fei Company | Particle optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure |
US8672607B2 (en) | 2003-09-30 | 2014-03-18 | Edwards Limited | Vacuum pump |
DE112011104347B4 (de) * | 2011-01-31 | 2015-08-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vorrichtung und Mikroskopieverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl |
DE112011103986B4 (de) | 2010-12-01 | 2022-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Elektronenstrahlsäule, verfahren zur benutzung der elektronenstrahlsäule, vorrichtung und elektronenkanone |
Families Citing this family (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0411426D0 (en) | 2004-05-21 | 2004-06-23 | Boc Group Plc | Pumping arrangement |
KR101204358B1 (ko) * | 2004-09-01 | 2012-11-23 | 전자빔기술센터 주식회사 | 전자 칼럼용 모셔닝 장치 |
GB0424198D0 (en) | 2004-11-01 | 2004-12-01 | Boc Group Plc | Pumping arrangement |
JP2007141633A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡 |
EP1798751A1 (de) * | 2005-12-13 | 2007-06-20 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Schutzblende für geladenen Teilchen Emitter |
JP4634295B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡の真空排気装置 |
JP4930754B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-05-16 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
EP2565900B1 (de) * | 2007-11-13 | 2016-02-03 | Carl Zeiss Microscopy Limited | Strahlenvorrichtung und System mit einer Partikelstrahlenvorrichtung und einem optischem Mikroskop |
JP5244730B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 低真空走査電子顕微鏡 |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
CN104508791B (zh) * | 2012-07-30 | 2017-03-01 | Fei 公司 | 环境扫描电子显微镜气体喷射系统 |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
JP6035602B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料台ユニット、及び試料観察方法 |
BR112015011507A2 (pt) | 2012-11-30 | 2017-07-11 | Tyco Electronics Corp | configuração dividida distribuída para unidade multidomiciliar |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US20140311581A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Applied Materials, Inc. | Pressure controller configuration for semiconductor processing applications |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US10269537B2 (en) * | 2013-12-16 | 2019-04-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Vacuum assembly for an ion implanter system |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
DE112015006315B4 (de) | 2015-04-15 | 2021-09-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Ladungsteilchenstrahleinrichtung und Evakuierungsverfahren dafür |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP2022534259A (ja) * | 2019-05-29 | 2022-07-28 | エドワーズ リミテッド | ターボ分子ポンプ、真空ポンプシステム、及び真空チャンバを排気する方法 |
DE102022208597A1 (de) | 2022-08-18 | 2024-02-29 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vorrichtung zum Abbilden und Bearbeiten einer Probe mit einem fokussierten Teilchenstrahl |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4720633A (en) * | 1986-01-17 | 1988-01-19 | Electro-Scan Corporation | Scanning electron microscope for visualization of wet samples |
US4889995A (en) * | 1987-12-23 | 1989-12-26 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for analysis employing electron |
DE4331589A1 (de) * | 1992-12-24 | 1994-06-30 | Balzers Pfeiffer Gmbh | Vakuumpumpsystem |
US5717204A (en) * | 1992-05-27 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Inspecting optical masks with electron beam microscopy |
US5828064A (en) * | 1995-08-11 | 1998-10-27 | Philips Electronics North America Corporation | Field emission environmental scanning electron microscope |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4651171A (en) * | 1985-04-25 | 1987-03-17 | Image Graphics, Inc. | Vacuum system for a charged particle beam recording system |
EP0275306B1 (de) | 1986-08-01 | 1990-10-24 | Electro-Scan Corporation | Mehrzwecksgasdetektoranordnung fuer elektronmikroskopen |
US4785182A (en) | 1987-05-21 | 1988-11-15 | Electroscan Corporation | Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere |
US5733104A (en) * | 1992-12-24 | 1998-03-31 | Balzers-Pfeiffer Gmbh | Vacuum pump system |
EP0603694A1 (de) * | 1992-12-24 | 1994-06-29 | BALZERS-PFEIFFER GmbH | Vakuumpumpsystem |
GB9318801D0 (en) * | 1993-09-10 | 1993-10-27 | Boc Group Plc | Improved vacuum pumps |
DE29516599U1 (de) * | 1995-10-20 | 1995-12-07 | Leybold Ag | Reibungsvakuumpumpe mit Zwischeneinlaß |
US6193461B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-02-27 | Varian Inc. | Dual inlet vacuum pumps |
CZ302126B6 (cs) | 2000-07-07 | 2010-11-03 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Detektor pro prístroje vyzarující korpuskulární zárení, prístroj vyzarující korpuskulární zárení a zpusob detekování existence produktu vzájemného pusobení v tomto prístroji |
-
2000
- 2000-07-07 DE DE10032607A patent/DE10032607B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-03 WO PCT/EP2001/007597 patent/WO2002005310A1/de active IP Right Grant
- 2001-07-03 EP EP01956509A patent/EP1299898B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-03 JP JP2002508824A patent/JP4981235B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-03 CZ CZ20030367A patent/CZ302134B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-07-03 DE DE50113269T patent/DE50113269D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-06 US US10/337,795 patent/US6872956B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4720633A (en) * | 1986-01-17 | 1988-01-19 | Electro-Scan Corporation | Scanning electron microscope for visualization of wet samples |
US4889995A (en) * | 1987-12-23 | 1989-12-26 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for analysis employing electron |
US5717204A (en) * | 1992-05-27 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Inspecting optical masks with electron beam microscopy |
DE4331589A1 (de) * | 1992-12-24 | 1994-06-30 | Balzers Pfeiffer Gmbh | Vakuumpumpsystem |
US5828064A (en) * | 1995-08-11 | 1998-10-27 | Philips Electronics North America Corporation | Field emission environmental scanning electron microscope |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Jap. Journ. of Appl.Phys., Suppl. 2, Pt. 1 (1974) S. 249-252 * |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003007329A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Nanofactory Instruments Ab | Sample chamber device for an electron microscope |
EP1347490A3 (de) * | 2002-03-18 | 2004-01-21 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Blenden-Zusatzvorrichtung für ein Rasterelektronenmikroskop |
US6815678B2 (en) | 2002-03-18 | 2004-11-09 | Leo Elektronemikroskopie Gmbh | Raster electron microscope |
WO2004055377A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-01 | The Boc Group Plc | Vacuum pumping system and method of operating a vacuum pumping arrangement |
US7896625B2 (en) | 2002-12-17 | 2011-03-01 | Edwards Limited | Vacuum pumping system and method of operating a vacuum pumping arrangement |
EP1515359A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-03-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Kammer mit geringer durch Elektronen stimulierter Desorption |
WO2005027175A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-03-24 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Chamber with low electron stimulated desorption |
US8672607B2 (en) | 2003-09-30 | 2014-03-18 | Edwards Limited | Vacuum pump |
US20070176102A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-02 | Fei Company | Particle optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure |
US9153414B2 (en) * | 2006-02-01 | 2015-10-06 | Fei Company | Particle optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure |
DE112011103986B4 (de) | 2010-12-01 | 2022-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Elektronenstrahlsäule, verfahren zur benutzung der elektronenstrahlsäule, vorrichtung und elektronenkanone |
DE112011104347B4 (de) * | 2011-01-31 | 2015-08-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vorrichtung und Mikroskopieverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl |
US9543111B2 (en) | 2011-01-31 | 2017-01-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4981235B2 (ja) | 2012-07-18 |
US6872956B2 (en) | 2005-03-29 |
CZ2003367A3 (cs) | 2003-06-18 |
DE10032607B4 (de) | 2004-08-12 |
JP2004503063A (ja) | 2004-01-29 |
EP1299898B1 (de) | 2007-11-14 |
DE50113269D1 (de) | 2007-12-27 |
US20040076529A1 (en) | 2004-04-22 |
EP1299898A1 (de) | 2003-04-09 |
WO2002005310A1 (de) | 2002-01-17 |
CZ302134B6 (cs) | 2010-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10032607A1 (de) | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät | |
DE69332995T2 (de) | Raster-Elektronenmikroskop | |
DE112012003182B4 (de) | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung | |
DE102015015989A1 (de) | Vakuumsystem | |
EP1068630A1 (de) | Rasterelektronenmikroskop | |
DE19504278A1 (de) | Testgas-Lecksuchgerät | |
DE102014012317B4 (de) | Massenspektrometersystem mit einer Ionenquelle und entsprechendes Verfahren | |
DE112014006978T5 (de) | Rasterelektronenmikroskop | |
EP0242684B1 (de) | Lecksuchgerät mit Detektor und Testleck | |
DE2514266C2 (de) | Korpuskularstrahloptisches geraet mit zwei in strahlrichtung aufeinanderfolgenden teilraeumen unterschiedlicher druecke | |
EP2156462A2 (de) | Massenspektrometer-anordnung | |
DE102008009715A1 (de) | Vakuumpump-System und Verwendung einer Mehrstufen-Vakuumpumpe | |
DE10308420A1 (de) | Testgaslecksuchgerät | |
WO2003042651A1 (de) | Testgaslecksuchgerät | |
EP2039941B1 (de) | Vakuumpumpe | |
EP0541989B1 (de) | Mehrstufiges Vakuum-Pumpsystem | |
DE102009013244A1 (de) | Anordnung mit Vakuumpumpe | |
DE112015006315T5 (de) | Ladungsteilchenstrahleinrichtung und Evakuierungsverfahren dafür | |
DE102013204253A1 (de) | Untersuchungseinrichtung | |
DE102018203096A1 (de) | Verfahren zum Betrieb eines Drucksystems für eine Vorrichtung zum Abbilden, Analysieren und/oder Bearbeiten eines Objekts und Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens | |
DE102018119747B3 (de) | Turbomolekularpumpe für massenspektrometer | |
DE112019007323B4 (de) | Ionenanalysator | |
DE3429137C2 (de) | ||
DE102020111151A1 (de) | Verfahren zum Belüften und Abpumpen einer Vakuumkammer eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens | |
DE102020132896A1 (de) | Vorrichtung zur massenspektrometrischen Leckdetektion mit dreistufiger Turbomolekularpumpe und Boosterpumpe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |