DE10012793C2 - Sensorelement zur optischen Detektion von chemischen oder biochemischen Analyten - Google Patents
Sensorelement zur optischen Detektion von chemischen oder biochemischen AnalytenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft Sensorelemente zur optischen
Detektion von chemischen oder biochemischen Analyten,
die in unterschiedlichen Proben enthalten sein kön
nen.
Die Detektion der chemischen oder biochemischen Ana
lyten kann dabei zurückgreifend auf bekannte physika
lische Effekte erfolgen, wobei mit eingestrahltem
Licht an Grenzflächen infolge auftretender Totalre
flexion ein evaneszentes Feld mit einer begrenzten
Eindringtiefe ausgebildet wird. Im evaneszenten Feld
können dann Fluoreszenz an Fluorophoren angeregt,
Oberflächen-Plasmonen-Resonanz (SPR) erzeugt oder die
verschiedensten Analyten interferometrisch bestimmt
werden.
Die Erfindung ist besonders für die Auswertung einer
großen Anzahl von unterschiedlich präparierten Proben
geeignet, wie sie bei aus der pharmakologischen Wirk
stoffsuche eingeführten Screeningverfahren, mit
kleinsten Probenvolumina eingesetzt werden kann. Be
sonders vorteilhaft wirkt sich dabei die erreichbare
Miniaturisierung aus, was besonders in Bezug zu den
bisher üblicherweise verwendeten Mikrotiterplatten,
bei denen eine begrenzte Anzahl so genannter Wells
benutzt werden kann, geeignet ist.
Für die optische Detektion chemischer oder auch bio
chemischer Analyten sind eine Vielzahl unterschiedli
cher Lösungen bekannt. So ist in WO 94/27137 A2 eine
Vorrichtung und ein Verfahren zur Durchführung von
Fluoreszenz-Immunoassays beschrieben, bei der mehrere
Analyten gleichzeitig detektiert werden können.
Bei dieser Lösung wird generell ein planarer, relativ
großflächiger Lichtwellenleiter verwendet, in den
über ein randseitig angeordnetes optisches Element
Anregungslicht eingestrahlt und durch Totalreflexion
an den Grenzflächen dieses planaren Lichtwellenlei
ters Totalreflexion auftritt, so dass auf der jeweils
anderen Oberfläche des Lichtwellenleiters ein evanes
zentes Feld mit einer begrenzten Eindringtiefe ausge
bildet wird. Innerhalb des evaneszenten Feldes wird
dann an Fluorophoren Fluoreszenzlicht angeregt, des
sen Intensität mit optischen Detektoren bestimmt wer
den kann. So können mit bekannten Assayformaten (z. B.
Sandwich-Assay, Competive Assays) das Vorhandensein
und die Konzentration von Analyten bestimmt werden.
Bei diesem relativ großflächigen, planaren Lichtwel
lenleiter ist aber eine inhomogene Verteilung des
eingestrahlten Anregungslichtes zu verzeichnen, die
zu einer entsprechend ungleichmäßigen Ausbildung des
evaneszenten Feldes über die Fläche des planaren
Lichtwellenleiters gesehen, führt. Dementsprechend
treten Messfehler bei der Erfassung der Intensität
des Fluoreszenzlichtes, bei ortsaufgelöster Messung
auf.
Des weiteren wird vorgeschlagen, einen optisch geeig
neten Kunststoff als Träger für voneinander getrennt
angeordneten Einzelproben zu verwenden. Mit einem
solchen Kunststoff ist es jedoch nicht möglich, alle
Wellenlängenbereiche des sichtbaren und nicht sicht
baren Lichtes zu nutzen, da in bestimmten Wellenlän
genbereichen auch diese Kunststoffmaterialien zur
Fluoreszenz oder Absorption neigen.
Außerdem ist die Anzahl der auf einem solchen Element
zu untersuchenden Proben begrenzt, da es bei zu dich
ter Anordnung der einzelnen Proben, bei an sich von
einander getrennten Feldern zur gegenseitigen Beein
flussung des zu messenden Fluoreszenzlichtes kommt.
Nachfolgend sollen weitere allgemeine Anforderungen,
die an optische Messsysteme zur Detektion chemischer
oder biochemischer Analyten, mit den in Rede stehen
den optischen Möglichkeiten in allgemeiner Form auf
gelistet werden.
Grundvoraussetzung ist die Trennung der einzelnen, in
der Regel unterschiedlichen Proben, so dass ein
Stoffaustausch der unterschiedlichen Proben verhin
dert und die Messsignale von benachbarten Proben si
cher voneinander getrennt werden können (optische
Kanaltrennung).
Im Gegensatz zu Durchlichtverfahren, bei denen die
optische Kanaltrennung mittels absorbierender Wände
optisch voneinander getrennt sind, ist es aber für
die erfindungsgemäße Lösung notwendig, benachbarte
Proben durch optisch transparente Trennwände zu sepa
rieren.
Da es an Grenzflächen zwischen benachbarten Proben,
bei unterschiedlichen optischen Eigenschaften der
Medien (z. B. Brechnzahldifferenzen) zur Beeinflussung
des Lichtes wie beispielsweise Streuung und Reflexion
von Anregungslicht kommen kann, müssen entsprechende
Maßnahmen getroffen und berücksichtigt werden, um
einen gegenseitigen Einfluss weitestgehend zu vermei
den.
Die Trennwände zwischen benachbarten Proben sollen
kein bzw. nur ein sehr kleines Signal (z. B. keine
Fluoreszenz) liefern, das das eigentliche Detektions
signal überlagert bzw. beeinflusst, um Messfehler zu
vermeiden.
Eine weitere Grundvoraussetzung ist die vollständige
stoffliche Trennung der verschiedenen zu detektieren
den Proben, so dass ein Verlaufen und Vermischen der
unterschiedlichen Proben verhindert werden kann.
Hierzu muss ein geeignetes Material chemisch inert
sein, so dass keine chemischen Reaktionen mit den
Probenmaterialien erfolgen können und es darf auch
keine Benetzung mit gegebenenfalls verwendeten Lö
sungsmitteln auftreten.
Es ist bisher nicht gelungen, eine praktikable Lösung
vorzuschlagen, mit der eine relativ große Anzahl von
Proben auf einer relativ kleinen Fläche angeordnet
und die einzelnen Proben nahezu unbeeinflusst detek
tiert werden konnten.
Die genannten Anforderungen konnten auch nur zum Teil
mit einer strukturierten Immobilisierung solcher Pro
ben unter Verwendung von hydrophoben langkettigen
Molekülen erreicht bzw. erfüllt werden. Bei der Her
stellung dieser Immobilisierungsstrukturen ist es nur
sehr schwer möglich, eine lokal definierte Immobili
sierung der verschiedenen Proben zu sichern. Hierbei
spielt die chemische Kompatibilität der sehr unter
schiedlichen Technologieschritte bei der Belegung
eine Rolle. Des weiteren können durch Adsorption Mo
leküle zwischen einzelnen Proben vorhanden sein, die
die Messwerte benachbarter Proben beeinflussen und
verfälschen und damit die optische Kanaltrennung auf
heben.
So ist in WO 89/08273 A1 ein optischer Sensor zur
Erfassung der Eisbildung und anderer chemischer Kom
ponenten beschrieben. Hierbei sollen auf die Oberflä
che eines faserförmigen optischen Kernes in Streifen
form Beschichtungen aufgebracht werden, wobei der
Brechungsindex der Beschichtung in der Nähe der zu
detektierenden Komponente und der Brechungsindex grö
ßer als der Brechungsindex der Beschichtung sein
soll.
Aus WO 99/54714 A1 ist eine Vorrichtung mit inte
griertem optischen Lichtwellenleiter bekannt, bei der
oberhalb eines Lichtwellenleiters in Kavitäten ein zu
detektierendes Medium enthalten ist. Dabei sollen die
Brechungsindizes dieses Mediums und das Brückenmate
rial zwischen den Kavitäten aufeinander abgestimmt
sein.
Bei einem in EP 0 343 826 A1 beschriebenen biologi
schen Sensor, soll das Prinzip der Oberflächenplasmo
nenresonanz benutzt werden. Einzelne Proben sollen in
einer Membran, die wie ein kontinuierlicher Film über
eine transparente Platte bewegt werden kann, aufge
nommen werden. Die einzelnen Proben werden in Bewe
gungsrichtung beidseitig von einem absorbierenden
Material eingefasst.
In DE 197 32 619 A1 ist eine optische Detektorein
richtung beschrieben, die auf der Bestimmung oder
Beeinflussung der Phasengeschwindigkeit von in einem
Wellenleiter geführten oder sich frei im Raum aus
breitenden Licht basiert.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Möglichkeit
vorzuschlagen, mit der unterschiedlichste chemische
oder biochemische Analyte optisch detektiert werden
können, wobei jeweils ein möglichst kleines Probenvo
lumen erreichbar ist und mehrere relativ dicht be
nachbart zueinander angeordnete Proben mit hoher
Messgenauigkeit detektiert werden können.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Sensore
lement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vor
teilhafte Ausgestaltungsformen und Weiterbildungen
der Erfindung können mit den in den untergeordneten
Ansprüchen genannten Merkmalen erreicht werden.
Dabei handelt es sich auch um Möglichkeiten zur Her
stellung eines erfindungsgemäßen Sensorelementes so
wie zur Durchführung von Messungen mit solchen Sen
sorelementen.
Bei dem erfindungsgemäßen Sensorelement zur optischen
Detektion von chemischen oder biochemischen Analyten,
die in gleichen oder auch unterschiedlichen Proben
enthalten sind, wird das bekannte physikalische Prin
zip der Ausbildung eines evaneszenten Feldes durch
Totalreflexion von eingestrahltem Licht an einer op
tischen Grenzfläche ausgenutzt. Die Proben sind hier
zu in voneinander getrennten Kavitäten aufgenommen,
wobei die Proben innerhalb des ausgebildeten evanes
zenten Feldes angeordnet sind.
Hierzu wird das Sensorelement so aufgebaut, dass un
mittelbar auf einem Substrat, möglichst in Gestalt
eines ebenflächigen Gebildes, eine strukturierte
Deckschicht ausgebildet wird, in der durch die Struk
turierung voneinander getrennte Kavitäten, in denen
die Proben aufgenommen sind, ausgebildet sind. Dabei
sind die einzelnen Kavitäten durch das Deckschicht
material so ausgeprägt, dass ein Stoffaustausch zwi
schen den einzelnen Proben verhindert wird, und die
einzelnen Fluoreszenz-Signale optisch getrennt wer
den. Die Deckschicht ist vorteilhaft aus einem Mate
rial mit einem Brechungsindex ≦ 1,3 gebildet. Sie
kann vorteilhaft aus fluorierten Polymeren (z. B.
PTFE) ganz besonders vorteilhaft aus amorphen fluo
rierten Polymeren bestehen. Letzteres Material ist
z. B. unter der Handelsbezeichnung Teflon AF von der
Firma Du Pont erhältlich und in einer Firmendokumen
tation entsprechend ausführlich beschrieben.
Ein solches Deckschichtmaterial hat nicht nur beson
ders vorteilhafte optische Eigenschaften (niedriger
Brechungsindex, gute Transmission), sondern es weist
auch ein außerordentlich günstiges Benetzungsverhal
ten auf.
Das Benetzungsverhalten ist zwar bezüglich der festen
und dauerhaften Befestigung auf dem Substrat hinder
lich. Dieser Nachteil kann aber insbesondere durch
die Verwendung von amorphen fluorierten Polymeren mit
einer zusätzlichen Haftvermittlerschicht, die als
Molekülschicht unmittelbar vor dem Aufbringen der
Deckschicht auf die Substratoberfläche aufgebracht
werden soll, vollständig beseitigt werden, so dass
die Deckschicht fluiddicht auf dem Substrat ausgebil
det ist und ein Stoffaustausch aus verschiedenen Ka
vitäten in andere Kavitäten verhindert werden kann.
Die Strukturierung zur Ausbildung der Kavitäten in
der auf dem Substrat ausgebildeten Deckschicht kann
dabei so erfolgen, dass der Boden der einzelnen Kavi
täten unmittelbar durch das Substratmaterial gebildet
wird. Alternativ kann aber auch zwischen der jeweili
gen Substratoberfläche und dem Boden der Kavitäten
eine gewisse Schichtdicke des Deckschichtmaterials
vorhanden sein, wobei jedoch in jedem Fall gesichert
sein muss, dass die Proben zumindest teilweise inner
halb des ausgebildeten evaneszenten Feldes angeordnet
sind.
Das Anregungslicht wird in mindestens einen Lichtwel
lenleiter eingekoppelt, an dessen Grenzflächen Total
reflexion auftritt und der/die Lichtwellenleiter zu
mindest unterhalb der Böden von Kavitäten angeordnet
ist/sind. Die Lichtwellenleiter können dabei auf der
Oberfläche des Substrates angeordnet, aber auch im
Substratmaterial eingebettet werden.
Vorteile bietet die Verwendung von Streifenlichtwel
lenleitern, deren Anordnung an die Anordnung der in
der strukturierten Deckschicht angeordneten Kavitäten
angepasst ist. So kann bei Reihenanordnungen der Ka
vitäten ein Streifenlichtwellenleiter zu jeder Reihe
von Kavitäten angeordnet und benutzt werden. Dabei
besteht auch die Möglichkeit, für jeden Streifen
lichtwellenleiter Licht mit unterschiedlichen Wellen
längen zu verwenden. Gegenüber planaren Wellenleitern
haben Streifenlichtwellenleiter Vorteile. Sie erreichen
eine gleichmäßigere Lichtverteilung und bilden
demzufolge ein gleichmäßigeres evaneszentes Feld aus,
so dass die Messfehler verringert werden können. Da
eine genauere Zuordnung und bessere optische Trennung
erreicht werden kann, ist eine gegenseitige Beein
flussung der Messsignale aus den einzelnen Kavitäten
stark verringert.
Werden Lichtwellenleiter verwendet, können auch Sub
stratmaterialien verwendet werden, die nicht trans
parent bzw. absorbierend sind. In diesem Fall ist
eine ausreichend dicke, nicht absorbierende und nied
riger brechende optische Pufferschicht zwischen Sub
strat und Lichtwellenleiter erforderlich. Ein solches
Substratmaterial ist beispielsweise Silizium.
In einer weiteren Variante besteht aber auch die Mög
lichkeit, auf Lichtwellenleiter an sich zu verzichten
und das Anregungslicht in ein dann transparentes Sub
strat einzustrahlen, wobei unter Berücksichtigung der
Brechungsindizes an der Grenzfläche Substrat-Deck
schicht Totalreflexion auftritt, um ein evaneszentes
Feld zu erzeugen.
Das erfindungsgemäße Sensorelement ist, wie bereits
eingangs angesprochen, nicht nur für die Durchführung
von Fluoreszenz-Immuntests geeignet, sondern es kann
auch der physikalische Effekt der Oberflächen-Plasmo
nen-Resonanz (SPR) ausgenutzt werden. Hierzu wird
der/die Lichtwellenleiter, in an sich bekannter Weise
mit einer dünnen Metallschicht, aus z. B. Gold oder
Silber beschichtet. Dabei genügt es, die Oberfläche
der/des Lichtwellenleiters bereichsweise mit einer
solchen Metallschicht zu versehen, wobei die Be
schichtung durch bekannte Dünnschichtverfahren erfolgen
kann und zumindest eine Beschichtung der Licht
wellenleiteroberfläche im Bereich von Kavitäten des
erfindungsgemäßen Sensorelementes erfolgen soll. Es
können darüber hinausgehende Bereiche, also solche,
die in trennenden Zwischenräumen zwischen benachbar
ten Kavitäten angeordnet sind, mit einer Metallbe
schichtung versehen werden, um von dort Referenzsi
gnale gewinnen zu können.
Die Detektion der Fluoreszenz-Signale erfolgt bei den
erfindungsgemäßen Sensorelementen immer oberhalb der
Öffnungen der Kavitäten. Hierzu können ein, aber auch
eine Vielzahl optischer Detektoren entsprechend an
geordnet werden, wobei jedoch den jeweiligen Kavitä
tenanordnungen entsprechend eine ortsaufgelöste Mes
sung erfolgen sollte.
Andere optische Parameter werden direkt im Wellenlei
ter gemessen (z. B. SPR).
Die Messgenauigkeit kann weiter erhöht werden, indem
oberhalb der strukturierten Deckschicht eine optisch
absorbierende Schicht bzw. eine Platte aus einem sol
chen Material angeordnet oder unmittelbar auf die
Oberfläche der Deckschicht aufgesetzt wird. In dieser
Schicht bzw. Platte sind Öffnungen oder optisch
transparente Fenster ausgebildet, deren Anordnung der
Anordnung der in der Deckschicht ausgebildeten Kavi
täten entspricht, so dass das zu messende Licht durch
diese Öffnungen oder Fenster, die dann Blendenfunk
tion erfüllen, austreten und mit dem bzw. den Detek
tor(en) gemessen werden kann.
Wie bereits erwähnt, hat sich als Deckschichtmaterial
amorphes fluoriertes Polymer mit einem Brechungsindex
von 1,29, der zwischen den Brechungsindizes von Luft
und Wasser, näher am Brechungsindex von Wasser liegt,
erwiesen. Dadurch können Streulichtverluste bei den
Messungen vermieden, zumindest jedoch erheblich ver
ringert werden.
Bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Sensorele
mente kann so verfahren werden, dass die Deckschicht
unmittelbar auf einem Substrat, das beispielsweise
aus Glas oder einem Kunststoff bestehen kann, aufge
bracht wird. Als Substrat kann aber auch ein Wafer,
z. B. aus Silizium verwendet werden. Auf dem Substrat
kann vor Ort ein optischer Wellenleiter, der gegebe
nenfalls zusätzlich mit einer Metallschicht versehen
ist, aufgebracht bzw. in das Substratmaterial einge
bettet werden, so dass die Deckschicht oberhalb der
Bereiche, in denen ein bzw. auch mehrere Lichtwellen
leiter ausgebildet bzw. angeordnet sind, vorhanden
ist.
Die Deckschicht kann durch herkömmliche Tauchverfah
ren, bevorzugt jedoch durch Aufschleudern ausgebildet
werden, wobei im letztgenannten Fall die Schichtdicke
durch die Schleuderdrehzahl und die Konzentration
eines verwendeten Lösungsmittels beeinflusst und ein
gestellt werden kann. Nach dem Auftrag wird das Lö
sungsmittel durch eine entsprechende Temperaturbe
handlung entfernt, und die Deckschicht muss zur Aus
bildung der gewünschten Kavitäten entsprechend struk
turiert werden, wobei die Strukturierung mit aus der
Mikrotechnik bekannten fotolithographischen Verfah
ren, die in Verbindung mit Ätzen eingesetzt werden,
hergestellt werden kann.
Dabei kann einmal so verfahren werden, dass auf die
aufgebrachte Deckschicht eine Schicht Fotolack aufge
bracht, der Fotolack nachfolgend fotolithographisch
strukturiert und so die für ein nachfolgendes plasma
chemisches Ätzen erforderliche Maske ausgebildet
wird. Dabei muss die Fotolackschicht eine ausreichen
de Dicke aufweisen, da die unterschiedlichen Ätzraten
der verwendeten Materialien für Deckschicht und den
verwendeten Fotolack berücksichtigt werden müssen.
Alternativ kann aber auch auf der Deckschicht eine
dünne Metallschicht abgeschieden werden, die dann
unter Verwendung von Fotolack fotolithographisch
strukturiert und nachfolgend nasschemisch geätzt
wird. Auf diese Art wird eine Metallmaske auf der
Deckschicht erhalten, im Nachgang kann dann wiederum
plasmachemisch geätzt werden. Das Metall wird beim
Ätzprozess nicht angegriffen und kann später nassche
misch wieder entfernt werden. Letzteres sollte erfol
gen, um die Benetzung von Oberflächen an der Deck
schicht durch Wasser oder Lösungsmittel möglichst
niedrig zu halten.
Bei der erstgenannten Variante zur Herstellung der
erfindungsgemäßen Sensorelemente werden weniger Ar
beitsschritte benötigt, da insbesondere die Entfer
nung der Metallschichten nicht erforderlich ist.
Dementgegen steht aber der Angriff des Fotolacks beim
Ätzen und die schlechtere Haftung des Fotolacks auf
die fluorierten Polymere.
Mit einer solchen fotolithographischen Strukturierung
der Deckschicht sind Strukturgrößen bis in den Sub
mikrometerbereich erreichbar, so dass die Kavitäten
in hochdichter Form angeordnet werden, und eine große
Anzahl von Proben auf relativ kleinen Flächen nebeneinander
angeordnet und gemessen werden kann.
Zur Herstellung können so an sich bekannte planare
Technologien eingesetzt werden, mit denen miniaturi
sierte Elemente, in großer Stückzahl kostengünstig
gefertigt werden können.
Es ist vorteilhaft Substratmaterialien zu verwenden,
die eine relativ kleine Ätzrate gegenüber den anderen
Materialien und insbesondere dem Deckschichtmaterial
aufweisen, wie dies z. B. bei Silica der Fall ist.
Solche Materialien fungieren dann mit ihrer Oberflä
che als natürlicher Ätzstopp. Dadurch kann mit rela
tiv geringem Aufwand während des plasmachemischen
Ätzens (z. B. Sauerstoff-Plasmaätzen) gesichert wer
den, dass die Restschichtdicke der Deckschicht am
Boden der Kavitäten Null oder zumindest in der Nähe
von Null liegt und demzufolge die in den Kavitäten
aufgenommenen Proben im Bereich des ausgebildeten
evaneszenten Feldes angeordnet sind.
Außerdem können durch eine solche Plasmabehandlung
hochreine und immobilisierungsfördernde Oberflächen
erhalten werden.
Die erfindungsgemäßen Sensorelemente mit den entspre
chend ausgebildeten strukturierten Deckschichten er
füllen die in der Beschreibungseinleitung genannten
Anforderungen nahezu optimal, da sie keine Signale
durch adsorbierte Analyt- oder Targetmoleküle außer
halb der Kavitäten zulassen und auch Teile der Deck
schicht zwischen ausgebildeten Kavitäten zur Gewin
nung von Referenzsignalen benutzt werden können, da
das aus der Oberfläche der Deckschicht in diesen Be
reichen austretende Licht ebenfalls detektiert und
zur Referenzierung genutzt werden kann. Auf diese Art
und Weise können die Messsignale von Proben, die in
benachbarten Kavitäten aufgenommen sind, mit dem
Messsignal, das aus der dazwischenliegenden Deck
schicht gewonnen worden ist, normiert werden. Dadurch
kann auch bei relativ großer Anzahl von Kavitäten und
demzufolge auch einer großen Anzahl von Einzelproben
eine Vergleichbarkeit aller Proben gewährleistet wer
den.
So können bei der evaneszenten Fluoreszenzanregung
über die Totalreflexion Beleuchtungsinhomogenitäten
und Herstellungsinhomogenitäten mit den entsprechend
gewonnenen Referenzsignalen berücksichtigt werden.
Solche Beleuchtungsinhomogenitäten treten bei allen
optischen Lichtwellenleitern, also auch bei Streifen
lichtwellenleitern auf Grund von Absorptions- und
Streueffekten innerhalb des Wellenleiters auf und
führen normalerweise zu Verlusten. Außerdem verrin
gert die Absorption von Anregungslicht für den
Nachweis von Molekülen auch die Anregungsenergie.
Beide Effekte können mit dem erfindungsgemäßen Sen
sorelement erfasst und bei der Auswertung der Mess
ergebnisse berücksichtigt werden.
Bei der Erfassung von Messwerten, die direkt einer
physikalischen Größe zugeordnet werden können, kann
die Deckschichtstrukturierung ebenfalls zur Messfeh
lerkompensation genutzt werden. Im Falle der Ausnut
zung der Oberflächen-Plasmonen-Resonanz kann ein be
stimmter Resonanzwinkel bzw. bei einer spektralen
Messung die Resonzwellenlänge für das jeweilige Sy
stem von der Brechzahl des Deckschichtmaterials auf
der jeweiligen Metallschicht abhängen. Dabei ist auch
die Schichtdicke der Metallschicht zu berücksichtigen,
die wiederum herstellungsbedingt über die Fläche
variieren kann. Auch diese Variation kann durch die
oben erwähnte Bestimmung von Referenzmesswerten neben
den Kavitäten berücksichtigt werden.
Nachfolgend soll die Erfindung anhand von Ausfüh
rungsbeispielen näher beschrieben werden.
Dabei zeigen:
Fig. 1 in schematischer Form einen Ansatz für eine
strukturierte Immobilisierung;
Fig. 2 in schematischer Form einen Ansatz zur
stofflichen Trennung unterschiedlicher Pro
ben mittels eines Trennwandmaterials;
Fig. 3 ein Beispiel eines erfindungsgemäßen Sen
sorelementes;
Fig. 4 ein modifiziertes Beispiel eines Sensorele
mentes nach Fig. 3;
Fig. 5 ein zweites Beispiel eines erfindungsgemä
ßen Sensorelementes;
Fig. 6 ein modifiziertes Sensorelement gemäß Fig.
5;
Fig. 7 ein Beispiel eines Sensorelementes mit meh
reren Reihen von Kavitäten;
Fig. 8 ein viertes Beispiel eines erfindungsgemä
ßen Sensorelementes mit in einem Substrat
eingebettetem Streifenlichtwellenleiter;
Fig. 9 ein gegenüber dem in Fig. 8 gezeigten Bei
spiel modifiziertes Beispiel;
Fig. 10 ein Beispiel eines erfindungsgemäßen Sen
sorelementes zur Ausnutzung der Oberflä
chen-Plasmonen-Resonanz;
Fig. 11 ein gegenüber dem in Fig. 10 gezeigten
Beispiel modifiziertes Beispiel eines er
findungsgemäßen Sensorelementes und
Fig. 12 ein weiteres Beispiel eines Sensorelementes
mit zusätzlicher absorbierender Schicht.
In der Fig. 1 ist schematisch dargestellt, wie unter
Verwendung hydrophober langkettiger Moleküle eine
strukturierte Immobilisierung erreicht werden soll.
Dabei ist angedeutet, dass durch unspezifische Ad
sorption von Targetmolekül, Analyt oder Target-Ana
lyt-Komplex Messfehler von benachbart zueinander an
geordneten und entsprechend immobilisierten Proben
zur Detektion von gezielten Analyten auftreten kön
nen.
In der Fig. 2 wird angedeutet, dass unter Verwendung
von Trennwänden 3 zwischen getrennt voneinander an
geordneten Proben sowohl eine stoffliche Trennung,
wie auch eine optische Trennung, bei entsprechend
geeignetem Trennwandmaterial erreicht werden kann.
Dabei sollte die Höhe 6 der Trennwände 3, ausgehend
von einer Substratoberfläche zumindest größer als die
Eindringtiefe des evaneszenten Feldes, die mit der
gestrichelten Linie angedeutet worden ist, sein.
In der Fig. 3 ist ein erstes Beispiel eines erfindungsgemäßen
Sensorelementes gezeigt. Dabei wurde auf
einem Substrat 2, das hier aus einem nahezu beliebi
gen Material bestehen kann, ein sogenannter Streifen
lichtwellenleiter 1 angeordnet bzw. aufgebracht. In
nicht dargestellter Form wird in diesen Streifen
lichtwellenleiter 1 Anregungslicht eingekoppelt.
Oberhalb der Oberfläche des Substrates 2 und selbst
verständlich auch des Streifenlichtwellenleiters 1
wurde, wie im allgemeinen Teil der Beschreibung er
läutert, eine Deckschicht 3 aus amorphem fluorierten
Polymer aufgebracht und im Anschluss daran durch fo
tolithographische und Ätzverfahren die Kavitäten 4
ausgebildet, die bei diesem Beispiel bis unmittelbar
auf die Oberfläche des Streifenlichtwellenleiters 1
reichen. Auch hier muss die verbliebene Höhe 6 der
Deckschicht 3, ausgehend von der Oberfläche des
Streifenlichtwellenleiters 1 bis zur Oberkante der
Deckschicht 3, größer als die Eindringtiefe des eva
neszenten Feldes sein.
In den Kavitäten 4 können dann die unterschiedlichen
Proben eingebracht und eine Messung des angeregten
Fluoreszenzlichtes des aus den Kavitäten 4 hier nach
oben austretenden Lichtes mit Hilfe eines bzw. auch
mehrerer oberhalb, hier nicht dargestellten, opti
schen Detektors/Detektoren durchgeführt werden oder
interferometrische Messungen unter Ausnutzung des in
den Wellenleitern transmittierten Lichtes durchge
führt werden. Die Wände 5 der Kavitäten bilden die
Grenzflächen zwischen den Proben mit den darin ent
haltenen Analyten und dem Deckschichtmaterial.
Fluoreszenz wird im wesentlichen senkrecht ausgewer
tet. Andere Messgrößen, wie z. B. Phasenunterschiede,
Brechzahländerungen, Absorptionsänderung, können ent
lang der Wellenleiter gemessen werden. Phasenunter
schiede von mindestens zwei Lichtsignalen, die von
verschiedenen Orten des Sensorelementes erhalten wor
den sind, können dann wiederum interferometrisch in
Intensitätsunterschiede umgewandelt und ausgewertet
werden.
Das in Fig. 4 gezeigte Beispiel, unterscheidet sich
vom Beispiel nach Fig. 3 lediglich dadurch, dass die
Böden der Kavitäten 4 in einem Abstand 7 zur Oberflä
che des Streifenlichtwellenleiters 1 angeordnet sind,
wobei der Abstand 7 jedoch kleiner als die Eindring
tiefe des evaneszenten Feldes sein muss.
Bei dem in Fig. 5 gezeigten Beispiel eines erfin
dungsgemäßen Sensorelementes wird auf Lichtwellenlei
ter verzichtet und das Substrat 8 muss für verwende
tes Anregungslicht transparent sein sowie einen höhe
ren Brechungsindex als das Material für die struktu
rierte Deckschicht 9 aufweisen, so dass das in das
Substrat 8 eingestrahlte Anregungslicht an der Grenz
fläche zur Deckschicht 9, bei einem entsprechenden
Winkel, bei dem Totalreflexion auftritt, oberhalb der
Grenzfläche ein evaneszentes Feld erzeugen kann.
Selbstverständlich besteht aber auch die Möglichkeit,
dass das Substrat 8 die Funktion eines planaren
Lichtwellenleiters übernehmen kann, indem mit einge
strahltem Anregungslicht an den Grenzflächen Totalre
flexion erreicht werden kann.
Das in Fig. 6 gezeigte Beispiel unterscheidet sich
gegenüber dem in Fig. 5 gezeigten Beispiel lediglich
darin, dass die Böden der Kavitäten in einem Abstand
11 zur Oberfläche des Substrates 8 angeordnet sind.
Dabei sollte wieder gesichert sein, dass der Abstand
11 geringer als die Eindringtiefe des evaneszenten
Feldes und die Höhe 10 der strukturierten Deckschicht
9 im Gegensatz dazu, größer als die Eindringtiefe des
evaneszenten Feldes ist.
In der Fig. 7 ist ein Sensorelement dargestellt, bei
dem Kavitäten 4 in einer Anordnung mehrerer parallel
zueinander ausgerichteter Reihen innerhalb einer
strukturierten Deckschicht 3, die auf einem Substrat
2 ausgebildet ist, vorhanden sind. Bei diesem
Beispiel ist jeder Reihe von Kavitäten 4 ein geson
derter Streifenlichtwellenleiter 1 zugeordnet. Es
besteht aber auch die Möglichkeit, wie bei den Bei
spielen nach den Fig. 5 und 6 auf diese Streifen
lichtwellenleiter zu verzichten.
Bei den in den Fig. 8 und 9 gezeigten Beispielen
von erfindungsgemäßen Sensorelementen ist der Strei
fenlichtwellenleiter 1 nicht auf der Oberfläche eines
Substrates 2 ausgebildet, sondern im Substrat 2 ein
gebettet, wobei wiederum die bereits mehrfach erwähn
ten Anforderungen bezüglich der Abstände 7 und der
Höhe 6 der Deckschicht 3 in Bezug zur Eindringtiefe
des evaneszenten Feldes eingehalten werden müssen.
Bei dem in Fig. 10 gezeigten Beispiel sind ein Sub
strat 2 und hier zwei parallel zueinander angeordnete
Streifenlichtwellenleiter 1 dargestellt, wobei auf
der Oberfläche der Streifenlichtwellenleiter 1 eine
dünne Metallschicht 12 (z. B. Gold) aufgebracht worden
ist. Darüber ist wieder eine strukturierte Deck
schicht 3 mit Kavitäten 4 ausgebildet. Wird nunmehr
oberhalb der Oberflächen der Streifenlichtwellenleiter
1 infolge von Totalreflexion ein evaneszentes
Feld erzeugt, können Oberflächen-Plasmonen angeregt
werden und es kann die Veränderung des Resonanzwin
kels bzw. die Veränderung der Resonanzwellenlänge
gemessen werden.
Bei dem in Fig. 11 gezeigten, gegenüber dem nach
Fig. 10 modifizierten Beispiel, ist die Metall
schicht in Bereiche 13 und 14 unterteilt. Dabei be
findet sich der Bereich 13 der Metallschicht 12 un
mittelbar unterhalb der Böden der Kavitäten 4 und der
Bereich 14 der Metallschicht 12 ist unterhalb der
trennenden Bereiche der strukturierten Deckschicht 3
ausgebildet und entsprechend angeordnet. Aus dem Be
reich 14, der unmittelbar oberhalb der für die Anre
gung genutzten Streifenlichtwellenleiter 1 angeordnet
ist, können durch die transparente strukturierte
Deckschicht 3 Referenzmesssignale, die von den jewei
ligen Proben unbeeinflusst sind, gewonnen werden.
In der Fig. 12 ist ein Beispiel eines erfindungsge
mäßen Sensorelementes mit zusätzlicher absorbierender
Schicht gezeigt. Die Deckschichtdicke 16 muss hierbei
größer als die Eindringtiefe des evaneszenten Feldes
sein.
Hierzu kann ein Aufbau eines erfindungsgemäßen Sen
sorelementes, wie er vorab bei der Beschreibung der
Fig. 3 bis 11 vorgeschlagen worden ist, verwendet
werden, obwohl hier lediglich ein Aufbau gemäß dem
Beispiel nach Fig. 3 gezeigt worden ist, dahingehend
ergänzt werden, dass auf das Sensorelement eine zu
sätzliche optisch absorbierende Schicht 15 aufge
bracht bzw. aufgesetzt worden ist. Diese optische
absorbierende Schicht 15 ist entsprechend der Deckschicht
3 ebenfalls strukturiert, so dass sich die
Öffnungen der Kavitäten 4 und die in der absorbieren
den Schicht 15 ausgebildeten Öffnungen überdecken.
Das durch die Öffnungen, die in der absorbierenden
Schicht 15 ausgebildet sind, austretende Licht der
Proben kann von einem optischen Detektor oder einem
Detektorarray ortsaufgelöst, den jeweiligen Proben
zugeordnet, erfasst werden. Dabei kann die Divergenz
des aus den Kavitäten 4 austretenden Lichtes und dem
zufolge auch eine gegenseitige Beeinflussung von
Messsignalen benachbarter Proben verringert werden.
Claims (17)
1. Sensorlement zur optischen Detektion von chemi
schen oder biochemischen Analyten, wobei Analy
ten enthaltende Proben innerhalb eines evanes
zenten Feldes, das infolge von Totalreflexion an
einer Grenzfläche ausgebildet ist, in voneinan
der getrennten, innerhalb einer unmittelbar auf
einem Substrat aufgebrachten strukturierten
Deckschicht ausgebildeten Kavitäten angeordnet
sind,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Deckschicht (3) einen Stoffaustausch
einzelner in Kavitäten (4) enthaltener Proben
verhindernd, aus einem amorphen fluorierten Po
lymer besteht, deren Schichtdicke (6) zumindest
größer als die Eindringtiefe des evaneszenten
Feldes ist.
2. Sensorelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Deckschicht (3) aus einem
Material mit einem Brechungsindex ≦ 1,3 besteht.
3. Sensorelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekenzeichnet, dass zwischen Substrat
(2) und den Böden von Kavitäten (4) mindestens
ein Lichtwellenleiter (1) angeordnet ist.
4. Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekenzeichnet, dass mindestens ein
Streifenwellenleiter (1) zwischen Substrat (2)
und den Böden von Kavitäten (4) angeordnet ist.
5. Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekenzeichnet, dass die in Richtung der
Böden von Kavitäten (4) weisende Oberfläche
des/der Lichtwellenleiter (1) zumindest be
reichsweise mit einer Metallschicht (12) be
schichtet ist.
6. Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekenzeichnet, dass die Kavitäten (4) in
einer Reihe oder mehreren parallel zueinender
angeordneten Reihen angeordnet sind und jeder
Reihe ein Streifenwellenleiter (1) zugeordnet
ist.
7. Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekenzeichnet, dass oberhalb der Deck
schicht (3) eine optisch absorbierende Schicht
(17) angeordnet oder auf der Deckschicht (3)
aufgebracht ist, in der den Kavitäten (4) lokal
zugeordnet Öffnungen oder optisch transparente
Fenster ausgebildet sind.
8. Verfahren zur Herstellung eines Sensorelementes
nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge
kennzeichnet, dass umittelbar auf einem Substrat
(2) eine Deckschicht (3) mit einer Schichtdicke,
die zumindest größer als die Eindringtiefe eines
evaneszenten Feldes ist und die aus einem amor
phen fluorierten Polymer besteht, aufgebracht
und zur Ausbildung von Kavitäten (4) fotolitho
grafisch strukturiert und geätzt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich
net, dass vor dem Aufbringen der Deckschicht (3)
eine haftvermittelnde Molekülschicht aufgebracht
wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9,
dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (3)
mit einem Tauchverfahren oder durch Aufschleu
dern auf das Substrat (2) aufgebracht wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat
(2) mindestens ein Lichtwellenleiter (1) vor dem
Aufbringen der Deckschicht (3) aufgebracht oder
in das Substrat (2) eingebettet wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche
des/der Lichtwellenleiter (1) zumindest be
reichsweise mit einem Metall beschichtet wird.
13. Verfahren zur optischen Detektion von chemischen
oder biochemischen Analyten mit einem Sensorele
ment nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, dass an einer Grenzfläche des
Substrates (2) oder mindestens eines Lichtwel
lenleiters (1) durch Totalreflexion eingestrahl
ten Lichtes, ein evaneszentes Feld ausgebildet
wird;
und aus Kavitäten (4), in denen Analyten enthal
tende Proben aufgenommen sind, austretendes
Licht, den einzelnen Kavitäten (4) lokal zuge
ordnet detektiert wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich
net, dass die Intensität von in den jeweiligen
Proben angeregtem Fluoreszenzlicht gemessen
wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich
net, dass im evaneszenten Feld an einer Metall
schicht (12) Oberflächen-Plasmonen-Resonanz er
zeugt und die Änderung des Resonanzwinkels oder
die Änderung der Wellenlänge gemessen wird.
16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich
net, dass mindestens zwei Lichtsignale interfe
rometrisch durch Umwandlung der Phasenverschie
bung in Intensitätsunterschiede ausgewertet wer
den.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16,
dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich zwischen
den Kavitäten (4) aus der Deckschicht (3) aus
tretendes Licht zur Gewinnung von Referenzsigna
len detektiert wird.
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