CZ233994A3 - Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner - Google Patents

Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner Download PDF

Info

Publication number
CZ233994A3
CZ233994A3 CZ942339A CZ233994A CZ233994A3 CZ 233994 A3 CZ233994 A3 CZ 233994A3 CZ 942339 A CZ942339 A CZ 942339A CZ 233994 A CZ233994 A CZ 233994A CZ 233994 A3 CZ233994 A3 CZ 233994A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
mass
polycrystalline
pca
sapphire
alumina
Prior art date
Application number
CZ942339A
Other languages
English (en)
Inventor
Curtis Edward Scott
Lionel Monty Levinson
Randolph E Maxwell
Mary Sue Ing Kaliszewski
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Publication of CZ233994A3 publication Critical patent/CZ233994A3/cs

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/20Aluminium oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Preparation Of Clay, And Manufacture Of Mixtures Containing Clay Or Cement (AREA)

Description

Tepelná přeměna polykrystalické aluminy na safír v pevné fázi
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu přeměny v pevné fázi polykrystalického keramického tělesa na monokrystalové těleso zahříváním polykrystalického tělesa na teplotu, jež je vyšší než polovina teploty tavení materiálu, ale nižší než teplota jeho tavení. Specificky, tento vynález se týká procesu v pevné fázi přeměny polykrystalické aluminy (PCA) na monokrystalovou aluminu (safír). Přeměna v pevné fázi PCA na safír se provádí zahříváním PCA tělesa obsahujícího méně než 0,01% hmotn. (100 wppm) oxidu hořečnatého na teplotu ležící nad 1100°C, ale pod 2050C, což je teplota tavení aluminy. K dosažení přeměny není nutné roztavení PCA.
Dosavadní stav techniky
Výroba aluminy Lucaíox, což je typ polykrystalické aluminy (PCA), a její využití pro vysokotlaké sodíkové výbojky (dále jen výbojky HPS) je dobře a dlouho známo osobám znalým oboru. U.S.Patenty 3,026,210 (Coble); 4,150,317 (Laska a kol.) ?m£ ’4»ia 4,285,732 (Charles a kol.) popisují výrobu PCA o vysoké hustotě se zlepšenou transmitancí viditelného světla za použití relativně čisté práškové aluminy a malých množství oxidu hořečnatého. U.S.
c ^Patent 4,285,732 dále uvádí přidávání oxidů zirkonia a hafnia ·* k alumině aditivované... oxidem hořečnatým, aby se snížila možnost vysrážení druhé fáze a možnost přehnaného nebo
9442 nekontrolovatelného růstu zrna během spékání. PCA vhodné pro výbojky HPS se zhotovují podle způsobů těchto patentů a mají průměrnou velikost zrnění v rozsahu od 15 mikrometrů do 100 mikrometrů. Dvěma hlavními nevýhodami spojenými s použitím PCA obloukových trubic na výbojky HPS je to, že jsou za prvé průsvitné a nikoliv průhledné a za druhé, že sodík reaguje v oblouku s aluminou na hranicích zrn PCA za tvorby hlinitanu sodného, což zkracuje životnost výbojky. Výbojky HPS jsou vyvinuty pro zvýšený parciální tlak sodíku uvnitř obloukové trubice PCA, aby se zlepšilo podání barev a aby vyzařované světlo bylo bělejší. Vyšší tlak sodíku ale dále zkracuje životnost výbojky vlivem úniku sodíku z obloukové komory. Z postupné ztráty sodíku vyplývá vzestup pracovního napětí výbojky, pokles jak korelované teploty barvy tak i indexu barevného podání a barevný posun od bílé k růžové. Sodík, jenž migruje obloukovou komorou se rovněž ukládá na vnitřní stěně evakuovaného vnějšího pláště výbojky, což na tomto plášti vyvolává nahnědlé skvrny, což zase dále snižuje světelný výkon výbojky. Tyto problémy jsou v podstatě odstraněny u safírových obloukových trubic (tj. z monokrystalu aluminy).
Safírové obloukové trubice vhodné jako oblouková komora výbojek HPS se vyrábějí řadou způsobů včetně modifikovaného Czochralského procesu známého jako proces hranové definovaného filmově napájeného růstu (EFG), jenž byl vyvinut firmou Tyco Laboratories, lne. Tento proces využívá zárodečný krystal a matrci na povrchu roztavené aluminy, z níž se nepřetržitě matricí vytahuje dutá trubice. Tento proces je drahý a pomalý. Jiný proces používaný k výrobě monokrystalové aluminy (safíru) se nazývá proces s letmou zónou. Při tomto procesu se zavádí danou rychlostí PCA tyč do vyhřívané zóny, kde na tyč míří jeden nebo více laserů nebo jiných koncentrovaných zdrojů tepla, čímž vzniká tavná zóna a alumina se roztaví. Z tavné zóny se nepřetržitě požadovanou rychlostí odtahuje safírové vlákno, přičemž tyč poskytující surovinu se přivádí současně, ale nižší rychlostí, takže proces je kontinuální. Tento proces se používá hlavně k výrobě safírových vláken a není snadno adaptovatelný k výrobě monokrystalových trubic z aluminy, ačkoliv jeho použití pro tyto účely je popsáno v U.S.Patentu 3,943,324. g j
Zveřejněná japonská patentová přihláška 62-28118 (H.Yoshida
9442 a kol.) uvádí, že safír může být syntetizován procesem v pevné fázi zavedením koncentračního gradientu oxidu horečnatého podél délky PCA tělesa, čímž se zajistí, že během tepelné modifikace je růst zrna iniciován z jednoho bodu na PCA tělese, čímž vznikne monokrystal. Tento gradient oxidu horečnatého může být v PCA tělese vytvořen dopováním zeleného tělesa oxidem hořečnatým tak,, že v PCA tělese je gradient koncentrace oxidu hořečnatého nebo využitím teplotního gradientu k vytvoření koncentračního gradientu nebo zhotovením pomocí obrábění tenké části na zeleném tělese. Principem procesu podle Yoshidy a kol. je to, že růst monokrystalu je iniciván z jednoho místa na polykrystalickém tělese. Na první pohled, postup Yoshidy a kol. se nezdá proveditelný. Yoshida a kol. zejména vyžadují ekvivalent pouze 0,009% hmotn. (90 wppm) oxidu hořečnatého ve výchozí alumině. Aby se mohla vytvořit hustá struktura PCA, vyžaduje se však nejméně kolem 0,03% hmotn. (300 wppm) oxidu hořečnatého. (Viz Alumina a optické vlastnosti, J.G.J. Peelen, kandidátská práce, Technical University of Eindhoven, Nizozemsko, Květen 1977). U typických procesů přeměny např. použitých při výrobě Lucaloxu se používá 0,055 až 0,075% hmotn. (550 až 750 wppm) oxidu hořečnatého ve výchozí alumině, aby se dosáhlo plné hustoty. Při použití 0,009% hmotn. (90 wppm) oxidu hořečnatého ve výchozím materiálu, jak je popsáno Yoshidou a kol., nemůže být dosaženo husté neporézní struktury.
Podstata vynálezu
Byl objeven proces přeměny v pevné fázi polykrystalického keramického materiálu na monokrystalový materiál a zvláště proces přeměny polykrystalické aluminy na monokrystalovou aluminu (dále safír). Procesem v pevné fázi se rozumí, že přeměna polykrystalického tělesa na monokrystal nastává při teplotě, jež je dostatečně nižší než je teplota tavení materiálu, takže se neroztaví ani část polykrystalického výrobku a ani ve výrobku nevznikne jakákoliv roztavená zóna během jakéhokoliv zahřívacího kroku. Přeměna polykrystalického materiálu na safír se uskutečňuje jako proces v pevné fázi. Tento proces přeměny v pevné fázi umožňuje výrobu jednoduchých i složitých keramických tvarů při využití standardních postupů tvorby polykrystalických
9442 látek s jejich následovnou přeměnou na monokrystal, aniž by došlo k roztavení keramické hmoty. Monokrystal si proto podrží tvar polykrystalického prekurzoru. Tento proces umožní mnohem větší rozmanitost při výrobě různých tvarů monokrystalů, než je nyní možné pomocí dostupných a běžných postupů tažení z taveniny nebo postupů s letmou zónou.
Na rozdíl od procesu popsaného ve zveřejněné japonské patentové přihlášce 62-28118, proces podle tohoto vynálezu nevyžaduje vyvinutí gradientu oxidu horečnatého nebo iniciaci růstu krystalu z jednoho místa. Při zhotovení safíru z tělesa PCA podle způsobu tohoto vynálezu se zahřívá těleso PCA z relativně čisté aluminy s obsahem oxidu horečnatého menším než 0,01% hmotn. (100 wppm), se stejnoosou strukturou zrnění, s průměrnou velikostí zrn menší než 70 μιη a s hustotou větší než 3,9 g/cm3 na teploty vyšší než 1100°C (což je přibližně polovina teploty tavení aluminy), ale nižší než 2050eC, což je teplota tavení aluminy. Vyžaduje se obsah oxidu hořečnatého 0,01% hmotn. (100 wppm) nebo nižší, jelikož věříme, že tím se zajistí, že veškerý oxid hořečnatý je v tuhém roztoku společně s aluminou a není oddělen na hranici zrn, kde by bránil hraniční mobilitě.
PCA trubice dlouhé 61 cm (24 palců) tepelně modifikované podle způsobu tohoto vynálezu mají většinou jednu nebo více oblastí safíru delších než 15 cm (6 palců). Více oblastí safíru podél délky trubice je důsledkem iniciace růstu krystalů z více míst na trubici. Safírová vlákna byla také vyrobena podle způsobu tohoto vynálezu.
Safírové trubice vyrobené podle tohoto vynálezu vykazovaly celkovou a dopřednou difuzní transmitanci viditelného světla srovnatelnou s komerčně dostupným safírem, jak je ukázáno v tab.l. Safír vyrobený podle tohoto vynálezu je vhodný k použití jako oblouková trubice vysokotlakých sodíkových výbojek (HPS výbojek), z nichž jedna je zobrazena na obr.l. V důsledku použití tohoto materálu v HPS výbojkách se zvýšila o 10 až 15% účinnost ve srovnání s výbojkami využívajícími obloukové trubice Lucalox (PCA).
9442
Tabulka 1
Transmitance
Celková Dopředná difuzní
Standardní Lucalox PCA1 96 70
Safír (podle tohoto vynálezu) 98 87
Safír (komerční2) 97 87
Safír (komerční3) 97 87
^General Electric Company, Willoughby Quartz and Ceramic Plant, Willoughby, Ohio, USA 2Saphikon, lne., Milford, New Hampshire, USA 3Kyocera, Kyoto, Japonsko
Safír vyrobený podle tohoto vynálezu se liší od safíru vyrobeného procesy, jako jsou např. EFG nebo proces Czochralského nebo proces podle U.S.Patentu 3,943,324, kombinací náhodného uspořádání pórů a jedinečné povrchové topografie, jež má formu malých vlnek, jejichž vrcholy se nacházejí přibližně nad středem místa, kde se nacházely před přeměnou jednotlivá zrna PCA, a jejichž prohlubně odpovídají hranicím zrn před přeměnou. Typická povrchová topografie je zobrazena na obr.2. Safírový materiál zhotovený tažením z taveniny podle EFG nebo Czochralského má lineární uspořádání porozity v důsledku bublinek vzniklých v procesu tažení. Žádný z výše uvedených procesů nemá povrchovou topografii, jež byla zjištěna v safíru zhotoveném podle tohoto vynálezu.
Přehled obrázků na výkrese
Obr.l schematicky znázorňuje vysokotlakou sodíkovou výbojku využívající safírovou obloukovou trubici zhotvenou podle tohoto vynálezu.
Obr.2 je optická mikrografie ukazující hranici mezi oblastmi safíru a polykrystalickými oblastmi na povrchu teplem modifikované trubice z aluminy podle tohoto vynálezu a povrchovou topografii povrchu safíru.
Obr.3 znázorňuje závislost ztráty oxidu hořečnatého v trubici Lucalox a následovného zvýšení průměrné velikosti zrna na době zahřívání.
9442
Příklady provedeni vynálezu
Při praktickém provádění tohoto vynálezu přeměny PCA na safír v pevné fázi bylo zjištěno, že je vhodné, aby výchozím materiálem byla relativně čistá spékaná alfa alumina; výchozím materiálem obecně je 99,99% alumina bez nečistot takového typu, jež by mohly bránit přeměně PCA na safír. Věříme, že obsah oxidu horečnatého v PCA by měl být nižší než 0,01% hmotn. (100 wppm) a lépe méně než 0,005% hmotn. (50 wppm), aby se zajistilo, aby veškerý oxid hořečnatý byl v tuhém roztoku spolu s aluminou a aby nebyl oddělen na hranicích zrn, kde by mohl inhibovat hraniční mobilitu. PCA by měla mít stejnoosou strukturu zrnění s průměrnou velikostí zrn menší než 100 μιη a přednostně menší než 70 μιη. Velikostí zrn se rozumí rozměr zrna měřený velmi známým způsobem lineárních úseků, který je popsán v ASTM E112-88. Materiály PCA s průměrnou velikostí zrn větší než 100 μιη mají během tepelné modifikace podle tohoto vynálezu sklon k tvorbě mikrotrhlin, což brání přeměně na safír. Hustota PCA by měla činit nejméně o
3,97 g/cm , jelikož zbytková porozita může bránit přeměně na safír anebo poskytnout safírový výrobek s horší než optimální transmitancí světla.
Při provádění pokusů výchozím PCA materiálem byly trubice Lucalox, jež byly modifikovány teplem kvůli snížení obsahu oxidu horečnatého pod 0,01% hmotn. (100 wppm) a které měly vnější průměr v rozmezí od 4,5 mm do 8,8 mm a tloušřku stěn v rozmezí od 0,5 mm do 0,75 mm. Lucalox je komerčně dostupný u firmy General Electric Company, Willoughby Quartz and Ceramic Plant, Willoughby, Ohio, USA. Při provádění jiných pokusů byla použita vlákna o průměru přibližně 0,38 mm (0,015 palce). Materiál Lucalox má stejnoosou strukturu zrnitosti a průměrnou velikost zrn v rozmezí od 15 do 70 μπ>. Lucalox PCA je tvořen 99,99% aluminou s hustotou typicky v rozmezí od 3,97 do 3,98 g/cm3. Typická analýza na stopové nečistoty Lucaloxu je uvedena v tab.2. Koncentrace hořčíku (Mg) 0,018% hmotn. (180 wppm) odpovídá přibližné 0,03% hmotn. (300 wppm) oxidu hořečnatého (mgO).
Ί
9442
Tabulka 2
Stopový prvek Si Fe Ca Mg K
Nalezeno % hmotn. 0,0050 0,0004 0,0007 0,0180 0,0050
(Nalezeno wppm) 50 4 7 180 50
Stopový prvek Na Li Mo Cr cu
Nalezeno % hmotn. 0,0080 <0,0001 0,0010 0,0002 0,0004
(Nalezeno .wppm) 80 <1 10 2 4
Jelikož obsah oxidu hořečnatého v Lucaloxu PCA je v rozmezí
od 0,03 do 0,04% hmotn. (300 až 400 wppm) byly učiněny kroky
k snížení obsahů oxidu horečnatého pod 0,01% hmotn. (100 wppm) a ještě výhodněji pod 0,0050% hmotn. (50 wppm), aby byl získán výchozí materiál vhodný pro proces podle tohoto vynálezu. Osoby znalé oboru vědí, že oxid hořečnatý může být vypuzen z hmoty PCA zahříváním hmoty ve vakuu, v suchém vodíku nebo v atmosféře inertního plynu na teploty nad 1600'C. Aby byl získán výchozí materiál pro ověření tohoto vynálezu, Lucalox byl zahříván v elektrické odporové peci na teplotu 1880C po dobu přibližné 9 hodin v atmosféře suchého vodíku o rosném bodu pod O’C. Materiál vzešlý z tepelné modifikace měl obsah oxidu horečnatého přibližně 0,005% hmotn. (50 wppm). Obsah oxidu horečnatého byl stanoven analýzou induktivně vázané plazmy (ICP). Doba potřebná k vypuzení oxidu horečnatého z aluminy se liší v závislosti na výchozím obsahu oxidu horečnatého, na teplotě peci a na rozměrech dílu z aluminy. Během odpařování oxidu horečnatého se musí dát pozor na to, aby materiál nebyl zahříván příliš dlouho, což může mít za následek průměrnou velikost zrna větší než 70 μπι anebo anomální růst zrnitosti. Obr.3 ukazuje příklad zvětšení průměrné velikosti zrna v závislosti na ztrátě oxidu horečnatého a době zahřívání. Křivka 1 na obr.3 zobrazuje pokles obsahu oxidu horečnatého s prodlužující se dobou zahřívání. Křivka 2 na obr.3 zobrazuje zvětšení velikosti zrna s prodlužující se dobou zahřívání.
Výchozí hustý materiál o nízkém obsahu oxidu horečnatého byl přeměněn na safír zahříváním v elektrické odporové peci v proudícím suchém vodíku o rosném bodu nižším než 0’C. V jednom příkladu přeměna na safír byla provedena průchodem v kontinuálním
9442 uspořádání výchozího materiálu horkou zónou pece při teplotě 1880*C. Materiál byl v horké zóně 3 až 9 hodin v závislosti na geometrii dílu z aluminy. V jiném příkladu se dosáhlo přeměny opakovaným několikanásobným průchodem výchozího materiálu horkou zónou. Všechny průchody pecí byly kontinuální. Teplota horké zóny činila 1880°C a vzorek byl v horké zóně během jednoho průchodu 3 hodiny. V jiném příkladu vzorek byl stacionární po dobu 300 hodin v horké zóně pece s vodíkem o rosném bodu nižším než přibližně 0’C a o teplotě kolem 1700C.
Ve všech výše uvedených příkladech trubice z aluminy dlouhé 61 cm (24 palců) měly jednu nebo více oblastí safíru delších než 15 cm (6 palců). Větší počet oblastí safíru podél délky trubice je důsledkem iniciace růstu krystalů z více míst na trubici.
Safírový materiál vyrobený podle tohoto vynálezu byl charakterizován s použitím optické mikroskopie, rastrovací elektronové mikroskopie (SEM), čtyřkruhové difraktometrie, technikou Laueova zpětného odrazu a rentgenovou precesní technikou. Mikroskopická analýza ukázala, že safírová trubice zhotovená podle tohoto vynálezu vykazuje topografickou strukturu, jež má formu malých vlnek, jejichž vrcholy 6 se nacházejí přibližně nad středem místa, kde se nacházely před přeměnou jednotlivá zrna PCA, a jejichž mírné prohlubně 7 odpovídají hranicím zrn před přeměnou PCA materiálu. Obr.2 je optická mikrografie 200x zvětšení povrchu trubice z aluminy zobrazující hranici 2 mezi tou oblastí aluminy, která byla přeměněna na safír 4, a mezi oblastí, která zůstala polykrystalickou 5. Hranice zrn jsou zřejmé v polykrystalické oblasti, ale chybí v oblasti safíru. Topografická struktura je jasná v safírové oblasti.
Parametry mřížky jednotkové cely krystalu materiálu, jenž byl zhotoven podle tohoto vynálezu, byly zjištěny s použitím čtyřkruhové difraktometrie. Bylo nalezeno, že parametry mřížky činí a = 4,759 angstremů a c = 12,991 angstremů, což se shoduje s publikovanými údaji (Lee a Lagerlof, J.Electron Microscopy Technique, 2:247-258, 1985) pro monokrystal alfa aluminy. Technika Laueova zpětného odrazu a rentgenová precesní technika byly použity pro potvrzení faktu, že oblasti safíru vytvořené způsobem podle tohoto vynálezu, jsou monokrystaly. Obě techniky potvrdily, že byla zachována konstantní orientace podél délky oblastí přeměněných na safír.
9442
Výbojky HPS 10 (jak je znázorněna na obr.l) byly zhotoveny v rámci obecné konstrukce zobrazené na obrázku, přičemž safírová oblouková trubice 20 je přibližně 38 mm dlouhá a má vnější průměr 5 mm a tloušťku stěny 0,5 mm. Safír byl připraven z PCA trubice Lucalox s použitím výše uvedeného postupu tohoto vynálezu. Obloukové trubice byly naplněny přibližně 16 mg amalgamu sodíku a rtuti, jenž obsahoval 17% hmotn. sodíku, a plynným xenonem o tlaku 2,5 kPa (19 torr). Byly též připraveny podobné výbojky se stejným plněním a stejných rozměrech, ale z PCA obloukových trubic Lucalox. Po 100 hodinách provozu při 50 wattech výbojky s trubicemi Lucalox vyzařovaly 76,1 lumen na watt, zatímco výbojky se safírovými trubicemi připravenými podle tohoto vynálezu vyzařovaly 86,4 lumen na watt.
Byly též zhotoveny 70 W výbojky s použitím stejné konstrukce, jak se safírovými trubicemi zhotovenými podle tohoto vynálezu tak i s trubicemi z PCA Lucalox. Obloukové trubice byly 41 mm dlouhé, měly vnější průměr 5,5 mm a tloušťku stěn 0,5 mm a obsahovaly stejnou náplň jako 50 W výbojky. Po 100 hodinách provozu nebo doby výboje výbojky s trubicemi Lucalox vyzařovaly 87,6 lumen na watt, zatímco výbojky se safírovými trubicemi zhotovenými podle tohoto vynálezu vyzařovaly 98,8 lumen na watt.
Zatímco jsme ukázali a popsali určitá provedení našeho vynálezu, je jasné, že různé modifikace musí být zřejmé osobám znalých oboru a těmito osobami snadno proveditelné, aniž by došlo k odchýlení se od povahy a rozsahu tohoto vynálezu v jeho širších souvislostech. Použití safíru zhotoveného způsobem podle tohoto vynálezu na obloukové komory HPS výbojek bylo proto míněno pouze jako ilustrativní příklad, ale neomezující, což osoby znalé oboru poznají. Z toho plyne, že rozsah přiložených patentových nároků nemá být omezen na výše uvedený popis, ale že patentové nároky jsou formulovány jako zahrnující všechny charakteristické znaky patentovatelné novosti, jež je vlastní předloženému vynálezu, a zahrnuje všechny charakteristické znaky, jež mohou být osobami znalými oboru považovány za rovnocenné. Na příklad jiné vhodné husté alumíny než je Lucalox mohou být použity při provádění tohoto vynálezu. Takové materiály mohou být připraveny z práškových alumin a vhodných dopujících přísad podle U.S.Patentů 3,026,210 a 4,150,317 a následovně modifikovány, aby byl odstraněn přebytečný oxid hořečnatý. PCA připravené podle
9442 těchto způsobů, jiné komerčně dostupné PCA nebo PCA vyrobené za použití postupů, jež nevyžadují dopování oxidem hořečnatým (např. isostatické lisování za horka) by měly být vhodnými materiály pro tento způsob, za předpokladu, že vyhoví požadavkům na čistotu, hustotu, velikost zrna a strukturu zrnění, jak byly výše popsány. Mimoto, mělo by být jasné, že tento způsob přeměny polykrystalické hmoty na monokrystal nemá být považován za omezený na přeměnu PCA na safír, ale že jakákoliv polykrystalická hmota, jestliže je dostatečně čistá a neporézní, může být přeměněna na monokrystalovou formu zahříváním na teplotu nižší než je teplota tavení hmoty za použití výše popsaného způsobu.

Claims (10)

  1. PATENTOVÉ
    NÁROKY
    O1. Způsob přeměny v pevné fázi polykrystalické keramické hmoty na monokrystalovou hmotu, vyznačující se tím, že obsahuje zahřívání polykrystalické keramické hmoty na teploty vyšší než polovina teploty tavení tohoto keramického materiálu, ale nižší než je teplota tavení keramického materiálu, po dobu, než dojde k přeměně polykrystalické keramické hmoty na monokrystalovou hmotu.
  2. 2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že polykrystalická keramická hmota obsahuje zrnění o stejnoměrné velikosti zrna.
  3. 3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že polykrystalická keramická hmota obsahuje inhibitory růstu v množství, které umožňuje růst krystalů během zahřívání.
  4. 4. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že polykrystalická keramická hmota je tepelně modifikována před uvedenou přeměnou, aby se snížilo množství inhibitorů růstu zrn pod úroveň, která by bránila růstu krystalů.
    Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, přeměňující polykrystalickou keramickou monokrystalovou hmotu, se provádí v jednom tepelných cyklech.
    že zahřívání, hmotu na nebo několika
    Způsob podle kteréhokoliv z nároků 1 až 5, vyznačující se tím, že obsahuje zahřívání hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na teplotu vyšší než 1100eC, ale nižší než 2050°C, po dobu, než dojde k přeměně hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na safír.
  5. 7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že hmota polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) má hustotu alespoň 3,9 g/cm3, průměrnou velikost zrna v rozmezí mezi 15μπι a 70pm, a obsahuje alespoň 99% hmotn. oxidu hlinitého.
  6. 8. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že hmota polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) obsahuje oxid horečnatý v množství menším než 0,01¾ hmotn. (100 wppm).
  7. 9. Způsob podle kteréhokoliv z nároků 1 až 5, vyznačující se tím, že hmota polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) obsahuje oxid hlinitý s méně než 0,005¾ hmotn. (50 wppm) oxidu hořečnatého, má hustotu vyšší než 3,97 g/cm3, relativně stejnoměrnou velikost zrna a průměrnou velikost zrna nižší než 70 pm, přičemž způsob obsahuje zahřívání hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na teplotu vyšší než 1700°C, ale nižší než je teplota tavení hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA), a po dobu, než dojde k přeměně hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na safír.
  8. 10. Monokrystalová hmota přeměněná z polykrystalické keramické hmoty, vyznačující se tím, že má neuspořádanou strukturu pórů a povrchovou strukturu, jež má formu vlnek, jejichž vrcholy se nacházejí tam, kde byla před přeměnou v pevné fázi na monokrystal jednotlivá zrna polykrystalické hmoty, a jejichž prohlubně se nacházejí tam, kde byla hranice zrn polykrystalické hmoty před přeměnou v pevné fázi na monokrystal.
  9. 11. Monokrystalová hmota podle nároku 10, vyznačující se tím, že je tvořena safírem přeměněným z hmottj polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) a má vrcholy nacházející se tam, kde byla před přeměnou v pevné fázi na safír jednotlivá zrna hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA), a má prohlubně nacházející se tam, kde byly hranice zrn hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) před přeměnou v pevné fázi na safír.
  10. 12. Monokrystalová hmota podle nároku 11, vyznačující se tím, že safírová hmota má tvar trubice nebo vlákna.
CZ942339A 1993-09-24 1994-09-23 Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner CZ233994A3 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/126,954 US5451553A (en) 1993-09-24 1993-09-24 Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ233994A3 true CZ233994A3 (en) 1995-12-13

Family

ID=22427545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ942339A CZ233994A3 (en) 1993-09-24 1994-09-23 Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner

Country Status (12)

Country Link
US (1) US5451553A (cs)
EP (1) EP0645476B1 (cs)
JP (1) JPH07165484A (cs)
KR (1) KR100416023B1 (cs)
CN (1) CN1047412C (cs)
BR (1) BR9403826A (cs)
CA (1) CA2132185C (cs)
CZ (1) CZ233994A3 (cs)
DE (1) DE69427007T2 (cs)
ES (1) ES2155465T3 (cs)
PL (1) PL305145A1 (cs)
TW (1) TW336258B (cs)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5682082A (en) * 1996-07-29 1997-10-28 Osram Sylvania Inc. Translucent polycrystalline alumina and method of making same
US6126889A (en) 1998-02-11 2000-10-03 General Electric Company Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp
US7297037B2 (en) * 1998-04-28 2007-11-20 General Electric Company Ceramic discharge chamber for a discharge lamp
US6583563B1 (en) 1998-04-28 2003-06-24 General Electric Company Ceramic discharge chamber for a discharge lamp
US6214427B1 (en) 1998-08-28 2001-04-10 General Electric Company Method of making an electronic device having a single crystal substrate formed by solid state crystal conversion
US6299681B1 (en) * 1998-11-27 2001-10-09 General Electric Company Single crystal conversion control
US6414436B1 (en) 1999-02-01 2002-07-02 Gem Lighting Llc Sapphire high intensity discharge projector lamp
JP2001064075A (ja) * 1999-08-30 2001-03-13 Sumitomo Chem Co Ltd 透光性アルミナ焼結体およびその製造方法
WO2003011792A1 (en) 2001-08-01 2003-02-13 The Pennsylvania State University Research Foundation Method and apparatus for the preparation of transparent alumina ceramics by microwave sintering
US6812441B2 (en) 2000-08-04 2004-11-02 The Penn State Research Foundation Method and apparatus for the preparation of transparent alumina ceramics by microwave sintering
US6475942B1 (en) * 2000-09-05 2002-11-05 General Electric Company Conversion of polycrystalline alumina to single crystal sapphire using molybdenum doping
DE10141961A1 (de) * 2001-08-28 2003-03-20 Philips Corp Intellectual Pty Entladungslampe und Außenkolben hierfür
US6873108B2 (en) * 2001-09-14 2005-03-29 Osram Sylvania Inc. Monolithic seal for a sapphire metal halide lamp
US7348076B2 (en) 2004-04-08 2008-03-25 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Single crystals and methods for fabricating same
CN103256861A (zh) * 2005-06-10 2013-08-21 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 复合物透明铠板
TWI472652B (zh) * 2006-09-22 2015-02-11 Saint Gobain Ceramics 製造發光二極體或雷射二極體之方法
CN101205628A (zh) * 2006-12-18 2008-06-25 庄育丰 蓝宝石晶体生长方法
US8157912B2 (en) 2007-09-11 2012-04-17 Osram Sylvania Inc. Method of converting PCA to sapphire and converted article
US20090130415A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. R-Plane Sapphire Method and Apparatus
CN101307484B (zh) * 2008-02-04 2011-08-31 中国科学院上海硅酸盐研究所 多晶-单晶固相转化方法
US20090211514A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Lehigh University Single crystal conversion process
JP5704565B2 (ja) * 2011-03-31 2015-04-22 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶製造方法および大型単結晶
CN102557596B (zh) * 2012-01-05 2013-08-14 西北工业大学 一种激光送粉法制备氧化铝基共晶陶瓷的方法
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
US9221289B2 (en) 2012-07-27 2015-12-29 Apple Inc. Sapphire window
US9232672B2 (en) 2013-01-10 2016-01-05 Apple Inc. Ceramic insert control mechanism
US9632537B2 (en) 2013-09-23 2017-04-25 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
US9678540B2 (en) 2013-09-23 2017-06-13 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
US9225056B2 (en) 2014-02-12 2015-12-29 Apple Inc. Antenna on sapphire structure
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
WO2017019746A1 (en) 2015-07-28 2017-02-02 The Penn State Research Foundation Method and apparatus for producing crystalline cladding and crystalline core optical fibers
US11047650B2 (en) 2017-09-29 2021-06-29 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Transparent composite having a laminated structure
CN107829132A (zh) * 2017-10-10 2018-03-23 上海应用技术大学 一种制备氧化铝单晶的方法
GB2593950A (en) 2020-04-08 2021-10-13 Corning Inc Solid state conversion of polycrystalline material
CN112795792A (zh) * 2020-12-07 2021-05-14 南通泰德电子材料科技有限公司 一种生产6n5超高纯铝的生产工艺

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US988230A (en) * 1910-05-10 1911-03-28 Heller & Son L Process of producing synthetic sapphires.
US3026210A (en) * 1961-01-03 1962-03-20 Gen Electric Transparent alumina and method of preparation
US3382047A (en) * 1964-12-14 1968-05-07 Ibm Preparing large single crystalline bodies of rare earth chalcogenides
US3943324A (en) * 1970-12-14 1976-03-09 Arthur D. Little, Inc. Apparatus for forming refractory tubing
US3998686A (en) * 1975-03-10 1976-12-21 Corning Glass Works Sapphire growth from the melt using porous alumina raw batch material
GB1595518A (en) * 1977-03-11 1981-08-12 Gen Electric Polycrystalline alumina material
US4402787A (en) * 1979-05-31 1983-09-06 Ngk Insulators, Ltd. Method for producing a single crystal
JPS5692190A (en) * 1979-12-27 1981-07-25 Toshiba Ceramics Co Ltd Oxide single crystal body and its production
US4285732A (en) * 1980-03-11 1981-08-25 General Electric Company Alumina ceramic
JPS5792591A (en) * 1980-11-28 1982-06-09 Ngk Insulators Ltd Production of single crystal
JPS6221794A (ja) * 1985-07-17 1987-01-30 Matsushima Kogyo Co Ltd 集光加熱装置によるブル−サフアイア単結晶の製造方法
US4629377A (en) * 1985-07-30 1986-12-16 Fellows Corporation Disposable disk cutter
JPS62278198A (ja) * 1986-05-27 1987-12-03 Matsushima Kogyo Co Ltd 集光フロ−テイングゾ−ン法によるブラツクスタ−サフアイアの製造方法
JPS6311591A (ja) * 1986-07-01 1988-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 単結晶セラミクスの製造方法
US5427051A (en) * 1993-05-21 1995-06-27 General Electric Company Solid state formation of sapphire using a localized energy source

Also Published As

Publication number Publication date
DE69427007T2 (de) 2001-10-18
BR9403826A (pt) 1995-06-06
JPH07165484A (ja) 1995-06-27
CN1047412C (zh) 1999-12-15
CA2132185C (en) 2006-05-09
DE69427007D1 (de) 2001-05-10
EP0645476A2 (en) 1995-03-29
CA2132185A1 (en) 1995-03-25
KR100416023B1 (ko) 2004-08-30
US5451553A (en) 1995-09-19
EP0645476B1 (en) 2001-04-04
ES2155465T3 (es) 2001-05-16
TW336258B (en) 1998-07-11
EP0645476A3 (en) 1996-04-03
KR950008735A (ko) 1995-04-19
PL305145A1 (en) 1995-04-03
CN1103679A (zh) 1995-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ233994A3 (en) Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner
US5487353A (en) Conversion of doped polycrystalline material to single crystal
US5549746A (en) Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire using a seed crystal
KR100288661B1 (ko) 국부에너지원에 의한 사파이어의 고체 상태의 형성 방법
Scott et al. Conversion of polycrystalline Al2O3 into single‐crystal sapphire by abnormal grain growth
JP2011153054A (ja) 酸化ガリウム単結晶の製造方法および酸化ガリウム単結晶
TW200930849A (en) Scintillator crystals and methods of forming
CN107935572A (zh) 一种具有特殊微结构的陶瓷材料及其制备方法
Hing Fabrication of translucent magnesium aluminate spinel and its compatibility in sodium vapour
JP5919961B2 (ja) セラミック複合体の製造方法
Bates Efg Growth of Alumina‐Zirconia Eutectic Fiber
US5540182A (en) Conversion of polycrystalline material to single crystal material using bodies having a selected surface topography
US20090211514A1 (en) Single crystal conversion process
Subramanian et al. Growth of nickel aluminate single crystals by the floating zone method
Kappen Status quo of ceramic material for metal halide discharge lamps
JP2007254191A (ja) 透光性酸化マグネシウム焼結体及びその製造方法
BORODIN INTERNATIONAL CENTRE FOR SCIENCE AND HIGH TECHNOLOGY