DD276760A1 - COVERING COVER FOR THE PROTECTION OF UNCONTACTED SEMICONDUCTOR BODIES - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen Abdeckueberzug zum Schutz von unkontaktierten Halbleiterkoerpern die fuer ein flussmittelfreies Inertgas-Loetverfahren vorgesehen sind mit der Aufgabe, Edelmetallschichten vor atmosphaerischen Einfluessen zu schuetzen. Erfindungsgemaess werden die Metallschichten mit einer selbstklebenden Folie abgedeckt.The invention relates to a Abdeckueberzug for the protection of uncontacted semiconductor bodies which are provided for a flux-free inert gas Loetverfahren with the task to protect noble metal layers from atmospheric influences. According to the invention, the metal layers are covered with a self-adhesive film.
Description
Die Erfindung betrifft einen Abdecküberzug zum Srhutr von unkontaktierten Halbleiterkörpern, insbesondere von Si-Chips oder Scheiben, die für ein flcßmittelfreies Inertgas-Lötverfahren vorgesehen sind.The invention relates to a cover coating for the Srhutr of uncontacted semiconductor bodies, in particular of Si chips or slices, which are provided for a Flcßmittelfreies inert gas soldering.
Halbleiterkörper in Form von Chips oder Scheiben werden vor der Montage zu vollständigen Bauelementen oder Hybridschaltungen auf ihren Kontaktflächen mit Metallschichten vorsehen. Diese Schichten bestehen im allgemeinen aus einer Schichtfolge, wobei die zuletzt aufgebrachte Schicht oft eine Edelmetallschicht ist. Sie bewirkt die gute Benetzbarkeit des Lotes während des Lötvorganges.Semiconductor bodies in the form of chips or slices will provide for complete devices or hybrid circuits on their contact surfaces with metal layers prior to assembly. These layers generally consist of a sequence of layers, wherein the last applied layer is often a layer of noble metal. It causes the good wettability of the solder during the soldering process.
Für l.ötvorgänge. die flußmiüelfrei und unter Inertgasatmosphäre stattfinden ist es üblich, als letzte Schicht Gold zu verwenden.For l.ötvorgänge. which are free from molten flux and under an inert gas atmosphere, it is customary to use gold as the last layer.
Derartige Lösungen sind jedoch sehr kostenaufwendig. Ferner ist von Nachten, daß die Bereitstellung von Gold begrenzt ist.However, such solutions are very expensive. Further, by night, the provision of gold is limited.
Es sind ferner Metallisierungstechnologien bekannt, welche als letzte Schicht weniger kostspielige Metalle, z. B. Silber, verwenden. Siehe hierzu Schade/Halblei'ertechnologien Dand 2, Seite 240ff.There are also known metallization technologies, which as a last layer less expensive metals, eg. As silver use. Refer to Poor / Semi-conductor Technologies Dand 2, page 240ff.
Diese weniger edlen Schichten unterliegen aber im Laufe der Zeit atmosphärischen Einflüssen durch Verbindungsbildungen mit in der Luft vorhandenen Komponenten, z. B. Sauerstoff, Kohlenstoff- oder Schwefelverbindungen. Letztere zeigen eine steigende Tendenz.Over time, however, these less noble layers are subject to atmospheric influences due to the formation of compounds with components present in the air, eg. As oxygen, carbon or sulfur compounds. The latter show an upward trend.
Werden nun derartige Chips mit weniger edlen Schichten nicht unmittelbar kontaktiert, so ist eine ständige Verringerung der Lötfähigkeit bis hin zur völligen Passivierung beim flußmittelfreien Inertgas-Lötverfahren die Folge.Now, if such chips are not directly contacted with less noble layers, so is a constant reduction of the solderability up to the complete passivation in flußmittelfreien inert gas soldering the result.
Um hier Abhilfe zu schaffen, ist es durch das WP 102664 bekannt, zur Lagerung und zum Transport von Si-Scheiben Behälter zu verwenden, die hermetisch zu verschließen sind. Ferner ist es möglich, diesen Behältorz. B. mit Inertgas zu füllen, so daß die von dor Außenatmosphäre hermetisch abgeschlossenen Scheiben längere Zeit ohne Qualitätsverluste gelagert werden können; von Nachteil ist es jedoch, daß die Herstellung aufwendig und der Kostenaufwand erheblich ist.To remedy this situation, it is known by the WP 102664 to use for storage and transport of Si-slices containers that are hermetically sealed. It is also possible to use this container. B. to fill with inert gas, so that the hermetically sealed by dor outside atmosphere slices can be stored longer time without loss of quality; However, it is disadvantageous that the production is complicated and the cost is considerable.
Es ist das Ziel der Erfindung für Si-Scheiben und Chips die Lagerstabilität zu verbessern, die Kosten für die Lagerung und den Ausschuß zu senken, sowie den Fertigungsablauf ökonomisch zu gestalten.It is the object of the invention for Si wafers and chips to improve the storage stability, to reduce the cost of storage and rejects, as well as to make the manufacturing process economical.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde für Si-Scheiben und Chips, deren äußere Metallschicht auf den Kontaktflächen unedler als Gold ist, für die Zeitspanne bis zur Weiterverarbeitung die Weichlötfähigkeit nach längeren Lagerzeiten zu sichern. Erfindungsgemäß wird dieso Aufgabe dadurch gelöst, daß für ein luftdichtes Abschließen der zu lötenden Fläche deren letzte Metallschicht unedler als Gold ist, ein leicht entfernbares, mit der Oberfläche nicht in Wechselwirkung stehendes anschmiegsames Material verwendet wird.The invention is based on the object for Si wafers and chips, whose outer metal layer is less noble than gold on the contact surfaces, for the period until further processing to ensure the Weichlötfähigkeit after longer storage times. According to the invention this object is achieved in that for an airtight completion of the surface to be soldered whose last metal layer is less noble than gold, an easily removable, not interacting with the surface conformable material is used.
Nach Abschluß des Metallisierungsvorganges werden in einem Zeitraum von max. 12 Stunden die metallisierten Kontaktflächen in Berührungskontakt mit einer flächenhaft dicht anliegenden mindestens 30pm dicken selbstklebanden Kunststoff-Folie gebracht. Die klebende Seite wird bei Zimmertemperatur auf die Kontaktflächen aufgerollt um Lufteinschlüsse zu vermeiden. Als Material kann Polyethylen, PVC, Teflon oder ein ähnlicher Kunststoff verwendet werden.After completion of the metallization process are in a period of max. 12 hours, the metallized contact surfaces brought into contact with a tight-fitting tight at least 30pm thick self-adhesive plastic film. The adhesive side is rolled up at room temperature on the contact surfaces to avoid trapped air. The material used can be polyethylene, PVC, Teflon or similar plastic.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD32144788A DD276760A1 (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | COVERING COVER FOR THE PROTECTION OF UNCONTACTED SEMICONDUCTOR BODIES |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD32144788A DD276760A1 (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | COVERING COVER FOR THE PROTECTION OF UNCONTACTED SEMICONDUCTOR BODIES |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DD276760A1 true DD276760A1 (en) | 1990-03-07 |
Family
ID=5603676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DD32144788A DD276760A1 (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | COVERING COVER FOR THE PROTECTION OF UNCONTACTED SEMICONDUCTOR BODIES |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD276760A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021346A1 (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Soldering of a semiconductor chip to a substrate |
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1988
- 1988-11-04 DD DD32144788A patent/DD276760A1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2000021346A1 (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Soldering of a semiconductor chip to a substrate |
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Legal Events
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