DE1000935B - Formierverfahren zur bleibenden Verbesserung der elektrischen Oberflaecheneigenschaften eines Halbleiters, insbesondere zur Erhoehung des Sperrwiderstandes und zur Verrinerung des Durchlasswiderstandes elektrisch unsymmetrisch leitender Halbleiter-Kristall-Systeme - Google Patents

Formierverfahren zur bleibenden Verbesserung der elektrischen Oberflaecheneigenschaften eines Halbleiters, insbesondere zur Erhoehung des Sperrwiderstandes und zur Verrinerung des Durchlasswiderstandes elektrisch unsymmetrisch leitender Halbleiter-Kristall-Systeme

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DE1000935B DES30276A DES0030276A DE1000935B DE 1000935 B DE1000935 B DE 1000935B DE S30276 A DES30276 A DE S30276A DE S0030276 A DES0030276 A DE S0030276A DE 1000935 B DE1000935 B DE 1000935B
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Vera Brunnemann
Dr Arthur Gaudlitz
Dipl-Phys Dr Eberha Groschwitz
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1089892B (de) * 1957-04-11 1960-09-29 Sylvania Electric Prod Verfahren zur Herstellung flaechenhafter ohmscher Elektroden auf einem Siliziumhalbleiterkoerper einer Halbleiteranordnung
DE3213789A1 (de) * 1982-04-15 1983-10-20 Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt Verfahren zur erhoehung des wirkungsgrades von cdse-duennschicht-solarzellen

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2504628A (en) * 1946-03-23 1950-04-18 Purdue Research Foundation Electrical device with germanium alloys
US2504627A (en) * 1946-03-01 1950-04-18 Purdue Research Foundation Electrical device with germanium alloys

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2504627A (en) * 1946-03-01 1950-04-18 Purdue Research Foundation Electrical device with germanium alloys
US2504628A (en) * 1946-03-23 1950-04-18 Purdue Research Foundation Electrical device with germanium alloys

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1089892B (de) * 1957-04-11 1960-09-29 Sylvania Electric Prod Verfahren zur Herstellung flaechenhafter ohmscher Elektroden auf einem Siliziumhalbleiterkoerper einer Halbleiteranordnung
DE3213789A1 (de) * 1982-04-15 1983-10-20 Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt Verfahren zur erhoehung des wirkungsgrades von cdse-duennschicht-solarzellen

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