DE1000935B - Formierverfahren zur bleibenden Verbesserung der elektrischen Oberflaecheneigenschaften eines Halbleiters, insbesondere zur Erhoehung des Sperrwiderstandes und zur Verrinerung des Durchlasswiderstandes elektrisch unsymmetrisch leitender Halbleiter-Kristall-Systeme - Google Patents

Formierverfahren zur bleibenden Verbesserung der elektrischen Oberflaecheneigenschaften eines Halbleiters, insbesondere zur Erhoehung des Sperrwiderstandes und zur Verrinerung des Durchlasswiderstandes elektrisch unsymmetrisch leitender Halbleiter-Kristall-Systeme

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DES30276A
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Vera Brunnemann
Dr Arthur Gaudlitz
Dipl-Phys Dr Eberha Groschwitz
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1089892B (de) * 1957-04-11 1960-09-29 Sylvania Electric Prod Verfahren zur Herstellung flaechenhafter ohmscher Elektroden auf einem Siliziumhalbleiterkoerper einer Halbleiteranordnung
DE3213789A1 (de) * 1982-04-15 1983-10-20 Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt Verfahren zur erhoehung des wirkungsgrades von cdse-duennschicht-solarzellen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US2504628A (en) * 1946-03-23 1950-04-18 Purdue Research Foundation Electrical device with germanium alloys
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