DD146500A1 - Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken - Google Patents

Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken Download PDF

Info

Publication number
DD146500A1
DD146500A1 DD21623879A DD21623879A DD146500A1 DD 146500 A1 DD146500 A1 DD 146500A1 DD 21623879 A DD21623879 A DD 21623879A DD 21623879 A DD21623879 A DD 21623879A DD 146500 A1 DD146500 A1 DD 146500A1
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
photomask
photomasks
axis
photosensor
errors
Prior art date
Application number
DD21623879A
Other languages
English (en)
Inventor
Eberhard Degenkolbe
Manfred Heinze
Karl Ramlow
Joerg Schmidt
Original Assignee
Eberhard Degenkolbe
Manfred Heinze
Karl Ramlow
Joerg Schmidt
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eberhard Degenkolbe, Manfred Heinze, Karl Ramlow, Joerg Schmidt filed Critical Eberhard Degenkolbe
Priority to DD21623879A priority Critical patent/DD146500A1/de
Priority to SU807771388A priority patent/SU1142733A1/ru
Priority to DE19803037467 priority patent/DE3037467A1/de
Priority to FR8021700A priority patent/FR2468100A1/fr
Priority to GB8033396A priority patent/GB2060876B/en
Priority to JP14373880A priority patent/JPS56142533A/ja
Publication of DD146500A1 publication Critical patent/DD146500A1/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Beim Vergleich photolithografischer Strukturen sollen Pseudofehler weitestgehendst reduziert werden. Die Erfindung dient dem Ziel, Pseudofehler, die bei der Defektkontrolle von Photomasken durch die Lagefehler der Einzelbilder der Photomaske und die Maschinenfehler des Kontrollgeraetes entstehen, zu beseitigen. Dabei werden die Pseudofehler durch eine Kompensation des Lagefehlers der Einzelbilder der Photomaske in der Bildebene kompensiert. Dies erfolgt, indem jeder Photosensorzeile zur Erkennung von Defekten der Photomaske eine weitere parallel im gleichen Abstand zugeordnet ist,und das mindestens einem Objektiv im Strahlengang zwischen den Objektiven und den zugehoerigen Photosensorzeilen nacheinander zwei lichtdurchlaessige planparallele Platten zugeordnet sind, von denen jede um eine zur optischen Achse und zur Drehachse der anderen Platte der rechtwinkligen Achse schwenkbar ist.

Description

Titel: Anordnung zur automatischen Prüfung von Photomas lcen
Anwendungsgebiet 5er Erfindung;;
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Reduzierung : von Pseudofehlern beim Vergleich photolithografischer Strukturen.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen; Bei der Fertigung von Halbleiterelementen ist die Fehlerfreiheit der benutzten Photomasken für die Höhe der Ausbeute von großer Bedeutung. Durch die technologischen Herstellungsverfahren der Photomasken sind diese bereits mit Fehlern behaftet. Bei der Benutzung der Masken unterliegen diese einem Verschleiß, der bei nachfolgender Verwendung zu defekten Bauelementen führt.
Eine schnell und fehlerfrei arbeitende Mas kenprüf anord;^ . nung ist deshalb für das Erkennen von Abnutzungserscheinungen und Fehlern von Wichtigkeit.
Mit Hilfe der Methode der risuellen Inspektion der Mas-"20 ken unter dem Mikroskop können über den Zustand der Photomasken nur statistische Aussagen getroffen werden. Weiterhin sind unterschiedliche optoelektronische· Methoden zur Prüfung von Photomaskenmustern entwickelt worden» Dabei arbeiten die Anordnungen auf der Basis der Holografie oder angepaßten Filtern.
Gleichfalls sind Anordungen bekannt, bei denen das Muster in einer Rasterabtastung, mittels kohärenten Lichtes bestrichen wird.
3511
Eine weitere Grundvariante der automatischen Defektkontrolle von Photoschablonen basiert auf dem Vergleich zweier Einzelbilder der auf einem Koordinatentisch bewegten Photoschablone mittels zweier Objektive und zweier Photosensarzeilen als optisch elektronische Wandler mit elektronischer Differenzbildung· Bei dieser Anordnung v/erden die Objektive und die Photosensorzeilen auf einen Normabstand der zu vergleichenden Einzelbilder bis auf einen Restfehler eingestellt» Dieser Restfehler, der einen Maschinenfehler darstellt, und der Lagefehler der Einzelbilder der Photomaske erzeugen ein Fehlersignal, einen Pseudofehler bei der Defektkontrolle der Photomasken.
' Ziel der Erfindung;
Ziel der Erfindung ist die Beseitigung der Pseudofehler,1 die bei der Defektkontrolle von Photomasken durch die Lagefehler der Einzelbilder der Photomasken und des Ma-BChinenfehlers des Kontrollgerätes entstehen.
Darlegung des Wesens der Erfindung;; Aufgabe der Erfindung ist eine Anordnung zur Prüfung von Photomasken bei der die Pseudofehler durch eine Kompensation des Lagefehlers der Einzelbilder der Photomasken in der Bildebene und der Maschinenfehler reduziert werden·
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer Anordnung zur automatischen Prüfung von Photomasken für Halbleiterbauelemente dadurch gelöst, daß jeder Photosensorzeile zur Erkennung von Defekten der Photomaske eine weitere, parallel im gleicten Abstand vorgelagert ist, und daß mindestens einem Objektiv im Strahlengang zwischen dem Objektiv und den zugehörigen Photosensorzeiien nacheinander zwei lichtdurchlässige £&anparallele Platten zugeordnet sind,von denen jede um eine zur optischen Achse schwenkbar ist*
3511
Die Kompensation der Lagefehler der Einzelbilder der Photoinasice wird durch die Gewinnung einer Information Über den Lagefehler der Einzelbilder in der χ und y Koordinate unter Bezugnahme auf die Strukturen der ein- ' zelnen Bilder mittels zweier zusätzlicher Photosensorzeilen und ein in den χ und y Koordinaten, in der Bildebene wirkendes .Plänpiattensystem als Korrekturglied, erreicht, welches über eine elektronische Auswertung der Information über den Lagefehler der zusätzlichen Photo-10-sensorzeilen'und -elektronisch gesteuerte Stellglieder so gesteuert wird, daß die Lagefehler bei der Untersuchung ausgeglichen werden·
Ausfuhrungsbeispiel:
Die Erfindung soll anhand nachstehender schematischer ' Darstellung näher erläutert werden.
Die Pigur zeigt die erfindungsgemäße Anordnung zur Reduzierung von Pseudofehlern beim Vergleich photolithografischer Strukturen, bestehend aus einer Lichtquelle 1, einer Optik zur Strahlenteilung 11 und dem darüber befindlichen Untersuchungsobjekt 2* Über dem Untersuchungsobjekt, der Photomaske 2, befinden sich die Objektive 3 und 4· Den Objektiven 3 und 4 nachgeordnet sind die optischen Bauelemente 5 und 6 sowie 7 und 8 zur Lenkung der Strahlengänge 17 und 18 auf ein Tubussystem ^Qund 10.
im Strahlengang 17 befinden sich, dem Tubussystem nachgeordnet, vor den Photosensorzeilen 14 und 16 die Planplatten 10 und 11. Im Strahlengang 18 sind dem Tubussystem 9 nachgeordnet die Photosensorzeilen 13 und 15. Ausgehend von einer Lichtquelle 1 und optischen Mitteln zur Strahlenteilung 1· erfolgt eine Abbildung eines definierten Teils zweier Einzelbilder der Photomaske 2 in den Objektiven 3 und 4· '
3511
Per aus dem Objektiv 3 austretende Abbildungsstrahlengang 18 wird mittels einem Prisma 5 und einem Spiegel 7 auf ein Tubussystem 9 projiziert, daß die Photosenorzei-Ie 13 zur Erkennung der Lagefehler und die Photosensorzeile 15 zur Erkennung der Defekte der Photoschablone 2 ausleuchtet·
Der aus dem Objektiv 4 austretende Abbildungsstrahlengang 17 wird mittels einem Prisma 6 und einem Spiegel 8 auf ein Tubussystem 10 projiziert. Diesem Tubussystem 10,
-JO im Strahlengang 17> sind zwei Planplatten 11 und 12 nachgeordnet, von denen die Planplatte 11 um die X-Achse die Planplatte 12 um die Y-Achse der x, y Ebene schwenkbar ist Eine Korrektur des Lagefehlers, eines Teils eines Einzelbildes der Photomaske 2 ist somit durch die gewonnene Information über den Lagefehler eines Teils des Einzelbildes der Photomaske 2 durch die Photosensorzeile 14 möglich. Der korrigierte Abbildung3strahlengang 17' gelangt auf die Photosensorzeile 16 zur Untersuchung von Defekten der Photoschablone 2.
3511

Claims (1)

  1. Erfindunffsanspruch:
    Anordnung zur automatischen Prüfung von Photomasken * für Halbleiterbauelemente, bestehend aus mindestens einer Lichtquelle, zwei voneinander unabhängigen Objektiven gleicher optischer Eigenschaften zur Abbildung je eines Einzelbildes der Photomasks auf je eine den Einzelbildern in Richtung des einfallenden Lichtes nachgeordne ten Photosensorzeile zur Erkennung von Defekten der Photomaske und einer Einrichtung zur Bewegung der zu untersuchenden Photomaske in mindestens zwei Richtungen parallel zur Photomaske, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Photosensorzeile eine weitere parallel im gleichen Abstand vorgelagert ist, und daß mindestens einem Objektiv im Strahlengang zwischen dem Objektiv und den zugehörigen Photosensorzeilen nacheinander zwei lichtdurchlässige planparallele Platten zugeordnet sind, von denen jede um eine zur optischen Achse und zur Drehachse der anderen Platte rechtwinkligen Achse schwenkbar ist»
    Hierzu 1 Seite Zeichnungen
    3511
DD21623879A 1979-10-16 1979-10-16 Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken DD146500A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD21623879A DD146500A1 (de) 1979-10-16 1979-10-16 Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken
SU807771388A SU1142733A1 (ru) 1979-10-16 1980-09-22 Устройство дл автоматического контрол фотошаблонов
DE19803037467 DE3037467A1 (de) 1979-10-16 1980-10-03 Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken
FR8021700A FR2468100A1 (fr) 1979-10-16 1980-10-10 Dispositif pour le controle automatique de photo-masques
GB8033396A GB2060876B (en) 1979-10-16 1980-10-16 Testing photomasks
JP14373880A JPS56142533A (en) 1979-10-16 1980-10-16 Automatic photographic mask testing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD21623879A DD146500A1 (de) 1979-10-16 1979-10-16 Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD146500A1 true DD146500A1 (de) 1981-02-11

Family

ID=5520612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD21623879A DD146500A1 (de) 1979-10-16 1979-10-16 Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS56142533A (de)
DD (1) DD146500A1 (de)
DE (1) DE3037467A1 (de)
FR (1) FR2468100A1 (de)
GB (1) GB2060876B (de)
SU (1) SU1142733A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0070017A1 (de) * 1981-07-14 1983-01-19 Hitachi, Ltd. Mustererkennungssystem

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58204346A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Nippon Jido Seigyo Kk パタ−ンの欠陥検査装置
JP3069417B2 (ja) * 1991-11-21 2000-07-24 シャープ株式会社 位相シフトマスクの検査方法
WO2005026706A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-24 Applied Materials Israel, Ltd. Method for high efficiency multipass article inspection

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5265671A (en) * 1975-11-26 1977-05-31 Nippon Jidoseigyo Ltd Apparatus for testing defects in pattern
JPS5419664A (en) * 1977-07-15 1979-02-14 Nippon Jidoseigyo Ltd Device for inspecting fault of pattern

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0070017A1 (de) * 1981-07-14 1983-01-19 Hitachi, Ltd. Mustererkennungssystem

Also Published As

Publication number Publication date
DE3037467A1 (de) 1981-04-30
FR2468100B1 (de) 1984-02-24
GB2060876B (en) 1983-12-21
FR2468100A1 (fr) 1981-04-30
GB2060876A (en) 1981-05-07
SU1142733A1 (ru) 1985-02-28
JPS56142533A (en) 1981-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3318980C2 (de) Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken
DE69133544T2 (de) Vorrichtung zur Projektion eines Maskenmusters auf ein Substrat
DE2557675C2 (de) Verfahren zum Ausrichten von mit zwei Markierungen von bekanntem Abstand versehenen planaren Werkstücken
DE102015213045B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturelementen einer photolithographischen Maske
DE3104007A1 (de) Projektions-druckgeraet
DE2802416A1 (de) Optische vorrichtung
DE2900921C2 (de) Verfahren zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstück
DE3114682A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von einander beabstandeter masken- und waferelementen
DE3428408C2 (de)
DE102007000999B4 (de) Verfahren zur Beseitigung von Fehlerquellen der Systemkorrektur einer Koordinaten-Messmaschine
DE3342719C2 (de) Positionierungseinrichung in einem Projektionsbelichter
DE102007033345B4 (de) Verfahren zur Korrektur von Abbildungsfehlern einer Messoptik einer Koordinaten-Messmaschine
DE102007036850B4 (de) Verfahren zur Korrektur von Nichtlinearitäten der Interferometer einer Koordinaten-Messmaschine
EP0025036B1 (de) Verfahren zur scharfeinstellung eines maskenbildes auf ein werkstück
DE60033258T2 (de) Einrichtung zur Bestimmung eines Positionsfehlers
DD219567A5 (de) Verfahren und geraet fuer die fehlerpruefung von uebertragungsmasken von leitungsmustern integrierter schaltungen
DE102007000981B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist
DE19817714B4 (de) Verfahren zur Messung der Lage von Strukturen auf einer Maskenoberfläche
DE102020211700A1 (de) Messverfahren und Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder Orientierung eines optischen Elements, sowie Projektionsbelichtungsanlage
DD146500A1 (de) Anordnung zur automatischen pruefung von photomasken
DE102014215439B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Struktur
DE102007036815B4 (de) Verfahren zur Bestimmung des durch die Substrattopologie und eine Koordinaten-Messmaschine bedingten systematischen Fehlers bei der Vermesung von Positionen von Kanten von Strukturen eines Substrats
DE10355681A1 (de) Direkte Justierung in Maskalignern
DE102019215799A1 (de) Verfahren zur Kalibrierung eines Sensors und Vorrichtung zur Kalibrierung eines Sensors
EP1136787B1 (de) Objektabbildung mit Abstandskompensation ( Grösse, Farbe )

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee