DE10008273A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus einem Rohstück erzeugbaren Kleinbauelementen auf einen Träger - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus einem Rohstück erzeugbaren Kleinbauelementen auf einen TrägerInfo
- Publication number
- DE10008273A1 DE10008273A1 DE10008273A DE10008273A DE10008273A1 DE 10008273 A1 DE10008273 A1 DE 10008273A1 DE 10008273 A DE10008273 A DE 10008273A DE 10008273 A DE10008273 A DE 10008273A DE 10008273 A1 DE10008273 A1 DE 10008273A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- double
- sided adhesive
- adhesive layer
- separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00865—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
- B81C1/00888—Multistep processes involving only mechanical separation, e.g. grooving followed by cleaving
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00865—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
- B81C1/00904—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements not provided for in groups B81C1/00873 - B81C1/00896
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Montage von durch Vereinzelung aus einem Rohstück (10) erzeugbaren Kleinbauelementen (20), insbesondere Halbleiter-Bauelementen, auf einen jeweiligen Träger (30). Es erfolgen die Schritte: Aufbringen einer doppelseitig klebenden Schicht (14) oder eines doppelseitig klebenden Schichtsystems (14') auf einen Bereich (15) des Rohstücks (10); Aufbringen des Rohstücks (10) mit der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') auf einem Vereinzelungsträger (16); Vereinzeln der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14'); Entfernen der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') vom Vereinzelungsträger (16); und Aufkleben der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') auf den jeweiligen Träger (30).
Description
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren und eine
Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus einem
Rohstück erzeugbaren Kleinbauelementen, insbesondere
Halbleiter-Bauelementen, auf einen Träger.
Obwohl auf beliebige, durch Vereinzelung aus einem Roh
stück entstehende Kleinbauelemente anwendbar, werden die
vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrunde liegende
Problematik in Bezug auf ein Verfahren zur Montage von
Halbleiter-Bauelementen, insbesondere Mikrosensoren (z. B.
Drucksensoren), erläutert.
Allgemein Halbleiter-Bauelemente und speziell Mikrosenso
ren werden derzeit durch einen Sägeprozeß aus einem Wafer
vereinzelt. Dazu werden die prozessierten Wafer auf eine
Sägefolie geklebt, die mehrere Funktionen aufweist.
Zum einen soll der Wafer während des Sägeprozesses fi
xiert werden, und zum anderen soll das gesägte Bauteil
nach seiner Vereinzelung weiter fixiert bleiben.
Die nach dem Zersägen folgende Montage des vereinzelten
Bauteils auf einem beliebig gearteten Träger erfolgt in
der Regel durch einen Fügeprozeß, wie zum Beispiel Kle
ben, Löten, etc., für den ein Werkstoff benötigt wird wie
zum Beispiel Klebstoff oder Lot.
Wird das Bauteil zum Beispiel mit Hilfe eines Klebstoffes
auf dem Träger fixiert, so muß zunächst der Klebstoff mit
Hilfe einer Dosiervorrichtung, einem sogenannten Dispen
ser, auf den Träger gebracht werden. Alternativ dazu kann
der Klebstoff mit der sogenannten Stempeltechnik dosiert
werden. Dabei wird das Bauelement mit der zu montierenden
Seite in eine Klebeschicht bestimmter Dicke gebracht, wo
bei die Schichtdicke der gewünschten Dosierung ent
spricht. Anschließend wird das Bauelement auf dem Träger
plaziert.
Die bei diesen Techniken eingesetzten Klebstoffe bezie
hungsweise Lote müssen in der Regel einem Ausheizprozeß
unterzogen werden, wodurch der Klebstoff beziehungsweise
das Lot in seinen endgültigen Zustand gebracht wird.
Der Arbeitsschritt der Dosierung von Klebstoffen oder Lo
ten und der anschließende Ausheizprozeß für diese Werk
stoffe nehmen bei der Produktion insbesondere von Halb
leiter-Bauelementen und Mikrosensoren hohe Produktions
kosten und Produktionszeiten in Anspruch.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den Merkmalen des An
spruchs 1 weist gegenüber den bekannten Lösungsansätzen
den Vorteil aus, daß die oben genannten Arbeitsschritte
der Dosierung und des anschließenden Ausheizprozesses der
Klebstoffe entfallen. Somit lassen sich bei der Produk
tion erhebliche Kosten sparen, da die Produktionszeit
verringert wird und Maschinenkosten gesenkt werden. Indem
das Rohstück, etwa der Wafer, bereits vor dem Zersägen
auf das erfindungsgemäße, doppelseitig klebende Klebeband
aufgebracht wird, kann eine hohe Reproduzierbarkeit er
zielt werden, wobei die Genauigkeit durch den Sägeprozeß
bestimmt ist. Des weiteren ergibt sich eine Platzerspar
nis auf dem Träger, da die Klebeschichten nach dem Stand
der Technik in der Regel einen Mindestabstand zu weiteren
Strukturen oder Bauteilen auf dem Träger benötigen. Des
weiteren kann die Schichtdicke und Schichthärte der Kle
beschicht exakt beim Herstellen des Klebebands einge
stellt werden.
Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee be
steht also darin, eine doppelseitige Klebeschicht bzw.
ein Klebeschichtsystem zu verwenden, um damit bis zu zwei
herkömmliche, im Vergleich dazu umständliche Fügeprozes
se, zum einen auf der Sägefolie und zum anderen auf dem
Träger während des Montageprozesses zu ersetzen. Das er
findungsgemäße Klebeband wird also beim Vereinzelungsprozeß,
beispielsweise dem Zersägen mit Hilfe einer Wafer-
Säge mitsamt dem Wafer zersägt bzw. ausgesägt.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiter
bildungen und Verbesserungen des Gegenstandes der Erfin
dung.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist die doppelsei
tig klebende Schicht des erfinderischen Klebebandes ein
integraler Bestandteil des Vereinzelungsträgers, bei
spielsweise einer Sägefolie zum Zersägen von Halbleiter-
Bauelementen. Durch diese Maßnahme kann das vereinzelte
Bauteil gleich nach dem Zersägen des Wafers auf den dafür
vorgesehenen Träger aufgesetzt werden. Dies setzt frei
lich voraus, daß die Unterlage beim Zersägen derart aus
gebildet ist, daß sich die untenseitig klebende Schicht
des doppelseitigen Klebebandes von der Unterlage lösen
läßt, ohne seine Klebkraft zu verlieren, und die obensei
tig klebende Schicht am Bauelement haften bleibt. Dies
ist mit hinreichend glatten und abziehfesten Unterlagen
und gut haftenden Bauelementflächen zu gewährleisten.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weist das Klebe
schichtsystem einen Mehrschichtaufbau mit mindestens ei
ner Funktionsschicht und jeweils einer Klebeschicht als
Außenschicht auf. Dadurch läßt sich ein mehrschichtiges
System ausbilden, bei dem eine Anpassung der mechani
schen, thermischen oder elektrischen Eigenschaften durch
geeignete Wahl der Materialien der Funktionsschicht oder
weiterer -schichten erfolgen kann. Dadurch kann bei
spielsweise eine gewisse Temperaturstabilität, Resistenz
gegen bestimmte Medien, eine mechanische Steifheit, ther
mische Isolierung oder auch die elektrische Leitfähigkeit
des Klebeschichtsystems beeinflußt werden.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist die Klebe
schicht bzw. das Klebeschichtsystem ein Klebeband.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnun
gen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung nä
her erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 die für eine Ausführungsform des erfindungsge
mäßen Verfahrens wesentlichen Elemente vor ei
ner Vereinzelung aus einem Rohstück, das in
diesem Fall ein Halbleiter-Wafer ist;
Fig. 2 die Vereinzelung des in Fig. 1 dargestellten
Halbleiter-Wafers und des Doppelklebebandes;
Fig. 3 Einzelheiten bei der Montage der Bauelemente
nach der Vereinzelung; und
Fig. 4 eine Prinzipskizze eines Doppelklebebands mit
einer Funktionsschicht als Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Vorrichtung.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche
oder funktionsgleiche Komponenten.
Fig. 1 zeigt die für eine Ausführungsform des erfindungs
gemäßen Verfahrens wesentlichen Elemente vor einer Ver
einzelung aus einem Rohstück.
Zu Beginn des erfindungsgemäßen Verfahrens wird in einem
ersten Schritt eine doppelseitig klebende Schicht 14, in
diesem Fall ein doppelseitiges Klebeband, auf die Unter
seite 15 eines Wafers 10 aufgebracht, indem der Wafer 10
auf eine Sägeunterlage aufgesetzt wird, die im wesentli
chen aus einem Sägerahmen 12, einer Trägerschicht 16 und
der zwischen Trägerschicht und Unterseite des Wafers be
findlichen Schicht des doppelseitigen Klebebands 14 be
steht.
Der Wafer 10 ist, nachdem er mit geeignetem Druck gegen
die auf einer festen Unterlage liegende Trägerschicht ge
drückt wurde, im Sägerahmen 12 fixiert. Da die mechani
schen Eigenschaften des erfinderischen Doppelklebebands
14 bei der bekannten Produktionstemperatur durch das Kle
beband selbst vorgegeben sind, können die für die nachfolgenden
Produktionsschritte des Zersägens wichtigen Ei
genschaften, wie etwa Stabilität der Ruheposition des Wa
fers gegen Druck beim Sägen schon bei der Produktion des
Klebebandes festgelegt werden. Da die Schichtdicke des
Doppelklebebands sowie dessen Weichheit immer gleich ist,
ergibt sich eine hohe Reproduzierbarkeit bei der Produk
tion der Bauelemente, denn die Genauigkeit beim Vereinze
lungsprozeß ist nunmehr im Gegensatz zum Stand der Tech
nik allein durch die Genauigkeit des Sägeprozesses be
stimmt.
Fig. 2 zeigt die Vereinzelung des in Fig. 1 dargestellten
Halbleiter-Wafers und des Doppelklebebandes.
Wie in der Figur deutlich erkennbar ist, gehen die Säge
schnitte 18 durch den Wafer 10 und das erfindungsgemäße
doppelseitige Klebeband 14 hindurch und dringen zu einem
gewissen Maß in die Trägerschicht 16 ein, damit sicherge
stellt ist, daß das doppelseitige Klebeband 14 auch wirk
lich durchtrennt ist, um die einzelnen Bauelemente 20,
die durch die Sägeschnitte 18 voneinander getrennt sind,
von der Trägerschicht 16 einzeln entfernen zu können.
Dieses Entfernen geschieht durch einfaches Abziehen der
einzelnen Bauelemente 20 von der Trägerschicht mitsamt
dem Doppelklebeband 14.
Die Oberflächeneigenschaften der Trägerschicht 16 und des
Wafers 10, wie etwa Härte, Rauhigkeit, etc. sind dabei
derart eingestellt, daß sichergestellt ist, daß die Bauelemente
20 mitsamt des an ihnen haftenden jeweiligen
Stücks 22 des doppelseitigen Klebebands 14 abgezogen wer
den können, ohne daß das Klebeband beschädigt wird oder
an der Trägerschicht anstelle des Bauelements 20 haften
bleibt.
Fig. 3 zeigt Einzelheiten bei der Montage des Bauelemen
tes nach seiner Vereinzelung.
Im linken Bereich von Fig. 3 ist als Ausschnitt das Bau
element 20 gezeigt, wie es nach dem Schritt des Aufkle
bens 140 auf den Träger 30 - hier eine Leiterplatte -
durch das zwischen diesen liegende Klebebandstück 22 fi
xiert ist. Durch dieses doppelte Ausnutzen ein- und des
selben Klebebands 14 entfällt beim Produktionsprozeß die
Dosierung der Klebstoffe beziehungsweise Lote sowie der
anschließende Ausheizprozeß für diese Verbindungswerk
stoffe.
Im rechten Teil von Fig. 3 ist das Umfeld gezeigt, wie
das mit Bonddrähten 42 angeschlossene Bauelement 20 mit
seinem an dessen Unterseite befindlichen Klebebandstück
22 an einer dafür vorgesehene Stelle 32 auf der Leiter
platte 30 montiert ist. Auch an solchen Aufklebeorten 32,
die aufgrund seitlich angeordneter weiterer Bauelemente
nicht so frei zugänglich sind, zeigt sich der Vorteil der
Ausführungsform des erfinderischen Verfahrens darin, daß
während des Fertigungsprozesses der schematisch darge
stellten Leiterplatte auch bei sehr kleinen Aufklebeorten
für das Bauelement 20 nicht mehr Sorge getragen werden
muß, zu welchem Zeitpunkt und wie ein Klebstoff vom Stand
der Technik an die Aufklebestelle für das Bauelement ge
bracht werden muß.
Fig. 4 zeigt eine Prinzipskizze eines Doppelklebebands
mit einer Funktionsschicht.
Die in Fig. 4 dargestellte vorteilhafte Ausführungsform
des Klebebands 14' besteht aus einer oberen Klebeschicht
36, einer unteren Klebeschicht 38 sowie einer zwischen
diesen liegenden Funktionsschicht 40. Die Funktions
schicht 40 kann nun je nach gewünschten mechanischen,
elektrischen, thermischen oder anderen Eigenschaften
durch geeignete Wahl der Materialien oder durch geeignete
Wahl weiterer Zwischenschichten, die eine gleiche oder
andere Funktion erfüllen, genau an den jeweiligen Bedarf,
der sich aus dem vorgesehenen Einsatzzweck ergibt, ange
paßt werden. Das doppelseitige Klebeband 14' kann daher
als mehrschichtiges System zur Verfügung gestellt werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels vorstehend beschrieben wurde, ist
sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Wei
se modifizierbar.
In einer weiteren Variation des Klebebandes können bei
spielsweise Löcher verschiedener Form und Größe gleich im
Klebeband vorhanden sein, um beispielsweise für einen
Differenzdrucksensor auf sehr einfache Weise eine fixier
te Meßposition schaffen zu können. Durch das in dem Kle
beband vorgesehene Loch könnten die Druckverhältnisse an
der einen Seite und an der entgegengesetzten Seite des
Differenzdrucksensors erfasst werden.
Eine weitere Eigenschaft der erfindungsgemäßen doppelsei
tig klebenden Schicht bzw. des doppelseitig Klebeschicht
systems kann sein, daß sich die mechanischen, elektri
schen oder thermischen Eigenschaften durch UV (Ultra
violett)-Bestrahlung oder Wärmeeintrag ändern lassen.
Diese Behandlung der erfindungsgemäßen doppelseitig kle
benden Schicht bzw. des doppelseitig Klebeschichtsystems
dient zur gezielten Einstellung dieser Eigenschaften und
kann durchgeführt werden:
- - nach dem Aufbringen des Rohstücks oder
- - nach der Vereinzelung des Rohstücks bzw. vor dem Aufkleben des Kleinbauelements oder
- - nach vor dem Aufkleben des Kleinbauelements.
Claims (7)
1. Verfahren zur Montage von durch Vereinzelung aus einem
Rohstück (10) erzeugbaren Kleinbauelementen (20), insbe
sondere Halbleiter-Bauelementen, auf einen jeweiligen
Träger (30);
gekennzeichnet durch die Schritte:
Aufbringen einer doppelseitig klebenden Schicht (14) o der eines doppelseitig klebenden Schichtsystems (14') auf einen Bereich (15) des Rohstücks (10)
Aufbringen des Rohstücks (10) mit der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') auf einem Vereinzelungsträger (16)
Vereinzeln der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14');
Entfernen der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') vom Vereinzelungsträger (16); und
Aufkleben der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') auf den jeweiligen Trä ger (30).
gekennzeichnet durch die Schritte:
Aufbringen einer doppelseitig klebenden Schicht (14) o der eines doppelseitig klebenden Schichtsystems (14') auf einen Bereich (15) des Rohstücks (10)
Aufbringen des Rohstücks (10) mit der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') auf einem Vereinzelungsträger (16)
Vereinzeln der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14');
Entfernen der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') vom Vereinzelungsträger (16); und
Aufkleben der Kleinbauelemente (20) mitsamt der Schicht (14) oder dem Schichtsystem (14') auf den jeweiligen Trä ger (30).
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Kleinbauelemente
(20) Halbleiter-Bauelemente, vorzugsweise Mikrosensoren,
insbesondere Drucksensoren, sind, das Rohstück (10) ein
Wafer ist, und der Vereinzelungsträger (16) eine Sägefo
lie ist, wobei das Vereinzeln durch Sägen mithilfe einer
Wafersäge erfolgt.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo
bei die doppelseitig klebende Schicht (14) oder das dop
pelseitig klebende Schichtsystems (14') integraler Be
standteil des Vereinzelungsträgers (16) ist.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo
bei das doppelseitig klebende Schichtsystems (14') einen
Mehrschichtaufbau mit mindestens einer Funktionsschicht
(40) und jeweils einer Klebeschicht (36, 38) als Außen
schicht aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Funktionsschicht
eine thermische, mechanische oder elektrische Funktions
schicht ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo
bei die doppelseitig klebende Schicht (14) oder das dop
pelseitig klebende Schichtsystems (14') ein Klebeband
ist.
7. Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus ei
nem Rohstück (10) erzeugbaren Kleinbauelementen (20),
insbesondere Halbleiter-Bauelementen, auf einen jeweili
gen Träger (30), welche eine doppelseitig klebende
Schicht oder ein doppelseitig klebendes Schichtsystem
(14') mit einem Mehrschichtaufbau mit mindestens einer
Funktionsschicht (40) und jeweils einer Klebeschicht (36,
38) als Außenschicht aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10008273A DE10008273A1 (de) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | Verfahren und Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus einem Rohstück erzeugbaren Kleinbauelementen auf einen Träger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10008273A DE10008273A1 (de) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | Verfahren und Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus einem Rohstück erzeugbaren Kleinbauelementen auf einen Träger |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10008273A1 true DE10008273A1 (de) | 2001-08-30 |
Family
ID=7631987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10008273A Ceased DE10008273A1 (de) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | Verfahren und Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus einem Rohstück erzeugbaren Kleinbauelementen auf einen Träger |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10008273A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10342981A1 (de) * | 2003-09-17 | 2005-04-21 | Disco Hi Tec Europ Gmbh | Vorrichtung zur partiellen Bearbeitung von Wafern sowie Verfahren zum selektiven Aufbringen einer Folie auf definierte Bereiche eines Wafers |
DE102004059599B3 (de) * | 2004-12-09 | 2006-08-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen einer Klebstoffschicht auf dünngeschliffene Halbleiterchips eines Halbleiterwafers |
-
2000
- 2000-02-23 DE DE10008273A patent/DE10008273A1/de not_active Ceased
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10342981A1 (de) * | 2003-09-17 | 2005-04-21 | Disco Hi Tec Europ Gmbh | Vorrichtung zur partiellen Bearbeitung von Wafern sowie Verfahren zum selektiven Aufbringen einer Folie auf definierte Bereiche eines Wafers |
DE10342981B4 (de) * | 2003-09-17 | 2007-05-24 | Disco Hi-Tec Europe Gmbh | Verfahren zum selektiven Aufbringen einer Folie auf definierte Bereiche eines Wafers |
DE102004059599B3 (de) * | 2004-12-09 | 2006-08-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen einer Klebstoffschicht auf dünngeschliffene Halbleiterchips eines Halbleiterwafers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69636338T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
EP0292827B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Etiketten mit jeweils einer einen Schwingkreis bildenden Schaltung | |
DE3733304A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum versiegeln eines hermetisch dichten keramikgehaeuses mit einem keramikdeckel | |
DE19628237A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren der Gleichen | |
EP0140126A1 (de) | Verfahren zur Mikropackherstellung | |
DE3524301A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen | |
DE3833136A1 (de) | Kapazitives fuehlelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE602005002054T2 (de) | Verfahren zum Nachweis von Testkörpern | |
EP3940758A2 (de) | Verfahren zum sinterverbinden einer substratanordnung mit einem elektronikbauteil mit verwendung eines auf eine sinterkontaktierungsmaterialschicht aufgebrachten vorfixiermittels, entsprechende substratanordnung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2628327A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von mehrschichtkondensatoren | |
EP0812153B1 (de) | Messsystem zur bestimmung der fettausscheidung der haut | |
DE3810285A1 (de) | Verfahren zum montieren oberflaechenmontierbarer elektronischer bauelemente auf einer leiterplatte | |
DE10128924A1 (de) | Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks sowie Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens | |
DE10008273A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Montage von durch Vereinzelung aus einem Rohstück erzeugbaren Kleinbauelementen auf einen Träger | |
DE102014109766B3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Substratadapters, Substratadapter und Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterelements | |
DE19961840C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines regelmäßigen Mehrschichtsaufbaus für insbesondere elektrische Doppelschichtkondensatoren und Vorrichtung dafür | |
DE102008061165B4 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Folie und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines solchen | |
DE1965493B2 (de) | Schichtmaterial | |
DE102006038597B4 (de) | Schallwandler und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3709770C2 (de) | ||
EP0615651B1 (de) | Kontaktstück mit einer schaltsilber-kontaktauflage und verfahren zu seiner herstellung | |
EP3675153A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines substratadapters und substratadapter zum verbinden mit einem elektronikbauteil | |
CH674085A5 (de) | ||
DE1698096A1 (de) | Feuchtigkeitsmesselement sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2259132C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Meßkopfes zum Messen an elektrischen Bauelementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |