DE10017364B4

DE10017364B4 - Verfahren und Schaltungsanordnung zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung

Info

Publication number: DE10017364B4
Application number: DE10017364A
Authority: DE
Inventors: Axel Christoph
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2000-04-07
Filing date: 2000-04-07
Publication date: 2005-09-01
Anticipated expiration: 2020-04-08
Also published as: DE10017364A1

Abstract

Verfahren zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung, dadurch gekennzeichnet, dass Störsignale mittels einer antennenartigen Vorrichtung (A) empfangen und von einer Detektionsschaltung (D) detektiert werden, wobei zur Kompensation der Störsignale die Störsignale abhängig von Ausgangssignalen der Detektionsschaltung (D) an vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung gelegt werden.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Schaltungsanordnung zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung.
Integrierte Schaltkreise zeichnen sich einerseits durch unbestreitbare Vorteile wie z. B. geringe Abmessungen und geringen Leistungsbedarf aus, sind aber andererseits sehr störanfällig gegenüber elektromagnetischen Wellen, die beispielsweise Rundfunksender, Radaranlagen, Handys oder Bauelemente einer elektronischen Schaltung abstrahlen. Man spricht von Elektrosmog und von der elektromagnetischen Verträglichkeit – im weiteren Verlauf mit der gebräuchlichen Abkürzung EMV bezeichnet -, die inzwischen angesichts der stets zunehmenden Anzahl an Störsendern und der Zunahme ihrer Leistung zu einem großen Problem geworden sind, insbesondere bei Einsatz elektronischer Schaltungen in sicherheitsrelevanten Bereichen.
So sind z. B. moderne Kraftfahrzeuge mit einem Airbag, einer elektronischen Zündanlage, einem Antiblockiersystem, einer Antischlupfregelung und einer elektronischen Fahrstabilisierung ausgestattet. Weil Kraftfahrzeuge wegen ihres Aufbaus aus Metall, aber auch in Folge langer Versorgungsleitungen wie eine Antenne wirken, sind in einem Kraftfahrzeug angeordnete integrierte Schaltkreise und elektronische Schaltungen besonders stark durch elektromagnetische Strahlung gefährdet. Fährt beispielsweise ein langer Lastzug an einem Mittelwellensender vorbei oder durch den Radarstrahl einer Radaranlage, so tritt eine starke Belastung der elektronischen Schaltungen durch die Störabstrahlung der Sender auf. Es darf auf keinen Fall vorkommen, dass in solchen oder ähnlichen Situationen plötzlich der Airbag auslöst, die elektronische Zündanlage streikt, das Antiblockiersystem, die Antischlupfrege lung oder die elektronische Fahrstabilisierung versagen oder sogar falsch reagieren.

Die WO 87/07986 A2 beschreibt ein Verfahren zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung. Hierbei werden Störsignale mittels einer antennenartigen Vorrichtung empfangen und einer Detektionsschaltung zugeführt. Über Ausgangssignale dieser Detektorschaltung kann der normale Betrieb der elektronischen Schaltung unterbrochen werden.

Es ist auch Aufgabe der Erfindung, die EMV einer elektronischen Schaltung zu erhöhen.

Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den im Anspruch 1 und 10 angegebenen Merkmalen.

Gemäß dem im Anspruch 1 beschriebenen Verfahren werden kritische Knoten der elektronischen Schaltung auf die eingestrahlten Störsignale geklemmt, um deren Auswirkungen in der elektronischen Schaltung zu kompensieren.

Eine erste Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erhöhung der EMV einer elektronischen Schaltung sieht vor, dass die Störsignale mittels einer antennenartigen Vorrichtung empfangen, mittels eines Gleichrichters gleichgerichtet und mittels eines anschließenden Filters gefiltert werden, dessen Ausgangssignale einen steuerbaren Schalter steuern, der die eingefangenen Störsignale an kritische Knoten der elektronischen Schaltung legt.

Vorzugsweise wird als Filter ein Hochpass eingesetzt, um alle Störsignale mit höherer Frequenz als die der Nutzsignale herauszufiltern. Störsignale gleicher Frequenz wie die Nutzsignale können jedoch nicht kompensiert werden.

Eine zweite Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erhöhung der EMV einer elektronischen Schaltung sieht vor, dass die Störsignale mittels einer antennenartigen Vorrichtung empfangen und dem Eingang einer Ladungspumpe zugeführt werden, deren Ausgangssignale einen steuerbaren Schalter steuern, der die Störsignale an kritische Knoten der elektronischen Schaltung legt.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, das Ausgangssignal des Filters bzw. des Hochpasses dem Steuereingang eines oder mehrerer steuerbarer Schalter zuzuführen, die bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale klemmen.

Die Störsignale werden z. B. von einer langen Leitung empfangen oder, mit anderen Worten ausgedrückt, eingefangen.

Bei dem im Anspruch 3 beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren ist an Stelle eines Gleichrichters und eines Filters eine Ladungspumpe vorgesehen, deren Eingang die Störsignale zugeführt werden. Das Ausgangssignal der Ladungspumpe steuert den steuerbaren Schalter, der kritische Knoten der elektronischen Schaltung auf die eingestrahlten Störsignale klemmt, um deren Auswirkungen in der elektronischen Schaltung zu kompensieren.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, das Ausgangssignal der Ladungspumpe steuerbaren Schaltern zuzuführen, um bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale zu klemmen, um die eingestrahlten Störsignale zu kompensieren und die elektronische Schaltung vor Fehlfunktion zu schützen.

Auch diese Maßnahme dient der Erhöhung der EMV der elektronischen Schaltung.

Es ist außerdem vorteilhaft, während negativer und/oder positiver Halbwellen der Störsignale die Gateelektrode definierbarer sich im nichtleitenden Zustand befindlicher Feldeffekttransistoren mit der Source-Elektrode zu verbinden, um ein plötzliches Einschalten dieser Feldeffekttransistoren bei Einstrahlung von Störsignalen sicher zu vermeiden.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sehen vor, vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf das Störpotential an der antennenartigen Vorrichtung zu klemmen. Während der positiven Halbwellen des Störsignals können vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf Masse geklemmt werden. Das Störsignal kann während seiner positiven Halbwellen ebenfalls auf Masse geklemmt werden.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren näher beschrieben und erläutert.

In der Zeichnung zeigen:

1 eine auf dem Stand der Technik basierende Schaltung,

2 ein erstes Ausführungsbeispiel,

3 ein zweites Ausführungsbeispiel,

4 ein drittes Ausführungsbeispiel,

5 ein viertes Ausführungsbeispiel,

6 ein fünftes Ausführungsbeispiel,

7 ein sechstes Ausführungsbeispiel,

8 ein siebtes Ausführungsbeispiel,

9 ein achtes Ausführungsbeispiel und

10 ein neuntes Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Bei der in der 1 gezeigten Schaltung ist die antennenartige Vorrichtung A mit dem Eingang der Detektionsschaltung D verbunden. Der Ausgang der Detektionsschaltung D ist mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters T1, vorzugsweise einem Feldeffekttransistor, verbunden. An den Ausgang B des steuerbaren Schalters T1 sind die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen. Der Eingang des steuerbaren Schalters T1 liegt auf einem vorgebbaren Potential. Die Detektionsschaltung D kann z. B. als Reihenschaltung aus einer Diode D1 und einem Filter HP, vorzugweise ein Hochpass, aufgebaut sein.

Das erste in der 2 abgebildete Ausführungsbeispiel der Erfindung ist aus einer Reihenschaltung aus einem Gleichrichter, z. B. einer Diode D1 und einem Filter, beispielsweise ein Hochpass HP aufgebaut, dessen Ausgang mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters, z. B. ein Feldeffekttransistor T1, verbunden ist. Der Ausgang des Feldeffekttransistors T1 ist mit den kritischen Knoten der elektronischen Schaltung verbunden, während sein Eingang mit dem Eingang des Gleichrichters D1 verbunden ist, an den die antennenartige Vorrichtung A angeschlossen ist. Die Diode D1 und der Hochpass HP bilden die Detektionsschaltung D.
Die Störsignale werden von der antennenartigen Vorrichtung A, beispielsweise einer langen Leitung, eingefangen, mittels der Diode D1 gleichgerichtet und mittels des Hochpasses HP gefiltert. Wenn Störsignale eingestrahlt werden, schließt der Hochpass HP den Feldeffekttransistor T1, um die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung auf die Störsignale zu klemmen, um durch diese Maßnahme die Auswirkungen der Störsignale in der elektronischen Schaltung zu kompensieren.
Das in der 3 gezeigte Ausführungsbeispiel der Erfindung ist wie das in 2 abgebildete Ausführungsbeispiel aufgebaut, jedoch durch einen steuerbaren Schalter T3 ergänzt, dessen Steuereingang mit dem Ausgang des Hochpasses HP ver bunden ist. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt auf einem definierbaren Potential P, während an den Ausgang des steuerbaren Schalters T3 Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.
Bei Einstrahlung von Störsignalen schließt der Hochpass HP den steuerbaren Schalter T3, um definierbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale zu klemmen.
In der 4 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt, bei dem der Ausgang einer Ladungspumpe LP mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters T1, z. B. eines Feldeffekttransistors, verbunden ist, an dessen Ausgang die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.
Die antennenartige Vorrichtung A zum Empfang der Störsignale ist an den Eingang des steuerbaren Schalters T1 und der Ladungspumpe LP angeschlossen.
Wenn die Ladungspumpe von Störsignalen beaufschlagt wird, schließt sie den steuerbaren Schalter T1, um die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung auf das Potential an der antennenartigen Vorrichtung A zu klemmen. Durch diese Maßnahmen werden die Auswirkungen der Störsignale in der elektronischen Schaltung kompensiert.
Das in der 5 abgebildete Ausführungsbeispiel der Erfindung hat denselben Aufbau wie das in der 4 gezeigte. Zusätzlich ist mindestens ein steuerbarer Schalter T3 vorgesehen, dessen Steuereingang mit dem Ausgang der Ladungspumpe LP verbunden ist. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 bzw. der steuerbaren Schalter T3 liegt auf einem definierbaren Potential P, während an den Ausgang der steuerbaren Schalter T3 bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.
Bei Empfang von Störsignalen werden die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung auf das Potential an der antennenartigen Vorrichtung A gelegt. Gleichzeitig werden andere bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung mittels der steuerbaren Schalter T3 auf definierbare Potentiale geklemmt.
In der 6 ist ein weiteres Auführungsbeispiel gezeigt. Die antennenartige Vorrichtung A ist an den Eingang der Ladungspumpe LP und des steuerbaren Schalters T1 sowie an eine Elektrode einer Diode D2 angeschlossen, deren andere Elektrode mit dem Ausgang eines steuerbaren Schalters T3 verbunden ist. Am Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt ein Potential P. An den Ausgang des steuerbaren Schalters T1 sind kritische Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen. Der Ausgang der Ladungspumpe LP ist mit dem Steuereingang des steuerbaren Schalters T1 und T3 verbunden. Wenn die Ladungspumpe LP Störsignale detektiert, schließt sie die beiden steuerbaren Schalter T1 und T3, so dass die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung und die antennenartige Vorrichtung A auf das Potential P geklemmt werden.
In der 7 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel mit einem Gleichrichter und einem Hochpass ausführlich dargestellt.
Der eine Anschluss einer Parallelschaltung aus einer Diode D1 und einem Widerstand R1 ist mit der Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors T1 und eines Feldeffekttransistors T2 verbunden und liegt außerdem über eine Kapazität C1 auf Bezugspotential. Der andere Anschluss der Parallelschaltung ist mit der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors T1 und T2 sowie mit der antennenartigen Vorrichtung A verbunden. An die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T1 sind die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen. An der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T2 ist daher ein weiteres Kompensationssignal zur Kompensierung der Störsignale abnehmbar. Die miteinander verbundenen Gate- Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren T1 und T2 sind mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters T3, z. B. eines Feldeffekttransistors, verbunden. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt auf einem definierbaren Potential P, während an seinen Ausgang weitere Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.
Werden Störsignale empfangen, so werden die Feldeffekttransistoren T1, T2 und T3 geschlossen, so dass das Potential an der antennenartigen Vorrichtung A an den kritischen Knoten der elektronischen Schaltung liegt und so dass weitere andere Knoten der elektronischen Schaltung über den steuerbaren Schalter T3 auf dem definierbaren Potential P liegen. Diese Maßnahmen dienen dazu, die EMV der elektronischen Schaltung zu erhöhen. Der Widerstand R1 und die Kapazität C1 bilden den Hochpass.
In der 8 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einer Ladungspumpe ausführlich dargestellt.
Der erste Anschluss einer ersten Parallelschaltung aus einer Diode D1 und einem Widerstand R1 liegt über eine Kapazität C1 auf Bezugspotential und ist über eine Diode D2 mit dem ersten Anschluss einer zweiten Parallelschaltung, bestehend aus einem Widerstand R2 und einer Kapazität C2, verbunden. Der zweite Anschluss der ersten Parallelschaltung aus der Diode D1 und dem Widerstand R1 ist mit dem zweiten Anschluss der zweiten Parallelschaltung, bestehend aus dem Widerstand R2 und der Kapazität C2, und der Source-Elektrode eines Feldeffekttransistors T1 und T2 verbunden. Die miteinander verbundenen Gate-Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren T1 und T2 sind mit dem ersten Anschluss der zweiten Parallelschaltung aus dem Widerstand R2 und der Kapazität C2 verbunden. An die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T1 sind die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen. An der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T3 sind weitere Kompensationssignale zur Kompensation der Störsignale abnehmbar. Die Source-Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren T1 und T2 sind mit der antennenartigen Vorrichtung A verbunden. Die Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren T1 und T2 sind mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters T3 verbunden, für den beispielsweise ein Feldeffekttransistor vorgesehen sein kann. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt auf einem definierbaren Potential P, während an seinen Ausgang bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.
Die Dioden D1 und D2 sowie die Kapazitäten C1 und C2 bilden die Ladungspumpe. Wenn die antennenartige Vorrichtung A Störsignale empfängt und an die Ladungspumpe LP weiterleitet, schließt die Ladungspumpe LP die Feldeffekttransistoren T1, T2 und T3. Die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung sind daher an die antennenartige Vorrichtung A angeschlossen, um die Auswirkungen der Störsignale zu kompensieren. An der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T2 sind weitere Kompensationssignale zur Kompensation der Störsignale abnehmbar. Weil der Feldeffekttransistor T3 geschlossen ist, liegen bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung auf dem definierbaren Potential P.
In der 9 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, bei dem an den Steuereingang des steuerbaren Schalters T1 bzw. an die Gate-Elektrode des Feldeffektransistors T1 der Eingang einer Gate-Steuerschaltung G1 angeschlossen ist, die mindestens einen steuerbaren Schalter T4 steuert, um während der positiven und/oder der negativen Halbwellen des Störsignals die Gate-Elektrode bestimmbarer sich im nicht leitenden Zustand befindlicher Feldeffekttransistoren T mit der Source-Elektrode zu verbinden. Diese Maßnahme bewirkt, dass ein nicht leitender Feldeffektransistor bei Auftreten von Störsignalen nicht plötzlich in den leitenden Zustand übergeht. Eine derartige Schaltungsanordnung ist beispielsweise besonders gut für die Steuerschaltung eines Airbags geeignet, denn sie verhindert, dass der Airbag durch Störsignale plötzlich ausgelöst wird.
Alle beschriebenen Maßnahmen dienen dazu, die EMV der elektronischen Schaltung zu erhöhen.
In der 10 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, das denselben Aufbau hat wie das in 9 abgebildete, jedoch durch einen steuerbaren Schalter T5 mit einem Innenwiderstand Ri ergänzt ist, der zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors T liegt. Der steuerbare Schalter T5, vorzugsweise ebenfalls ein Feldeffekttransistor, wird von einer Gate-Steuerschaltung G2 gesteuert. Durch die Maßnahme zwei mit einem Innenwiderstand behaftete steuerbare Schalter parallel zwischen die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode des Feldeffekttransis tors T zu schalten, wird eine Verringerung des Widerstandes zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode erzielt.
Die Erfindung ist allgemein für elektronische Schaltungen mit integrierten Schaltkreisen und mit Feldeffekttransistoren geeignet. Sie lässt sich vorteilhaft in Kraftfahrzeugen einsetzen, um die elektronischen Steuerungssysteme für den Airbag, die Zündanlage, das Antiblockiersystem, die Antischlupfregelung oder die Fahrstabilisierung, um nur einige derartiger Steuerungssysteme zu nennen, vor Fehlfunktion in Folge eingestrahlter elektromagnetischer Wellen zu schützen.

Claims

Verfahren zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung, dadurch gekennzeichnet, dass Störsignale mittels einer antennenartigen Vorrichtung (A) empfangen und von einer Detektionsschaltung (D) detektiert werden, wobei zur Kompensation der Störsignale die Störsignale abhängig von Ausgangssignalen der Detektionsschaltung (D) an vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung gelegt werden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Störsignale mittels eines Gleichrichters (D1) gleichgerichtet und mittels eines anschließenden Filters (HP) gefiltert werden, dessen Ausgangssignale einen ersten steuerbaren Schalter (T1) steuern, der die Störsignale an vorgebbare Knoten in der elektronischen Schaltung legt.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Störsignale dem Eingang einer Ladungspumpe (LP) zugeführt werden, deren Ausgangssignale einen ersten steuerbaren Schalter (T1) steuern, der die Störsignale an vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung legt.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass für das Filter ein Hochpass (HP) vorgesehen ist.
Verfahren nach Anspruch 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssignal des Filters (HP) einen zweiten steuerbaren Schalter (T3) steuert, der andere vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale (P) legt.
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssignal der Ladungspumpe (LP) einen zweiten steuerbaren Schalter (T3) steuert, der andere vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale (P) legt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass während der positiven Halbwellen des Störsignals die anderen vorgebbaren Knoten der elektronischen Schaltung auf Masse geklemmt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass während der negativen Halbwellen der Störsignale Gate-Elektroden definierbarer sich im nicht leitenden Zustand befindlicher Feldeffekttransistoren mit deren Source-Elektroden verbunden werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass während der positiven Halbwellen der Störsignale Gate-Elektroden definierbarer sich im nicht leitenden Zustand befindlicher Feldeffekttransistoren mit deren Source-Elektroden verbunden werden.
Schaltungsanordnung zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung, dadurch gekennzeichnet, dass eine antennenartige Vorrichtung (A) zum Empfang von Störsignalen an den Eingang einer Detektionsschaltung (D) zur Detektion der Störsignale angeschlossen ist, dass der Ausgang der Detektionsschaltung (D) mit dem Steuereingang eines ersten steuerbaren Schalters (T1) oder der Gate-Elektrode eines ersten Feldeffekttransistors (T1) verbunden ist, dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode mit vorgebbaren Knoten der elektronischen Schaltung verbunden ist und an dessen Eingang bzw. Source-Elektrode die Störsignale liegen.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die antennenartige Vorrichtung (A) an den Eingang des ersten steuerbaren Schalters (T1) bzw. die Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) angeschlossen ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektionsschaltung (D) als Reihenschaltung aus einer ersten Diode (D1) und einem Filter (HP) aufgebaut ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass für das Filter ein Hochpass (HP) vorgesehen ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des Hochpasses (HP) mit dem Steuereingang eines zweiten steuerbaren Schalters (T3) oder der Gate-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors (T3) verbunden ist, an dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode andere vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind und dessen Eingang bzw. Source-Elektrode auf einem vorgebbaren Potential (P) liegt.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des Hochpasses (HP) mit dem Steuereingang eines zweiten steuerbaren Schalters (T3) bzw. der Gate-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, dessen Eingang bzw. Source-Elektrode mit der antennenartigen Vorrichtung (A) verbunden ist und an dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode ein vorgebbares Potential (P) liegt.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass für die Detektionsschaltung (D) eine Ladungspumpe (LP) vorgesehen ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang der Ladungspumpe (LP) mit dem Steuereingang eines zweiten steuerbaren Schalters (T3) oder der Gate-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode mit einem anderen vorgebbaren Knoten der elektronischen Schaltung verbunden ist und dessen Eingang bzw. Source-Elektrode auf einem vorgebbaren Potential (P) liegt.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die antennenartige Vorrichtung (A) über eine zweite Diode (D2) mit dem Eingang eines zweiten steuerbaren Schalters (T3) bzw. der Source-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, dessen Steuereingang bzw. Gate-Elektrode mit dem Ausgang der Ladungspumpe (LP) verbunden ist und an dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode ein vorgebbares Potential (P) liegt.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Anschluss einer Parallelschaltung aus der ersten Diode (D1) und einem ersten Widerstand (R1) mit der Gate-Elektrode eines ersten Feldeffekttransistors (T1) verbunden ist und über eine erste Kapazität (C1) auf Bezugspotential liegt, während der zweite Anschluss der Parallelschaltung mit der Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) verbunden ist, dass die antennenartige Vorrichtung (A) an die Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) angeschlossen ist, und dass an die Drain-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) die vorgebbaren Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Anschluss einer ersten Parallelschaltung aus einer ersten Diode (D1) und einem ersten Widerstand (R1) über eine erste Ka pazität (C1) auf Bezugspotential liegt und über eine zweite Diode (D2) mit dem ersten Anschluss einer zweiten Parallelschaltung aus einem zweiten Widerstand (R2) und einer zweiten Kapazität (C2) verbunden ist, dass der zweite Anschluss der ersten Parallelschaltung mit dem zweiten Anschluss der zweiten Parallelschaltung und der Source-Elektrode eines ersten Feldeffekttransistors (T1) verbunden ist, dessen Gate-Elektrode mit dem ersten Anschluss der zweiten Parallelschaltung verbunden ist und an dessen Drain-Elektrode die vorgebbaren Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind, und dass die antennenartige Vorrichtung (A) an die Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) angeschlossen ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit der Gate-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors (T2) und die Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit der Source-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors (T2) verbunden ist, an dessen Drain-Elektrode die Störsignale abnehmbar sind.
Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuereingang des ersten steuerbaren Schalters (T1) oder die Gate-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit dem Steuereingang mindestens eines dritten steuerbaren Schalters (T3) bzw. mit der Gate-Elektrode mindestens eines dritten Feldeffekttransistors (T3) verbunden ist, dass der Eingang des dritten steuerbaren Schalters (T3) bzw. die Source-Elektrode des dritten Feldeffekttransistors (T3) auf einem definierbaren Potential (P) liegt, während an den Ausgang des dritten steuerbaren Schalters (T3) bzw. an die Drain-Elektrode des dritten Feldeffekttransistors (T3) die anderen vorgebbaren Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind, um diese Knoten auf ein definierbares Potential (P) zu klemmen.
Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuereingang des ersten steuerbaren Schalters (T1) oder die Gate-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit dem Eingang einer ersten Gate-Steuerschaltung (G1) verbunden ist, die einen vierten steuerbaren Schalter (T4) steuert, um während der positiven und/oder der negativen Halbwellen des Störsignals Gate-Elektroden definierbarer sich im nicht leitenden Zustand befindlicher Feldeffekttransistoren (T) mit deren Source-Elektroden zu verbinden.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zum vierten steuerbaren Schalter (T4) ein fünfter steuerbarer Schalter (T5) mit einem Innenwiderstand (Ri) geschaltet ist, dessen Steuereingang mit dem Steuerausgang einer zweiten Gate-Steuerschaltung (G2) verbunden ist.
Verfahren oder Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,dass für die antennenartige Vorrichtung (A) eine lange Leitung vorgesehen ist.