DD201462A1 - Verfahren zum aetzen von nicr-widerstandsschichten - Google Patents
Verfahren zum aetzen von nicr-widerstandsschichten Download PDFInfo
- Publication number
- DD201462A1 DD201462A1 DD23586981A DD23586981A DD201462A1 DD 201462 A1 DD201462 A1 DD 201462A1 DD 23586981 A DD23586981 A DD 23586981A DD 23586981 A DD23586981 A DD 23586981A DD 201462 A1 DD201462 A1 DD 201462A1
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- etching
- nicr
- sio
- layers
- copper
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aetzen von NiCr-Widerstandsschichten, inbes. solchen, die mit SiO tief x dotiert sind, bei Anwesenheit von Kupfer. Die Aufgabe, ein im aktiven Aufloesungsbereich arbeitendes Aetzbad zu finden, wird durch die erfindungsgemaesse Verwendung einer Mischung aus Salzsaeure und Perchlorsaeure geloest.
Description
235 86 9 8
Lerm, Dr. Dipl. Phys. Albrecht C 23 P 1/02
Pfeiffer, Dipl. Phys. Rolf-Gerd P 846/a
Unger, Dr. Dipl. Chem. Sonja . 24.11.1981
Verfahren zum Ätzen von NiCr - Widerstandsschichten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von NiCr-Widerstandsschichten, insbs. solchen, die mit SiO do- : tiert sind, bei Anwesenheit von Kupfer· Die Erfindung findet bevorzugt Anwendung bei der Mikrostrukturierung von NiCr - Widerstandsschichten der Mikroelektronik.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen Bekannte Ätzlösungen für NiCr - Widerstandsschichten versagen bei der Anwesenheit von Kupfer. Die Anwesenheit von Kupfer bewirkt eine Verschlechterung bzw. völlige Verhinderung der Ätzung, so daß verbleibende NiCr - Schichtreste zu Kurzschlüssen im Bauelement führen können· In DE-AS 2.834.279 wird eine HCL - Ätzlösung, der K2S^. zugesetzt ist, zur Lösung dieses Problems vorgeschlagen» Bei den zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften mit SiO dotierten NiCr - Schichten zeigt dieses Bad jedoch keine Ätzwirkung bei SiO - Gehalten oberhalb 10$ bzw. es verbleiben Schichtrestbeläge bei geringeren Dotierungsgehalten·
Es ist das Ziel der Erfindung, ein Verfahren und ein Ätzbad zum reproduzierbaren Ätzen von NiCr - Schichten, insbes. solchen, die mit SiO_ dotiert sind, bei Anwesenheit von Kupfer zu finden.
17.P.F7
235869 8
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und ein Ätzmittel zum vollständigen selektiven, aktiven Ätzen von NiCr - Schichten, inbes. wenn diese mit SiO (1^x^2) dotiert sind, bei Anwesenheit von Kupfer anzugeben· Brfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß eine Mischung aus Salzsäure und Perchlorsäure bei einer Temperatur von 300 - 35OK verwendet wird. Es hat sich gezeigt, daß in diesem Ätzmittel übliche Substratmaterialien, wie Glas, Keramik und oxidiertes Silizium und insbes. Kupfer, welches als Kontakt- oder Leitbahnschicht auf den ITiCr - Schichten aufgebracht ist, völlig inert sind· Die Herstellung der NiCrSiO - Struktüren erfolgt mittels bekannter fotolithografischer Mikrostrukturierung, wobei das naßchemische Ätzen mit Hilfe des erfindungsgemäßen Bades erfolgt. Durch Variation des Mischungsverhältnisses von Salzsäure und Perchlosäure und geeignete Verdünnung sind die Ätzzeiten entsprechend dem SiO - Gehalt der Schichten und der Schichtdicke an-
Jl-
zupassen· Anwendbar ist das Bad bis zu einem SiO - Gehalt in den NiCr - Widerstandsschichten von 30%.
Ausführungsbeispiel ^n Zur näheren Illustration des erfindungsgemäßen Verfahrens soll folgendes Ausführungsbeispiel dienen· In das NiCrSiO / Cu - Schichtsystem werden zunächst die Cu - Strukturen durch fotolithografische Mikrostrukturierung übertragen mittels naßchemischen Ätzens in schwefelsaurer Kaliumdiehromatlösung, vorzugsweise 0,7mol KpCr2O7 und 1,3mol H3SO4 bei 32OK· Das Ätzen der 10/um dicken Kupferschicht erfolgt in drei Minuten· Dabei wird die freigelegte NiCrSiO - Widerstandsschicht nicht angegriffen. Die Her-
stellung der Lackmaske der Widerstandsstrukturen erfolgt fotolithographisch. Durch naßchemisches Ätzen werden die zu strukturierenden NiCrSiO - Schichten mit 2.0% SiO„ -"
-Λ. Χ
Gehalt in ein Säuregemisch aus konz. HCL und konz. HCLO.
235 86 9 θ
eingebracht. Bei einem erfindungsgemäß verwendeten Mischungsverhältnis von 1:1 und einer Temperatur von 325K beträgt die Ätzzeit der 50nm dicken Widerstandsschicht 2,5min, Die Maßabweichung der geätzten Strukturen lag unterhalb 1/um. Es konnte kein Ätzangriff des Kupfers festgestellt werden.
Claims (2)
- Erfindungsanspruoh1· Verfahren zum Ätzen von NiGr - Widerstandsschichten, insbes. solchen, die mit SiO dotiert sind, bei An-Wesenheit von Kupfer mit einer Salzsauren Lösung,
gekennzeichnet dadurch, daß eine Mischung aus Salzsäure und Perchlorsäure "bei einer Temperatur zwischen 300K bis 35OK verwendet wird. - 2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Mischung aus konzentrierter Salzsäure und konzentrierter Perchlorsäure im Verhältnis 1:1 besteht und bei 325K verwendet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD23586981A DD201462A1 (de) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Verfahren zum aetzen von nicr-widerstandsschichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD23586981A DD201462A1 (de) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Verfahren zum aetzen von nicr-widerstandsschichten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD201462A1 true DD201462A1 (de) | 1983-07-20 |
Family
ID=5535505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD23586981A DD201462A1 (de) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Verfahren zum aetzen von nicr-widerstandsschichten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD201462A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1474811A1 (de) * | 2002-02-11 | 2004-11-10 | Nikko Materials USA, Inc. | Ätzlösung zur bildung eines eingebetteten widerstands |
-
1981
- 1981-12-17 DD DD23586981A patent/DD201462A1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1474811A1 (de) * | 2002-02-11 | 2004-11-10 | Nikko Materials USA, Inc. | Ätzlösung zur bildung eines eingebetteten widerstands |
EP1474811A4 (de) * | 2002-02-11 | 2005-04-06 | Nikko Materials Usa Inc | Ätzlösung zur bildung eines eingebetteten widerstands |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3587238T2 (de) | Planarisierungsverfahren fuer halbleiter und nach diesem verfahren hergestellte strukturen. | |
DE3028249C2 (de) | Elektrische Heizeinrichtung für einen Gasdetektor | |
DE2229457B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
DE1287009B (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterkoerpern | |
DE2359511C2 (de) | Verfahren zum lokalisierten Ätzen von Gräben in Siliciumkristallen | |
DE1621477B2 (de) | Waessrige aetzloesung zum selektiven aetzen von silicium dioxid und phosphatglasschichten auf halbleiterkoerpern und verwendung der loesung zur reinigenden aetzung von halbleiterkoerpern | |
DE2351437B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit mindestens zwei Schichten aus elektrisch leitendem Material | |
DE60310528T2 (de) | Verfahren zum Festlegen einer Chalcogenidmaterial-Schicht, insbesondere in einem Verfahren zur Herstellung von Phasenumwandlungs-Speicherzellen | |
DE1289188B (de) | Metallbasistransistor | |
DD201462A1 (de) | Verfahren zum aetzen von nicr-widerstandsschichten | |
DE3617770C2 (de) | ||
DE3034980A1 (de) | Verfahren zur herstellung von verbundkoerpern | |
DE2100154C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer Oxyd-Schutzschicht vorbestimmter Form auf eine Oberfläche eines Halbleitersubstrats | |
DE2225366C3 (de) | Verfahren zum Entfernen von Vorsprängen an Epitaxie-Schichten | |
EP0168706B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von masshaltigen Titanstrukturen | |
EP0067984B1 (de) | Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens | |
DE1115838B (de) | Verfahren zum oxydierenden chemischen Behandeln von Halbleiteroberflaechen | |
DE2154120A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen | |
DE2529865C2 (de) | Wäßrige Ätzlösung zum selektiven Ätzen von Siliciumdioxidschichten auf Halbleiterkörpern | |
DE1546045C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer be stimmten Ätzstruktur in einer auf einem Halbleiterkörper befindlichen Siliziumnitridschicht | |
DE3486011T2 (de) | Verfahren zum reaktiven aetzen einer polymerschicht. | |
DE1564849C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht auf einem Halbleiterkörper | |
DE1621522B2 (de) | Verfahren zum Einbringen von nicht als Diffusionsmaske wirkenden Schichten oder von Öffnungen in eine, einen Halbleiterkörper bedeckende Siliziumnitridschicht | |
DE1621477C (de) | Wässrige Atzlösung zum selektiven Ätzen von Siliciumdioxid- und Phosphatglasschichten auf Halbleiterkörpern und Verwendung der Lösung zur reinigenden Ätzung von Halbleiterkörpern | |
DE2950541A1 (de) | Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |