DD257717A1

DD257717A1 - Verfahren zur herstellung elektrischer durchgangsverbindungen

Info

Publication number: DD257717A1
Application number: DD29989187A
Authority: DD
Inventors: Bernd Stolze
Original assignee: Univ Dresden Tech
Priority date: 1987-02-13
Filing date: 1987-02-13
Publication date: 1988-06-22
Also published as: DD257717C2

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen in Substraten (1) fuer elektronische Bauelemente, Hybridbaugruppen oder Multichipmodule und ist auch in der Leiterplattentechnik anwendbar. Ziel der Erfindung ist es, elektrische Durchgangsverbindungen in einem Substrat (1) mittels Duennfilmtechniken und elektrochemische Abscheideverfahren herzustellen. Aufgabe der Erfindung ist es, bei der elektronischen Abscheidung eines Metallkernes (6) zwischen den Hauptflaechen * und * eines Substrates (1) ueber eine Metallisierung (4) Elektrolyt- oder Gaseinschluesse zu vermeiden und eine hohe Ebenheit wenigstens einer Hauptflaeche * oder * des Substrates (1) zu gewaehrleisten. Erfindungsgemaesz wird die Aufgabe dadurch geloest, dasz eine erste Traegerschicht (3) ausgebildet wird, die den Raum, der fuer eine Durchgangsverbindung vorgesehen ist, vollstaendig und freitragend ueberspannt. Diese erste Traegerschicht (3) wird von der ersten Hauptflaeche * aus mit einer Metallisierung (4) und einer darauf folgenden zweiten Traegerschicht (5) bedeckt. Anschlieszend wird von der zweiten Hauptflaeche * des Substrates (1) aus die erste Traegerschicht (3) wenigstens zum Teil entfernt, so dasz die Metallisierung (4) freigelegt wird. UEber diesen freigelegten Teil der Metallisierung (4) erfolgt dann die elektrochemische Abscheidung wenigstens eines Teiles des Metallkernes * Der Metallkern (6) waechst senkrecht vorzugsweise zur zweiten Hauptflaeche * Fig. 1{Mikroelektronik; Leiterplattentechnik; Traegerfilmtechnik; Substrat; Durchgangsverbindung; Duennfilmtechnik; Metallabscheidung; Galvanik; Elektrolyteinschluesse; Oberflaecheneinebnung}

Description

Hierzu 1 Seite Zeichnungen.

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen in Substraten für elektronische Bauelemente, Hybridbaugruppen oder Multichipmodule und ist auch in der Leiterplattentechnik anwendbar.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

In Substraten für elektronische Bauelemente oder Baugruppen sind gegeneinander isolierte elektrische Durchgangsverbindungen oft notwendig, um beide Hauptflächen des Substrates für Verdrahtungssysteme zu nutzen oder die Kontaktierung zu anderen Teilen einer Schaltungsanordnung vorzunehmen.

Aus der Leiterplattentechnik sind Verfahren zur Herstellung von Durchgangsverbindungen, die auch bei anderen Substraten anwendbar sind, hinreichend bekannt. Dabei werden die Wandungen von Durchgangslöchern mit einer Metallisierung versehen, die bei Bedarf noch galvanisch verstärkt wird.

In EP-PS 0043014A3, DE-OS 2554965A1 und US-PS 4, 381, 341 sind Durchgangsverbindungen vorgesehen, die durch die Abscheidung dünner Metallschichten auf den Wandungen der Durchgangslöcher hergestellt werden. Diese Art von Durchgangsverbindungen erschwert jedoch eine darauf folgende Abscheidung und Strukturierung vor allem dünner Schichten wegen der Oberflächendiskontinuitäten. Treten zudem Durchgangslöcher, von denen nur die Wandungen metallisiert sind, in

großer Flächendichte auf, ist die mechanische Stabilität des Substrates in diesem Bereich stark verringert.

Eine mechanische Stabilisierung ist erreichbar, wenn die Durchgangsverbindungen mit einem Leitmaterial vollständig ausgefüllt werden. Das Ausfüllen ist auch dann notwendig, wenn das Substrat Bestandteil eines Gehäuses ist und somit seine beiden Hauptflächen voneinander hermetisch getrennt sein müssen.

In DE-OS 2615758 A1 wird das durch Einlöten eines Anschlußstiftes in das Durchgangsloch erreicht. Das Verfahren ist jedoch aufwendig und nicht in allen Fällen anwendbar, da Oberflächendiskontinuitäten nicht vermieden werden.

Um wenigstens auf einer Hauptfläche des Substrates die Ebenheit herzustellen, ist in DE-OS 2443287 A1 vorgesehen, Durchgangslöcher mit metallisierten Wandungen durch Eindrücken einer Leitpaste von einer Seite zu verschließen. Das setzt jedoch für die Dickschichttechnik geeignete Substrate, die nicht immer für Dünnfilmtechniken geeignet sind, voraus. Auch sind hierbei die lateralen Abmessungen der Durchgangsverbindungen nicht beliebig minimierbar.

Das Ausfüllen von Durchgangslöchern mit metallisierten Wandungen durch galvanische Abscheidung hat ein Überwachsen des abgeschiedenen Materials über die Hauptflächen des Substrates und damit Unebenheiten zur Folge. Zudem besteht die Gefahr von Elektrolyteinschlüssen, vor allem dann, wenn die Länge der Durchgangslöcher im Vergleich zu ihren lateralen Abmessungen groß ist. Durchgangsverbindungen für Halbleitersubstrate werden nach DE-OS 2450902 A1 hergestellt, indem durch das Substrat hindurch verlaufende, hochdatierte Bereiche durch Thermomigration erzeugt werden. Dieser Prozeß ist sehr störanfällig, und die lateralen Abmessungen der Durchgangsverbindungen sind größer 175μηη. Zudem sind die erreichbaren elektrischen Parameter für viele Einsatzfälle unzureichend.

Eine weitere Lösung zur Herstellung von Durchgangsverbindungen in Halbleitersubstraten ist in DE-PS 1933731 C3 vorgeschlagen. Von der Substratrückseite eingebrachte Vertiefungen, deren Wandungen mit einem Isolationsmaterial beschichtet sind, werden mit hochdotiertem polykristallinem Si ausgefüllt und dann die Vorderseite durch Läppen abgetragen, bis das polykristalline Si freigelegt ist. Sodann wird auf die Vorderseite eine Epitaxischicht eines bestimmten Leitfähigkeitstyps aufgebracht. In diese werden Zonen des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eindiffundiert', die mit dem polykristallinen Si in elektrischer Verbindung stehen. Dadurch wird eine gute Isolation zum umgebenden Halbleitermaterial mit relativ geringen parasitären Kapazitäten erreicht. Die Bahnwiderstände sind jedoch entsprechend der Dotierung des polykristallinen Si und den Lateralabmessungen relativ hoch. Das Verfahren enthält zudem mechanische Bearbeitungsschritte, die wiederum zusätzliche Arbeitsschritte zur Beseitigung von Oberflächendefekten nach sich ziehen und die höchste Präzision erfordern.

Ziel der Erfindung

Ziel der Erfindung ist es, elektrische Durchgangsverbindungen in einem Substrat mittels Dünnfilmtechniken und elektrochemische Abscheideverfahren herzustellen.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Aufgabe der Erfindung ist es, bei der elektrochemischen Abscheidung eines Metallkernes zwischen den Hauptflächen eines Substrates über eine durch Dünnfilmtechnik hergestellte Metallisierung Elektrolyt- oder Gaseinschlüsse zu vermeiden und eine hohe Ebenheit wenigstens einer Hauptfläche des Substrates zu gewährleisten.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß in dem Raum, der für eine Durchkontaktierung vorgesehen ist, eine erste Trägerschicht vorzugsweise parallel zu der zweiten Hauptfläche ausgebildet, diese von der ersten Hauptfläche aus mit einer Metallisierung und einer zweiten Trägerschicht bedeckt, durch Entfernen wenigstens eines Teiles der ersten Trägerschicht die Metallisierung freigelegt und von dort aus die elektronische Abscheidung vorgenommen wird.

Um zu sichern, daß bei elektrochemischen Abscheideverfahren in einer Vertiefung das Wachstum des abgeschiedenen Materials senkrecht zu einer Hauptfläche eines Substrates gerichtet ist, darf die Abscheidung nur auf Flächen erfolgen, die parallel zu dieser Hauptfläche verlaufen. Die für elektrochemische Abscheidung notwendige Metallisierung darf sich somit nicht auf den Wandungen eines Loches oder einer Vertiefung befinden, sondern nur den Querschnitt einer Vertiefung oder eines Loches überspannen. Hinzu kommt, daß bei galvanischer Abscheidung die Metallisierung mit einem äußeren Stromkreis verbunden ist.

Die Stromzuführung erfolgt über die der Abscheidung abgewandten Hauptfläche des Substrates.

Dünne Metallisierungsschichten sind mechanisch nicht stabil genug, um freitragend ein Durchgangsloch zu überspannen. Es ist deshalb vorgesehen, eine den Raum der Durchgangsverbindung überspannende erste Trägerschicht auszubilden. Diese erste Trägerschicht kann sich sowohl auf der ersten Hauptfläche des Substrates als auch zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche befinden. Durch diese erste Trägerschicht liegt auch im Bereich der Durchgangsverbindung eine geschlossene Fläche vor, und die Metallisierung kann darauf mittels Dünnfilmtechniken abgeschieden werden. Die Abscheidung erfolgt auf die erste Hauptfläche des Substrates und die Bereiche der Durchgangsverbindung zwischen der ersten Trägerschicht und der zweiten Hauptfläche werden nicht metallisiert.

Eine zweite Trägerschicht, die auf die Metallisierung aufgebracht wird, dient der Stabilisierung der Metallisierung nach Entfernen der ersten Trägerschicht. Ihre Dicke ist in Abhängigkeit des Materials und den Abmessungen des zu überspannenden Bereiches zu wählen.

Nach dem Aufbringen der zweiten Trägerschicht überspannt die Metallisierung nunmehr den Bereich der Durchgangsverbindung. Sie wird getragen von der ersten Trägerschicht zur zweiten Hauptfläche des Substrates zu und von der zweiten Trägerschicht zur ersten Hauptfläche zu.

Die erste Trägerschicht wird anschließend durch Abtrag aus Richtung der zweiten Hauptfläche des Substrates entfernt.

Vorzugsweise erfolgt der Abtrag ganzflächig, da eine Strukturierung in den Vertiefungen, die durch die erste Trägerschicht und die zweite Hauptfläche gebildet werden, problematisch und im allgemeinen unnötig ist.

Die elektronische Abscheidung wird dann auf dem von der ersten Trägerschicht befreiten Bereich der Metallisierung vorgenommen. Da dieser Bereich als Folge der vorangegangenen Bearbeitung vorzugsweise parallel zur zweiten Hauptfläche liegt, wächst das elektrochemisch abgeschiedene Material nun auch vorzugsweise senkrecht zu dieser Hauptfläche auf.

Die Abscheidung kann bis zur Einebnung der zweiten Hauptfläche erfolgen, aber auch schon vorher abgebrochen werden. Bei Fortführen der Abscheidung über die Einebnung hinaus erfolgt dann wieder ein Schichtwachstum auch parallel zur zweiten Hauptfläche jedoch treten dann keine Elektrolyteinschlüsse auf.

Mit dem Verfahren sind auch Mehrschichtsysteme elektrochemisch abscheidbar.

Die erste Trägerschicht läßt sich auf verschiedene Arten ausbilden. Eine Möglichkeit besteht darin, den Abtrag des Substratmaterials von der zweiten Hauptfläche aus vorzunehmen, dabei aber keinen Durchbruch zur ersten Hauptfläche herzustellen, sondern den Teil des Substrates, der die erste Hauptfläche bildet, als erste Trägerschicht zu belassen. Bei ätztechnischem Abtrag des Substratmaterials ergibt sich eine definierte Dicke der ersten Trägerschicht, wenn das Substrat aus wenigstens zwei Substratschichten chemisch unterschiedlicher Materialien besteht, deren erste, welche die erste Hauptfläche bildet, durch das Ätzmedium für die zweite, an die erste Substratschicht angrenzende, praktisch nicht angegriffen wird. Die zweite Substratschicht kann dann vollständig durchgeätzt werden; Der Ätzprozeß stoppt bei Erreichen der ersten Substratschicht, welche dann die erste Trägerschicht bildet.

Vorzugsweise die erste Substratschicht kann sowohl durch Auftrag eines entsprechenden Materials als auch durch chemische Umwandlung des Substratmaterials wenigstens im Bereich der Durchgangsverbindungen hergestellt werden.

Weiterhin läßt sich die erste Trägerschicht ausbilden, indem das entsprechende Material auf die Wandungen von Vertiefungen im Substrat, die für Durchgangsverbindungen vorgesehen und von der zweiten Hauptfiäche aus in dieses eingebracht sind, abgeschieden wird.

Durch Abtrag von Substratmaterial von der ersten Hauptfläche aus wird sie dann freigelegt, damit die Metallisierung auf ihr abgeschieden werden kann.

Es ist auch möglich, die erste Trägerschicht durch Aufbringen einer mechanisch in sich relativ stabilen Folie auf die erste Hauptfläche des Substrates herzustellen. Das ist dann notwendig, wenn ein Substrat vorliegt, das bereits Durchgangslöcher für Durchgangsverbindungen besitzt.

Zur Abscheidung der Metallisierung sind Verfahren der Dünnfilmtechnik anwendbar und hinreichend bekannt. Die zweite Trägerschicht läßt sich durch Abscheidung anorganischer Materialien mittels Sputter- oder CVD-Verfahren oder durch Auftrag von Polymeren vorzugsweise in flüssiger Form mittels bekannter Verfahren mit nachfolgendem Härten aufbringen.

Nach der elektrochemischen Abscheidung des Metallkernes der Durchgangsverbindung in Richtung der zweiten Hauptfiäche besteht die Möglichkeit, die zweite Trägerschicht zu strukturieren, um sie entwederals Maske für elektrochemische Abscheideverfahren oder als Ätzmaske für die Metallisierung zu verwenden. Im ersten Fall erfolgt einen Abscheidung weiterer Metalle mit Hilfe der bereits vorhandenen Metallisierung auf der ersten Hauptfläche des Substrates, im zweiten Fall wird die Metallisierung strukturiert und bildet wenigstens einen Teil eines Verdrahtungssystems.

Ausführungsbeispiel Beispiel 1

• Figur 1 zeigt eine Durchgangsverbindung in einem Substrat 1 im Schnitt. Im linken Teil der Fig. 1 ist der Bearbeitungszustand dargestellt, in dem die Metallisierung 4 zwischen der ersten Trägerschicht 3 und der zweiten Trägerschicht 5 eingebettet ist, während der rechte Teil der Fig. 1 die Durchgangsverbindung im Endzustand zeigt.

Als Substrat 1 wird eine (lOO)-Si-Scheibe verwendet, deren erste Hauptfläche 1.1 durch eine erste Substratschicht 1.3 aus Si₃N₄ gebildet wird. Dieses wird durch ein CVD-Verfahren abgeschieden. Das Si der zweiten Substratschicht 1.4, die die zweite Hauptfläche 1.2 bildet, wird zunächst mittels CVD mit einer SiO₂-Schicht, die ca. 5μιη dick ist, abgedeckt. Nach entsprechender Strukturierung dient sie als Ätzmaske für das Durchätzen der zweiten Substratschicht 1.4. von der zweiten Hauptfläche aus. Die Verwendung einer (100)-Si-Scheibe als Substrat 1 ermöglicht den Abtrag des Si bis zur ersten Substratschicht 1.3 durch orientierungsabhängiges Ätzen. Dieses Verfahren ergibt eine definierte Form der Vertiefung und eine geringe Unterätzung der SiO₂-Ätzmaske. Deren Entfernung nach dem Ätzen ist angebracht, da sie einen Überhang im Bereich der Durchgangsverbindung bildet.

Nach dem Ätzen wird das freigelegte Si der zweiten Substratschicht 1.4 durch thermische Oxydation in SiO₂ umgewandelt. Das thermische SiO₂ ergibt erstens die Isolierschicht 2 auf der Wandung der in die zweite Substratschicht 1.4 geätzten Vertiefung und zweitens die zweite Hauptfläche 1.2 des Substrates 1.

Im Bereich der Durchgangsverbindung bildet nun die erste Substratschicht 1.3 aus Si₃N₄ die erste Trägerschicht 3. Auf sie wird von der ersten Hauptfläche 1.1 aus die Metallisierung 4; bestehend aus einer Haftschicht aus Cr und einer Leitschicht aus Cu, gesputtert. Durch Sprühen oder Zentrifugieren wird eine Polymerschicht größerer Dicke (>ca. 20 pm) aufgetragen, welche die zweite Trägerschicht 5 ergibt. Damit ist der im linken Teil der Fig. 1 gezeigte Bearbeitungszustand· erreicht. Von der zweiten Hauptfläche 1.2 aus wird durch ein Plasmaätzverfahren, welches praktisch nur das Si₃N₄ abträgt, die erste Trägerschicht 3 entfernt und damit der die Durchgangsverbindung überspannende Teil der Metallisierung 4 freigelegt. Ebenfalls durch Plasmaätzen wird die Cr-Haftschicht vom Cu abgetragen. Es folgt eine galvanische Cu-Äbscheidung, bis die Vertiefung durch den Metallkern 6 vollständig ausgefällt ist und dieser mit der zweiten Hauptfläche des Substrates 1 eine ebene Fläche bildet. Abschließend wird die zweite Trägerschicht 5 entfernt und die Metallisierung 4 strukturiert. Sie bildet dann einen Teil eines weiter aufzubauenden Verdrahtungssystems.

Das beschriebene Verfahren ist nicht auf Si-Scheiben als Substrat 1 begrenzt, sondern läßt sich auch auf andere Materialien, speziell leitfähige, übertragen

Beispiel 2

Figur 2 zeigt eine Durchgangsverbindung, die zwischen den beiden Hauptflächen 1.1 und 1.2 des Substrates 1 eine Verengung besitzt, im Schnitt. Im linken Teil der Fig.2 ist der Bearbeitungszustand dargestellt, in dem die Metallisierung 4 zwischen der ersten Trägerschicht 3 und der zweiten Trägerschicht 5 eingebettet ist, während der rechte Teil der Fig. 2 die Durchgangsverbindung im Endzustand zeigt.

Die Verengung der Durchgangsverbindung bewirkt eine mechanische Verankerung des Metallkernes 6, sofern es beidseitig der Verengung ausgebildet wird. Durchgangsverbindungen dieser Art lassen sich vorteilhaft in Montageanordnungen nach H05K 29217-9 realisieren.

Als Substrat 1 wird eine (lOO)-Si-Scheibe mit einer hoch dotierten Si-Schicht 1.5 (N > 3 · 10¹⁹cm ³) verwendet. Diese bewirkt einen Ätzstop beim kristallgrafisch orientierungsabhängigen Ätzen der Vertiefungen sowohl von der ersten Hauptfläche 1.1 als auch von der zweiten Hauptfläche 1.2 aus und überspannt nach dem Ätzen die Verengung der Durchgangsverbindung als Membran. Nach beidseitiger Entfernung der Ätzmasken wird die Si-Scheibe einer thermischen Oxidation unterworfen, durch die die hoch dotierte Si-Schicht 1.5 vollständig in SiO₂ umgewandelt wird. Gleichzeitig bildet sich auf den Wandungen der Durchgangsverbindung und den Hauptflächen 1.1 und 1.2 des Substrates 1 die Isolierschicht 2, bestehend aus SiO₂. Von der zweiten Hauptfläche 1.2 aus wird ganzflächig durch CVD 813N₄ abgeschieden, welches die erste Trägerschicht 3 bildet. Das die Verengung der Durchgangsverbindung überspannende SiO₂ wird von der ersten Hauptfläche 1.1 aus fotolithografisch strukturiert, um von dort aus die erste Trägerschicht 3 freizulegen. Dieser Prozeß ist wegen der relativ geringen Tiefe der dort befindlichen Vertiefungen mit an sich bekannten Verfahren möglich. Durch Sputtern wird ganzflächig die Metallisierung 4, bestehend aus einer Cr-Haftschicht und einer Cu-Leitschicht, abgeschieden. Darauf folgt die zweite Trägerschicht 5, welche aus SiO₂ oder Si₃N₄ besteht und durch CVD ebenfalls ganzflächig hergestellt wird. Damit ist der im linken Teil der Fig.2 dargestellte Zustand erreicht.

Die erste Trägerschicht aus Si₃N₄ wird durch Plasmaätzen ganzflächig abgetragen. Dadurch liegt in der Verengung der Durchgangsverbindung ein Bereich der Metallisierung 4, von dem wiederum durch Plasmaätzen das Cr der Haftschicht entfernt wird, frei. Über diesen Bereich wird zunächst Cu abgeschieden, das den ersten Teil 6.1 des Metallkernes 6 bildet. Auf die Cu-Abscheidung folgt die galvanische Abscheidung des Sn/Pb-Lotes 6.2. Dies kann bis zur Einebnung der zweiten Hauptfläche 1.2, aber auch darüber hinaus geschehen.

Die zweite Trägerschicht 5 wird daraufhin so strukturiert, daß sie die Maske für die galvanische Abscheidung des zweiten Teils 6.3 des Metallkernes 6 bildet. Dieser wird durch Cu-Abscheidung bis zur Einebnung der ersten Hauptfläche 1.1 des Substrates 1 ausgebildet. Abschließend wird die strukturierte zweite Trägerschicht 5 entfernt; ebenso der darunter liegende Teil der Metallisierung 4. Auf der so eingeebneten ersten Hauptfläche 1.1 wird ein Dünnfilmverdrahtungssystem 7 aufgebaut. Beim Aufschmelzen des Sn/Pb-Lotes 6.2 entnetzt dieses die Wandungen der Durchgangsverbindung, und es bilden sich Lothügel aus, die über die zweite Hauptfläche 1.2 des Substrates 1 hinausragen, auch wenn bei der Lotabscheidung die zweite Hauptfläche 1.2 nur eingeebnet wurde. ~

Eine weitere Möglichkeit der Realisierung derartiger Durchgangsverbindungen besteht darin, auf die im Ausführungsbeispiel 2 . aus Si₃O₂ oder Si₃N₄ bestehende zweite Trägerschicht 5 zu verzichten und statt dessen im Anschluß an die Abscheidung der Metallisierung 4 auf der ersten Hauptfläche 1.1 eine Galvanikmaske herzustellen, über welche zuerst der zweite Teil 6.3 des Metallkernes abgeschieden wird. Dieser bildet dann die zweite Trägerschicht 5.

Claims

Patentanspruch:

1. Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen zwischen einer ersten und einer zweiten Hauptfläche eines Substrates, welche einen ein- oder mehrteiligen, den Querschnitt der Durchgangsverbindung an wenigstens einer Stelle vollständig ausfüllenden Metallkern als Bestandteil aufweisen, von dem wenigstens ein Teil elektrochemisch abgeschieden wird, gekennzeichnet dadurch, daß in dem für die Durchgangsverbindung vorgesehenen Raum, aus dem zuerst das Substratmaterial wenigstens zum Teil entfernt wird, eine erste Trägerschicht, die diesen Raum vollständig und vorzugsweise parallel zu der zweiten Trägerschicht bedeckt, die Metallisierung durch Entfernen wenigstens eines Teiles der ersten Trägerschicht von der zweiten Hauptfläche überspannt, ausgebildet, diese erste Trägerschicht von der ersten Hauptfläche aus mit einer Metallisierung und einer darauf folgenden zweiten Hauptfläche aus freigelegt und über den freigelegten Bereich der Metallisierung die elektro-chemische Abscheidung wenigstens eines Teiles des Metallkernes der Durchgangsverbindung vorgenommen wird.
2. Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die erste Trägerschicht aus dem Substratmaterial aus dem für die Durchgangsverbindung vorgesehenen Raum nicht vollständig entfernt wird.
3. Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen nach Punkt 2, gekennzeichnet dadurch, daß das Entfernen des Substratmaterials aus dem für die Durchgangsverbindung vorgesehen Raum nur von der zweiten Hauptfläche aus in Richtung der ersten Hauptfläche erfolgt.
4. Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen nach Punkt 2 oder 3, gekennzeichnet dadurch, daß das Substrat wenigstens aus einer ersten Substratschicht, die die erste Hauptfläche bildet oder dieser zumindest näher liegt als die zweite Substratschicht, die an die erste Substratschicht angrenzt, besteht, wobei die erste und die zweite Substratschicht aus chemisch unterschiedlichen Materialien bestehen, das Substratmaterial ätztechnisch von der zweiten Hauptfläche aus abgetragen wird und das Ätzmedium das Material der ersten Substratschicht praktisch nicht angreift, wodurch die erste Trägerschicht durch die erste Substratschicht gebildet wird.
5. Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen nach Punkt 4, gekennzeichnet dadurch, daß die erste Substratschicht durch chemische Umwandlung des Substratmaterials wenigstens im Bereich der Durchgangsverbindung ausgebildet wird.
6. Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die erste Trägerschicht in einervon der zweiten Hauptfläche aus in das Substrat eingebrachten Vertiefung ausgebildet und danach durch Abtrag des Substratmaterials wenigstens im Bereich der Durchgangsverbindung von der ersten Hauptfläche aus freigelegt wird.
7. Verfahren zur Herstellung elektrischer Durchgangsverbindungen nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die erste Trägerschicht durch eine auf die erste Hauptfläche des Substrates aufgebrachte Folie, welche wenigstens ein für eine Durchgangsverbindung vorgesehenes Durchgangsloch überspannt, gebildet wird.