DD143331A1 - Filmtraegerbonden und zwischentraeger - Google Patents
Filmtraegerbonden und zwischentraeger Download PDFInfo
- Publication number
- DD143331A1 DD143331A1 DD21255679A DD21255679A DD143331A1 DD 143331 A1 DD143331 A1 DD 143331A1 DD 21255679 A DD21255679 A DD 21255679A DD 21255679 A DD21255679 A DD 21255679A DD 143331 A1 DD143331 A1 DD 143331A1
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- bonding
- metal
- layer
- film carrier
- chips
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft das Filmträgerbonden mit elektrischer
Zwischenprüfung der Chips sowie einen speziell strukturierten
Zwischenträger, Die Erfindung hat das Ziel, die Kosten für das
Filmträgerbonden mit möglicher elektrischer Zwischenprüfung der
Chips zu senken. Die Erfindung löst die Aufgabe, beim Filmträgerbonden
mit elektrischer Zwischenprüfung der Chips nach dem Innenbonden
billigere Isolationsschichten und Kleber als bisher einsetzen zu
können. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß
mindestens bis zum Schritt ,,Chips innenbonden*‘ ein
Einschicht-Zwischenträger aus Metall verwendet und erst danach eine
mit Ausschnitten versehene Isolationsschicht aufgebracht wird.
- Fig.2 -
Description
-4- Zl 2 55
Filmträgerbonden und Zwischenträger
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft das Filmträgerbonden, d.h. die Kontaktierung von Halbleiterbauelementen (Chips) unter Verwendung von bandartigen Zwischenträgern mit kinofilmartiger Perforation an den Rändern, wobei eine elektrische Zwischenprüfung der Chips nach dem Innenleiterbonden möglich ist, und einen eigens hierfür strukturierten Zwischenträger.
Charakteristik der bekannten technischen lösungen
Das Filmträgerbonden ist als produktives Bondverfahren bekannt. Der Zwischenträger besteht aus einer, zwei oder drei Schichten.
Die Mehrschichtigen Ausführungen - Metall- und Isolationsschicht bzw. Metall-, Kleber- und Isolationsschicht - haben den Vorzug, daß die Isolationsschicht die strukturierte Metallschicht mechanisch versteift und die Leiterbahnen elektrisch isoliert. Eine Isolationsschicht ist insbesondere zur elektrischen Zwischenprüfung der Chips nach dem Innenbonden erforderlich.
Zur Zwischenprüfung ist es erforderlich, daß die Leiter voneinander elektrisch isoliert angeordnet sind. Andererseits ist für eine vorherige galvanische Veredelung der Leiter ihre elektrische Verbindung erforderlich. Das bedeutet, daß zunächst eine elektrische Verbindung vorgesehen sein muß, die dann durchtrennt werden muß.
In einer bekannten Ausführung der Metallstruktur sind die isoliert angeordneten Leiterbahnen und Außenkontaktfläch en über
den Außenkohtaktbereich hinaus mit dünnen Leiterzügen verlängert, die sich in vier Ringen vereinigen. Zunächst kann der Chip nach dem Innenbonden thermisch belastet werden. Spätestens jetzt müssen die dünnen Leiterzüge durch Ausstanzen der Ringe elektrisch getrennt werden und es folgt die elektrische Prüfung. Durch die Metallstrukturierung weit- über den Außenkontaktierbereich hinaus entsteht ein Gebilde, das ohne die stützende Isolationsschicht noch vor dem Ausstanzen der Ringe völlig instabil wäre.
Die Isolationsschicht und der evtl. Kleber zwischen Isolationsund Metallschicht werden während des Filmträgerbondens chemisch stark beansprucht. Die Metallfolie muß geätzt und galvanisch veredelt werden. Es entstehen thermische Belastungen bei den Einlaufprozessen (burn in), bei der Innen- und evtl. bei der Außenkontaktierung. Somit können nur extrem temperaturbeständige und chemisch belastbare Isolationsmaterialien und Kleber eingesetzt werden. Die Zwischenträger v/erden damit sehr teuer.
Einschicht-Zwischenträger sind zwar billiger, lassen aber keine elektrische Zwischenprüfung der Chips nach dem Innenbonden zu. Durch die weitere Verarbeitung fehlerhafter Chips entstehen in der Folge größere Kosten als beim Filmträgerbonden mit Mehrschichtträgern und elektrischer Zwischenprüfung der Chips.
Ziel der Erfindung - - . .
Die Erfindung hat das Ziel, die Kosten für das Filmträgerbonden mit möglicher elektrischer Zwischenprüfung der Chips zu senken.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Die Erfindung löst die Aufgabe, beim Filmträgerbonde'n mit elektrischer Zwischenprüfung der Chips nach dem Innenbonden billigere Isolationsschichten und Kleber als bisher einsetzen zu können· ·
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß mindestens bis zum Schritt "Chips Innenbonden" ein Einschicht-Zwischenträ-
ger aus Metall verwendet und erst danach eine mit Ausschnitten versehene Isolationsschicht aufgebracht wird·
Die Isolationsschicht wird vorzugsweise erst vor dem Schritt "elektrische Verbindungen durchtrennen" aufgebracht. Sie unterliegt dann keinen hohen Belastungen durch Ätz-, Veredelungs-, Kontaktier- oder Einlaufprozessen mehr. Damit kann ein billigeres Material angewendet werden. · ...
Ist um die Innenbondflache herum ein zusätzlicher Schutzring erforderlich, dann kann er vorher aufgebracht werden. Da er vom Gehäuse umschlossen wird, mußte er aus höherwertigemMaterial nach Norm bestehen und kann daher auch alle belastenden Verfahrensschritte durchlaufen· .
Entweder ist also überhaupt kein hochwertiges Isolationsmaterial erforderlich oder nur in wesentlich geringeren Mengen.
Das Verfahren ist nur anwendbar, wenn die Metallschicht,so wie im Erfindungsanspruch angegeben und im Ausführungsbeispiel näher erläutert,strukturiert wird.
Ausführungsbeispiel
In den Zeichnungen zeigen
Pig. 1 einen erfindungsgemäßen Zwischenträger, bei dem die Leiterenden außerhalb des Außenbondbereiches in einer Metallfläche enden
Mg· 2 den zu Fig. 1 gehörenden Stansschnitt
Fig. 3 einen erfindungsgemäßen Zwischenträger, bei dem die leiterenden im Außenbondbereich in einer Metallfläche enden und zusätzliche Durchbrüche außerhalb des Außenbondbereiches vorgesehen sind.
Fig. 4 den zu Fig. 3 gehörenden Stansschnitt.
Ein Einschicht-Zwischenträger aus Metall wird gemäß Fig.V oder Fig. 3 strukturiert, Durch die Besonderheit der Struktur entsteht außerhalb des Außenbondbereiches ein im Gegensatz, zu bisherigen Strukturen mechanisch steifer Zwischenträger. Er hat
wie üblich die kineartige Perforation 1. Die leiter 2 enden außerhalb des Außenbondbereiches 3 in der Metallschicht. In der anderen Variante sind ihren Enden gegenüber zusätzliche Durchbrüche 5 angeordnet. Der Innenbondbereich 4 ist zur Aufnahme des Chips vorgesehen. Er kann zusätzlich durch einen Schutzring aus Polyimid versteift v/erden.
Die in den Pig. 1 oder 3 gezeigte Struktur wird geätzt, die Leiter ggf· veredelt, das Chip innen gebondet und thermisch belastet (burn in).
Danach wird eine Isolationsschicht 6 aus Polyester mit den Ausschnitten 7, die außerhalb der Außenkontaktierfläche enden, aufgebracht, z.B. aufgeklebt. Der nächste Schritt ist das Trennen der elektrischen Verbindungen durch Stanzen nach den Figuren 2 bzw. 4· Dann wird elektrisch geprüft und das Bauelement wie üblich fertiggestellt.
Claims (4)
- Erfindungsahspruch1. Filmträgerbonden unter Verwendung eines Zwischenträgers mit den Schritten Metallfolie strukturieren und ggf. veredeln, Chips innenbonden, thermisch belasten ("burn in), elektrische Verbindungen durchtrennen, elektrisch prüfen, ausstanzen und außenkontaktieren, gekennzeichnet dadurch, daß mindestens bis .zum Schritt "Chips innenbonden" ein Einschicht-Zwischenträger aus Metall verwendet und erst danach eine mit Ausschnitten versehene Isolationsschicht aufgebracht wird.
- 2. Filmträgerbonden nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Isolationsschicht erst vor dem Schritt "elektrische Verbindungen durchtrennen" aufgebracht wird.
- 3. Filmtragerbonden nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß' vor dem Schritt "Chip innenbonden" auf der Metallschicht in der Nähe des Innenkontaktierbereich.es ein Schutzring befestigt wird, der eine höhere Materialqualität als die Isolationsschicht hat.
- 4. Zwischenträger für ein Filmträgerbonden, bei dem bis zum Schritt "Chips innenbonden" ein Einschicht-Zwischenträger aus Metall verwendet und erst danach eine mit Ausschnitten versehene Isolationsschicht aufgebracht wird, gekennzeichnet dadurch, daß die Leiterbahnen über den Außenkontaktierbereich hinaus in der verbleibenden Metallfläche enden und ggf« ihren Enden gegenüber in dieser Metallfläche zusätzliche Durchbrüche angebracht sind.K/erzu bieten Zeichnungen
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD21255679A DD143331A1 (de) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Filmtraegerbonden und zwischentraeger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD21255679A DD143331A1 (de) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Filmtraegerbonden und zwischentraeger |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD143331A1 true DD143331A1 (de) | 1980-08-13 |
Family
ID=5517898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD21255679A DD143331A1 (de) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Filmtraegerbonden und zwischentraeger |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD143331A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0113763A1 (de) * | 1982-07-12 | 1984-07-25 | Motorola Inc | Montagerahmen und verfahren. |
-
1979
- 1979-04-27 DD DD21255679A patent/DD143331A1/de unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0113763A1 (de) * | 1982-07-12 | 1984-07-25 | Motorola Inc | Montagerahmen und verfahren. |
EP0113763A4 (de) * | 1982-07-12 | 1984-11-16 | Motorola Inc | Montagerahmen und verfahren. |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2554965C2 (de) | ||
DE19959938C2 (de) | Herstellungsverfahren einer eine Gehäusestruktur aufweisenden Halbleitervorrichtung | |
DE69938582T2 (de) | Halbleiterbauelement, seine herstellung, leiterplatte und elektronischer apparat | |
DE112011105113B4 (de) | Elektronische Komponente und Herstellungsverfahren dafür | |
DE4008624A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur | |
DE3913221A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE4126757A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum hierarchischen bandautomatisierten bonden | |
DE10240461A1 (de) | Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3428881A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsvorrichtung | |
EP1078451A1 (de) | Elektronisches bauelement | |
DE1956501C3 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung | |
DE69535361T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und eine Halbleitervorrichtung | |
DE19522338B4 (de) | Chipträgeranordnung mit einer Durchkontaktierung | |
DE3335848A1 (de) | Verfahren zum verbinden eines aluminiumdrahtes | |
DE10124970B4 (de) | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einer Halbleiterchip-Anschlußplatte, Systemträger und Verfahren zu deren Herstellung | |
EP1786034A2 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE3138743A1 (de) | In einem dichten gehaeuse montiertes oberflaechenwellenfilter und dergleichen | |
DE1564107A1 (de) | Gekapselte Halbleiteranordnung | |
DD143331A1 (de) | Filmtraegerbonden und zwischentraeger | |
DE4442295A1 (de) | Halbleitervorrichtung in Druckverbindungsausführung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3922671A1 (de) | Akustoelektronisches bauelement mit einer oberflaechenwellenanordnung und einer elektronischen halbleiterschaltung | |
EP0090820A1 (de) | Elektronische dünnschichtschaltung und deren herstellungsverfahren. | |
DE19529490A1 (de) | Chipkontaktierungsverfahren, damit hergestellte elektronische Schaltung und Trägersubstrat zur Kontaktierung von Chips | |
DE2326861A1 (de) | Verfahren zum gegenseitigen verbinden von elektronischen mikrobausteinen und nach einem solchen verfahren hergestellte verbindungssubstrate und hybridschaltungen | |
DE102006013853A1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit großflächigen Außenkontakten sowie Verfahren zur Herstellung desselben |