DE10016380C2 - Gehäuse für ein elektrisches Bauteil - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse für ein elek­ trisches Bauteil gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Ein derartiges Gehäuse ist beispielsweise aus der EP 714 125 A2 bekannt.

Elektrische Bauteile, insbesondere Halbleiterbauelemente wie Halbleiterspeicher, sind von einem Gehäuse umgeben, um das elektrische Bauteil vor Einwirkungen zu schützen.

Es ist bereits bekannt, ein elektrisches Bauteil gegen magne­ tische Felder abzuschirmen. Dazu weist beispielsweise das elektrische Bauteil selbst eine magnetisch leitende Beschich­ tung auf oder das Gehäuse ist von einem magnetisch leitenden Metallgehäuse umgeben.

Die bekannten Abschirmmaßnahmen sind jedoch relativ aufwendig und kostenintensiv.

Aus WO 99/33106 ist ein Kunststoffverbundkörper bekannt, der einen Leadframe, eine Kleberschicht und eine über die Kleber­ schicht mit dem Leadframe verbundene integrierte Schaltung bestehend aus einem Halbleitermaterial aufweist. Die Kleber­ schicht weist wenigstens einen Füllstoff sowie einen Kunst­ stoff auf. Der Füllstoff umfasst nanoskalige, insbesondere sphärische Partikel, die leitfähig oder isolierend sein kön­ nen.

Aus DE 34 33 779 A1 ist eine Schutzschicht für Halbleiter­ schaltungen bekannt, die zum Isolieren von Anschlussstellen einer Halbleiterschaltung dient. Die Schutzschicht besteht aus einem Isolierstoff mit einem elektrisch leitenden Zusatz. Der Zusatz ist derart bemessen, dass eine von außen auf die Schutzschicht einwirkende Hochspannung, z. B. durch elektro­ statische Aufladung, durch die Schutzschicht hindurch über die Anschlussstellen nach Masse abgeleitet wird. Als elektrisch leitender Zusatz wird vorzugsweise Graphit verwendet.

Aus der bereits genannten EP 714 125 A2 sind ein Halbleiterbauelement und ein Ver­ fahren zur Herstellung des Halbleiterbauelementes bekannt, wobei das Halbleiterbauelement mit einer Schicht aus Silicon mit Füllstoff bedeckt ist. Der Füllstoff weist Teilchen mit einem Durchmesser von bis zu 500 µm und einem spezifischen Gewicht von bis zu 0,95 auf. Aufgrund des spezifischen Ge­ wichtes schwimmen die Füllpartikel im Bereich der Oberfläche des Silicons und ordnen sich somit entfernt vom Halbleiter­ bauelement. Als Füllstoff werden elektrisch leitende Materia­ lien, z. B. Kupfer-Aluminium, Silber-Zink und Kohlenstoff ver­ wendet. Zur Vermeidung einer Beschädigung des Halbleiterbau­ elementes durch eine statische elektrische Aufladung wird ein Füllmaterial verwendet, das entweder vollständig elektrisch leitend ist oder eine Oberfläche aufweist, die elektrisch leitend ist.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine kostengünstige magnetische Abschirmung eines elektrischen Bauteils bereitzu­ stellen.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Merkmale des An­ spruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhaft ist es, die in dem Gehäuse eingebetteten Füllkörper mit einer magnetisch leiten­ den Schicht zu umgeben. Auf diese Weise wird eine Abschirmung ohne große Kosten erreicht.

Weitere vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher er­ läutert; Es zeigen

Fig. 1 ein elektrisches Bauteil mit einem Gehäuse,

Fig. 2 einen beschichten Füllkörper und

Fig. 3 einen beschichteten Füllkörper mit Haftvermittlung.

Fig. 1 zeigt ein elektrisches Bauteil in Form eines Halblei­ terspeichers 1, der mit einem Gehäuse 2 umgeben ist. Der Halbleiterspeicher 1 weist elektrische Anschlüsse 4 auf, die durch das Gehäuse 2 nach außen geführt sind. Das Gehäuse 2 besteht aus einem Trägermaterial, das beispielsweise aus Kunstharz besteht, und darin eingebetteten Füllkörpern 3. Die Füllkörper 3 sind vorzugsweise als Quarzpartikel ausgebildet, die einen Durchmesser von 50 bis 100 µm aufweisen. 50 bis 90 Gewichtsprozente des Gehäuses 2 werden durch die Füllkörper dargestellt.

Das Gehäuse 2 wird beispielsweise in einem Spritzvorgang her­ gestellt, bei dem flüssiges Kunstharz, in dem Füllkörper ein­ gebracht sind, um den Halbleiterspeicher 1 herumgespritzt wird. Nach deni Spritzvorgang wird der Halbleiterspeicher 1 mit der umspritzten Schicht getrocknet und auf diese Weise das Gehäuse 2 in einer mechanisch stabilen Form erhalten.

Fig. 2 zeigt, den Aufbau eines Füllkörpers 3, auf dem eine erste Schicht 5 aufgebracht ist. Die erste Schicht 5 ist als magnetisch leitende Schicht ausgebildet. Die erste Schicht 5 besteht vorzugsweise aus einer Eisen-Nickel-Legierung, die eine niedrige Permeabilität aufweist. Vorzugsweise weist die Eisen-Nickel-Legierung einen Anteil von 10 bis 80 Gew.-% an Nickel auf.

Auf der ersten Schicht 5 ist vorzugsweise eine zweite Schicht 6 aufgebracht. Die zweite Schicht 6 stellt eine Isolier- und Haftschicht dar. Die zweite Schicht 6 besteht beispielsweise aus einem Polymerhaftvermittler mit einer Metallkomplex und Epoxid-Endgruppe.

Die Funktion der zweiten Schicht 6 besteht darin, die erste Schicht 5 elektrisch zu isolieren und gleichzeitig eine Haft­ verbesserung zwischen dem Trägermaterial 7 und den Füllkör­ pern 3 herzustellen.

Fig. 3 zeigt einen Füllkörper 3, der zusätzlich eine dritte Schicht 8 aufweist, die zwischen dem Füllkörper 3 und der ersten Schicht 5 angeordnet ist. Die dritte Schicht 8 ist als Haftschicht ausgebildet, die das Haften der ersten Schicht 5 auf dem Füllkörper 3 verbessert. Vorzugsweise besteht die dritte Schicht 8 mindestens teilweise aus Titan.

In einer einfachen Ausführungsform reicht es aus, die Füll­ körper 3 nur teilweise mit einer ersten Schicht 5 zu verse­ hen. Die erste Schicht 5 wird beispielsweise bei einem Sput­ tervorgang auf die Füllkörper 3 aufgebracht. Anschließend werden die beschichten Füllkörper 3 mit dem flüssigen Kunst­ harz vermischt und durch einen Spritzvorgang ein Gehäuse 2 hergestellt.

In einer weiteren Ausführungsform fehlt die zweite Schicht 6, wobei bei dieser Ausführungsform das Kunstharz 7 elektrisch isolierend ausgebildet ist. Anstelle des Kunstharzes kann auch anderes Material verwendet werden, das sich zum Herstel­ len eines Gehäuses unter Beimischung von Füllkörpern eignet.

Die Füllkörper 3 sind beispielsweise Quarzpartikel, können jedoch auch aus einem anderen Material bestehen, das sich als Füllkörper zur Herstellung eines mechanischen Gehäuses eig­ net.

Claims (9)

1. Gehäuse für ein elektrisches Bauteil, das mindestens teilweise aus Trägermaterial und darin eingebetteten Füllkörpern besteht, dadurch gekennzeichnet, dass min­ destens ein Teil der Füllkörper (3) mindestens teilweise mit einer magnetisch leitenden Schicht (5) umgeben ist.

2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Schicht (5) eine Haftschicht (6) aufgebracht ist.

3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass 50-90% Gewichtsprozent des Gehäuses in Form von Füllkörpern dargestellt ist.

4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Schicht mindestens teilweise aus einer Eisen-Nickel-Legierung besteht.

5. Gehäuse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Eisen-Nickel-Legierung 10 bis 80% Nickel aufweist.

6. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Schicht (5) als Sputterschicht aufgebracht ist.

7. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge­ kennzeichnet, dass zwischen der Schicht (5) und dem Füllkörper (3) eine Haftschicht (8) angeordnet ist.

8. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, dass auf der Schicht (5) eine Isolierschicht (6) aufgebracht ist.

9. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch ge­ kennzeichnet, dass das Trägermaterial elektrisch isolie­ rend ausgebildet ist.