DD258495A1 - Atmaskierung für Halbleitermaterialien - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf das chemische Bearbeiten von Halbleitermaterialien und betrifft eine aetzfeste Abdeckung fuer nicht zu aetzende Oberflaechenbereiche dieser Halbleitermaterialien. Die Aetzmaskierung besteht im wesentlichen aus Pizein, Petroleum, aromatischen Kohlenwasserstoffen - hauptsaechlich Xylol -, sowie Siebdruckfarbe auf der Basis von Bitumen und Cyklokautschuk.
Description
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich auf das chemische Bearbeiten von Halbleitermaterialien und betrifft eine ätzfeste Abdeckung für die nicht zu bearbeitenden Oberflächenbereiche der Halbleitermaterialien. Die Ätzmaskierung istfür das Aufbringen durch das Siebdruckverfahren geeignet und übereinen langen Zeitraum (z.B. 300 min) resistent gegen Ätzgemische auf der Basis Flußsäure und Salpetersäure (HF/HNO3) unterschiedlicher Konzentrationen und Mischungsverhältnisse sowie reaktionsbeeinflussender Zusätze.
Charakteristik des bekannten Standes der Technik
Zur Herstellung von gewollten Geometrien von Silizium-Halbleiterelementen ist der Abtrag durch chemische Bearbeitung üblich. Für das Ätzen auf der Basis von KOH und EDP-Lösungen (Ethylen-Diamin-Pyrazin) sind Maskierungen über Siliziumdioxidschichten möglich. Für den chemischen Abtrag von dünnen Halbleiterschichten wird üblicherweise Fotolack aufgetragen und über Fotolithographie maskiert. Für den chemischen Abtrag von dicken Halbleiterschichten werden Siebdrucklacke, Paraffine, Pizeine sowie auch Metall Schicht- und Nitritmasken verwendet. Die Einsatzgrenze dieser Abdeckungen ist durch die zeitlich begrenzte Resistenz gegen HF/HNO3 gegeben. Die bekannten Abdecklacke quellen auf oder werden porös und lösen sich in relativ kurzer Zeit auf. Flächenverätzungen und Unterätzungen an Kanten sind die Folge. Paraffine sind in absolut ätzfesten Varianten als Weichparaffine bekannt. Nachteilig ist hier, daß Weichparaffine leicht schmieren.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist eine Ätzmaskierung für die chemische Bearbeitung von Halbleitermaterialien, die ein Ätzen über einen längeren Zeitraum (z.B. 300rhin) ermöglicht und die aus handelsüblichen Komponenten zusammengesetzt ist.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Die Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll, besteht darin, eine Ätzmaskierung für Halbleitermaterialien zur Verfügung zu stellen, die mittels Siebdruck aufzubringen ist und die resistent gegen Ätzgemische auf der Basis Flußsäure und Salpetersäure unterschiedlicher Konzentration und Mischungsverhältnisse sowie reaktionsbeeinflussender Zusätze ist. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Ätzmaskierung gelöst, die aus Pizein, einem Lösungsmittel, bestehend aus Petroleum und aromatischen Kohlenwasserstoffen — hauptsächlich Xylol —, sowie Siebdruckfarbe auf der Basis von Bitumen und Cyklokautschuk zusammengesetzt ist.
Pizein wird im Lösungsmittel gelöst und diese Bestandteile werden mit der Siebdruckfarbe gemischt. Als günstiges Mischungsverhältnis, das sich sowohl in guter Qualität mittels Siebdruck aufbringen läßt und außerdem die geforderte Ätzbeständigkeit aufweist, hat sich 1 Gewichtsteil Pizein, 0,75 Gewichtsteile Lösungsmittel und 1 Gewichtsteil Siebdruckfarbe erwiesen.
Ausführungsbeispiel
Im Ausführungsbeispiel werden handelsübliche Komponenten verwendet. Zerkleinertes Pizein wird in auf 80°C bis 100°C temperiertem Lösungsmittel SV7 im Mischungsverhältnis von 1 Gewichtsteil zu 0,75 Gewichtsteilen gelöst. Das Lösungsmittel SV7 besteht aus Petroleum und Erkosol. Erkosol besteht aus aromatischen Kohlenwasserstoffen, wobei die Hauptbestandteile Xylol und seine Abkömmlinge sind. Die abgekühlte Pizein-Lösung wird mit 1 Gewichtsteil Siebdruckfarbe SLP71 gemischt. Die Siebdruckfarbe SLP71 besteht aus Bitumen, rotem Pigment und Cyklokautschuk. Die so gewonnene Ätzmaskierung erfüllt die an sie gestellten Aufgaben. Nach erfolgter Ätzung ist das Ablösen der Ätzmaskierung mit einem Gemisch aus Alkydharz- und Nitroverdünnung möglich.
Claims (2)
1. Ätzmaskierung für Halbleitermaterialien unter Verwendung von Pizein, gekennzeichnet durch die weiteren Komponenten Lösungsmittel, bestehend aus Petroleum und aromatischen Kohlenwasserstoffen — hauptsächlich Xylol —, sowie Siebdruckfarbe auf der Basis von Bitumen und Cyklokautschuk.
2. Ätzmaskierung für Halbleitermaterialien nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch das Mischungsverhältnis 1 Gewichtsteil Pizein, 0,75 Gewichsteile Lösungsmittel und 1 Gewichtsteil Siebdruckfarbe.
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich auf das chemische Bearbeiten von Halbleitermaterialien und betrifft eine ätzfeste Abdeckung für die nicht zu bearbeitenden Oberflächenbereiche der Halbleitermaterialien. Die Ätzmaskierung ist für das Aufbringen durch das Siebdruckverfahren geeignet und über einen langen Zeitraum (z. B. 300 min) resistent gegen Ätzgemische auf der Basis Flußsäure und Salpetersäure (HF/HNO3) unterschiedlicher Konzentrationen und Mischungsverhältnisse sowie reaktionsbeeinflussender Zusätze.
Charakteristik des bekannten Standes der Technik
Zur Herstellung von gewollten Geometrien von Silizium-Halbleiterelementen ist der Abtrag durch chemische Bearbeitung üblich. Für das Ätzen auf der Basis von KOH und EDP-Lösungen (Ethylen-Diamin-Pyrazin)sind Maskierungen über Siliziumdioxidschichten möglich. Für den chemischen Abtrag von dünnen Halbleiterschichten wird üblicherweise Fotolack aufgetragen und über Fotolithographie maskiert. Für den chemischen Abtrag von dicken Halbleiterschichten werden Siebdrucklacke, Paraffine, Pizeine sowie auch Metallschicht- und Nitritmasken verwendet. Die Einsatzgrenze dieser Abdeckungen ist durch die zeitlich begrenzte Resistenz gegen HF/HNO3 gegeben. Die bekannten Abdecklacke quellen auf oder werden porös und lösen sich in relativ kurzer Zeit auf. Flächenverätzungen und Unterätzungen an Kanten sind die Folge. Paraffine sind in absolut ätzfesten Varianten als Weichparaffine bekannt. Nachteilig ist hier, daß Weichparaffine leicht schmieren.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist eine Ätzmaskierung für die chemische Bearbeitung von Halbleitermaterialien, die ein Ätzen über einen längeren Zeitraum (z. B. 300min) ermöglicht und die aus handelsüblichen Komponenten zusammengesetzt ist.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Die Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll, besteht darin, eine Ätzmaskierung für Halbleitermaterialien zur Verfügung zu stellen, die mittels Siebdruck aufzubringen ist und die resistent gegen Ätzgemische auf der Basis Flußsäure und Salpetersäure unterschiedlicher Konzentration und Mischungsverhältnisse sowie reaktionsbeeinflussender Zusätze ist. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Ätzmaskierung gelöst, die aus Pizein, einem Lösungsmittel, bestehend aus Petroleum und aromatischen Kohlenwasserstoffen — hauptsächlich Xylol —, sowie Siebdruckfarbe auf der Basis von Bitumen und Cyklokautschuk zusammengesetzt ist.
Pizein wird im Lösungsmittel gelöst und diese Bestandteile werden mit der Siebdruckfarbe gemischt. Als günstiges Mischungsverhältnis, das sich sowohl in guter Qualität mittels Siebdruck aufbringen läßt und außerdem die geforderte Ätzbeständigkeit aufweist, hat sich 1 Gewichtsteil Pizein, 0,75 Gewichtsteile Lösungsmittel und 1 Gewichtsteil Siebdruckfarbe erwiesen.
Ausführungsbeispiel
Im Ausführungsbeispiel werden handelsübliche Komponenten verwendet. Zerkleinertes Pizein wird in auf 80°Cbis 1000C temperiertem Lösungsmittel SV7 im Mischungsverhältnis von 1 Gewichtsteil zu 0,75 Gewichtsteilen gelöst. Das Lösungsmittel SV7 besteht aus Petroleum und Erkosol. Erkosol besteht aus aromatischen Kohlenwasserstoffen, wobei die Hauptbestandteile Xylol und seine Abkömmlinge sind. Die abgekühlte Pizein-Lösung wird mit 1 Gewichtsteil Siebdruckfarbe SLP71 gemischt. Die Siebdruckfarbe SLP71 besteht aus Bitumen, rotem Pigment und Cyklokautschuk. Die so gewonnene Ätzmaskierung erfüllt die an sie gestellten Aufgaben. Nach erfolgter Ätzung ist das Ablösen der Ätzmaskierung mit einem Gemisch aus Alkydharz-und Nitroverdünnung möglich.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD30082487A DD258495A1 (de) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | Atmaskierung für Halbleitermaterialien |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD30082487A DD258495A1 (de) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | Atmaskierung für Halbleitermaterialien |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD258495A1 true DD258495A1 (de) | 1988-07-20 |
Family
ID=42710711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD30082487A DD258495A1 (de) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | Atmaskierung für Halbleitermaterialien |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD258495A1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010103245A3 (fr) * | 2009-03-12 | 2010-11-04 | Total Raffinage Marketing | Fluide hydrocarbone hydrodeparaffine utilise dans la fabrication de fluides industriels, agricoles ou a usage domestique |
| US8147615B2 (en) * | 2004-11-05 | 2012-04-03 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating semiconductor cleaners |
| US9404057B2 (en) | 2009-03-12 | 2016-08-02 | Total Marketing Services | Hydrocarbon diluent with a low VOC level for construction materials |
-
1987
- 1987-03-16 DD DD30082487A patent/DD258495A1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8147615B2 (en) * | 2004-11-05 | 2012-04-03 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating semiconductor cleaners |
| US8409363B2 (en) | 2004-11-05 | 2013-04-02 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating semiconductor cleaners |
| US8647441B2 (en) | 2004-11-05 | 2014-02-11 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating semiconductor cleaners |
| US9529366B2 (en) | 2004-11-05 | 2016-12-27 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating semiconductor cleaners |
| WO2010103245A3 (fr) * | 2009-03-12 | 2010-11-04 | Total Raffinage Marketing | Fluide hydrocarbone hydrodeparaffine utilise dans la fabrication de fluides industriels, agricoles ou a usage domestique |
| US8785354B2 (en) | 2009-03-12 | 2014-07-22 | Total Marketing Services | Hydrodewaxed hydrocarbon fluid used in the manufacture of fluids for industrial, agricultural, or domestic use |
| US9404057B2 (en) | 2009-03-12 | 2016-08-02 | Total Marketing Services | Hydrocarbon diluent with a low VOC level for construction materials |
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