DE10015962C2 - Hochtemperaturfeste Lotverbindung für Halbleiterbauelement - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine hochtemperaturfeste Lotverbindung aus einer Metallschicht, die zwischen einem Halbleiterkörper und einem mit diesem verbundenen Kühlkörper vorgesehen ist und eine schaumartig vernetzte Struktur hat, deren Hohlräume von Trennwänden umgeben sind, die sich ohne Unter­ brechung zwischen dem Halbleiterkörper und dem Kühlkörper erstrecken. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Lotverbindung.

Leistungshalbleiterbauelemente entwickeln im Betrieb be­ trächtliche Wärmemengen, die erhebliche Temperatursteigerun­ gen bewirken, welche zu einer Zerstörung der Leistungshalb­ leiterbauelemente führen können. Aus diesem Grund werden Lei­ stungshalbleiterbauelemente mit Kühlkörpern ausgestattet, die die in den Leistungshalbleiterbauelementen entwickelte Wärme aufnehmen.

Leistungshalbleiterbauelemente bestehen zumeist aus Silizium, während für die Kühlkörper vorzugsweise Kupfer verwendet wird.

Wird nun ein Silizium-Leistungshalbleiterbauelement mit einem Kupfer-Kühlkörper versehen, so treten infolge der durch die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und Kupfer bedingten thermische Fehlanpassungen zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement und dem Kühlkörper im Halblei­ terkörper des Leistungshalbleiterbauelementes große mechani­ sche Spannungen auf, die zu Rißbildungen und Brüchen führen können.

An der Lösung dieses Problemes wird seit vielen Jahren inten­ siv gearbeitet. Dabei ist zu beachten, daß das Leistungshalb­ leiterbauelement einerseits möglichst nahe an dem Kühlkörper vorgesehen werden sollte, um eine gute Wärmeableitung zu dem Kühlkörper gewährleisten zu können. Andererseits sollte aber ein bestimmter Mindestabstand durch eine zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement und dessen Kühlkörper vorgesehene Verbindungsschicht eingehalten werden, damit diese die bei der Verformung des Leistungshalbleiterbauelementes und des Kühlkörpers auftretenden Scherspannungen aufnehmen kann.

Bisher werden verbreitet Keramik/Kupfer-Substrate (DCB-Sub­ strate) eingesetzt, auf die ein Silizium-Leistungshalbleiter­ bauelement mittels einer Blei-Zinn-Weichlot-Verbindungs­ schicht aufgebracht wird, und die gegebenenfalls noch mit ei­ nem zusätzlichen Kupfer-Kühlkörper auf der dem Leistungs­ halbleiterbauelement gegenüberliegenden Seite versehen werden können. Die Weichlot-Verbindungsschicht reagiert auf die auf­ tretenden mechanischen Scherspannungen mit plastischer Ver­ formung und trägt somit dazu bei, diese Scherspannungen abzu­ bauen.

Obwohl die DCB-Substrate thermisch an Silizium angepaßt sind, hat dieser Ansatz zur Lösung der oben aufgezeigten Problema­ tik gewisse Nachteile: durch das DCB-Substrat und die Blei- Zinn-Weichlot-Verbindungsschicht wird die Wärmeableitung aus dem Leistungshalbleiterbauelement verschlechtert. Weiterhin vermag die Weichlot-Verbindungsschicht höhere Betriebstempe­ raturen im Bereich von 200°C, wie sie derzeit in der Elek­ tronik gelegentlich gefordert werden, nicht auszuhalten, da Weichlot in diesem Temperaturbereich zu fließen beginnt.

Damit Stabilität und Betriebssicherheit auch bei höheren Tem­ peraturen gewährleistet sind, werden gelegentlich sogenannte Diffusionslötverbindungen zwischen einem Leistungshalbleiter­ bauelement und einem Kühlkörper, wie insbesondere einem DCB- Substrat, eingesetzt. Bei solchen Diffusionslötverbindungen ist aber die Lotnaht hart und extrem dünn, so daß die auftre­ tenden mechanischen Spannungen nicht zuverlässig ausgeglichen werden können und ein Ausfall des Leistungshalbleiterbauele­ mentes nicht auszuschließen ist.

Derzeit wird als Verbindungsschicht, auch "Interposer" ge­ nannt, zwischen einem Leistungshalbleiterbauelement und einem Kühlkörper bevorzugt entweder eine etwa 100 µm dicke Weichlotschicht oder eine etwa gleich dicke organische Schicht aus Kunststoff eingesetzt. Unter "Leistungshalblei­ terbauelement" ist dabei gegebenenfalls auch eine integrierte Schaltung zu verstehen, während ein Kühlkörper die Platte bzw. das Board dieses Leistungshalbleiterbauelementes umfas­ sen kann.

Eine derartige Weichlotschicht ist aber, wie bereits oben er­ wähnt wurde, für Anwendungen in Temperaturbereichen um 200°C und darüber ungeeignet, während eine organische Schicht für die Wärmeableitung wenig geeignet ist.

In der EP 0 590 232 A1 sind eine Halbleiterlaser­ anordnung und ein Montageverfahren für diese beschrieben. Bei dieser Halblei­ terlaseranordnung weist ein Halbleiter-Laserbarren 3 einen mit diesem verbun­ denen Kühlkörper 1 auf, der über eine Metallschicht 26 mit dem Halbleiter-La­ serbarren 3 verbunden ist. Die Metallschicht 26 hat eine anisotrope Wärmeleitfä­ higkeit (vgl. Seite 10, Zeilen 8 bis 11) und besteht aus einem porösen polykristal­ linen Film (vgl. Seite 10, Zeilen 25 und 26).

Die US 5,986,885 beschreibt ein Halbleiter­ gehäuse mit einer internen Wärmesenke, bei der eine Scheibe 30 mit Bondpads 31 auf ihrer Rückseite mit einem leitenden Metallschaum 40 versehen ist, der als Wärmesenke wirkt. Zwischen dem Metallschaum 40 und der Scheibe 30 befindet sich ein wärmeleitender Klebstoff 66 (vgl. auch Spalte 7, Zeilen 56 bis 59).

Schließlich ist aus der EP 0 213 774 A1 ein anisotrop elek­ trisch leitender Gegenstand bekannt, der mit Poren versehen ist, die insbesonde­ re zur Aufnahme von Lot dienen (vgl. Spalte 3, Zeilen 26 bis 36).

Auch aus der DE 195 07 547 C2 ist es bekannt, Poren in eine Silizium-Trägerplatte einzubringen und diese Poren zur Herstellung einer elektrisch und thermisch leitfähigen Verbindung mittels CVD mit Metallen zu füllen. Auch gibt diese Druckschrift an, daß durch Ändern der Stromstärke beim Anodischen Ätzen ein Zusammenwachsen der Poren zum Ablösen der porösen Schicht vom Substrat erreicht werden kann. Jedoch fehlt es an einem Hinweis, dadurch eine schaumartig vernetzte metallene Struktur herzustellen.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine mecha­ nisch stabile, elastisch verformbare hochtemperaturfeste Lot­ verbindung zwischen einem Halbleiterkörper und einem mit die­ sem verbundenen Kühlkörper anzugeben; außerdem sollen ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen einer solchen Lotverbindung geschaffen werden.

Diese Aufgabe wird bei einer hochtemperaturfesten Lotverbin­ dung bzw. einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die in den Patentansprüchen 1 und 6 angegebenen Merkmale gelöst.

Die erfindungsgemäße Lotverbindung aus der Metallschicht mit einer schaumartig vernetzten Struktur bildet eine flexible Zwischenschicht ("Interposer") zwischen dem Halbleiterkörper und dem Kühlkörper, welche in hervorragender Weise bei höhe­ ren Temperaturen auftretende mechanische Spannungen abbaut und gleichzeitig eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit zeigt. Die erfindungsgemäße Lotverbindung kann dabei bereits auf Waferebene zwischen dem Halbleiterkörper und dem Kühlkörper eingefügt werden, so daß die Verwendung von Lotbändern nicht erforderlich ist.

Die Herstellung der erfindungsgemäßen Hochtemperaturlotver­ bindung wird vorzugsweise wie folgt vorgenommen:
Auf die Rückseite eines Siliziumwafers, aus welchem in einem späteren Herstellungsschritt durch Zerlegen die Halbleiter­ körper einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen gewonnen werden, wird ein dünner Metallfilm aus beispielsweise Kupfer durch galvanische Abscheidung aufgetragen. Dieser dünne Me­ tallfilm, dessen Schichtdicke in der Größenordnung von eini­ gen µm liegt, erfüllt die Funktion einer Keimschicht für eine spätere galvanische Abscheidung. Selbstverständlich kann der Wafer auch aus einem anderen Material als Silizium bestehen, und für den Metallfilm können ebenfalls von Kupfer abwei­ chende Materialien eingesetzt werden.

Auf den Metallfilm wird sodann eine dünne, etwa 100 µm dicke, vorzugsweise aus Kunststoff bestehende Folie geklebt, die ei­ ne offenporige Struktur hat. Diese Folie ist vorzugsweise selbstklebend oder einseitig mit einem Kleber beschichtet. Die Poren der Folie haben vorzugsweise einen Durchmesser im Bereich zwischen 5 und 20 µm und sind miteinander verbunden.

Der auf diese Weise präparierte Wafer wird sodann in einem Galvanikbad mit beispielsweise Kupfer oder Nickel metalli­ siert. Bei dieser Metallisierung wächst das Metall, also ins­ besondere Kupfer oder Nickel, im Bereich der Poren auf dem dünnen Metallfilm (aus beispielsweise ebenfalls Kupfer und/oder Nickel) zu einem vielfach durch den Kunststoff un­ terbrochenen metallischen Schaum auf, wobei die mit Metall gefüllten Poren der Folie miteinander vernetzen, die Wände der Folie aber gleichzeitig verhindern, daß diese Metall­ schicht kompakt zusammenwächst.

Infolge des relativ geringen Volumenanteiles der Wände der Folie im Verhältnis zum Volumen der Poren besteht die aufge­ wachsene Metallschicht überwiegend aus festem Metall, das durch die Kunststoffwände der Folie unterbrochen ist. Durch den galvanischen Prozeß und die dreidimensionale Vernetzung der aufgewachsenen Metallschicht wird außerdem sicherge­ stellt, daß diese aufgewachsene Metallschicht in vertikaler Richtung keine Unterbrechungen aufweist. Mit anderen Worten, es sind eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eine gute elektri­ sche Leitfähigkeit der aufgewachsenen Metallschicht in verti­ kaler Richtung zwischen dem Halbleiterkörper und einem Kühl­ körper gewährleistet.

Die Metallschicht braucht nicht unbedingt bis zu der Ober­ kante der Folie aufzuwachsen. Ihre Dicke hängt vielmehr von der späteren Verwendung des Halbleiterbauelementes ab und kann zwischen 10 und 30 µm liegen.

Nach dem oben beschriebenen galvanischen Prozeß wird die Fo­ lie vorzugsweise mit einem geeigneten Lösungsmittel entfernt. Dies ist ohne weiteres möglich, da die Wände der Folie eben­ falls wie die Poren ein zusammenhängendes, nach oben offenes Gerüst bilden.

Die auf diese Weise gebildete Metallschicht kann nun direkt verlötet, d. h. mit einer Lotschicht versehen werden. Diese Lotschicht sollte relativ dünn sein und eine Schichtdicke in der Größenordnung von 2,5 µm aufweisen, damit sich die Poren der aufgewachsenen Metallschicht nicht verschließen.

Ein geeignetes Lotverfahren ist das bereits erwähnte Diffusi­ onslöten, mit dem sich bei niedrigen Fügetemperaturen sehr hochtemperaturfeste Verbindungen erreichen lassen.

Die dünne Lotschicht kann auch auf der Metallschicht bei­ spielsweise durch einen galvanischen Prozeß, stromlose Ab­ scheidung, thermisches Verdampfen oder Sputtern von reinem Zinn oder einer noch niedriger schmelzenden Legierung, wie beispielsweise eutektischem Zinn/Indium aufgetragen werden. Dies kann, speziell bei Massenprozessen, gegebenenfalls noch vor Entfernung der Folie erfolgen.

Anstelle einer Kunststoffolie können auch keramische Werk­ stoffe eingesetzt werden, von welchen ebenfalls Schäume mit stark offenporiger Struktur bekannt sind. Mit anderen Worten, bei dieser Variante wird ein Schaum auf der Basis eines kera­ mischen Werkstoffes als dielektrische Schicht auf dem Wafer abgeschieden und in gleicher Weise wie die Kunststoffolie in ihren Poren galvanisch gefüllt. Dieser Keramikschaum braucht nach der Füllung mit Metall, also insbesondere Kupfer und/oder Nickel, nicht entfernt zu werden, da er die notwen­ dige Temperaturfestigkeit aufweist. In diesem Fall kann die Metallfüllung sogar bis über die Oberkante der durch den Ke­ ramikschaum gebildeten Schicht hinauswachsen, so daß sich schließlich eine geschlossene Oberfläche ergibt.

Die erfindungsgemäße hochtemperaturfeste Lotverbindung kann auch bei strukturierten Oberflächen, wie beispielsweise Kon­ taktpads bzw. -kissen zu deren Metallisierung angewandt wer­ den: hierzu wird die offenporige Folie (oder ein Keramik­ schaum) ganzflächig auf die bereits strukturierte Oberfläche aufgeklebt oder auf dieser abgeschieden. Für eine Metallisie­ rung zur Bildung der Metallschicht mit der schaumartig ver­ netzten Struktur kann dann kein galvanisches Verfahren mehr verwendet werden, da die durchgehend leitende Metallschicht aus insbesondere Kupfer oder Nickel fehlt. Durch stromlose Abscheidung von speziell Nickel läßt sich die Folie oder der Keramikschaum aber ohne weiteres selektiv nur im Bereich der Kontaktpads füllen. Dabei ist zu beachten, daß Nickel ebenso wie Kupfer für Diffusionslöten geeignet ist.

Eine andere Möglichkeit zur Bildung der schaumartig vernetz­ ten Struktur für die Metallschicht besteht darin, auf den Me­ tallfilm Kunststoffkugeln aufzutragen und die Hohlräume zwi­ schen diesen Kugeln mit Metall zu füllen. Dabei können Kugeln unterschiedlicher Größe verwendet werden, um gegebenenfalls nach deren Entfernung Poren zu erhalten, deren Größe sich stetig zwischen dem Halbleiterkörper und dem Kühlkörper än­ dert. Die Kugeln sollten dabei aus einem Material bestehen, das nicht galvanisiert wird und das sich leicht absetzt, also in einer entsprechenden Galvanisiervorrichtung zu Boden sinkt.

Eine solche Galvanisiervorrichtung ist vorzugsweise mit einem Rührer versehen, der die Kugeln zunächst aufwirbelt. Nach Ab­ schalten dieses Rührers setzen sich die Kugeln auf den Me­ tallfilm des Wafers ab, wobei die größeren Kugeln infolge ih­ res höheren Gewichtes nach unten sinken. Sobald die Kugeln auf den Wafer abgelagert sind, wird der galvanische Prozeß begonnen, um die Hohlräume zwischen den Kugeln mit Metall, also insbesondere Kupfer oder Nickel, zu füllen.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung eines Wafers mit einem Metallfilm und einer teilweise mit Kupfer gefüllten Folie;

Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung zur Erläute­ rung einer strukturierten Metallisierung auf Kon­ taktpads;

Fig. 3 eine schematische Schnittdarstellung zur Erläute­ rung der Gewinnung einer schaumartig vernetzten Struktur mit Kugeln; und

Fig. 4 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Erzeugung der schaumartig vernetzten Struktur mit­ tels Kugeln.

Auf einem Wafer 1 aus Silizium oder einem anderen Halbleiter­ material, wie beispielsweise Siliziumcarbid oder einer AIII- BV-Verbindung, ist ein Metallfilm 2 aus Kupfer oder Nickel mit einer Schichtdicke von 100 nm bis einigen µm als Keim­ schicht aufgetragen. Auf diesen Metallfilm 2 wird eine offen­ porige Folie 3 aufgebracht, die aus Kunststoff, wie bei­ spielsweise Polymer, oder Keramik besteht. Diese offenporige Folie 3 hat eine schwammartige Struktur mit Hohlräumen 4 und mit Kunststoff- bzw. Keramikbereichen 5.

Die Hohlräume 4 sind zusammenhängend, so daß die gewünschte offenporige Struktur vorliegt, während die Bereiche 5 eben­ falls untereinander vernetzt sind. Diese Vernetzung kann durch Verbindungen der Bereiche 5 in verschiedenen Ebenen ge­ schehen. Da Fig. 1 lediglich einen Schnitt in einer bestimm­ ten Ebene zeigt, ist hier die Vernetzung der Bereiche 5 un­ tereinander nicht zu sehen.

Der Metallfilm 2 kann durch galvanische Abscheidung aufgetra­ gen werden. Die Folie 3 wird auf die Metallschicht 2 vorzugs­ weise aufgeklebt, weshalb sie einseitig mit einem Kleber auf der dem Metallfilm 2 zugewandten Seite beschichtet ist oder selbstklebend sein kann. Die Poren, also Hohlräume 4, haben einen Durchmesser im Bereich zwischen 5 und 20 µm und sind alle miteinander verbunden.

Der auf diese Weise mit dem Metallfilm 2 und der Folie 3 prä­ parierte Wafer 1 wird sodann in einem Galvanikbad mit bei­ spielsweise Kupfer oder Nickel metallisiert. Dabei wächst das Metall im Bereich der Hohlräume 4 zu einem vielfach unterbro­ chenen metallischen Schaum 6 auf, wobei sich die mit dem Metall gefüllten Hohlräume miteinander vernetzen und die Berei­ che 5 der Folie 3 aber verhindern, daß eine durch den Schaum 6 gebildete Metallschicht 7 kompakt zusammenwächst.

Durch den geringen Volumenanteil der Bereiche 5 im Verhältnis zu dem Volumen der Hohlräume 4 besteht die Metallschicht 7 überwiegend aus Metall. Außerdem ist durch den galvanischen Prozeß und die dreidimensionale Vernetzung des Schaumes 6 der Metallschicht 7 sichergestellt, daß diese Metallschicht 7 in vertikaler Richtung nirgends unterbrochen ist. Damit sind so­ wohl eine hohe Wärmeleitfähigkeit als auch eine gute elektri­ sche Leitfähigkeit der Metallschicht in vertikaler Richtung zwischen dem Halbleiterwafer 1 und einem Kühlkörper gewähr­ leistet, der auf der dem Halbleiterwafer 1 gegenüberliegenden Oberfläche der Metallschicht 7 mittels einer dünnen Lot­ schicht mit einer Schichtdicke von 2 bis 5 µm aufgetragen ist.

Die Metallschicht 7 muß nicht bis zu der Oberkante der Folie 3 aufwachsen. Vielmehr hängt ihre Dicke von der späteren Ver­ wendung des Halbleiterbauelementes ab und kann zwischen 10 und 100 µm, vorzugsweise 10 und 30 µm, liegen.

Nach dem galvanischen Prozeß wird die Folie 3 mittels eines geeigneten Lösungsmittels wie z. B. Azeton entfernt, was ohne weiteres möglich ist, da die Bereiche 5 der Folie 3 ebenfalls wie die Hohlräume 4 ein zusammenhängendes und nach oben offe­ nes Gerüst bilden.

Fig. 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungs­ gemäßen Lotverbindung, bei der die Folie 3 auf eine mit Kon­ taktpads 8 versehene Oberfläche des Halbleiter-Wafers 1 auf­ getragen ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der durchge­ hende Metallfilm 2 also nicht vorhanden. Da diese durchgehend leitende Basisschicht fehlt, kann kein galvanisches Verfahren vorgenommen werden, um auf den Kontakt 8 Metall-Schäume 6 zu bilden. Eine dünne, durchgängige Keimschicht läßt sich nach­ träglich durch einen kurzen Naßätzschritt entfernen, wobei die wesentlich dickeren Pads nicht angegriffen werden.

Durch stromlose Abscheidung von beispielsweise Nickel ist es aber möglich, die Folie 3 selektiv lediglich im Bereich der Kontaktpads 8 mit den Metallschichten 7 zu füllen.

Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungs­ gemäßen hochtemperaturfesten Lotverbindung. Bei diesem Aus­ führungsbeispiel besteht die "Folie" 3 aus Kugeln oder Kör­ nern 9 oder kugelähnlichen Gebilden unterschiedlicher Größe, die auf dem Metallfilm 2 abgelagert sind. Die Hohlräume 4 zwischen den Kugeln 9 sind, wie im Ausführungsbeispiel von Fig. 1 mit Metall gefüllt, so daß eine zusammenhängende Me­ tallschicht 7 vorliegt.

Nach Herstellung der Metallschicht 7 werden die Kugeln 9 durch ein Lösungsmittel entfernt, was ohne weiteres möglich ist, da die Kugeln 9 aneinandergrenzen und somit ein zusam­ menhängendes Gerüst bilden. Schließlich wird auf die Metall­ schicht 7 noch eine dünne Lotschicht 10 mit einer Schicht­ dicke von 2 bis 5 µm aufgetragen, auf der dann ein Kühlkörper 11 aus beispielsweise Kupfer angebracht werden kann.

Das Entfernen der Folie 3 bzw. der Kugeln 9 ist nicht erfor­ derlich, wenn für diese ein hochtemperaturfestes Material, wie beispielsweise Keramik, Glas oder Halbleiter (Si) verwen­ det wird.

Fig. 4 zeigt noch eine Vorrichtung zur Herstellung der hochtemperaturfesten Lotverbindung von Fig. 3: in einem Gal­ vanikbad 12 befindet sich ein Rührer 13, mit dem die Kugeln 9 zunächst aufgewirbelt werden, bevor sie sich nach Abschalten des Rührers 13 auf dem Metallfilm 2 ablagern.

Durch Verwendung von Kugeln unterschiedlicher Größe kann eine entsprechende Strukturierung der Metallschicht 7 erhalten werden, da sich die kleinen Kugeln bevorzugt in den unteren Zwischenräumen der nach unten absinkenden großen Kugeln abla­ gern. Nach Abschalten des Rührers 13 wird mittels Elektroden 14, 15 die galvanische Abschaltung von Kupfer oder Nickel zur Bildung der Metallschicht 7 vorgenommen.

Claims (11)

1. Hochtemperaturfeste Lotverbindung aus einer Metall­ schicht (7), die zwischen einem Halbleiterkörper (1) und ei­ nem mit diesem verbundenen Kühlkörper (11) vorgesehen ist und eine schaumartig vernetzte Struktur (6) hat, deren Hohlräume (9) von Trennwänden umgeben sind, die sich ohne Unterbrechung zwischen dem Halbleiterkörper (1) und dem Kühlkörper (11) er­ strecken, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (7) auf einen auf dem Halbleiterkörper (1) vorgesehenen Metallfilm (2) oder strukturiert auf Kon­ taktpads (8) aufgetragen und auf der dem Halbleiterkörper (1) gegenüberliegenden Seite mit einer Lotschicht (10) versehen ist.

2. Hochtemperaturfeste Lotverbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht aus Kupfer oder Nickel gebildet ist.

3. Hochtemperaturfeste Lotverbindung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der Metallschicht (7) zwischen 10 und 100 µm, vorzugsweise zwischen 10 und 30 µm liegt.

4. Hochtemperaturfeste Lotverbindung nach einem der Ansprü­ che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Lotschicht (10) eine Schichtdicke von 2 bis 5 µm aufweist.

5. Hochtemperaturfeste Lotverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass Hohlräume der Metallschicht (7) mit Keramik gefüllt sind.

6. Verfahren zum Herstellen der hochtemperaturfesten Lot­ verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:

• a) Auftragen einer offenporigen Folie (3) auf einen Halbleiterkörper (1), wobei die Folie (3) aus Kugeln oder Körnern (9) gebildet ist, die auf einen Metallfilm (2) abge­ lagert sind,
• b) Füllen der Hohlräume der Folie (3) mit Metall und
• c) Auftragen einer Lotschicht (10) auf die mit Metall gefüllte Folie (3).

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie (3) nach dem Füllen der Hohlräume mit Metall entfernt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Folie (3) und dem Halbleiterkörper (1) der Metallfilm (2) vorgesehen wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlräume der Folie (3) galvanisch mit dem Metall gefüllt werden.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass für die Kugeln bzw. Körner (9) der Folie Kunststoff oder Keramik verwendet wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kugeln bzw. Körner (9) mit unterschiedlicher Größe versehen werden.