DE10021530C1 - Verdampferquelle mit beheizbarem Dampfauslassrohr - Google Patents
Verdampferquelle mit beheizbarem DampfauslassrohrInfo
- Publication number
- DE10021530C1 DE10021530C1 DE2000121530 DE10021530A DE10021530C1 DE 10021530 C1 DE10021530 C1 DE 10021530C1 DE 2000121530 DE2000121530 DE 2000121530 DE 10021530 A DE10021530 A DE 10021530A DE 10021530 C1 DE10021530 C1 DE 10021530C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- steam outlet
- pipe
- vapor
- outlet pipe
- steam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verdampferquelle mit einem beheizbaren Dampfauslassrohr (1), in dessen Rohrmaterial (8) eine oder mehrere Dampfauslassöffnungen (2a bis 2d) eingebracht sind, und wenigstens einem Verdampfungsgutbehälter (3a, 3b). DOLLAR A Erfindungsgemäß ist der Verdampfungsgutbehälter (3a, 3b) seitlich am Rohrmantel (8) des Dampfauslassrohres (1) angeordnet und steht mit dessen Rohrinnerem (7) über eine oder mehrere Dampfdurchtrittsöffnungen (5a, 5b) in Verbindung. DOLLAR A Verwendung z. B. in Aufdampfanlagen zum Aufdampfen der CIS-Absorberschicht von CIS-Dünnschichtsolarzellen.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verdampferquelle für
thermische Aufdampfprozesse mit einem beheizbaren Dampfaus
lassrohr, das einen oder mehrere, in seinen Rohrmantel ein
gebrachte Dampfauslassöffnungen beinhaltet, und mit wenigs
tens einem beheizbaren Verdampfungsgutbehälter.
Eine derartige Verdampferquelle ist in der Patentschrift DE 44 22 697 C1
beschrieben. Bei der dortigen Verdampferquelle
befindet sich der vorzugsweise als länglicher, bootartiger
Tiegel gestaltete Verdampfungsgutbehälter im Inneren des als
Reflektorrohrkörper gestalteten Dampfauslassrohres. Dieses
umgibt den Verdampfungsgutbehälter derart, dass ein zur Bil
dung eines Gleichgewichtsdampfdrucks geeigneter Dampfraum
definiert ist, der gleichzeitig als Verdampferraum und
Dampfverteilerraum fungiert. Der oder die Dampfauslassöff
nungen sind von einem linienförmigen Auslassprofil gebildet,
das aus einer einzigen, längsverlaufenden Schlitzöffnung o
der einer Reihe von mehreren, axial beabstandeten Auslass
öffnungen besteht. Dies führt zu einer linienförmigen Dampf
austrittscharakteristik, weshalb derartige Verdampferquellen
auch als linienförmige Verdampferquellen oder kurz Linien
quellen bezeichnet werden.
Der erwähnte herkömmliche Verdampferquellentyp mit vom
Dampfauslassrohr umgebenem Verdampfungsgutbehälter erfor
dert wegen der begrenzten Zugänglichkeit des Verdampfungsgutbehälters
eine entsprechende Zerlegung der Anordnung o
der eine spezielle Nachfülleinrichtung, um Verdampfungsgut
in den Verdampfungsgutbehälter nachzufüllen. Ein genereller
Problempunkt von Verdampferquellen besteht darin, dass es
durch Kondensatbildung zu unerwünschter Tröpfchenbildung
auf einem bedampften Substrat kommen kann. Dies kann insbe
sondere in Zeiträumen auftreten, in denen zur Aufdampfra
tenerhöhung die Temperatur der Verdampferquelle erhöht
wird, da dies zu Temperaturunterschieden innerhalb der Ver
dampferquelle mit der Folge führen kann, dass an einer zu
heißen Stelle Dampf kondensiert und als Tröpfchen auf das
bedampfte Substrat gelangt. Eine solche Tröpfchenbildung
kann die Qualität des bedampften Bauelementes, z. B. einer
Dünnschichtsolarzelle, beeinträchtigen.
Aus der Auslegeschrift DE 12 81 772 ist eine Verdampferquel
le für thermische Aufdampfprozesse bekannt, die einen rohr
förmigen Verdampfungstiegel mit schlitzförmiger Verdamp
fungsöffnung und ein koaxial zentrisch durch das Tiegelrohr
hindurchgeführtes Heizrohr beinhaltet. Im Inneren des Heiz
rohrs kann zusätzlich zu Heizelementen eine Nachbeschi
ckungsleitung angeordnet sein, über die Schmelze von einem
Vorratsbehälter und einem unter letzterem angeordneten,
heizbaren Vorschmelzbehälter zur Mitte des Tiegels geleitet
und nach oben in die dort vorliegende Schmelze nachgefüllt
werden kann. Dabei sind der Vorratsbehälter und der Vor
schmelzbehälter seitlich neben dem rohrförmigen Verdamp
fungstiegel angeordnet.
In der Patentschrift US 5.776.254 sind CVD-Anlagen, d. h. An
lagen zur chemischen Gasphasenabscheidung, beschrieben, bei
denen ein flüssiges CVD-Quellenmaterial in einem Verdampfer
verdampft und das dadurch gebildete CVD-Quellengas über eine
zugehörige, beheizbare Zufuhrleitung in eine als Beschich
tungskammer fungierende Reaktionskammer geleitet wird, der
außerdem ein oxidierendes Reaktionsgas zugeführt wird und in
der ein zu beschichtendes Substrat angeordnet wird.
Die Patentschrift EP 0 545 542 B1 offenbart eine CVD-Anlage,
bei der ein zur Beschichtung verwendetes Reaktionsgas, das
typischerweise Sauerstoff oder Wasserstoff und optional ein
Inertgas und eine gasförmigen Kohlenstoff enthaltende Ver
bindung, wie einen Kohlenwasserstoff oder Kohlenmonoxid,
enthält, über mehrere perforierte Einlassrohre in eine Reak
tionskammer geleitet wird, in der sich zu beschichtende Sub
strate auf einer Trägerplatte befinden. Die Einlassrohre
sind in einer Reihe quer zu ihrer Längsrichtung versetzt ne
beneinander mit Abstand über der Trägerplatte angeordnet.
Zwischen den Einlassrohren und der Trägerplatte befinden
sich streifenförmige, gewundene Widerstandsheizelemente, an
denen das Reaktionsgas zwecks Aufheizung vorbeigeleitet
wird, bevor es die zu beschichtenden Substrate erreicht.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstel
lung einer Verdampferquelle der eingangs genannten Art mit
vorzugsweise linienförmiger Dampfaustrittscharakteristik
zugrunde, die eine vergleichsweise einfache Nachfüllung von
Verdampfungsgut und eine weitgehend tröpfchenfreie Bedamp
fung von Substraten ermöglicht.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung
einer Verdampferquelle mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
Bei dieser Verdampferquelle ist der Verdampfungsgutbehälter
charakteristischerweise seitlich am Rohrmantel des Dampfaus
lassrohres angeordnet und steht mit dem Rohrinneren über
eine oder mehrere Dampfdurchtrittsöffnungen in Verbindung.
Dadurch lässt sich der Verdampfungsgutbehälter und somit der
von ihm definierte Verdampferraum relativ gut vom Inneren des
Dampfauslassrohres, d. h. vom Dampfverteilerraum, thermisch
entkoppeln. Für das Innere des Dampfauslassrohres kann so
stets eine höhere Temperatur eingestellt werden als für das
Innere des Verdampfungsgutbehälters, wodurch das erwähnte
Problem der Kondensat- bzw. Tröpfchenbildung minimiert werden
kann. Die weitgehende thermische Entkopplung ermöglicht
selbst hohe Aufdampfraten ohne merkliche Tröpfchenbildung, da
die Temperatur im Auslassrohr stets so hoch eingestellt wer
den kann, dass sie an jeder Stelle höher als die Temperatur
im Verdampfungsgutbehälter ist. Da der Verdampfungsgutbehäl
ter seitlich am Dampfauslassrohrmantel angeordnet und nicht
von diesem umgeben ist, kann er ohne größere Demontagemaßnah
men z. B. über eine verschließbare Nachfüllöffnung außerhalb
seines Kontaktbereichs mit dem Dampfauslassrohrmantel mit
Verdampfungsgut nachgefüllt werden.
Eine nach Anspruch 2 weitergebildete Verdampferquelle bein
haltet je einen Verdampfungsgutbehälter an jedem der beiden
axialen Endbereiche des Dampfauslassrohrs. Dadurch kann das
Dampfauslassrohr von beiden Seiten mit Dampfmaterial aus dem
jeweiligen Verdampfungsgutbehälter beschickt werden, wobei es
sich je nach Anwendungsfall um dasselbe oder um zwei unter
schiedliche Verdampfungsmaterialien handeln kann, die ge
mischt über dieselben Dampfauslassöffnungen oder separat über
voneinander getrennte Gruppen von Dampfauslassöffnungen auf
ein Substrat aufgedampft werden können.
Eine nach Anspruch 3 weitergebildete Verdampferquelle weist
zur Beheizung des Dampfauslassrohres einen z. B. elektrisch
betreibbaren Heizstab auf, der sich in Längsrichtung im
Dampfauslassrohr erstreckt, und zwar wenigstens über denjeni
gen Rohraxialbereich, in welchem sich der oder die Dampfaus
lassöffnungen befinden, so dass dort eine ausreichend hohe,
jegliche Kondensatbildung vermeidende bzw. wieder auflösende
Temperatur eingestellt werden kann. In einer weiteren Ausge
staltung dieser Maßnahme erstreckt sich nach Anspruch 4 der
Heizstab zusätzlich auch über den jeweiligen axialen Bereich
des Dampfauslassrohres, in welchem ein Verdampfungsgutbehäl
ter angeordnet ist, so dass auch dieser mit dem Heizstab be
heizt werden kann. Diese Beheizungsart gewährleistet gleich
zeitig, dass die Temperatur im Dampfauslassrohr über der Tem
peratur in dem oder den Verdampfungsgutbehältern liegt.
Eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist in der
Zeichnung dargestellt und wird nachfolgend beschrieben.
Die einzige Figur zeigt eine schematische Längsschnittansicht
durch eine als Hantelquelle gestaltete Verdampferquelle.
Die gezeigte, linienförmige Verdampferquelle beinhaltet ein
Dampfauslassrohr 1, das an seiner in der Figur unteren Seite
einen Dampfauslassbereich mit vier Dampfauslassöffnungen 2a,
2b, 2c, 2d aufweist. Ein elektrischer Heizstab 3 durchquert
das Dampfauslassrohr 1 entlang dessen Längsachse. An den bei
den axialen Endbereichen 1a, 1b des Auslassrohres 1 seitlich
von dessen Dampfauslassbereich ist je ein topfförmiger Ver
dampfungsgutbehälter in Form eines Tiegels 3a, 3b angeordnet,
der das zu verdampfende Material 4 enthält.
Jeder der beiden Tiegel 3a, 3b ist wie gezeigt an der in der
Figur unteren Seite des zugehörigen axialen Endbereichs 1a,
1b des Dampfauslassrohres 1 angebracht, wobei dort in dessen
Rohrmantel 8 je eine zugehörige Dampfdurchtrittsöffnung 5a,
5b eingebracht ist, über die das Innere des Tiegels 3a, 3b
mit dem Rohrinnenraum 7 des Auslassrohres 1 in Verbindung
steht.
Insgesamt ist dadurch eine hantelförmige Verdampferquelle,
kurz Hantelquelle, gebildet, bei welcher der jeweilige Ver
dampferraum, d. h. Tiegeldampfraum 6a, 6b, über die zugehörige
Dampfdurchtrittsöffnung 5a, 5b mit dem als Dampfverteilerraum
fungierenden Innenraum 7 des Auslassrohres 1 in Verbindung
steht. Die Dampfauslassöffnungen 2a bis 2d sind in einer Rei
he mit axialem Abstand voneinander in den Auslassrohrmantel 8
eingebracht, so dass die Hantelquelle eine linienförmige
Dampfaustrittscharakteristik für den emittierten Dampf 9 des
Verdampfungsgutes 4 aufweist. Letzteres wird in den Tiegeln
3a, 3b verdampft, von wo der Dampf 9 über die Dampfdurch
trittsöffnungen 5a, 5b und den Auslassrohrinnenraum 7 zu den
Dampfauslassöffnungen 2a bis 2d geleitet bzw. auf diese ver
teilt wird.
Die Dampfauslassöffnungen 2a bis 2d sind in einer gewünschten
Form gestaltet, z. B. als kreisrunde oder ovale oder als
längsschlitz- oder querschlitzförmige Öffnungen. Statt der
gezeigten vier ist je nach Anwendungsfall auch jede andere
Anzahl von Dampfauslassöffnungen möglich. Diese können an je
der beliebigen, gewünschten Stelle des Rohrmantels 8 des als
Dampfverteiler fungierenden Dampfauslassrohres 1 angeordnet
sein. Bei Bedarf brauchen die Dampfauslassöffnungen auch
nicht sämtlich auf einer axialen Linie zu liegen, sondern
können über einen vorgegebenen Umfangsbereich des Auslassroh
res 1 verteilt angeordnet sein, wenn eine entsprechend modi
fizierte Dampfaustrittscharakteristik gewünscht wird. Weiter
alternativ kann statt mehreren, in einer Reihe liegenden
Dampfauslassöffnungen ein durchgehender Dampfauslassschlitz
vorgesehen sein, dessen umfangsseitige Breite bei Bedarf ent
lang seiner axialen Länge variieren kann. Entsprechende Ges
taltungen von Dampfauslassbereichen sind z. B. in der eingangs
erwähnten DE 44 22 697 C1 beschrieben, worauf verwiesen wer
den kann.
Die Beheizung der Tiegel 3a, 3b zur Verdampfung des darin
eingebrachten Verdampfungsgutes 4 erfolgt durch den Heizstab
10 zum einen aufgrund der direkt von ihm über die jeweilige
Dampfdurchtrittsöffnung 5a, 5b in den betreffenden Tiegel 3a,
3b abgestrahlten Wärme und zum anderen durch Festkörperwärme
leitung über die aufgeheizten Auslassrohrendbereiche 5a, 5b
und die damit verbundenen Tiegelwände. Der Heizstab 10 wird
hierzu auf eine vom Verdampfungsgut 4 abhängige, ausreichende
Temperatur gebracht.
Da sich der Heizstab 10 durch das gesamte Auslassrohr 1 hin
durch erstreckt und das Innere der Tiegel 3a, 3b konstrukti
onsbedingt weiter vom Heizstab 10 entfernt ist als der vom
Rohrinneren des Auslassrohres 1 gebildete Dampfverteilerraum
7, wird durch diese Art der Beheizung der Hantelquelle der
Dampfverteilerraum 7 an jeder Stelle auf einer höheren oder
jedenfalls mindestens so hohen Temperatur gehalten wie sie an
jeder Stelle im Inneren der Tiegel 3a, 3b und damit auch in
deren Dampfraum 6a, 6b herrscht. Diese wünschenswerte Tempe
raturverteilung hat den Vorteil, dass jegliche Kondensatbil
dung des Dampfes 9 und damit jegliche Tröpfchenbildung auf
einem damit bedampften, nicht gezeigten Substrat minimiert
wird. Selbst wenn die Beheizungstemperatur zwecks Verdamp
fungsratenerhöhung gesteigert wird, bleibt die Temperatur im
Dampfverteilerraum 7 überall oberhalb der Tiegeltemperatur,
so dass auch in diesem, bei herkömmlichen Verdampferquellen
kritischen Fall keine Gefahr der Dampfkondensation besteht.
Damit ermöglicht die Hantelquelle Aufdampfvorgänge hoher Qua
lität und eignet sich für die verschiedensten Aufdampfanwen
dungen. Insbesondere können mit ihr auch Aufdampfvorgänge im
Durchlaufbetrieb zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen
durchgeführt werden, z. B. durch Einsatz in einer der Auf
dampfanlagen, wie sie in der erwähnten DE 44 22 697 C1 be
schrieben sind, statt der dortigen Verdampferquellen.
Statt der gemeinsamen Beheizung des Auslassrohres 1, speziell
dessen Dampfverteilerraums 7, und der Tiegel 3a, 3b durch den
Heizstab 10 kann alternativ je eine eigene Heizeinrichtung
für den Dampfverteilerraum 7 und den jeweiligen Tiegel 3a, 3b
vorgesehen sein. Durch diese thermisch entkoppelte Beheizung
des Dampfverteilerraums 7 einerseits und des jeweiligen Tie
gelraums andererseits lässt sich wiederum problemlos die Tem
peratur im Dampfverteilerraum 7 an jeder Stelle um ein ge
wünschtes Maß höher halten als die Temperatur im jeweiligen
Tiegel 3a, 3b, so dass auch bei diesem Ausführungsbeispiel
die Kondensat- bzw. Tröpfchenbildung minimiert ist.
Statt des gezeigten, längsmittigen Heizstabs 10 kann die Be
heizung des Verdampferrohrs 1 auch auf eine beliebige andere,
herkömmliche Weise erfolgen, z. B. durch eine innenseitige,
außenseitige oder in die Rohrwand integrierte Wandbeheizung
des Rohrmantels mittels elektrischer Heizschleifen oder einer
anderen Heizquelle. In gleicher Weise kann die gegebenenfalls
vorgesehene, separate Tiegelbeheizung in beliebiger herkömm
licher Weise erfolgen.
Die Anbringung der Tiegel 3a, 3b seitlich im jeweiligen Rohr
endbereich 5a, 5b des Dampfauslassrohres 1 ermöglicht ein re
lativ einfaches Nachfüllen der Tiegel 3a, 3b mit dem Verdamp
fungsgut 4. Dazu ist in nicht gezeigter Weise an der Obersei
te des jeweiligen Tiegels 3a, 3b an geeigneter Stelle neben
oder über dem Kontaktbereich mit dem Auslassrohr 1 ein Tie
geldeckel vorgesehen, der zur Nachfüllung von Verdampfungsgut
4 angehoben werden kann. Eine Demontage von Teilen der Han
telquelle ist zum Nachfüllen daher nicht erforderlich.
Je nach Anwendungsfall und Bedarf kann in den beiden Tiegeln
3a, 3b dasselbe oder unterschiedliches Verdampfungsgutmateri
al eingebracht sein. In letzterem Fall kann vorgesehen sein,
dass sich die beiden verschiedenen Materialdämpfe im Dampf
verteilerraum 7 mischen, eventuell mit einem gewünschten Gra
dienten der Materialanteile längs des Dampfaustrittsberei
ches. Als Alternative kann der Dampfverteilerraum 7 durch ei
ne in das Auslassrohr 1 eingebrachte Quertrennwand unterteilt
sein, so dass in einem Teil des Dampfauslassbereichs das eine
Verdampfungsgutmaterial und im übrigen Teil des Dampfauslass
bereichs das andere Verdampfungsgutmaterial austritt.
In einer weiteren Ausführung der Erfindung ist nur an einem
axialen Endbereich des Dampfauslassrohres ein Verdampfungs
gutbehälter angeordnet. Bei einer weiteren Alternative können
zusätzlich oder anstelle des einen oder der beiden rohrend
seitigen Verdampfergutbehälter ein oder mehrere Verdampfungs
gutbehälter an beliebiger, für den jeweiligen Anwendungsfall
geeigneter Stelle am Auslassrohrmantel außerhalb des Bereichs
der einen oder mehreren Dampfauslassöffnungen angeordnet
sein.
In allen Fällen lässt sich gewährleisten, dass bei der erfin
dungsgemäßen Verdampferquelle die Temperatur im Dampfauslass
rohr mindestens so hoch gehalten werden kann wie in dem oder
den Verdampfungsgutbehältern, und im allgemeinen ist auch die
Nachfüllung der Verdampfungsgutbehälter sehr einfach.
Die Hantelquelle oder eine andere Realisierung der erfin
dungsgemäßen Verdampferquelle kann z. B. dazu verwendet wer
den, die CIS-Absorberschicht einer CIS-Dünnschichtsolarzelle
durch thermische Coverdampfung der beteiligten Elemente, wie
Kupfer, Indium, Gallium und Selen, aufzubringen, wozu diese
Elemente in seriell hintereinanderliegenden Verdampferquellen
einer im Durchlaufverfahren betriebenen Aufdampfanlage
gleichzeitig im richtigen Verhältnis auf das relativ zu den
Verdampferquellen bewegte, geheizte Substrat gedampft werden,
so dass sich auf dem Substrat die photovoltaisch wirksame Ab
sorberschicht aus Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid bildet. Die
Verwendung der erfindungsgemäßen Verdampferquelle, die ein
sehr homogenes, lineares Aufdampfratenprofil und eine wei
testgehend tröpfchenfreie Aufdampfschicht hoher Qualität be
reitstellt, ermöglicht eine gute Homogenität und eine hohe
Rate der Beschichtung. Die Verdampferquelle kann z. B. aus
elektronenstrahlgeschweißtem Tantal oder in CFC hergestellt
werden.
Claims (5)
1. Verdampferquelle für thermische Aufdampfprozesse mit
- - einem beheizbaren Dampfauslassrohr (1), das einen oder mehrere, in seinen Rohrmantel (8) eingebrachte Dampfauslass öffnungen (2a bis 2d) aufweist, und
- - wenigstens einem beheizbaren Verdampfungsgutbehälter (3a, 3b),
- - der Verdampfungsgutbehälter (3a, 3b) seitlich am Rohr mantel (8) des Dampfauslassrohres (1) angeordnet ist und mit dem Rohrinneren (7) über eine oder mehrere Dampfdurchtritts öffnungen (5a, 5b) in Verbindung steht.
2. Verdampferquelle nach Anspruch 1, weiter dadurch gekenn
zeichnet, dass je ein Verdampfungsgutbehälter (3a, 3b) in ei
nem axialen Endbereich (1a, 1b) des Dampfauslassrohres (1)
angeordnet ist.
3. Verdampferquelle nach Anspruch 1 oder 2, weiter gekenn
zeichnet durch einen sich in Längsrichtung im Dampfauslass
rohr (1) wenigstens über denjenigen Axialbereich hinweg
erstreckenden Heizstab (10), innerhalb dem sich die eine oder
mehreren Dampfauslassöffnungen (2a bis 2d) befinden.
4. Verdampferquelle nach Anspruch 3, weiter dadurch gekenn
zeichnet, dass sich der Heizstab (10) auch über denjenigen
Axialbereich erstreckt, in welchem ein jeweiliger Verdamp
fungsgutbehälter (3a, 3b) angeordnet ist.
5. Verdampferquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wei
ter dadurch gekennzeichnet, dass in dem Dampfauslassrohrman
tel (8) mindestens eine Reihe von mehreren, axial beabstande
ten, kreis- oder schlitzförmigen Dampfauslassöffnungen oder
ein einziger, sich durchgehend über eine vorgegebene axiale
Länge erstreckender Dampfauslasslängsschlitz eingebracht
sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000121530 DE10021530C1 (de) | 2000-05-03 | 2000-05-03 | Verdampferquelle mit beheizbarem Dampfauslassrohr |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000121530 DE10021530C1 (de) | 2000-05-03 | 2000-05-03 | Verdampferquelle mit beheizbarem Dampfauslassrohr |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10021530C1 true DE10021530C1 (de) | 2001-09-27 |
Family
ID=7640643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000121530 Expired - Lifetime DE10021530C1 (de) | 2000-05-03 | 2000-05-03 | Verdampferquelle mit beheizbarem Dampfauslassrohr |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10021530C1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007122203A2 (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Shell Erneuerbare Energien Gmbh | Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material |
WO2023110185A1 (de) | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Singulus Technologies Ag | Beschichtungsquelle, beschichtungsanlage und verfahren zur beschichtung von substraten |
WO2023117207A1 (de) | 2021-12-21 | 2023-06-29 | Singulus Technologies Ag | Beschichtungsquelle mit nachfüllvorrichtung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1281772B (de) * | 1963-08-10 | 1968-10-31 | Licentia Gmbh | Bedampfungsvorrichtung zum Aufdampfen von Selenschichten |
EP0545542B1 (de) * | 1991-11-04 | 1995-10-18 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Vorrichtung zur Ablagerung von Material auf einem Substrat mittels chemischen Niederschlagens aus der Dampfphase |
DE4422697C1 (de) * | 1994-06-29 | 1996-01-25 | Zsw | Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung |
US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
-
2000
- 2000-05-03 DE DE2000121530 patent/DE10021530C1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1281772B (de) * | 1963-08-10 | 1968-10-31 | Licentia Gmbh | Bedampfungsvorrichtung zum Aufdampfen von Selenschichten |
EP0545542B1 (de) * | 1991-11-04 | 1995-10-18 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Vorrichtung zur Ablagerung von Material auf einem Substrat mittels chemischen Niederschlagens aus der Dampfphase |
DE4422697C1 (de) * | 1994-06-29 | 1996-01-25 | Zsw | Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung |
US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007122203A2 (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Shell Erneuerbare Energien Gmbh | Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material |
WO2007122203A3 (en) * | 2006-04-20 | 2008-04-03 | Shell Erneuerbare En Gmbh | Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material |
US8082878B2 (en) | 2006-04-20 | 2011-12-27 | Saint-Gobain Glass France | Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material |
WO2023110185A1 (de) | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Singulus Technologies Ag | Beschichtungsquelle, beschichtungsanlage und verfahren zur beschichtung von substraten |
WO2023117207A1 (de) | 2021-12-21 | 2023-06-29 | Singulus Technologies Ag | Beschichtungsquelle mit nachfüllvorrichtung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60305246T2 (de) | Quelle zur thermischen PVD-Beschichtung für organische elektrolumineszente Schichten | |
DE69006672T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Dampfphasenauftragung eines Werkstoffs auf ein Substrat. | |
DE69629412T2 (de) | Anlage zur Dampfabscheidung von Dünnschichten | |
WO2006100058A2 (de) | Heizeinrichtung, beschichtungsanlage und verfahren zur verdampfung oder sublimation von beschichtungsmaterialien | |
DE102009054677A1 (de) | Linearablagerungsquelle | |
EP1970474B1 (de) | Bedampfungseinrichtung zur Molekularstrahlbedampfung und Molekularstrahlepitaxie | |
DE4422697C1 (de) | Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung | |
DE102011051260A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs | |
DE102009007587A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten aus der Dampfphase | |
DE10021530C1 (de) | Verdampferquelle mit beheizbarem Dampfauslassrohr | |
EP1743049B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur kontinuierlichen thermischen vakuumbeschichtung | |
EP1555334B1 (de) | Verdampfungseinrichtung für sublimierende Materialien | |
CH654596A5 (de) | Verdampferzelle. | |
DE1298381B (de) | Bedampfungseinrichtung zur Herstellung duenner Schichten | |
DE102021119435A1 (de) | Dampfverteilungsvorrichtung und Verdampfungsvorrichtung | |
DE102012107966A1 (de) | Verdampfereinrichtung und Koverdampfersystem für eine Beschichtungsanlage | |
EP0386247A1 (de) | Anordnung zur ablagerung von filmen unter vakuum | |
DE102009037326A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur langzeitstabilen plasmaaktivierten Vakuumbedampfung | |
DE19720026C2 (de) | Linienförmige Verdampferquelle für Vakuum-Aufdampfanlagen | |
DE102008043634A1 (de) | Verdampfer für organische Materialien sowie Beschichtungsanlage zur Herstellung organischer Leuchtdioden und/oder organischer Solarzellen | |
WO2012159854A1 (de) | Vorrichtung zur verdampfung flüssiger kohlenwasserstoffverbindungen oder von flüssigkeiten in denen kohlenwasserstoffverbindungen enthalten sind sowie deren verwendung | |
WO2006050846A1 (de) | Vorrichtung zum aufdampfen eines beschichtungsmaterials | |
DE102009029236B4 (de) | Verdampfer, Anordnung von Verdampfern sowie Beschichtungsanlage | |
DE102010030126B4 (de) | Verdampfereinrichtung und Beschichtungsanlage | |
DE2125921A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur BiI dung von Metallüberzügen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |