DE10017364A1 - Verfahren und Schaltungsanordnung zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung - Google Patents

Abstract

Um die EMV einer elektronischen Schaltung zu verbessern, werden von Störquellen ausgestrahlte Störsignale von einer antennenartigen Vorrichtung (A) empfangen und von einer Detektionsschaltung (D) detektiert. Wenn Störsignale detektiert werden, schließt die Detektionsschaltung (D) einen steuerbaren Schalter (T1), an dessen Eingang die antennenartige Vorrichtung (A) angeschlossen ist oder an dessen Eingang ein vorgebbares Potential (P) liegt. An den Ausgang des steuerbaren Schalters (T1) sind vorgebbare kritische Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen. Die Detektionsschaltung (D) kann als Reihenschaltung aus einer Diode (D1) und einem Hochpass (HP) oder als Ladungspumpe (LP) ausgeführt sein.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Schaltungsan­ ordnung zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung.

Integrierte Schaltkreise zeichnen sich einerseits durch unbe­ streitbare Vorteile wie z. B. geringe Abmessungen und gerin­ gen Leistungsbedarf aus, sind aber andererseits sehr störan­ fällig gegenüber elektromagnetischen Wellen, die beispiels­ weise Rundfunksender, Radaranlagen, Handys oder Bauelemente einer elektronischen Schaltung abstrahlen. Man spricht von Elektrosmog und von der elektromagnetischen Verträglichkeit - im weiteren Verlauf mit der gebräuchlichen Abkürzung EMV be­ zeichnet -, die inzwischen angesichts der stets zunehmenden Anzahl an Störsendern und der Zunahme ihrer Leistung zu einem großen Problem geworden sind, insbesondere bei Einsatz elekt­ ronischer Schaltungen in sicherheitsrelevanten Bereichen.

So sind z. B. moderne Kraftfahrzeuge mit einem Airbag, einer elektronischen Zündanlage, einem Antiblockiersystem, einer Antischlupfregelung und einer elektronischen Fahrstabilisie­ rung ausgestattet. Weil Kraftfahrzeuge gegen ihres Aufbaus aus Metall, aber auch in Folge langer Versorgungsleitungen wie eine Antenne wirken, sind in einem Kraftfahrzeug angeord­ nete integrierte Schaltkreise und elektronische Schaltungen besonders stark durch elektromagnetische Strahlung gefährdet. Fährt beispielsweise ein langer Lastzug an einem Mittelwel­ lensender vorbei oder durch den Radarstrahl einer Radaranla­ ge, so tritt eine starke Belastung der elektronischen Schal­ tungen durch die Störabstrahlung der Sender auf. Es darf auf keinen Fall vorkommen, dass in solchen oder ähnlichen Situa­ tionen plötzlich der Airbag auslöst, die elektronische Zünd­ anlage streikt, das Antiblockiersystem, die Antischlupfrege­ lung oder die elektronische Fahrstabilisierung versagen oder sogar falsch reagieren.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, die EMV einer elektroni­ schen Schaltung zu erhöhen.

Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den im Anspruch 1 ange­ gebenen Merkmalen dadurch, dass Störsignale mittels einer an­ tennenartigen Vorrichtung empfangen und von einer Detekti­ onsschaltung detektiert werden, deren Ausgangssignale zur Kompensation der Störsignale an vorgebbare Knoten der elekt­ ronischen Schaltung gelegt werden oder deren Ausgangssignale zur Kompensation der Störsignale vorgebbare Knoten mittels steuerbarer Schalter auf vorgebbare Potentiale klemmen.

Gemäß dem im Anspruch 1 beschriebenen Verfahren werden kriti­ sche Knoten der elektronischen Schaltung auf vorgebbare Po­ tentiale oder auf die eingestrahlten Störsignale geklemmt, um deren Auswirkungen in der elektronischen Schaltung zu kompen­ sieren.

Eine erste Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erhöhung der EMV einer elektronischen Schaltung sieht vor, dass die Störsignale mittels einer antennenartigen Vorrich­ tung empfangen, mittels eines Gleichrichters gleichgerichtet und mittels eines anschließenden Filters gefiltert werden, dessen Ausgangssignale einen steuerbaren Schalter steuern, der die eingefangenen Störsignale an kritische Knoten der elektronischen Schaltung legt.

Vorzugsweise wird als Filter ein Hochpass eingesetzt, um alle Störsignale mit höherer Frequenz als die der Nutzsignale her­ auszufiltern. Störsignale gleicher Frequenz wie die Nutzsig­ nale können jedoch nicht kompensiert werden.

Eine zweite Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erhöhung der EMV einer elektronischen Schaltung sieht vor, dass die Störsignale mittels einer antennenartigen Vor­ richtung empfangen und dem Eingang einer Ladungspumpe zuge­ führt werden, deren Ausgangssignale einen steuerbaren Schal­ ter steuern, der die Störsignale an kritische Knoten der elektronischen Schaltung legt.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, das Aus­ gangssignal des Filters bzw. des Hochpasses dem Steuereingang eines oder mehrerer steuerbarer Schalter zuzuführen, die be­ stimmbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierba­ re Potentiale klemmen.

Die Störsignale werden z. B. von einer langen Leitung empfan­ gen oder, mit anderen Worten ausgedrückt, eingefangen.

Bei dem im Anspruch 3 beschriebenen erfindungsgemäßen Verfah­ ren ist an Stelle eines Gleichrichters und eines Filters eine Ladungspumpe vorgesehen, deren Eingang die Störsignale zuge­ führt werden. Das Ausgangssignal der Ladungspumpe steuert den steuerbaren Schalter, der kritische Knoten der elektronischen Schaltung auf die eingestrahlten Störsignale klemmt, um deren Auswirkungen in der elektronischen Schaltung zu kompensieren.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, das Aus­ gangssignal der Ladungspumpe steuerbaren Schaltern zuzufüh­ ren, um bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale zu klemmen, um die eingestrahlten Störsignale zu kompensieren und die elektronische Schaltung vor Fehlfunktion zu schützen.

Auch diese Maßnahme dient der Erhöhung der EMV der elektroni­ schen Schaltung.

Es ist außerdem vorteilhaft, während negativer und/oder posi­ tiver Halbwellen der Störsignale die Gateelektrode definier­ barer sich im nichtleitenden Zustand befindlicher Feldeffekt­ transistoren mit der Source-Elektrode zu verbinden, um ein plötzliches Einschalten dieser Feldeffekttransistoren bei Einstrahlung von Störsignalen sicher zu vermeiden.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sehen vor, vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf das Störpotential an der antennenartigen Vorrichtung zu klemmen. Während der posi­ tiven Halbwellen des Störsignals können vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf Masse geklemmt werden. Das Stör­ signal kann während seiner positiven Halbwellen ebenfalls auf Masse geklemmt werden.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren näher be­ schrieben und erläutert.

In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel,

Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel,

Fig. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel,

Fig. 4 ein viertes Ausführungsbeispiel,

Fig. 5 ein fünftes Ausführungsbeispiel,

Fig. 6 ein sechstes Ausführungsbeispiel,

Fig. 7 ein siebtes Ausführungsbeispiel,

Fig. 8 ein achtes Ausführungsbeispiel,

Fig. 9 ein neuntes Ausführungsbeispiel,

Fig. 10 ein zehntes Ausführungsbeispiel und

Fig. 11 ein elftes Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Bei dem in der Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel der Er­ findung ist die antennenartige Vorrichtung A mit dem Eingang der Detektionsschaltung D verbunden. Der Ausgang der Detekti­ onsschaltung D ist mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters T1, vorzugsweise einem Feldeffekttransistor, ver­ bunden. An den Ausgang B des steuerbaren Schalters T1 sind die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung ange­ schlossen. Der Eingang des steuerbaren Schalters T1 liegt auf einem vorgebbaren Potential. Die Detektionsschaltung D kann z. B. als Reihenschaltung aus einer Diode D1 und einem Filter HP, vorzugweise ein Hochpass, aufgebaut sein.

Das zweite in der Fig. 2 abgebildete Ausführungsbeispiel der Erfindung ist aus einer Reihenschaltung aus einem Gleichrich­ ter, z. B. einer Diode D1 und einem Filter, beispielsweise ein Hochpass HP aufgebaut, dessen Ausgang mit dem Steuerein­ gang eines steuerbaren Schalters, z. B. ein Feldeffekttran­ sistor T1, verbunden ist. Der Ausgang des Feldeffekttransis­ tors T1 ist mit den kritischen Knoten der elektronischen Schaltung verbunden, während sein Eingang mit dem Eingang des Gleichrichters D1 verbunden ist, an den die antennenartige Vorrichtung A angeschlossen ist. Die Diode D1 und der Hoch­ pass HP bilden die Detektionsschaltung D.

Die Störsignale werden von der antennenartigen Vorrichtung A, beispielsweise einer langen Leitung, eingefangen, mittels der Diode D1 gleichgerichtet und mittels des Hochpasses HP gefil­ tert. Wenn Störsignale eingestrahlt werden, schließt der Hochpass HP den Feldeffekttransistor T1, um die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung auf die Störsignale zu klemmen, um durch diese Maßnahme die Auswirkungen der Stör­ signale in der elektronischen Schaltung zu kompensieren.

Das in der Fig. 3 gezeigte Ausführungsbeispiel der Erfindung ist wie das in Fig. 2 abgebildete Ausführungsbeispiel aufge­ baut, jedoch durch einen steuerbaren Schalter T3 ergänzt, dessen Steuereingang mit dem Ausgang des Hochpasses HP ver­ bunden ist. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt auf einem definierbaren Potential P, während an den Ausgang des steuerbaren Schalters T3 Knoten der elektronischen Schal­ tung angeschlossen sind.

Bei Einstrahlung von Störsignalen schließt der Hochpass HP den steuerbaren Schalter T3, um definierbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale zu klem­ men.

In der Fig. 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung gezeigt. Die antennenartige Vorrichtung A ist an die ei­ ne Elektrode einer Diode D1, an den Eingang eines steuerbaren Schalters T1 und eines steuerbaren Schalters T3 angeschlos­ sen. Die andere Elektrode der Diode D1 ist mit dem Eingang eines Hochpasses HP verbunden, dessen Ausgang an den Steuer­ eingang des steuerbaren Schalters T1 und des steuerbaren Schalters T3 angeschlossen ist. An den Ausgang des steuerba­ ren Schalters T1 sind Knoten der elektronischen Schaltung an­ geschlossen. Der Ausgang des steuerbaren Schalters T3 liegt auf einem definierbaren Potential P.

Wenn der Hochpass HP Störsignale detektiert, schließt er die beiden steuerbaren Schalter T1 und T3. Dadurch werden die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung und die anten­ nenartige Vorrichtung A auf das definierte Potential P ge­ klemmt.

In der Fig. 5 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dar­ gestellt, bei dem der Ausgang einer Ladungspumpe LP mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters T1, z. B. eines Feldeffekttransistors, verbunden ist, an dessen Ausgang die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.

Die antennenartige Vorrichtung A zum Empfang der Störsignale ist an den Eingang des steuerbaren Schalters T1 und der La­ dungspumpe LP angeschlossen.

Wenn die Ladungspumpe von Störsignalen beaufschlagt wird, schließt sie den steuerbaren Schalter T1, um die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung auf das Potential an der antennenartigen Vorrichtung A zu klemmen. Durch diese Maßnah­ men werden die Auswirkungen der Störsignale in der elektroni­ schen Schaltung kompensiert.

Das in der Fig. 6 abgebildete Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung hat denselben Aufbau wie das in der Fig. 5 gezeigte. Zu­ sätzlich ist mindestens ein steuerbarer Schalter T3 vorgese­ hen, dessen Steuereingang mit dem Ausgang der Ladungspumpe LP verbunden ist. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 bzw. der steuerbaren Schalter T3 liegt auf einem definierbaren Po­ tential P, während an den Ausgang der steuerbaren Schalter T3 bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.

Bei Empfang von Störsignalen werden die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung auf das Potential an der antennenar­ tigen Vorrichtung A gelegt. Gleichzeitig werden andere be­ stimmbare Knoten der elektronischen Schaltung mittels der steuerbaren Schalter T3 auf definierbare Potentiale geklemmt.

In der Fig. 7 ist ein weiteres Auführungsbeispiel gezeigt. Die antennenartige Vorrichtung A ist an den Eingang der La­ dungspumpe LP und des steuerbaren Schalters T1 sowie an eine Elektrode einer Diode D2 angeschlossen, deren andere Elektro­ de mit dem Ausgang eines steuerbaren Schalters T3 verbunden ist. Am Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt ein Poten­ tial P. An den Ausgang des steuerbaren Schalters T1 sind kri­ tische Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen. Der Ausgang der Ladungspumpe LP ist mit dem Steuereingang des steuerbaren Schalters T1 und T3 verbunden.

Wenn die Ladungspumpe LP Störsignale detektiert, schließt sie die beiden steuerbaren Schalter T1 und T3, so dass die kriti­ schen Knoten der elektronischen Schaltung und die antennenar­ tige Vorrichtung A auf das Potential P geklemmt werden.

In der Fig. 8 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel mit einem Gleichrichter und einem Hochpass ausführlich dargestellt.

Der eine Anschluss einer Parallelschaltung aus einer Diode D1 und einem Widerstand R1 ist mit der Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors T1 und eines Feldeffekttransistors T2 verbunden und liegt außerdem über eine Kapazität C1 auf Be­ zugspotential. Der andere Anschluss der Parallelschaltung ist mit der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors T1 und T2 sowie mit der antennenartigen Vorrichtung A verbunden. An die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T1 sind die kriti­ schen Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen. An der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T2 ist daher ein weiteres Kompensationssignal zur Kompensierung der Stör­ signale abnehmbar. Die miteinander verbundenen Gate- Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren T1 und T2 sind mit dem Steuereingang eines steuerbaren Schalters T3, z. B. eines Feldeffekttransistors, verbunden ist. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt auf einem definierbaren Poten­ tial P, während an seinen Ausgang weitere Knoten der elektro­ nischen Schaltung angeschlossen sind.

Werden Störsignale empfangen, so werden die Feldeffekttran­ sistoren T1, T2 und T3 geschlossen, so dass das Potential an der antennenartigen Vorrichtung A an den kritischen Knoten der elektronischen Schaltung liegt und so dass weitere andere Knoten der elektronischen Schaltung über den steuerbaren Schalter T3 auf dem definierbaren Potential P liegen. Diese Maßnahmen dienen dazu, die EMV der elektronischen Schaltung zu erhöhen. Der Widerstand R1 und die Kapazität C1 bilden den Hochpass.

In der Fig. 9 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung mit einer Ladungspumpe ausführlich dargestellt.

Der erste Anschluss einer ersten Parallelschaltung aus einer Diode D1 und einem Widerstand R1 liegt über eine Kapazität C1 auf Bezugspotential und ist über eine Diode D2 mit dem ersten Anschluss einer zweiten Parallelschaltung, bestehend aus ei­ nem Widerstand R2 und einer Kapazität C2, verbunden. Der zweite Anschluss der ersten Parallelschaltung aus der Diode D1 und dem Widerstand R1 ist mit dem zweiten Anschluss der zweiten Parallelschaltung, bestehend aus dem Widerstand R2 und der Kapazität C2, und der Source-Elektrode eines Feldef­ fekttransistors T1 und T2 verbunden. Die miteinander verbun­ denen Gate-Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren T1 und T2 sind mit dem ersten Anschluss der zweiten Parallel­ schaltung aus dem Widerstand R2 und der Kapazität C2 verbun­ den. An die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T1 sind die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung ange­ schlossen. An der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T3 sind weitere Kompensationssignale zur Kompensation der Störsignale abnehmbar. Die Source-Elektroden der beiden Feld­ effekttransistoren T1 und T2 sind mit der antennenartigen Vorrichtung A verbunden. Die Gate-Elektroden der Feldeffekt­ transistoren T1 und T2 sind mit dem Steuereingang eines steu­ erbaren Schalters T3 verbunden, für den beispielsweise ein Feldeffekttransistor vorgesehen sein kann. Der Eingang des steuerbaren Schalters T3 liegt auf einem definierbaren Poten­ tial P, während an seinen Ausgang bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind.

Die Dioden D1 und D2 sowie die Kapazitäten C1 und C2 bilden die Ladungspumpe. Wenn die antennenartige Vorrichtung A Stör­ signale empfängt und an die Ladungspumpe LP weiterleitet, schließt die Ladungspumpe LP die Feldeffekttransistoren T1, T2 und T3. Die kritischen Knoten der elektronischen Schaltung sind daher an die antennenartige Vorrichtung A angeschlossen, um die Auswirkungen der Störsignale zu kompensieren. An der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors T2 sind weitere Kompensationssignale zur Kompensation der Störsignale abnehm­ bar. Weil der Feldeffekttransistor T3 geschlossen ist, liegen bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung auf dem defi­ nierbaren Potential P.

In der Fig. 10 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Er­ findung gezeigt, bei dem an den Ausgang des steuerbaren Schalters T1 bzw. an die Source-Elektrode des Feldeffektran­ sistors T1 der Eingang einer Gate-Steuerschaltung G1 ange­ schlossen ist, die mindestens einen steuerbaren Schalter T4 steuert, um während der positiven und/oder der negativen Halbwellen des Störsignals die Gate-Elektrode bestimmbarer sich im nicht leitenden Zustand befindlicher Feldeffekttran­ sistoren T mit der Source-Elektrode zu verbinden. Diese Maß­ nahme bewirkt, dass ein nicht leitender Feldeffektransistor bei Auftreten von Störsignalen nicht plötzlich in den leiten­ den Zustand übergeht. Eine derartige Schaltungsanordnung ist beispielsweise besonders gut für die Steuerschaltung eines Airbags geeignet, denn sie verhindert, dass der Airbag durch Störsignale plötzlich ausgelöst wird.

Alle beschriebenen Maßnahmen dienen dazu, die EMV der elekt­ ronischen Schaltung zu erhöhen.

In der Fig. 11 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Er­ findung gezeigt, das denselben Aufbau hat wie das in Fig. 10 abgebildete, jedoch durch einen steuerbaren Schalter T5 mit einem Innenwiderstand R1 ergänzt ist, der zwischen der Gate- Elektrode und der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors T liegt. Der steuerbare Schalter T5, vorzugsweise ebenfalls ein Feldeffekttransistor, wird von einer Gate-Steuerschaltung G2 gesteuert. Durch die Maßnahme zwei mit einem Innenwider­ stand behaftete steuerbare Schalter parallel zwischen die Ga­ te-Elektrode und die Source-Elektrode des Feldeffekttransis­ tors T zu schalten, wird eine Verringerung des Widerstandes zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode erzielt.

Die Erfindung ist allgemein für elektronische Schaltungen mit integrierten Schaltkreisen und mit Feldeffekttransistoren ge­ eignet. Sie lässt sich vorteilhaft in Kraftfahrzeugen einset­ zen, um die elektronischen Steuerungssysteme für den Airbag, die Zündanlage, das Antiblockiersystem, die Antischlupfrege­ lung oder die Fahrstabilisierung, um nur einige derartiger Steuerungssysteme zu nennen, vor Fehlfunktion in Folge einge­ strahlter elektromagnetischer Wellen zu schützen.

Claims (27)

1. Verfahren zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträg­ lichkeit einer elektronischen Schaltung, dadurch gekennzeichnet, dass Störsignale mittels einer antennenartigen Vorrichtung (A) empfangen und von einer Detektionsschaltung (D) detektiert werden, deren Ausgangssignale zur Kompensation der Störsignale an vorgebba­ re Knoten der elektronischen Schaltung gelegt werden oder de­ ren Ausgangssignale vorgebbare Knoten mittels steuerbarer Schalter auf vorgebbare Potentiale klemmen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Stör­ signale mittels eines Gleichrichters (D1) gleichgerichtet und mittels eines anschließenden Filters (HP) gefiltert werden, dessen Ausgangssignale einen ersten steuerbaren Schalter (T1) steuern, der die Störsignale an vorgebbare Knoten in der elektronischen Schaltung legt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Stör­ signale dem Eingang einer Ladungspumpe (LP) zugeführt werden, deren Ausgangssignale einen ersten steuerbaren Schalter (T1) steuern, der die Störsignale an vorgebbare Knoten der elekt­ ronischen Schaltung legt.

4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass für das Filter ein Hochpass (HP) vorgesehen ist.

5. Verfahren nach Anspruch 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Aus­ gangssignal des Filters (HP) einen zweiten steuerbaren Schal­ ter (T3) steuert, der vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf definierbare Potentiale (P) legt.

6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Aus­ gangssignal der Ladungspumpe (LP) einen zweiten steuerbaren Schalter (T3) steuert, der vorgebbare Knoten der elektroni­ schen Schaltung auf definierbare Potentiale (P) legt.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf das Störpotential an der antennenartigen Vorrichtung (A) geklemmt werden.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass während der positiven Halbwellen des Störsignals vorgebbare Knoten der elektronischen Schaltung auf Masse geklemmt werden.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Stör­ signal während seiner positiven Halbwellen auf Masse geklemmt wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass während der negativen Halbwellen der Störsignale die Gate-Elektrode defi­ nierbarer sich im nicht leitenden Zustand befindlicher Feld­ effekttransistoren mit der Source-Elektrode verbunden wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass während der positiven Halbwellen der Störsignale die Gate-Elektrode defi­ nierbarer sich im nicht leitenden Zustand befindlicher Feld­ effekttransistoren mit der Source-Elektrode verbunden wird.

12. Schaltungsanordnung zur Erhöhung der elektromagnetischen Verträglichkeit einer elektronischen Schaltung, dadurch gekennzeichnet, dass eine anten­ nenartige Vorrichtung (A) zum Empfang von Störsignalen an den Eingang einer Detektionsschaltung (D) zur Detektion der Stör­ signale angeschlossen ist, dass der Ausgang der Detektionss­ chaltung (D) mit dem Steuereingang eines ersten steuerbaren Schalters (T1) bzw. der Gate-Elektrode eines ersten Feldef­ fekttransistors (T1) verbunden ist, dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode mit vorgebbaren Knoten der elektronischen Schaltung verbunden ist und an dessen Eingang bzw. Source- Elektrode ein definierbares Potential (P) liegt.

13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die anten­ nenartige Vorrichtung (A) an den Eingang des ersten steuerba­ ren Schalters (T1) bzw. die Source-Elektrode des ersten Feld­ effekttransistors (T1) angeschlossen ist.

14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Detek­ tionsschaltung (D) als Reihenschaltung aus einer ersten Diode (D1) und einem Filter (HP) aufgebaut ist.

15. Schaltungsanordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass für das Filter ein Hochpass (HP) vorgesehen ist.

16. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des Hochpasses (HP) mit dem Steuereingang eines zweiten steu­ erbaren Schalters (T3) bzw. der Gate-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, an dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode vorgebbare Knoten der elektronischen Schal­ tung angeschlossen sind und dessen Eingang bzw. Source- Elektrode auf einem vorgebbaren Potential (P) liegt.

17. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des Hochpasses (HP) mit dem Steuereingang eines zweiten steu­ erbaren Schalters (T3) bzw. der Gate-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, dessen Eingang bzw. Source-Elektrode mit der antennenartigen Vorrichtung (A) ver­ bunden ist und an dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode ein vorgebbares Potential (P) liegt.

18. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass für die De­ tektionsschaltung (D) eine Ladungspumpe (LP) vorgesehen ist.

19. Schaltungsanordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang der Ladungspumpe (LP) mit dem Steuereingang eines zweiten steuerbaren Schalters (T3) bzw. der Gate-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode mit vorgebbaren Knoten der elektroni­ schen Schaltung verbunden ist und dessen Eingang bzw. Source- Elektrode auf einem vorgebbaren Potential (P) liegt.

20. Schaltungsanordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die anten­ nenartige Vorrichtung (A) über eine zweite Diode (D2) mit dem Eingang eines zweiten steuerbaren Schalters (T3) bzw. der Source-Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors verbun­ den ist, dessen Steuereingang bzw. Gate-Elektrode mit dem Ausgang der Ladungspumpe (LP) verbunden ist und an dessen Ausgang bzw. Drain-Elektrode ein vorgebbares Potential (P) liegt.

21. Schaltungsanordnung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Anschluss einer Parallelschaltung aus der ersten Diode (D1) und einem ersten Widerstand (R1) mit der Gate-Elektrode eines ersten Feldeffekttransistors (T1) verbunden ist und über eine erste Kapazität (C1) auf Bezugspotential liegt, während der zweite Anschluss der Parallelschaltung mit der Source- Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) verbunden ist, dass die antennenartige Vorrichtung (A) an die Source- Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) angeschlossen ist, und dass an die Drain-Elektrode des ersten Feldeffekt­ transistors (T1) vorgebbare Knoten der elektronischen Schal­ tung angeschlossen sind.

22. Schaltungsanordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Anschluss einer ersten Parallelschaltung aus einer ersten Di­ ode (D1) und einem ersten Widerstand (R1) über eine erste Ka­ pazität (C1) auf Bezugspotential liegt und über eine zweite Diode (D2) mit dem ersten Anschluss einer zweiten Parallel­ schaltung aus einem zweiten Widerstand (R2) und einer zweiten Kapazität (C2) verbunden ist, dass der zweite Anschluss der ersten Parallelschaltung mit dem zweiten Anschluss der zwei­ ten Parallelschaltung und der Source-Elektrode eines ersten Feldeffekttransistors (T1) verbunden ist, dessen Gate- Elektrode mit dem ersten Anschluss der zweiten Parallelschal­ tung verbunden ist und an dessen Drain-Elektrode kritische Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind, und dass die antennenartige Vorrichtung (A) an die Source- Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) angeschlossen ist.

23. Schaltungsanordnung nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Gate- Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit der Gate- Elektrode eines zweiten Feldeffekttransistors (T2) und die Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit der Source-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors (T2) verbunden ist, an dessen Drain-Elektrode ein weiteres Kompen­ sationssignal zur Kompensation der Störsignale abnehmbar ist.

24. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuer­ eingang des ersten steuerbaren Schalters (T1) bzw. die Gate- Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit dem Steu­ ereingang mindestens eines dritten steuerbaren Schalters (T3) bzw. mit der Gate-Elektrode mindestens eines dritten Feldef­ fekttransistors (T3) verbunden ist, dass der Eingang des dritten steuerbaren Schalters (T3) bzw. die Source-Elektrode des dritten Feldeffekttransistors (T3) auf einem definierba­ ren Potential (P) liegt, während an den Ausgang des dritten steuerbaren Schalters (T3) bzw. an die Drain-Elektrode des dritten Feldeffekttransistors (T3) bestimmbare Knoten der elektronischen Schaltung angeschlossen sind, um diese Knoten auf ein definierbares Potential (P) zu klemmen.

25. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des ersten steuerbaren Schalters (T1) bzw. die Source- Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T1) mit dem Ein­ gang einer ersten Gate-Steuerschaltung (G1) verbunden ist, die vierte steuerbare Schalter (T4) steuert, um während der positiven und/oder der negativen Halbwellen des Störsignals die Gate-Elektrode definierbarer sich im nicht leitenden Zu­ stand befindlicher Feldeffekttransistoren (T) mit der Source- Elektrode zu verbinden.

26. Schaltungsanordnung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zum vierten steuerbaren Schalter (T4) ein fünfter steuerbarer Schalter (T5) mit einem Innenwiderstand (R1) geschaltet ist, dessen Steuereingang mit dem Steuerausgang einer zweiten Ga­ te-Steuerschaltung (G2) verbunden ist.

27. Verfahren oder Schaltungsanordnung nach einem der voran­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für die an­ tennenartige Vorrichtung (A) eine lange Leitung vorgesehen ist.