DD276760A1 - Abdeckueberzug zum schutz von unkontaktierten halbleiterkoerpern - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen Abdeckueberzug zum Schutz von unkontaktierten Halbleiterkoerpern die fuer ein flussmittelfreies Inertgas-Loetverfahren vorgesehen sind mit der Aufgabe, Edelmetallschichten vor atmosphaerischen Einfluessen zu schuetzen. Erfindungsgemaess werden die Metallschichten mit einer selbstklebenden Folie abgedeckt.
Description
Die Erfindung betrifft einen Abdecküberzug zum Srhutr von unkontaktierten Halbleiterkörpern, insbesondere von Si-Chips oder Scheiben, die für ein flcßmittelfreies Inertgas-Lötverfahren vorgesehen sind.
Halbleiterkörper in Form von Chips oder Scheiben werden vor der Montage zu vollständigen Bauelementen oder Hybridschaltungen auf ihren Kontaktflächen mit Metallschichten vorsehen. Diese Schichten bestehen im allgemeinen aus einer Schichtfolge, wobei die zuletzt aufgebrachte Schicht oft eine Edelmetallschicht ist. Sie bewirkt die gute Benetzbarkeit des Lotes während des Lötvorganges.
Für l.ötvorgänge. die flußmiüelfrei und unter Inertgasatmosphäre stattfinden ist es üblich, als letzte Schicht Gold zu verwenden.
Derartige Lösungen sind jedoch sehr kostenaufwendig. Ferner ist von Nachten, daß die Bereitstellung von Gold begrenzt ist.
Es sind ferner Metallisierungstechnologien bekannt, welche als letzte Schicht weniger kostspielige Metalle, z. B. Silber, verwenden. Siehe hierzu Schade/Halblei'ertechnologien Dand 2, Seite 240ff.
Diese weniger edlen Schichten unterliegen aber im Laufe der Zeit atmosphärischen Einflüssen durch Verbindungsbildungen mit in der Luft vorhandenen Komponenten, z. B. Sauerstoff, Kohlenstoff- oder Schwefelverbindungen. Letztere zeigen eine steigende Tendenz.
Werden nun derartige Chips mit weniger edlen Schichten nicht unmittelbar kontaktiert, so ist eine ständige Verringerung der Lötfähigkeit bis hin zur völligen Passivierung beim flußmittelfreien Inertgas-Lötverfahren die Folge.
Um hier Abhilfe zu schaffen, ist es durch das WP 102664 bekannt, zur Lagerung und zum Transport von Si-Scheiben Behälter zu verwenden, die hermetisch zu verschließen sind. Ferner ist es möglich, diesen Behältorz. B. mit Inertgas zu füllen, so daß die von dor Außenatmosphäre hermetisch abgeschlossenen Scheiben längere Zeit ohne Qualitätsverluste gelagert werden können; von Nachteil ist es jedoch, daß die Herstellung aufwendig und der Kostenaufwand erheblich ist.
Es ist das Ziel der Erfindung für Si-Scheiben und Chips die Lagerstabilität zu verbessern, die Kosten für die Lagerung und den Ausschuß zu senken, sowie den Fertigungsablauf ökonomisch zu gestalten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde für Si-Scheiben und Chips, deren äußere Metallschicht auf den Kontaktflächen unedler als Gold ist, für die Zeitspanne bis zur Weiterverarbeitung die Weichlötfähigkeit nach längeren Lagerzeiten zu sichern. Erfindungsgemäß wird dieso Aufgabe dadurch gelöst, daß für ein luftdichtes Abschließen der zu lötenden Fläche deren letzte Metallschicht unedler als Gold ist, ein leicht entfernbares, mit der Oberfläche nicht in Wechselwirkung stehendes anschmiegsames Material verwendet wird.
Nach Abschluß des Metallisierungsvorganges werden in einem Zeitraum von max. 12 Stunden die metallisierten Kontaktflächen in Berührungskontakt mit einer flächenhaft dicht anliegenden mindestens 30pm dicken selbstklebanden Kunststoff-Folie gebracht. Die klebende Seite wird bei Zimmertemperatur auf die Kontaktflächen aufgerollt um Lufteinschlüsse zu vermeiden. Als Material kann Polyethylen, PVC, Teflon oder ein ähnlicher Kunststoff verwendet werden.
Claims (3)
1. Abdäcküberzug zum Schutz von unkontaktierten Halbleiterkörpern, insbesondere Si-Chips oder Scheiben, dio für ein flußmittelfreies Inertgaslöiverfahren vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, o'aß als Abdecküberzug ein plastisch verformbares, luftundurchlässiges mit Klebstoff einseitig beschichtetes glattes Material mit mindestens einer Dicke von 30 μιη verwendet wird.
2. Abdecküberzug nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material eine seibstklebende Folie verwondat wird.
3. Abdecküberüug, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie aus Polyethylen, PVC, Teflon oder ähnlichem Kunststoff besteht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD32144788A DD276760A1 (de) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Abdeckueberzug zum schutz von unkontaktierten halbleiterkoerpern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD32144788A DD276760A1 (de) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Abdeckueberzug zum schutz von unkontaktierten halbleiterkoerpern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD276760A1 true DD276760A1 (de) | 1990-03-07 |
Family
ID=5603676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD32144788A DD276760A1 (de) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Abdeckueberzug zum schutz von unkontaktierten halbleiterkoerpern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD276760A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021346A1 (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Soldering of a semiconductor chip to a substrate |
-
1988
- 1988-11-04 DD DD32144788A patent/DD276760A1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021346A1 (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Soldering of a semiconductor chip to a substrate |
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