CZ301396B6 - Kovový tantalový prášek obsahující dusík, zpusob jeho prípravy, porézní slinuté teleso a elektrolytický kondenzátor jej obsahující - Google Patents
Kovový tantalový prášek obsahující dusík, zpusob jeho prípravy, porézní slinuté teleso a elektrolytický kondenzátor jej obsahující Download PDFInfo
- Publication number
- CZ301396B6 CZ301396B6 CZ20022680A CZ20022680A CZ301396B6 CZ 301396 B6 CZ301396 B6 CZ 301396B6 CZ 20022680 A CZ20022680 A CZ 20022680A CZ 20022680 A CZ20022680 A CZ 20022680A CZ 301396 B6 CZ301396 B6 CZ 301396B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- nitrogen
- metal powder
- tantalum
- niobium
- containing metal
- Prior art date
Links
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 178
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 81
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 3
- WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta+5] WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 111
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 90
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 49
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 41
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 13
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 10
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- -1 tantalum halide Chemical class 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910012375 magnesium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 10
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 4
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 3
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 2
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- ZYTNDGXGVOZJBT-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb].[Nb].[Nb] ZYTNDGXGVOZJBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- APLLYCDGAWQGRK-UHFFFAOYSA-H potassium;hexafluorotantalum(1-) Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[Ta+5] APLLYCDGAWQGRK-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020549 KCl—NaCl Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XZGGQBBRFYZKTL-UHFFFAOYSA-L dichlorotantalum Chemical compound Cl[Ta]Cl XZGGQBBRFYZKTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M sodium chloride Inorganic materials [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- UDKRLEXYBPHRQF-UHFFFAOYSA-K trichlorotantalum Chemical compound Cl[Ta](Cl)Cl UDKRLEXYBPHRQF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- UDKYUQZDRMRDOR-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W][W] UDKYUQZDRMRDOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
- B22F1/056—Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B34/00—Obtaining refractory metals
- C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
- C22C32/0068—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only nitrides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Vynález poskytuje jemný kovový prášek, obsahující dusík, a který obsahuje kov jako je niob nebo tantal, ve kterém je rovnomerne obsažen dusík, a který umožnuje výrobu anodové elektrody, která má vysokou hodnotu kapacitního odporu a nízké unikání proudu, pricemž projevuje vynikající spolehlivost po velmi dlouhé casové období. Kovový prášek obsahující dusík, který je tuhým roztokem obsahujícím 50 až 20 000 ppm dusíku a kde je kovem, který tvorí tento kovový prášek niob nebo tantal, je pripraven zpusobem, pri nemž zatímco je niobová nebo tantalová sloucenina redukována redukcním cinidlem, do reakcního systému je zaváden plyn, obsahující dusík, takže dochází ke vzniku niobu nebo tantalu, a soucasne je do kovu zaclenován dusík. Porézní slinuté teleso, které obsahuje kovový prášek, obsahující dusík, a tuhý elektrolytický kondenzátor obsahující tento prášek, má jen nízké unikání proudu a projevuje vynikající spolehlivost po dlouhé casové období.
Description
Kovový tantalový prášek obsahující dusík, způsob jeho přípravy, porézní slinuté těleso a elektrolytický kondenzátor jej obsahující
Oblast techniky
Předkládaný vynález se týká kovového prášku obsahujícího dusík, který je vhodný k používání pro anodovou elektrodu tuhého elektrolytického kondenzátoru, způsobu přípravy takového prášku, a dále se týká porézního slinutého tělesa, připraveného s použitím tohoto prášku a tuhého io elektrolytického kondenzátoru vyrobeného s použitím uvedeného prášku.
Dosavadní stav techniky is V posledních letech je na elektronickém integrovaném obvodu požadováno, aby u něj bylo možné buzení při nízkém napětí, aby měl vysokou frekvenci a nízký šum. Také je požadován takový tuhý elektrolytický kondenzátor, který by měl nízkou ESR a ESL. Kovový prášek, který je vhodný pro použití pro anodovou elektrodu tuhého elektrolytického kondenzátoru, může také obsahovat například prášek z niobu, tantalu, titanu, wolframu nebo molybdenu.
Tantalový kondenzátor, typický kondenzátor, který má malou velikost, nízkou hodnotu ESR a vysokou hodnotu kapacitního odporu, se rychle stává oblíbeným jako komponenta v článcích ve sluchátkách a v osobních počítačích. Zejména totiž ve vyhlazovacím obvodu výjimečného zdroje energie mikroprocesoru, musí mít kondenzátor vysokou hodnotu kapacitního odporu (vysokou hodnotu CV) a nízkou hodnotu ESR. Hodnota kapacitního odporu tantalového kondenzátoru se efektivně zvětšuje se zvětšováním plochy povrchu jemného kovového prášku, který se přitom použije. Z tohoto důvodu je vyvíjen pokud možno co nejvíce jemný tantalový prášek. V současné době je používaný způsob, při kterém je termicky redukován fluorid draselno-tantaličitý a sice za použití sodíku, přičemž se takto získaný primární prášek potom termicky agreguje a deoxiduje; jo tímto uvedeným způsobem se vyrábí ve velkých množstvích tantalový prášek, který má hodnotu BET specifickou plochu povrchu 1 m2/g (střední primární velikost částic, která je vztažená na specifickou plochu povrchu (d;o) - 400 nm) a jehož hodnota specifického kapacitního odporu činí 50 000 CV.
Niobový kondenzátor byl dlouho studován jako tuhý elektrolytický kondenzátor vzhledem k tomu, že oxid niobu má vysokou hodnotu dielektrické konstanty a niob je poměrně levný v porovnání s tantalem. Nicméně však tento kondenzátor dosud není prakticky využíván, a to z důvodu nízké spolehlivosti oxidového filmu připraveného anodickým okysličováním. Zejména pokud je niob oxidován anodickým okysličováním při vysokém napětí, dochází ke krystalizací amorfního filmu, a tím se zvětšuje unikání proudu a u kondenzátoru dochází často k přerušení.
Nicméně však nedávno existoval elektronický obvod s buzením při nízkém napětí, kde může být napětí při anodickém okysličování sníženo. Shodně s tímto trendem může být s výhodou používán v praxi niobový kondensátor, a to vzhledem k tomu, že u niobu lze dosáhnout spolehlivosti při nízkém napětí při anodickém okysličování. Zejména potom jako náhrada hliníkového elektrolytického kondenzátoru, se niobový kondenzátor, který má vysokou hodnotu kapacitního odporu a nízkou hodnotu ESR a rovněž nízkou hodnotu ESL v porovnání s hliníkovým elektrolytickým kondenzátorem, stává pro další rozvoj velmi zajímavým.
Aby bylo možné vyrobit niobový kondenzátor o vysokém kapacitním odporu, musí mít niobový prášek který je používaný v takovémto kondenzátoru, střední primární velikost částic takovou, aby byla redukována na hodnotu BET specifické plochy povrchu (dí0) 500 nm nebo nižší, s výhodou pak 400 nm nebo nižší, přičemž je použitý stejný způsob jako je tomu v případě tantalového prášku. V současné době patří mezi známé způsoby přípravy jemného niobového prášku takový způsob, při kterém je fluoroniobičnan draselný redukován pomocí sodíku (patent
- I CZ 301396 Bó
US 4 684 399); dále potom je to způsob, při kterém je chlorid niobičný redukován vodíkem v plynné fázi (japonská patentová přihláška (kokať) 6-25701); a dále potom způsob, při kterém je niobový prášek o velké hodnotě specifické plochy povrchu získáván pomocí rozmělňování (WO 98/19811).
Z těchto způsobů, prováděných obvykle v plynné fázi, se získávají superjemné niobové částice z monodisperze, přičemž když se utváří porézní slinuté těleso a toto kompaktní hutné stlačené těleso je oxidováno pomocí anodického okysličování, dochází k izolování zúžené Části, tj. tato zúžená část je rozlomena. Zvláště pak při způsobu v plynné fázi nelze takto ale získat niobový io prášek, který by byl vhodný k použití pro anodovou elektrodu. Při způsobu drcení je sice niobový prášek poměrně snadno získávaný s vysokou efektivitou, avšak tvar částic není pravidelný a distribuce velikosti částic se stává velmi široká, a tedy pak tyto částice způsobují problémy, pokud jsou použity pro anodovou elektrodu.
Aby tudíž bylo možné vyrobit takové částice niobového prášku, jejichž tvar by byl řetězcovitého typu, neboť právě částice takového typu tvaru jsou vhodné pro použití pro anodovou elektrodu, přičemž se u takovýchto částic projevuje ostrý pík v distribuci velikosti částic, se jeví jako výhodné použití způsobu v kapalné fázi, jako je způsob redukce roztavené soli fluoridu draselného se sodíkem nebo způsob redukce chloridu niobičného s roztaveným kovem.
Pokud se pro přípravu anodové elektrody o vysokém kapacitním odporu použije jemný tantalový prášek, potom se u něj projevuje tendence k tomu, aby během tepelného zpracování nebo oxidace docházelo ke tvorbě krystalického oxidu, a v důsledku toho může docházet ke zvýšenému unikání či propouštění proudu. K tomu dochází tak, že se zvětšuje plocha povrchu tohoto prášku, a rovněž se zvyšuje množství kyslíku v prášku. Nahodile pak dochází k tomu, že napětí při anodickém okysličování pro vznik filmu dielektrického oxiduje snižováno v souhlasu s poklesem jmenovitého napětí kondenzátorů. Z toho důvodu se u vzniklého dielektrického oxidového filmu projevuje sklon k tomu, aby se stával tenkým, a proto pak není tento film dobrý z hlediska dlouhodobé spolehlivosti a to navzdory vysokému kapacitnímu odporu.
Z hlediska výše uvedeného pohledu, je pro potlačení efektu kyslíku a zvýšení spolehlivosti tenkého filmu uvedené slinuté těleso nebo dielektrický oxidový film po vyrobení dopován dusíkem.
Tak například v patentu US 5 448 447 je popisován způsob, při kterém je oxidový film, vyrobený anodickým okysličováním, dopovaný dusíkem, aby se tak snížilo unikání proudu z filmu při vysoké teplotě. Dále pak ve WO 98/37249 je uvedený způsob dopování tantalového prášku o vysoké hodnotě kapacitního odporu, kdy dochází ke stejnoměrnému dopování dusíkem; při tomto způsobu je přidáván chlorid amonný pro redukování tantalového prášku a do směsi je zaváděn dusík a sice současně s termickou aglomerací uvedené směsi.
Mezi jiné další způsoby patří snižování unikání proudu u Nb-Ό filmu, který je vyráběn pokovováním rozprašováním niobu, dopováním filmu dusíkem (K. Sasaku a kok, Thin Solid Films, 74 (1980), str. 83 až 88); a zlepšení unikání proudu anody použitím slinutého tělesa nitridu niobu jako anody (WO 98/38600).
Japonská patentová přihláška (kokai) 8-239207 uvádí způsob nitridace zahříváním, při němž je tantalový nebo niobový prášek, který je získaný redukcí, v průběhu termické aglomerace nebo deoxidace, zahříván v atmosféře plynu, obsahujícího dusík.
Při obvyklých způsobech probíhá nitridování na povrchu prášku nebo filmu, a proto je rychlost nitridování určována difúzí dusíku. Ve výsledku pak mají tyto povrchy tendenci k tomu, aby byly nitridovány nestejnoměrně.
Pokud množství dusíku v kovovém prášku přesáhne hodnotu 3000 ppm, pak například v případě tantalového prášku dochází ke vzniku krystalického nitridu jako je TaN0,o4, TaN0i4, nebo pak
I
-2cz juijvo bó
Ta2N. Pokud se prášek dále dopuje dusíkem, potom vzniká krystalická fáze, která obsahuje převážně TaN nebo Ta2N. Jestliže je použitý prášek, který obsahuje takovýto krystalický nitrid, potom dochází ke snižování hodnoty specifického kapacitního odporu dané anodové elektrody a taktéž ke snižování spolehlivosti dielektrického filmu.
Zatím je situace taková, že pokud je slinuté těleso nebo dielektrický film po vyrobení dopován dusíkem, vyžaduje se přídavný dodatečný způsob nitridování, přičemž však výsledná produktivita je velmi slabá.
io Je tedy zapotřebí nalézt takovou kovovou sloučeninu, v níž je jemný niob nebo tantal stejnoměrně dopován přiměřeným množstvím dusíku, nedochází ke tvorbě krystalické nitridové sloučeniny, a dusík je obsažený ve formě tuhého roztoku v kovové krystalické mřížce.
Podstata vynálezu
Vynález se týká kovového prášku obsahujícího dusík, který se skládá z tantalu, obsahující 50 až 20 000 ppm dusíku ve formě tuhého roztoku, přičemž tento kovový prášek obsahuje dusík který má střední velikost částic 80 až 360 nm.
Vzhledem kvýše uvedenému je předmětem tohoto vynálezu poskytnutí jemného kovového prášku obsahujícího dusík, ve kterém je dusík rovnoměrně obsažen ve formě tuhého roztoku v kovové krystalické mřížce, a to při vysoké produktivitě, a dále pak poskytnutí tuhého elektrolytického kondenzátoru, který by měl vysokou hodnotu specifického kapacitního odporu, přičemž by docházelo jen k nízkému unikání proudu, a který by projevoval vynikající spolehlivost po velmi dlouhé časové období.
Kovový prášek obsahující dusík podle tohoto vynálezu je tuhý roztok obsahující 50 až 20 000 ppm dusíku, vyznačující se tím, že uvedený kov, z něhož tento kovový prášek sestávaje niob nebo tantal.
Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle tohoto vynálezu je charakterizován tím, že použitá niobová nebo tantalová sloučenina je redukována pomocí redukčního činidla, přičemž je do reakčního systému zaváděný plyn, který obsahuje dusík, kdy dochází ke vzniku niobu nebo tantalu, a současně je do niobu nebo tantalu začleňován dusík.
S výhodou je výše uvedená sloučenina niobu nebo tantalu sůl fluoridu draselného nebo halogenid.
S výhodou je výše uvedená sloučenina niobu nebo tantalu fluoroniobát draselný.
Je výhodné, když výše uvedené redukční činidlo je alespoň jedna látka, která je vybraná ze skupiny, kterou tvoří hydrid sodíku, hydrid hořčíku, hydrid vápníku, nebo plyn obsahující dusík.
Při výše uvedeném způsobu je výhodné, je-li uvedený kovový prášek obsahující dusík, tuhý roztok obsahující 50 až 20 000 ppm dusíku.
Dále je výhodné, pokud výše uvedený plyn obsahující dusík, obsahuje čistý dusíkový plyn a/nebo plyn, který generuje dusík, přičemž ke generování dusíku dochází zahříváním plynu.
Porézní slinuté těleso tvořené kovovým práškem obsahujícím dusík podle tohoto vynálezu je vhodně používáno jako anodová elektroda.
Kovový prášek obsahující dusík podle tohoto vynálezu je prášek z niobu nebo tantalu, který obsahuje 50 až 20 000 ppm dusíku ve formě tuhého roztoku. Pokud je dusík začleněn do kovu ve
-3CZ 301396 B6 formě tuhého roztoku, potom mřížková konstanta kovového krystalu kolísá, a tedy potom může být začlenění dusíku do kovu do formy tuhého roztoku determinováno posunem v poloze kovového píku v difrakci rentgenového záření.
Niob nebo tantal je s výhodou používán u elektrody tuhého elektrolytického kondenzátoru, vzhledem k tomu že elektroda má vysokou hodnotu specifického kapacitního odporu. Například pokud je tantal tuhý roztok obsahující 4000 ppm dusíku, potom vzdálenost (d) mezi (110) rovinami kovového tantalu vzniká pak 0,1%, tj. od d~ 0,23375 nm (2,3375 A) do d-0,23400 nm (2,23400 A).
Kovový prášek obsahující dusík podle tohoto vynálezu má střední velikost částic na bázi BET specifické plochy povrchu 80 až 500 nm, s výhodou potom 80 až 360 nm. Pokud jsou kovové částice obsahující dusík a které mají takovouto střední velikost, použity pro výrobu porézního slinutého tělesa a toto kompaktní těleso by bylo použito jako anodová elektroda tuhého elektro15 lytického kondenzátoru, potom by takováto elektroda měla mít vysokou hodnotu kapacitního odporu, což je výhodné.
Výše uvedený kovový prášek obsahující dusík lze vyrobit způsobem, který je popsaný výše. Při tomto způsobu je niobová nebo tantalová sloučenina je redukována, přičemž je do reakčního systému zaváděn plyn, který obsahuje dusík, a dochází ke vzniku niobu nebo tantalu, a současně je do niobu nebo tantalu začleňován dusík. V tomto případě může být reakce prováděna v systému používajícím kapalnou fázi nebo v systému používajícím plynnou fázi, přičemž redukce se provádí za současného zavádění dusíku.
Pokud se týká typu niobové sloučeniny nebo tantalové sloučeniny, která má být použita podle předloženého vynálezu, nejsou zde stanovena žádná zvláštní omezení, avšak výhodnými jsou pro toto zde uvedené použití draselné fluoridové soli nebo halogenidy niobu a tantalu. Takovýmito draselnými fluoridovými solemi mohou být například K2TaF7, K2NbF7, a K2NbF6. Mezi takovéto halogenidy patří například ty, které jsou vybrané ze skupiny, do které patří chloridy jako je chlo30 rid niobičný, subchlorid niobu, chlorid tantaličný, subchlorid tantalu; jodidy; a bromidy. Mezi niobové sloučeniny pak zejména patří například fluoroniobáty, jako je fluoroniobát draselný, a dále pak oxidy, jako je například oxid niobičný.
Mezi redukční činidla patří například taková, jež jsou vybrána ze skupiny, do které patří alkalické kovy a kovy alkalických zemin jako je sodík, hořčík a vápník; dále potom hydridy těchto kovů, jako je hydrid hořčíku a hydrid vápníku; a dále pak redukční plyny, jako je plyn, obsahující vodík.
Mezi takovéto plyny, které obsahují dusík, patří například takové, které jsou vybrány ze skupiny, do které patří plyny obsahující čistý dusík a plyny, které obsahují plyn, jež generuje dusík, přičemž je dusík generovaný pomocí zahřívání. Mezi plyny, které generují dusík, patří například amoniak a močovina. Pro efektivní začlenění dusíku do kovu ve formě tuhého roztoku, je výhodné použití dusíkového plynu.
Způsoby, které jsou používané pro zavádění plynu obsahujícího dusík, do reakčního systému, zde budou nyní dále popsány. Pokud je uvedená reakce prováděna v kapalné fázi, potom je výhodné, aby byl dusík zaváděný do této fáze probubláváním. Pokud je však tato reakce prováděna v plynné fázi, potom může být dusík přimícháván do výchozí surové nezpracované látky v plynném stavu, nebo může být přimícháván do plynu, který je použit předem jako redukční činidlo.
?o Alternativně ovšem může být dusík míchán do plynné fáze samotný.
Mezi specifické způsoby výroby kovového prášku v kapalné fázi patří například redukce kovu v roztavených solích. Tento způsob bude zde nyní níže popsán na příkladu kovu tantalu.
-4CZ 301396 B6
Nejprve se do reakční nádoby vloží eutektická sůl jako je KC1-KP nebo KCl-NaCl, která zde slouží jako zřeďovací sůl, a tato sůl je roztavena a to zahříváním na teplotu 800 až 900 °C. Do této soli je zavedena tryska a touto tryskou je do uvedené soli zaváděn plyn, obsahující dusík;
tímto způsobem je tedy sůl podrobena probublávání zaváděného plynu. Zatímco je tedy roztave5 ná sůl podrobena probublávání plynu, jek této soli přidávána část draselné fluor idové soli tantalu a potom je do této soli přidáváno redukční činidlo jako je například sodík, hořčík nebo vápník, a to v takovém množství, které je požadováno ze stechiometrického hlediska, které je potřebné k redukování uvedené draselné fluoridové soli; dochází tedy k chemické reakci, která je reprezentována následující rovnicí I:
io
KzTaF7 + 5 Na -> 2 KF + 5 NaF + Ta (I)
Když je reakce mezi uvedenou draselnou fluoridovou solí a redukčním činidlem zcela kompletní, přidá se do reakční nádoby další část draselné fluoridové soli tantalu a rovněž další část redukč15 ního činidla, Jak je již výše uvedeno, tantalová sloučenina zde slouží jako výchozí surová nezpracovaná látka a redukční činidlo je přidáváno do reakční nádoby po malých dávkách, takže je reakce prováděna opakovaně a dochází ke kompletní redukci tantalové sloučeniny.
Celkové množství dusíku, který je zaváděný do reakční směsi, je stanoveno tak, že je trojnásob20 kem až dvacetinásobkem požadovaného množství dusíku, které je potřebné vzhledem k tantalu. Pokud je množství plynného dusíku v tantalu vyšší než dvacetinásobek požadovaného množství, potom může docházet k tomu, že tantal může reagovat s dusíkem, a může docházet ke vzniku krystalického nitridu tantalu. Následně potom, pokud je použit takto získaný tantalový prášek pro anodovou elektrodu, potom může vzrůstat unikání proudu u elektrody a může se tedy snižovat kapacitní odpor této elektrody. Naopak, pokud je množství plynného dusíku v tantalu menší než trojnásobek požadovaného množství dusíku v tantalu, potom může docházet k tomu, že se může snižovat množství dusíku ve formě tuhého roztoku v tantalu. Následně potom, pokud je použit takto získaný tantalový prášek pro anodovou elektrodu, potom není u této elektrody dosahováno dostatečné spolehlivosti.
Množství zřeďovací soli je s výhodou stanoveno tak, aby hmotnost dané soli byla dvojnásobkem až deseti násobkem celkové hmotnosti draselné fluoridové soli tantalu a redukčního činidla. Pokud je množství uvedené zřeďovací soli menší než dvojnásobek součtu hmotnosti fluoridové soli a redukčního činidla, potom se může toto množství fluoridové soli sloužící jako výchozí surová nezpracovaná látka stát příliš vysokým, a reakce potom probíhá rychle a tedy se potom velikost vzniklých částic tantalu stává velmi velikou. Naopak ale, pokud množství uvedené zřeďovací soli přesáhne hodnotu desetinásobku součtu uvedené hmotností fluoridové soli a redukčního činidla, potom se reakční rychlost snižuje a výsledkem je velmi slabá produktivita. Mimochodem ovšem je možné také uvést, že tato reakce může být dále taktéž prováděna v atmosféře inertního plynu, anebo může být prováděna za sníženého tlaku.
Jak jíž bylo výše uvedeno, zatímco probíhá redukce draselné fluoridové solí, do roztavené soli je zaváděn dusíkový plyn a tato roztavená sůl je podrobena probublávání dusíkem. Výsledkem toho je, že dusíkový plyn velmi rychle difunduje plochou povrchu primárních částic kovu, a to bezpro45 středně po jejich vzniku podle uvedené reakce probíhající v reakčním systému, přičemž růst částic a zavádění dusíku na rostoucí povrch těchto částic probíhá současně,
Tímto způsobem získaný kovový prášek má stejnoměrný obsah dusíku ve formě tuhého roztoku pokud se týká plochy povrchu uvedených částic jakož i vnitřní části těchto částic, a pouze zřídka obsahuje krystalickou dusíkovou sloučeninu.
Jemné kovové částice mohou být sráženy při provádění uvedené reakce ve velkém množství zřeďovací soli a při snižování koncentrace draselné fluoridové soli v tomto reakčním systému.
-5CZ 301396 B6
V dalším textu bude nyní popsán jiný způsob výroby kovového prášku obsahujícího dusík, v němž je roztavená zřeďovací sůl. Například halogenid niobu nebo tantalu reaguje s redukčním činidlem jako je sodík, hořčík nebo vápník, ve zřeďovací soli stejným způsobem, jaký je popsaný výše, a v průběhu této reakce se do uvedené soli pomocí probublávání zavádí plyn, který obsa5 huje dusík, Daný halogenid může být v plynné nebo kapalné fázi tak, aby mohlo pokud možno co nejlépe docházet ke kontaktu s redukčním činidlem, které je roztaveno ve zřeďovací soli. Zejména je pak výhodný halogenid a subhalogenid, jež je vysoce rozpustný v použité zřeďovací soli. Takovýto subhalogenid může být získaný například tak, že se vnášený plyn chloridu niobičného přivádí do kontaktu s kovovým niobem, a to za vysoké teploty 500 °C nebo vyšší tak, aby probíio hala redukce. Teplota této roztavené soli je v rozmezí 700 až 1000 °C. Množství dusíkového plynu, který je zaváděný do kovu je stanoveno tak, že celkové množství dusíkového plynuje trojnásobek až dvacetinásobek požadovaného množství dusíku v kovu. Množství zřeďovací soli je s výhodou stanoveno tak, že hmotnost soli je dvojnásobkem až desetinásobkem celkové hmotnosti halogenidu niobu nebo tantalu.
Mezi jiné způsoby výroby prášku obsahujícího dusík patří například způsob, při kterém se používá jako niobové sloučeniny fluoroniobát draselný a dále potom způsob, při kterém je oxid kovu, jako je například oxid niobičný, redukován pomocí roztaveného hořčíku nebo vápníku.
Poté, co redukce je kompletně ukončena, se roztavená tekutina ochladí a získaný výsledný tuhý koláč se pak opakovaně promývá vodou nebo slabě okyseleným vodným roztokem, a při tom se odstraňuje rozpuštěná sůl a získává se kovový prášek, obsahující dusík. Při výše uvedeném způsobu, pokud je to nezbytné, je možné použít takové operace jako je například odstřeďování anebo filtrace, a vzniklé částice mohou být promývány roztokem, který obsahuje kyselinu fluorovodí25 kovou a peroxid vodíku, pro purifikování uvedených částic.
Pokud se provádí předběžné aglomerování, mohou být získány pevnější aglomeráty. Pokud je do vody, která je použita předem pro předběžné aglomerování, přidán fosfor nebo bor (10 až 300 ppm vztaženo na kov v kovovém prášku obsahujícím dusík), zabraňuje se tímto fúzování, tavení primárních částic, a tedy mohou být tyto částice termicky aglomerovány, přičemž lze dosáhnout vysoké hodnoty plochy povrchu. Fosfor, který je přidáván do vody, může také tvořit formu kyseliny fosforečné nebo hexafluorofosfidu amonného.
Následně se koláči podobný prášek, který je získaný pomocí termické aglomerace, podrobí mletí pod atmosférou vzduchu nebo inertního plynu, a k částicím se přidá redukční činidlo, jako je hořčík; umožní se tak deoxidace reakcí kyslíku v částicích s redukčním činidlem.
Potom se provádí deoxidace pod atmosférou inertního plynu, jako je argon, a to po dobu 1 až 3 hodiny, a za teploty ležící v rozmezí teploty tání redukčního činidla nebo vyšší a mezi jeho teplotou varu, nebo nižší. Následně potom, zatímco jsou částice chlazeny, se zavádí do argonového plynu vzduch, aby mohl být kovový prášek, obsahující dusík, podroben pasivaci a stabilizaci. Potom se substance odvozená od redukčního činidla, jako je hořčík nebo oxid hořečnatý, zbývající v tomto kovovém prášku, odstraňuje a to pomocí kyselého vyluhování.
K tomuto uvedenému kovovému prášku, obsahujícímu dusík, který je podroben termické aglomeraci, deoxidaci, pasivaci a stabilizaci, se poté přidává kafr (C|0H|6O) nebo podobná sloučenina, která slouží jako pojivo, přičemž množství této látky bývá v rozmezí 3 až 5 % hmotnostních. Takto získaná výsledná směs je poté tvarována lisováním a zahřívána a slinována za teploty 1000 až 1400 °C po dobu 0,3 hodiny až 1 hodinu, přičemž se takto připraví slinuté těleso. Teplota slinování se určuje podle typu kovu a podle plochy povrchu prášku.
Když se toto porézní slinuté těleso použije jako anodová elektroda, přívodní drát vedení se vloží do kovového prášku obsahujícího dusík, přičemž je tento prášek tvarovaný lisováním. Následně je potom tento prášek slinován tak, aby se tímto způsobem získalo slinuté těleso, které je spojené s přívodním drátem vedení. Nato je potom tento výlisek oxidovaný pomocí anodického okysličo-6CZ 301396 Bó vání, například v elektrolytickém roztoku, který obsahuje kyselinu fosforečnou nebo obsahuje kyselinu dusičnou v množství 0,1 % hmotnostní, a to po dobu 1 až 3 hodiny a za teploty 30 až °C, přičemž je hodnota proudové hustoty v rozmezí 40 až 80 mA/g a napětí je v rozmezí 20 až
V. Takto získané slinuté těleso je použito jako anodová elektroda tuhého elektrolytického kondenzátorů.
Specificky je tuhá elektrolytická vrstva tvořena oxidem manganiČitým, oxidem olovnatým nebo vodivým polymerem, dále potom grafitovou vrstvou, a vrstvou stříbrné pasty, jež se postupně formují na výše popsaném porézním slinutém tělese pomocí známého způsobu. Postupně je io potom katodový vývod spojený s vrstvou stříbrné pasty, a to za použití pájky a výsledný výlisek je poté potažený pryskyřicí, a tímto způsobem se získá anodová elektroda, která je vhodná pro použití v tuhém elektrolytickém kondenzátorů.
Výše popsaný kovový prášek, obsahující dusík, je tuhý roztok, který obsahuje stejnoměrné množství dusíku, a to 50 až 20 000 ppm dusíku, a pouze velmi zřídka obsahuje krystalický nitrid. Proto pokud se použije tento kovový prášek, potom lze získat takovou anodovou elektrodu, která má velmi vysokou hodnotu specifického kapacitního odporu a pouze nízké unikání proudu a dále rovněž projevuje vynikající spolehlivost po dlouhé časové období.
Při uvedeném způsobu výroby kovového prášku, obsahujícího dusík, se postupuje tak, že zatímco probíhá redukce kovové sloučeniny redukčním činidlem, je do tohoto reakčního systému zaváděný plyn, který obsahuje dusík, přičemž takto dochází ke tvorbě kovu a současně je do tohoto kovu také začleňován dusík. Výsledkem je, že dusíkový plyn velice rychle difunduje na povrch primárních částic daného kovu bezprostředně po jejich vzniku redukcí, a růst částic a zavádění dusíku na vzrůstající povrch uvedených částic probíhá současně. V částici, která je získána tímto způsobem, je dusík začleňován stejnoměrně od povrchu částice do její vnitřní části, tvoří se tuhý roztok, a takováto částice v sobě jen velmi zřídka obsahuje krystalickou dusíkovou sloučeninu.
Tudíž pokud se použije kovový prášek, který je připravený výše popsaným způsobem, může být vyrobena anodová elektroda o velmi vysoké spolehlivosti v porovnání s případem, kdy je použitý kovový prášek, který je vyrobený obvyklým konvenčním způsobem, při němž je difúze dusíku do částic determinována reakční rychlostí a aglomerovaný prášek je termicky zpracováván v prostředí atmosféry obsahující dusík.
Navíc pak je třeba také dále uvést, při výše uvedeném způsobu není vyžadován žádný další přídavný způsob pro dopování dusíku, z čehož tudíž vyplývá jeho vynikající produktivita.
Předkládaný vynález je dále detailněji popsán v následujících příkladech, jejichž účelem je však pouze vynález blíže ilustrovat, které však neznamenají jakékoliv omezení obsahu a rozsahu tohoto vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1
Fluorid draselný a chlorid draselný (každý 15 kg), jež slouží jako zřeďovací soli, se vloží do reakční nádoby (50 1) a zahřívají se na teplotu 850 °C, takže se tvoří roztavená tekutina. Následně se potom do této roztavené tekutiny vloží tryska a pomocí této trysky probublává tekutinou plynný dusík při průtokové rychlosti 750 ml/min. K této roztavené směsi se přidá fluorotantaličnan draselný K2TaF7 (200 g) a po jedné minutě se ktéto kapalné směsi přidá roztavený sodík (58 g) a výsledná směs se podrobí reakci po dobu dvou minut. Tento způsob se takto provádí třicetkrát. V průběhu reakce touto tekutou reakční směsí probublává nepřetržitě dusík.
-7CZ 301396 B6
Po úplném kompletním proběhnutí redukce se získaný výsledný koláč rozdrtí a promyje se slabým kyselým vodným roztokem, přičemž dochází k separaci částic. Kromě toho se potom tyto částice promývají roztokem obsahujícím kyselinu fluorovodíkovou a peroxid vodíku, pro jejich purifikaci. Výtěžek částic redukovaného tantalu je 1,6 kg.
Takto získané tantalové částice projevují následující vlastnosti.
BET specifická plocha povrchu: 1,8 m2/g.
Střední velikost primárních částic: 200 nm.
io Množství dusíku: 5800 ppm.
Údaje difřakce rentgenového záření:
Dusík: Stav tuhého roztoku, a žádná krystalická fáze.
Mezírovinná vzdálenost Ta (110) rovin: 0,23400 nm (2,34010 A).
Následně se pak přidá voda se kuvedeným částicím zredukovaného tantalu (suché částice) (lOOg), přičemž jsou tyto částice podrobeny vibracím, takže je vlhkost u všech částic stejnoměrná a tvoří se hrudky, pro provádění předběžné aglomerace. V tomto případě se přidává k vodě kyselina fosforečná předtím, takže množství kyseliny fosforečné je 200 ppm, vztaženo na tantal.
K utvoření hrudek se použije 25 ml vody. Následně se potom tyto hrudky zahřívají ve vakuové ohřívací pecí při teplotě 1200 °C po dobu jedné hodiny pro umožnění termické aglomerace.
Takto termicky aglomerované hrudky se hrubě rozemílají za použití keramického válcového drtiče, a dále se potom ještě melou za použití čepového mlýna pod argonovou atmosférou tak, aby bylo umožněno dosáhnout velikosti částic 250 μιη nebo menší. Takto získané drcené částice (100 g) se potom míchají s hořčíkovými hoblinkami (6 g) a směs se udržuje ve vyhřívané peci, která má argonovou atmosféru, a to při teplotě 800 °C po dobu dvou hodin. Kyslík v tantalovém prášku reaguje s hořčíkem, a dochází kdeoxidaci. Potom, v průběhu chladicího procesu, se do argonového plynu dávkuje vzduch, takže dochází k pasivaci a ke stabilizaci tantalového prášku a tento prášek se poté odstraní z pece. Takto získaný prášek se potom promyje vodným roztokem kyseliny dusičné a oxid hořečnatý se vymyje a odstraní se.
Vlastnosti takto získaného prášku se analyzují, přičemž výsledky analýz jsou následující.
BET specifická plocha povrchu: 1,45 m2/g.
Střední velikost primárních částic: 249 nm.
Množství kyslíku: 4800 ppm.
Množství dusíku: 5900 ppm.
Údaje difřakce rentgenového záření:
Dusík: Stav tuhého roztoku (TaN0,o4 a TaNOii jsou detegovány jako stopová množství). Mezírovinná vzdálenost Ta (110) rovin: 0,23400 nm (2,3400 A).
K prášku, získanému výše uvedeným způsobem, se přidá kafr (5 % hmotnostních) a smíchá se spolu dohromady. Uvedená směs se potom dále tvaruje lisováním a slinuje se za teploty 1300 °C po dobu 30 minut. Takto získané slinuté těleso se podrobí d i frakci rentgenového záření, aby bylo možné analyzovat formu dusíku stejným způsobem jako je popsáno výše. Dusík je obsažený v tomto slinutém tělese v podstatě ve stavu tuhého roztoku, jako je tomu v případě uvedeného prášku, a jsou detegována velmi malá množství TaNo,o4 a TaNOj. Nicméně však, mezírovinná vzdálenost Ta (110) rovin je 0,23400 nm (2,3400 A), a to potvrzuje, že většina dusíku obsaženého v tantalovém slinutém tělese je ve formě tuhého roztoku.
-8CZ 301396 B6
Příklad 2
KCI-NaCl eutektická složená sůl (200 g) se vloží do kelímkově tvarované hutné aluminy (A12O3), jež má velikost průměru 42 mm a výšku 155 mm; tato sůl se potom suší ve vakuu,a to za teploty 200 °C a po dobu dvou hodin. Do tohoto kelímku se poté zavádí argonový plyn tak, aby v kelímku byla argonová atmosféra, a tento kelímek se poté zahřívá na teplotu 900 °C a při této teplotě se pak dále udržuje. Následně potom se utvoří porézní kelímkově tvarovaný oxid horečnatý (MgO) mající velikost vnitřního průměru 19 mm, který obsahuje hořčík, jež slouží jako redukční činidlo; ten se potom dále vloží do získané roztavené směsi, a v této směsi se udržuje po dobu jedné hodiny. Hořčík jako redukční činidlo se roztaví v roztavené soli skrze póry uvedeného porézního kelímkově tvarovaného oxidu horečnatého (MgO).
Do této roztavené směsi se vloží začátek, hlava přívodní trubky z tvarovaného MgO majícího velikost průměru 8 mm. Plynný chlorid tantaličný se zahřívá na teplotu 300 °C a přivádí se do této roztavené soli skrze uvedenou trubku společně s dusíkovým plynem sloužícím jako nosný plyn; chlorid tantaličný reaguje s hořčíkem, roztaveným v roztavené soli. Tato reakce probíhá relativně rychlým způsobem. Průtoková rychlost dusíkového plynu a plynného chloridu tantaličného je 0,5 Nl/min, popřípadě 1 g/min; tyto plyny jsou kontinuálně dávkovány do roztavené soli po dobu 30 minut.
Bezprostředně po ukončení dodávky chloridu tantalíčného se uvedený kelímek, obsahující hořčík, jakož i přívodní trubka, odstraní z roztavené soli a tato sůl je poté podrobena ochlazení.
Potom, co se roztavená sůl ochladí, se sůl promyje proudící vodou a vodným roztokem kyseliny octové, a potom se sůl podrobí odstředění, separaci tantalového prášku a vody. Výsledný tantalový prášek se poté suší.
Takto získaný tantalový prášek se dále pak podrobí elementární analýze pomocí energetické difuzní rentgenové spektroskopie (EDX - energy diffijsion X-ray spectroscopy). Navíc kromě toho, se identifikuje dusíková fáze za použití práškové rentgenové difrakční aparatury, a dále potom tvar prášku se analyzuje pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu (SEM - scanning electron microscope).
Vlastnosti získaného prášku jsou následující.
BET specifická plocha povrchu: 0,8 m2/g.
Střední velikost primárních částic: 450 nm.
Množství kyslíku: 2800 ppm.
Množství dusíku: 4200 ppm.
Údaje difrakce rentgenového záření:
Dusík: Stav tuhého roztoku. Nebyla zjištěna žádná krystalická fáze.
Mezirovinná vzdálenost Ta (110) rovin; 0,2399 nm (2,3399 A).
Mezirovinná vzdálenost Ta (110) rovin je 0,23400 nm (2,3400 A), a to potvrzuje, že většina dusíku obsaženého v tantalovém slinutém tělese je ve formě tuhého roztoku. Částice tohoto prášku mají velikost průměru 0,4 pm a válcovitý tvar, který je podobný mikrokrystalickému vláknu.
Porovnávací příklad 1
Opakuje se způsob, který byl použitý v příkladu I, avšak s tou výjimkou, že zde není dusíkový plyn použitý ve formě probublávání, což působí na snížení výtěžku tantalových částic. Krátce lze tedy uvést, že tantalová sloučenina je redukována, výsledné tantalové částice se promývají sla55 bým kyselým vodným roztokem, a tyto částice se pak dále purifikují roztokem, který obsahuje
-9CZ 301396 B6 kyselinu fluorovodíkovou a peroxid vodíku, přičemž je snížený výtěžek tantalových částic (K6kg).
Takto získané tantalové částice projevují následující vlastnosti.
BET specifická plocha povrchu: 1,5 m2/g.
Střední velikost primárních částic: 240 nm.
Množství dusíku: 20 ppm.
ío Následně se pak postupuje stejným způsobem, jako je tomu u příkladu 1; částice se dále podrobí předběžné aglomeraci, termické aglomeraci a deoxidaci. Vyhřívaná pec se potom ochladí na teplotu 500 °C a získané částice se udržují v této peci při teplotě 500 °C po dobu 10 hodin, přičemž se do pece dávkuje argonový plyn, který obsahuje čistý dusík v množství 10 % objemových. Tedy pak stejným způsobem jako je tomu v příkladu 1, se tantalový prášek dále pasívu je a
5 stabilizuje a potom se odstraní z pece. Takto získaný prášek se potom promyje vodným roztokem kyseliny dusičné, dále se vymyje oxid hořečnatý a odstraní se.
Vlastnosti takto získaného prášku se analyzují, přičemž výsledky analýz jsou následující.
BET specifická plocha povrchu: 1,35 m2/g.
Střední velikost primárních částic: 268 nm.
Množství kyslíku: 5100 ppm.
Množství dusíku: 4700 ppm.
Údaje difrakce rentgenového záření:
Dusík: Píky nitridů tantalu (TaNo,o4 a TaNoj jsou zcela zřetelně delegovány.
Mezirovinná vzdálenost Ta (110) rovin: 0,23375 nm (2,3375 A).
Jak je zřetelně patmé zdát týkajících se mezirovinné vzdálenosti je většina dusíku, obsaženého v prášku, ve formě krystalického nitridu.
Navíc kromě toho, se stejným způsobem, jako je tomu v příkladu 1, utvoří slinuté těleso z uvedeného prášku, a tento výlisek se pak analyzuje pomocí rentgenové difrakce. Získané výsledky jsou podobné jako je tomu u prášku.
Průmyslová využitelnost
Jak je výše uvedeno, kovový prášek obsahující dusík, je vhodný pro výrobu anodové elektrody, která má vysokou hodnotu specifického kapacitního odporu a která má nízké unikání proudu a která dále též projevuje vynikající spolehlivost po dlouhé časové období.
Kromě toho, umožňuje způsob výroby kovového prášku obsahujícího dusík podle tohoto vynálezu, při vysoké produktivitě, výrobu kovového prášku, obsahujícího dusík, kdy je dusík obsažen stejnoměrně ve formě tuhého roztoku od povrchu částic po vnitřní část částic, a jen pouze zřídka obsahuje krystalické nitridové sloučeniny.
Proto porézní slinuté těleso, které obsahuje kovový prášek, obsahující dusík podle tohoto vynálezu a tuhý elektrolytický kondenzátor obsahující tento prášek, má velmi nízké unikání proudu a projevuje vynikající spolehlivost po dlouhé časové období.
Z uvedeného vyplývá, že výsledek tohoto vynálezu je velmi významný především pro využití v elektronickém a elektrotechnickém průmyslu.
Claims (27)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Kovový prášek obsahující dusík, skládající se z tantalu, vyznačující se tím, že obsahuje 50 až 20 000 ppm dusíku ve formě tuhého roztoku, a tento kovový prášek obsahující dusík má střední velikost částic 80 až 360 nm.t()
- 2. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, že dusík je v kovovém prášku přítomen stejnoměrně.
- 3. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku I, vyznačující se tím, že kovový prášek obsahuje 4200 až 5900 ppm dusíku,
- 4. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, že kovový prášek má BET plochu povrchu 0,8 až 1,8 m2/g.
- 5. Kovový prášek obsahuj ící dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, že kovový prášek je aglomerovaný.
- 6. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující prášek obsahuje válcovitě tvarované částice.se tím, že kovový
- 7. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, že v kovovém prášku je přítomen kyslík v množství 2800 až 4800 ppm.
- 8. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, že kovový25 prášek má střední velikost Částic 249 až 360 nm.
- 9. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, že kovový prášek má mezirovinnou vzdálenost Ta (110) rovin 0,23399 až 0,23400 nm.30
- 10. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, že kovový prášek má mezirovinnou vzdálenost Ta (110) rovin, která je o 0,1 % větší než mezirovinná vzdálenost Ta (110) rovin u kovového prášku obsahujícího dusík, ve kterém dusík není ve formě tuhého roztoku.35
- 11. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 1, vyznačující se tím, zeje přítomen fosfor nebo bor nebo oba.
- 12. Kovový prášek obsahující dusík podle nároku 11, vyznačující se tím, že fosfor nebo bor je přítomen v množství 10 až 300 ppm.
- 13. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík ve formě tuhého roztoku, vyznačující se t í m , že zatímco se niobová nebo tantalová sloučenina redukuje redukčním činidlem, zavádí se do reakčního systému plyn obsahující dusík, přičemž se dusík současně začleňuje do niobu nebo tantalu, a tím se tvoří niob nebo tantal obsahující dusík ve formě tuhého roztoku.
- 14. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle nároku 13, vyznačující se tím, že niobová nebo tantalová sloučenina je draselná fluoridová sůl nebo halogenid.
- 15. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle nároku 13, vyznačující 50 se t í m, že niobová sloučenina je fluoroniobát draselný.-11 CZ 301396 B6
- 16. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle kteréhokoliv z nároků 13 až 15, vyznačující se tím, že kovový prášek obsahující dusík je tuhý roztok, který obsahuje 50 až 20 000 ppm dusíku.
- 17. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle kteréhokoliv z nároků 13 až 15, ? vyznačující se t í m, že plyn obsahující dusík obsahuje čistý dusíkový plyn a/nebo plyn generující dusík, který generuje dusík při zahřívání.
- 18. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle kteréhokoliv z nároků 13 až 15, vyznačující se tím, že redukční činidlo je alespoň jedna z látek, vybraných ze skupiny, kterou tvoří sodík, hořčík, vápník, hydrid hořčíku, hydrid vápníku a plyn obsahující vodík.io
- 19. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle nároku 18, vyznačující se tím, že kovový prášek obsahující dusík je tuhý roztok, který obsahuje 50 až 20 000 ppm dusíku.
- 20. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle nároku 18, vyznačující se tím, že plyn obsahující dusík obsahuje čistý dusíkový plyn a/nebo plyn generující dusík,15 který generuje dusík při zahřívání.
- 21. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík ve formě tuhého roztoku, vyznačující se tím, že se těkavý halogenid niobu nebo tantalu redukuje plynem obsahujícím vodík, sloužícím jako redukční činidlo, v přítomnosti plynu obsahujícího dusík, čímž se tvoří niob nebo tantal obsahující dusík ve formě tuhého roztoku, přičemž se dusík současně začleňuje20 do niobu nebo tantalu.
- 22. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík ve formě tuhého roztoku, vyznačující se tím, že zatímco se fluoroniobát draselný redukuje v roztavené soli hořčíkem nebo sodíkem, sloužícím jako redukční činidlo, zavádí se do roztavené soli plyn obsahující dusík, čímž se tvoří niob obsahující dusík ve formě tuhého roztoku, přičemž se dusík současně začle25 ňuje do niobu.
- 23. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík ve formě tuhého roztoku, vyznačující se tím, že zatímco se halogenid niobu nebo tantalu redukuje redukčním činidlem v roztavené soli, zavádí se do roztavené soli plyn obsahující dusík, čímž se tvoří niob nebo tantal obsahující dusík ve formě tuhého roztoku, přičemž se dusík současně začleňuje do niobu nebo30 tantalu.
- 24. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle kteréhokoliv z nároků 21 až 23, vyznačující se tím, že kovový prášek obsahující dusík je tuhý roztok, který obsahuje 50 až 20 000 ppm dusíku,
- 25. Způsob přípravy kovového prášku obsahujícího dusík podle kteréhokoliv z nároků 21 až 23,35 vyznačující se tím, že plyn obsahující dusík obsahuje čistý dusíkový plyn a/nebo plyn generující dusík, který generuje dusík při zahřívání.
- 26. Porézní slinuté těleso kovového prášku, vyznačující se tím, že obsahuje kovový prášek obsahující dusík podle nároků 1 až 12.
- 27. Porézní slinuté těleso podle nároku 26, slinuté při teplotě 1000 až 1400 °C.40 28. Tuhý elektrolytický kondenzátor, vyznačující se tím, že obsahuje anodovou elektrodu, která je tvořena porézním slinutým tělesem podle nároku 26 nebo 27.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000031029A JP4049964B2 (ja) | 2000-02-08 | 2000-02-08 | 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ20022680A3 CZ20022680A3 (cs) | 2003-04-16 |
CZ301396B6 true CZ301396B6 (cs) | 2010-02-17 |
Family
ID=18555954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ20022680A CZ301396B6 (cs) | 2000-02-08 | 2000-09-11 | Kovový tantalový prášek obsahující dusík, zpusob jeho prípravy, porézní slinuté teleso a elektrolytický kondenzátor jej obsahující |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1255872B1 (cs) |
JP (1) | JP4049964B2 (cs) |
KR (1) | KR20020092362A (cs) |
CN (1) | CN1180101C (cs) |
AT (1) | ATE245712T1 (cs) |
AU (1) | AU2000268772A1 (cs) |
BR (2) | BR0016331B1 (cs) |
CZ (1) | CZ301396B6 (cs) |
DE (1) | DE60004108T2 (cs) |
IL (1) | IL150851A (cs) |
PL (1) | PL357016A1 (cs) |
PT (1) | PT1255872E (cs) |
WO (1) | WO2001059166A1 (cs) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ306436B6 (cs) * | 2006-05-05 | 2017-01-25 | Cabot Corporation | Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4187953B2 (ja) | 2001-08-15 | 2008-11-26 | キャボットスーパーメタル株式会社 | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
ATE456852T1 (de) * | 2001-10-02 | 2010-02-15 | Showa Denko Kk | Niobpulver, dessen sintermasse, dessen chemisch modifiziertes produkt und dieselben verwendender kondensator |
BR0204587A (pt) * | 2002-11-04 | 2004-06-29 | Cbmm Sa | Processo de produção de pó de nióbio e/ou de tântalo de elevada área superficial |
US7157073B2 (en) | 2003-05-02 | 2007-01-02 | Reading Alloys, Inc. | Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom |
WO2005044488A1 (ja) | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | 純金属・合金超微粉末の製造方法 |
DE602005011773D1 (de) | 2004-04-15 | 2009-01-29 | Jfe Mineral Co Ltd | Tantalpulver und dieses verwendender festelektrolytkondensator |
US7431751B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-10-07 | H.C. Starck Inc. | Magnesium removal from magnesium reduced metal powders |
KR101159625B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2012-06-27 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 니오브분, 니오브 입자화물, 니오브 소결체 및 콘덴서 및그들의 제조방법 |
US20060269436A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-11-30 | Cabot Corporation | Process for heat treating metal powder and products made from the same |
JP4879040B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-02-15 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2009275289A (ja) * | 2009-07-10 | 2009-11-26 | Cabot Supermetal Kk | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
JP5680866B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2015-03-04 | グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
CN104918734B (zh) * | 2013-12-10 | 2017-02-15 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种高氮含量电容器级钽粉末的制备方法、由该方法制备的电容器级钽粉以及由该钽粉制备的阳极和电容器 |
JP5898297B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-04-06 | グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
EP3486338B1 (en) * | 2016-07-13 | 2023-06-21 | Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd. | Flaky tantalum powder and method for preparing the same |
US20180144874A1 (en) | 2016-10-21 | 2018-05-24 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof |
CN111017889A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-04-17 | 中色(宁夏)东方集团有限公司 | 一种氮化铌的制备方法 |
CN115968499A (zh) * | 2020-08-27 | 2023-04-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器用电极箔、电解电容器、电解电容器用电极箔的制造方法及电解电容器的制造方法 |
CN116210066A (zh) * | 2020-09-23 | 2023-06-02 | 京瓷Avx元器件公司 | 含脱氧阳极的固体电解电容器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4684399A (en) * | 1986-03-04 | 1987-08-04 | Cabot Corporation | Tantalum powder process |
WO1991018121A1 (en) * | 1990-05-17 | 1991-11-28 | Cabot Corporation | Method of producing high surface area low metal impurity tantalum powder |
EP0665302A2 (en) * | 1994-01-26 | 1995-08-02 | H.C. Starck, INC. | Nitriding tantalum powder |
CZ292006B6 (cs) * | 1993-04-26 | 2003-07-16 | Cabot Corporation | Způsob výroby tantalového prášku a tantalový prášek |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ301097B6 (cs) | 1997-02-19 | 2009-11-04 | H.C. Starck Gmbh | Tantalový prášek sestávající z aglomerátu, zpusob jeho výroby a z nej získané slinuté anody |
-
2000
- 2000-02-08 JP JP2000031029A patent/JP4049964B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-11 WO PCT/JP2000/006183 patent/WO2001059166A1/en not_active Application Discontinuation
- 2000-09-11 PT PT00957081T patent/PT1255872E/pt unknown
- 2000-09-11 CN CNB008188203A patent/CN1180101C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-11 EP EP00957081A patent/EP1255872B1/en not_active Revoked
- 2000-09-11 DE DE60004108T patent/DE60004108T2/de not_active Revoked
- 2000-09-11 BR BRPI0016331-7A patent/BR0016331B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-09-11 BR BRPI0017498-0A patent/BR0017498B1/pt active IP Right Grant
- 2000-09-11 CZ CZ20022680A patent/CZ301396B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2000-09-11 AU AU2000268772A patent/AU2000268772A1/en not_active Abandoned
- 2000-09-11 PL PL00357016A patent/PL357016A1/xx unknown
- 2000-09-11 KR KR1020027010026A patent/KR20020092362A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-09-11 AT AT00957081T patent/ATE245712T1/de not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-07-22 IL IL150851A patent/IL150851A/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4684399A (en) * | 1986-03-04 | 1987-08-04 | Cabot Corporation | Tantalum powder process |
WO1991018121A1 (en) * | 1990-05-17 | 1991-11-28 | Cabot Corporation | Method of producing high surface area low metal impurity tantalum powder |
CZ292006B6 (cs) * | 1993-04-26 | 2003-07-16 | Cabot Corporation | Způsob výroby tantalového prášku a tantalový prášek |
EP0665302A2 (en) * | 1994-01-26 | 1995-08-02 | H.C. Starck, INC. | Nitriding tantalum powder |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ306436B6 (cs) * | 2006-05-05 | 2017-01-25 | Cabot Corporation | Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CZ20022680A3 (cs) | 2003-04-16 |
ATE245712T1 (de) | 2003-08-15 |
WO2001059166A1 (en) | 2001-08-16 |
CN1433485A (zh) | 2003-07-30 |
KR20020092362A (ko) | 2002-12-11 |
AU2000268772A1 (en) | 2001-08-20 |
DE60004108D1 (de) | 2003-08-28 |
EP1255872A1 (en) | 2002-11-13 |
PL357016A1 (en) | 2004-07-12 |
BR0016331A (pt) | 2002-12-24 |
DE60004108T2 (de) | 2004-06-03 |
JP2001223141A (ja) | 2001-08-17 |
CN1180101C (zh) | 2004-12-15 |
EP1255872B1 (en) | 2003-07-23 |
BR0017498B1 (pt) | 2014-09-30 |
JP4049964B2 (ja) | 2008-02-20 |
IL150851A (en) | 2009-09-22 |
PT1255872E (pt) | 2004-01-30 |
BR0016331B1 (pt) | 2008-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CZ301396B6 (cs) | Kovový tantalový prášek obsahující dusík, zpusob jeho prípravy, porézní slinuté teleso a elektrolytický kondenzátor jej obsahující | |
US11508529B2 (en) | Anodes containing spherical powder and capacitors | |
US7473294B2 (en) | Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder | |
JP3174341B2 (ja) | 改良されたタンタル粉末の製造方法及びその粉末から得られる高キャパシタンスで電気漏れの少ない電極 | |
US6193779B1 (en) | Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it | |
JP4187953B2 (ja) | 窒素含有金属粉末の製造方法 | |
JP5464682B2 (ja) | コンデンサー粉末 | |
JP4828016B2 (ja) | タンタル粉末の製法、タンタル粉末およびタンタル電解コンデンサ | |
US11393638B2 (en) | Ti—Zr alloy powder and anode containing the same | |
JP2008095200A (ja) | 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサ | |
JP5105879B2 (ja) | 金属粉末および多孔質焼結体の製造方法 | |
WO2004037470A1 (ja) | ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ | |
JP2009275289A (ja) | 窒素含有金属粉末の製造方法 | |
JP2009007675A (ja) | 窒素含有金属粉末およびそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサ | |
JP2016166422A (ja) | 窒素含有金属粉末の製造方法 | |
JP2014218748A (ja) | 窒素含有金属粉末の製造方法 | |
JP2013136841A (ja) | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Patent expired |
Effective date: 20200911 |