CZ233994A3 - Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner - Google Patents
Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner Download PDFInfo
- Publication number
- CZ233994A3 CZ233994A3 CZ942339A CZ233994A CZ233994A3 CZ 233994 A3 CZ233994 A3 CZ 233994A3 CZ 942339 A CZ942339 A CZ 942339A CZ 233994 A CZ233994 A CZ 233994A CZ 233994 A3 CZ233994 A3 CZ 233994A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- mass
- polycrystalline
- pca
- sapphire
- alumina
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Preparation Of Clay, And Manufacture Of Mixtures Containing Clay Or Cement (AREA)
Description
Tepelná přeměna polykrystalické aluminy na safír v pevné fázi
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu přeměny v pevné fázi polykrystalického keramického tělesa na monokrystalové těleso zahříváním polykrystalického tělesa na teplotu, jež je vyšší než polovina teploty tavení materiálu, ale nižší než teplota jeho tavení. Specificky, tento vynález se týká procesu v pevné fázi přeměny polykrystalické aluminy (PCA) na monokrystalovou aluminu (safír). Přeměna v pevné fázi PCA na safír se provádí zahříváním PCA tělesa obsahujícího méně než 0,01% hmotn. (100 wppm) oxidu hořečnatého na teplotu ležící nad 1100°C, ale pod 2050C, což je teplota tavení aluminy. K dosažení přeměny není nutné roztavení PCA.
Dosavadní stav techniky
Výroba aluminy Lucaíox, což je typ polykrystalické aluminy (PCA), a její využití pro vysokotlaké sodíkové výbojky (dále jen výbojky HPS) je dobře a dlouho známo osobám znalým oboru. U.S.Patenty 3,026,210 (Coble); 4,150,317 (Laska a kol.) ?m£ ’4»ia 4,285,732 (Charles a kol.) popisují výrobu PCA o vysoké hustotě se zlepšenou transmitancí viditelného světla za použití relativně čisté práškové aluminy a malých množství oxidu hořečnatého. U.S.
c ^Patent 4,285,732 dále uvádí přidávání oxidů zirkonia a hafnia ·* k alumině aditivované... oxidem hořečnatým, aby se snížila možnost vysrážení druhé fáze a možnost přehnaného nebo
9442 nekontrolovatelného růstu zrna během spékání. PCA vhodné pro výbojky HPS se zhotovují podle způsobů těchto patentů a mají průměrnou velikost zrnění v rozsahu od 15 mikrometrů do 100 mikrometrů. Dvěma hlavními nevýhodami spojenými s použitím PCA obloukových trubic na výbojky HPS je to, že jsou za prvé průsvitné a nikoliv průhledné a za druhé, že sodík reaguje v oblouku s aluminou na hranicích zrn PCA za tvorby hlinitanu sodného, což zkracuje životnost výbojky. Výbojky HPS jsou vyvinuty pro zvýšený parciální tlak sodíku uvnitř obloukové trubice PCA, aby se zlepšilo podání barev a aby vyzařované světlo bylo bělejší. Vyšší tlak sodíku ale dále zkracuje životnost výbojky vlivem úniku sodíku z obloukové komory. Z postupné ztráty sodíku vyplývá vzestup pracovního napětí výbojky, pokles jak korelované teploty barvy tak i indexu barevného podání a barevný posun od bílé k růžové. Sodík, jenž migruje obloukovou komorou se rovněž ukládá na vnitřní stěně evakuovaného vnějšího pláště výbojky, což na tomto plášti vyvolává nahnědlé skvrny, což zase dále snižuje světelný výkon výbojky. Tyto problémy jsou v podstatě odstraněny u safírových obloukových trubic (tj. z monokrystalu aluminy).
Safírové obloukové trubice vhodné jako oblouková komora výbojek HPS se vyrábějí řadou způsobů včetně modifikovaného Czochralského procesu známého jako proces hranové definovaného filmově napájeného růstu (EFG), jenž byl vyvinut firmou Tyco Laboratories, lne. Tento proces využívá zárodečný krystal a matrci na povrchu roztavené aluminy, z níž se nepřetržitě matricí vytahuje dutá trubice. Tento proces je drahý a pomalý. Jiný proces používaný k výrobě monokrystalové aluminy (safíru) se nazývá proces s letmou zónou. Při tomto procesu se zavádí danou rychlostí PCA tyč do vyhřívané zóny, kde na tyč míří jeden nebo více laserů nebo jiných koncentrovaných zdrojů tepla, čímž vzniká tavná zóna a alumina se roztaví. Z tavné zóny se nepřetržitě požadovanou rychlostí odtahuje safírové vlákno, přičemž tyč poskytující surovinu se přivádí současně, ale nižší rychlostí, takže proces je kontinuální. Tento proces se používá hlavně k výrobě safírových vláken a není snadno adaptovatelný k výrobě monokrystalových trubic z aluminy, ačkoliv jeho použití pro tyto účely je popsáno v U.S.Patentu 3,943,324. g j
Zveřejněná japonská patentová přihláška 62-28118 (H.Yoshida
9442 a kol.) uvádí, že safír může být syntetizován procesem v pevné fázi zavedením koncentračního gradientu oxidu horečnatého podél délky PCA tělesa, čímž se zajistí, že během tepelné modifikace je růst zrna iniciován z jednoho bodu na PCA tělese, čímž vznikne monokrystal. Tento gradient oxidu horečnatého může být v PCA tělese vytvořen dopováním zeleného tělesa oxidem hořečnatým tak,, že v PCA tělese je gradient koncentrace oxidu hořečnatého nebo využitím teplotního gradientu k vytvoření koncentračního gradientu nebo zhotovením pomocí obrábění tenké části na zeleném tělese. Principem procesu podle Yoshidy a kol. je to, že růst monokrystalu je iniciván z jednoho místa na polykrystalickém tělese. Na první pohled, postup Yoshidy a kol. se nezdá proveditelný. Yoshida a kol. zejména vyžadují ekvivalent pouze 0,009% hmotn. (90 wppm) oxidu hořečnatého ve výchozí alumině. Aby se mohla vytvořit hustá struktura PCA, vyžaduje se však nejméně kolem 0,03% hmotn. (300 wppm) oxidu hořečnatého. (Viz Alumina a optické vlastnosti, J.G.J. Peelen, kandidátská práce, Technical University of Eindhoven, Nizozemsko, Květen 1977). U typických procesů přeměny např. použitých při výrobě Lucaloxu se používá 0,055 až 0,075% hmotn. (550 až 750 wppm) oxidu hořečnatého ve výchozí alumině, aby se dosáhlo plné hustoty. Při použití 0,009% hmotn. (90 wppm) oxidu hořečnatého ve výchozím materiálu, jak je popsáno Yoshidou a kol., nemůže být dosaženo husté neporézní struktury.
Podstata vynálezu
Byl objeven proces přeměny v pevné fázi polykrystalického keramického materiálu na monokrystalový materiál a zvláště proces přeměny polykrystalické aluminy na monokrystalovou aluminu (dále safír). Procesem v pevné fázi se rozumí, že přeměna polykrystalického tělesa na monokrystal nastává při teplotě, jež je dostatečně nižší než je teplota tavení materiálu, takže se neroztaví ani část polykrystalického výrobku a ani ve výrobku nevznikne jakákoliv roztavená zóna během jakéhokoliv zahřívacího kroku. Přeměna polykrystalického materiálu na safír se uskutečňuje jako proces v pevné fázi. Tento proces přeměny v pevné fázi umožňuje výrobu jednoduchých i složitých keramických tvarů při využití standardních postupů tvorby polykrystalických
9442 látek s jejich následovnou přeměnou na monokrystal, aniž by došlo k roztavení keramické hmoty. Monokrystal si proto podrží tvar polykrystalického prekurzoru. Tento proces umožní mnohem větší rozmanitost při výrobě různých tvarů monokrystalů, než je nyní možné pomocí dostupných a běžných postupů tažení z taveniny nebo postupů s letmou zónou.
Na rozdíl od procesu popsaného ve zveřejněné japonské patentové přihlášce 62-28118, proces podle tohoto vynálezu nevyžaduje vyvinutí gradientu oxidu horečnatého nebo iniciaci růstu krystalu z jednoho místa. Při zhotovení safíru z tělesa PCA podle způsobu tohoto vynálezu se zahřívá těleso PCA z relativně čisté aluminy s obsahem oxidu horečnatého menším než 0,01% hmotn. (100 wppm), se stejnoosou strukturou zrnění, s průměrnou velikostí zrn menší než 70 μιη a s hustotou větší než 3,9 g/cm3 na teploty vyšší než 1100°C (což je přibližně polovina teploty tavení aluminy), ale nižší než 2050eC, což je teplota tavení aluminy. Vyžaduje se obsah oxidu hořečnatého 0,01% hmotn. (100 wppm) nebo nižší, jelikož věříme, že tím se zajistí, že veškerý oxid hořečnatý je v tuhém roztoku společně s aluminou a není oddělen na hranici zrn, kde by bránil hraniční mobilitě.
PCA trubice dlouhé 61 cm (24 palců) tepelně modifikované podle způsobu tohoto vynálezu mají většinou jednu nebo více oblastí safíru delších než 15 cm (6 palců). Více oblastí safíru podél délky trubice je důsledkem iniciace růstu krystalů z více míst na trubici. Safírová vlákna byla také vyrobena podle způsobu tohoto vynálezu.
Safírové trubice vyrobené podle tohoto vynálezu vykazovaly celkovou a dopřednou difuzní transmitanci viditelného světla srovnatelnou s komerčně dostupným safírem, jak je ukázáno v tab.l. Safír vyrobený podle tohoto vynálezu je vhodný k použití jako oblouková trubice vysokotlakých sodíkových výbojek (HPS výbojek), z nichž jedna je zobrazena na obr.l. V důsledku použití tohoto materálu v HPS výbojkách se zvýšila o 10 až 15% účinnost ve srovnání s výbojkami využívajícími obloukové trubice Lucalox (PCA).
9442
Tabulka 1
Transmitance
Celková | Dopředná difuzní | |
Standardní Lucalox PCA1 | 96 | 70 |
Safír (podle tohoto vynálezu) | 98 | 87 |
Safír (komerční2) | 97 | 87 |
Safír (komerční3) | 97 | 87 |
^General Electric Company, Willoughby Quartz and Ceramic Plant, Willoughby, Ohio, USA 2Saphikon, lne., Milford, New Hampshire, USA 3Kyocera, Kyoto, Japonsko
Safír vyrobený podle tohoto vynálezu se liší od safíru vyrobeného procesy, jako jsou např. EFG nebo proces Czochralského nebo proces podle U.S.Patentu 3,943,324, kombinací náhodného uspořádání pórů a jedinečné povrchové topografie, jež má formu malých vlnek, jejichž vrcholy se nacházejí přibližně nad středem místa, kde se nacházely před přeměnou jednotlivá zrna PCA, a jejichž prohlubně odpovídají hranicím zrn před přeměnou. Typická povrchová topografie je zobrazena na obr.2. Safírový materiál zhotovený tažením z taveniny podle EFG nebo Czochralského má lineární uspořádání porozity v důsledku bublinek vzniklých v procesu tažení. Žádný z výše uvedených procesů nemá povrchovou topografii, jež byla zjištěna v safíru zhotoveném podle tohoto vynálezu.
Přehled obrázků na výkrese
Obr.l schematicky znázorňuje vysokotlakou sodíkovou výbojku využívající safírovou obloukovou trubici zhotvenou podle tohoto vynálezu.
Obr.2 je optická mikrografie ukazující hranici mezi oblastmi safíru a polykrystalickými oblastmi na povrchu teplem modifikované trubice z aluminy podle tohoto vynálezu a povrchovou topografii povrchu safíru.
Obr.3 znázorňuje závislost ztráty oxidu hořečnatého v trubici Lucalox a následovného zvýšení průměrné velikosti zrna na době zahřívání.
9442
Příklady provedeni vynálezu
Při praktickém provádění tohoto vynálezu přeměny PCA na safír v pevné fázi bylo zjištěno, že je vhodné, aby výchozím materiálem byla relativně čistá spékaná alfa alumina; výchozím materiálem obecně je 99,99% alumina bez nečistot takového typu, jež by mohly bránit přeměně PCA na safír. Věříme, že obsah oxidu horečnatého v PCA by měl být nižší než 0,01% hmotn. (100 wppm) a lépe méně než 0,005% hmotn. (50 wppm), aby se zajistilo, aby veškerý oxid hořečnatý byl v tuhém roztoku spolu s aluminou a aby nebyl oddělen na hranicích zrn, kde by mohl inhibovat hraniční mobilitu. PCA by měla mít stejnoosou strukturu zrnění s průměrnou velikostí zrn menší než 100 μιη a přednostně menší než 70 μιη. Velikostí zrn se rozumí rozměr zrna měřený velmi známým způsobem lineárních úseků, který je popsán v ASTM E112-88. Materiály PCA s průměrnou velikostí zrn větší než 100 μιη mají během tepelné modifikace podle tohoto vynálezu sklon k tvorbě mikrotrhlin, což brání přeměně na safír. Hustota PCA by měla činit nejméně o
3,97 g/cm , jelikož zbytková porozita může bránit přeměně na safír anebo poskytnout safírový výrobek s horší než optimální transmitancí světla.
Při provádění pokusů výchozím PCA materiálem byly trubice Lucalox, jež byly modifikovány teplem kvůli snížení obsahu oxidu horečnatého pod 0,01% hmotn. (100 wppm) a které měly vnější průměr v rozmezí od 4,5 mm do 8,8 mm a tloušřku stěn v rozmezí od 0,5 mm do 0,75 mm. Lucalox je komerčně dostupný u firmy General Electric Company, Willoughby Quartz and Ceramic Plant, Willoughby, Ohio, USA. Při provádění jiných pokusů byla použita vlákna o průměru přibližně 0,38 mm (0,015 palce). Materiál Lucalox má stejnoosou strukturu zrnitosti a průměrnou velikost zrn v rozmezí od 15 do 70 μπ>. Lucalox PCA je tvořen 99,99% aluminou s hustotou typicky v rozmezí od 3,97 do 3,98 g/cm3. Typická analýza na stopové nečistoty Lucaloxu je uvedena v tab.2. Koncentrace hořčíku (Mg) 0,018% hmotn. (180 wppm) odpovídá přibližné 0,03% hmotn. (300 wppm) oxidu hořečnatého (mgO).
Ί
9442
Tabulka 2 | |||||
Stopový prvek | Si | Fe | Ca | Mg | K |
Nalezeno % hmotn. | 0,0050 | 0,0004 | 0,0007 | 0,0180 | 0,0050 |
(Nalezeno wppm) | 50 | 4 | 7 | 180 | 50 |
Stopový prvek | Na | Li | Mo | Cr | cu |
Nalezeno % hmotn. | 0,0080 | <0,0001 | 0,0010 | 0,0002 | 0,0004 |
(Nalezeno .wppm) | 80 | <1 | 10 | 2 | 4 |
Jelikož obsah | oxidu hořečnatého v | Lucaloxu PCA je | v rozmezí | ||
od 0,03 do 0,04% | hmotn. | (300 až 400 | wppm) | byly učiněny kroky |
k snížení obsahů oxidu horečnatého pod 0,01% hmotn. (100 wppm) a ještě výhodněji pod 0,0050% hmotn. (50 wppm), aby byl získán výchozí materiál vhodný pro proces podle tohoto vynálezu. Osoby znalé oboru vědí, že oxid hořečnatý může být vypuzen z hmoty PCA zahříváním hmoty ve vakuu, v suchém vodíku nebo v atmosféře inertního plynu na teploty nad 1600'C. Aby byl získán výchozí materiál pro ověření tohoto vynálezu, Lucalox byl zahříván v elektrické odporové peci na teplotu 1880C po dobu přibližné 9 hodin v atmosféře suchého vodíku o rosném bodu pod O’C. Materiál vzešlý z tepelné modifikace měl obsah oxidu horečnatého přibližně 0,005% hmotn. (50 wppm). Obsah oxidu horečnatého byl stanoven analýzou induktivně vázané plazmy (ICP). Doba potřebná k vypuzení oxidu horečnatého z aluminy se liší v závislosti na výchozím obsahu oxidu horečnatého, na teplotě peci a na rozměrech dílu z aluminy. Během odpařování oxidu horečnatého se musí dát pozor na to, aby materiál nebyl zahříván příliš dlouho, což může mít za následek průměrnou velikost zrna větší než 70 μπι anebo anomální růst zrnitosti. Obr.3 ukazuje příklad zvětšení průměrné velikosti zrna v závislosti na ztrátě oxidu horečnatého a době zahřívání. Křivka 1 na obr.3 zobrazuje pokles obsahu oxidu horečnatého s prodlužující se dobou zahřívání. Křivka 2 na obr.3 zobrazuje zvětšení velikosti zrna s prodlužující se dobou zahřívání.
Výchozí hustý materiál o nízkém obsahu oxidu horečnatého byl přeměněn na safír zahříváním v elektrické odporové peci v proudícím suchém vodíku o rosném bodu nižším než 0’C. V jednom příkladu přeměna na safír byla provedena průchodem v kontinuálním
9442 uspořádání výchozího materiálu horkou zónou pece při teplotě 1880*C. Materiál byl v horké zóně 3 až 9 hodin v závislosti na geometrii dílu z aluminy. V jiném příkladu se dosáhlo přeměny opakovaným několikanásobným průchodem výchozího materiálu horkou zónou. Všechny průchody pecí byly kontinuální. Teplota horké zóny činila 1880°C a vzorek byl v horké zóně během jednoho průchodu 3 hodiny. V jiném příkladu vzorek byl stacionární po dobu 300 hodin v horké zóně pece s vodíkem o rosném bodu nižším než přibližně 0’C a o teplotě kolem 1700C.
Ve všech výše uvedených příkladech trubice z aluminy dlouhé 61 cm (24 palců) měly jednu nebo více oblastí safíru delších než 15 cm (6 palců). Větší počet oblastí safíru podél délky trubice je důsledkem iniciace růstu krystalů z více míst na trubici.
Safírový materiál vyrobený podle tohoto vynálezu byl charakterizován s použitím optické mikroskopie, rastrovací elektronové mikroskopie (SEM), čtyřkruhové difraktometrie, technikou Laueova zpětného odrazu a rentgenovou precesní technikou. Mikroskopická analýza ukázala, že safírová trubice zhotovená podle tohoto vynálezu vykazuje topografickou strukturu, jež má formu malých vlnek, jejichž vrcholy 6 se nacházejí přibližně nad středem místa, kde se nacházely před přeměnou jednotlivá zrna PCA, a jejichž mírné prohlubně 7 odpovídají hranicím zrn před přeměnou PCA materiálu. Obr.2 je optická mikrografie 200x zvětšení povrchu trubice z aluminy zobrazující hranici 2 mezi tou oblastí aluminy, která byla přeměněna na safír 4, a mezi oblastí, která zůstala polykrystalickou 5. Hranice zrn jsou zřejmé v polykrystalické oblasti, ale chybí v oblasti safíru. Topografická struktura je jasná v safírové oblasti.
Parametry mřížky jednotkové cely krystalu materiálu, jenž byl zhotoven podle tohoto vynálezu, byly zjištěny s použitím čtyřkruhové difraktometrie. Bylo nalezeno, že parametry mřížky činí a = 4,759 angstremů a c = 12,991 angstremů, což se shoduje s publikovanými údaji (Lee a Lagerlof, J.Electron Microscopy Technique, 2:247-258, 1985) pro monokrystal alfa aluminy. Technika Laueova zpětného odrazu a rentgenová precesní technika byly použity pro potvrzení faktu, že oblasti safíru vytvořené způsobem podle tohoto vynálezu, jsou monokrystaly. Obě techniky potvrdily, že byla zachována konstantní orientace podél délky oblastí přeměněných na safír.
9442
Výbojky HPS 10 (jak je znázorněna na obr.l) byly zhotoveny v rámci obecné konstrukce zobrazené na obrázku, přičemž safírová oblouková trubice 20 je přibližně 38 mm dlouhá a má vnější průměr 5 mm a tloušťku stěny 0,5 mm. Safír byl připraven z PCA trubice Lucalox s použitím výše uvedeného postupu tohoto vynálezu. Obloukové trubice byly naplněny přibližně 16 mg amalgamu sodíku a rtuti, jenž obsahoval 17% hmotn. sodíku, a plynným xenonem o tlaku 2,5 kPa (19 torr). Byly též připraveny podobné výbojky se stejným plněním a stejných rozměrech, ale z PCA obloukových trubic Lucalox. Po 100 hodinách provozu při 50 wattech výbojky s trubicemi Lucalox vyzařovaly 76,1 lumen na watt, zatímco výbojky se safírovými trubicemi připravenými podle tohoto vynálezu vyzařovaly 86,4 lumen na watt.
Byly též zhotoveny 70 W výbojky s použitím stejné konstrukce, jak se safírovými trubicemi zhotovenými podle tohoto vynálezu tak i s trubicemi z PCA Lucalox. Obloukové trubice byly 41 mm dlouhé, měly vnější průměr 5,5 mm a tloušťku stěn 0,5 mm a obsahovaly stejnou náplň jako 50 W výbojky. Po 100 hodinách provozu nebo doby výboje výbojky s trubicemi Lucalox vyzařovaly 87,6 lumen na watt, zatímco výbojky se safírovými trubicemi zhotovenými podle tohoto vynálezu vyzařovaly 98,8 lumen na watt.
Zatímco jsme ukázali a popsali určitá provedení našeho vynálezu, je jasné, že různé modifikace musí být zřejmé osobám znalých oboru a těmito osobami snadno proveditelné, aniž by došlo k odchýlení se od povahy a rozsahu tohoto vynálezu v jeho širších souvislostech. Použití safíru zhotoveného způsobem podle tohoto vynálezu na obloukové komory HPS výbojek bylo proto míněno pouze jako ilustrativní příklad, ale neomezující, což osoby znalé oboru poznají. Z toho plyne, že rozsah přiložených patentových nároků nemá být omezen na výše uvedený popis, ale že patentové nároky jsou formulovány jako zahrnující všechny charakteristické znaky patentovatelné novosti, jež je vlastní předloženému vynálezu, a zahrnuje všechny charakteristické znaky, jež mohou být osobami znalými oboru považovány za rovnocenné. Na příklad jiné vhodné husté alumíny než je Lucalox mohou být použity při provádění tohoto vynálezu. Takové materiály mohou být připraveny z práškových alumin a vhodných dopujících přísad podle U.S.Patentů 3,026,210 a 4,150,317 a následovně modifikovány, aby byl odstraněn přebytečný oxid hořečnatý. PCA připravené podle
9442 těchto způsobů, jiné komerčně dostupné PCA nebo PCA vyrobené za použití postupů, jež nevyžadují dopování oxidem hořečnatým (např. isostatické lisování za horka) by měly být vhodnými materiály pro tento způsob, za předpokladu, že vyhoví požadavkům na čistotu, hustotu, velikost zrna a strukturu zrnění, jak byly výše popsány. Mimoto, mělo by být jasné, že tento způsob přeměny polykrystalické hmoty na monokrystal nemá být považován za omezený na přeměnu PCA na safír, ale že jakákoliv polykrystalická hmota, jestliže je dostatečně čistá a neporézní, může být přeměněna na monokrystalovou formu zahříváním na teplotu nižší než je teplota tavení hmoty za použití výše popsaného způsobu.
Claims (10)
- PATENTOVÉNÁROKYO1. Způsob přeměny v pevné fázi polykrystalické keramické hmoty na monokrystalovou hmotu, vyznačující se tím, že obsahuje zahřívání polykrystalické keramické hmoty na teploty vyšší než polovina teploty tavení tohoto keramického materiálu, ale nižší než je teplota tavení keramického materiálu, po dobu, než dojde k přeměně polykrystalické keramické hmoty na monokrystalovou hmotu.
- 2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že polykrystalická keramická hmota obsahuje zrnění o stejnoměrné velikosti zrna.
- 3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že polykrystalická keramická hmota obsahuje inhibitory růstu v množství, které umožňuje růst krystalů během zahřívání.
- 4. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že polykrystalická keramická hmota je tepelně modifikována před uvedenou přeměnou, aby se snížilo množství inhibitorů růstu zrn pod úroveň, která by bránila růstu krystalů.Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, přeměňující polykrystalickou keramickou monokrystalovou hmotu, se provádí v jednom tepelných cyklech.že zahřívání, hmotu na nebo několikaZpůsob podle kteréhokoliv z nároků 1 až 5, vyznačující se tím, že obsahuje zahřívání hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na teplotu vyšší než 1100eC, ale nižší než 2050°C, po dobu, než dojde k přeměně hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na safír.
- 7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že hmota polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) má hustotu alespoň 3,9 g/cm3, průměrnou velikost zrna v rozmezí mezi 15μπι a 70pm, a obsahuje alespoň 99% hmotn. oxidu hlinitého.
- 8. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že hmota polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) obsahuje oxid horečnatý v množství menším než 0,01¾ hmotn. (100 wppm).
- 9. Způsob podle kteréhokoliv z nároků 1 až 5, vyznačující se tím, že hmota polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) obsahuje oxid hlinitý s méně než 0,005¾ hmotn. (50 wppm) oxidu hořečnatého, má hustotu vyšší než 3,97 g/cm3, relativně stejnoměrnou velikost zrna a průměrnou velikost zrna nižší než 70 pm, přičemž způsob obsahuje zahřívání hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na teplotu vyšší než 1700°C, ale nižší než je teplota tavení hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA), a po dobu, než dojde k přeměně hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) na safír.
- 10. Monokrystalová hmota přeměněná z polykrystalické keramické hmoty, vyznačující se tím, že má neuspořádanou strukturu pórů a povrchovou strukturu, jež má formu vlnek, jejichž vrcholy se nacházejí tam, kde byla před přeměnou v pevné fázi na monokrystal jednotlivá zrna polykrystalické hmoty, a jejichž prohlubně se nacházejí tam, kde byla hranice zrn polykrystalické hmoty před přeměnou v pevné fázi na monokrystal.
- 11. Monokrystalová hmota podle nároku 10, vyznačující se tím, že je tvořena safírem přeměněným z hmottj polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) a má vrcholy nacházející se tam, kde byla před přeměnou v pevné fázi na safír jednotlivá zrna hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA), a má prohlubně nacházející se tam, kde byly hranice zrn hmoty polykrystalického oxidu hlinitého (PCA) před přeměnou v pevné fázi na safír.
- 12. Monokrystalová hmota podle nároku 11, vyznačující se tím, že safírová hmota má tvar trubice nebo vlákna.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/126,954 US5451553A (en) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ233994A3 true CZ233994A3 (en) | 1995-12-13 |
Family
ID=22427545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ942339A CZ233994A3 (en) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5451553A (cs) |
EP (1) | EP0645476B1 (cs) |
JP (1) | JPH07165484A (cs) |
KR (1) | KR100416023B1 (cs) |
CN (1) | CN1047412C (cs) |
BR (1) | BR9403826A (cs) |
CA (1) | CA2132185C (cs) |
CZ (1) | CZ233994A3 (cs) |
DE (1) | DE69427007T2 (cs) |
ES (1) | ES2155465T3 (cs) |
PL (1) | PL305145A1 (cs) |
TW (1) | TW336258B (cs) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5682082A (en) * | 1996-07-29 | 1997-10-28 | Osram Sylvania Inc. | Translucent polycrystalline alumina and method of making same |
US6126889A (en) | 1998-02-11 | 2000-10-03 | General Electric Company | Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp |
US7297037B2 (en) * | 1998-04-28 | 2007-11-20 | General Electric Company | Ceramic discharge chamber for a discharge lamp |
US6583563B1 (en) | 1998-04-28 | 2003-06-24 | General Electric Company | Ceramic discharge chamber for a discharge lamp |
US6214427B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-04-10 | General Electric Company | Method of making an electronic device having a single crystal substrate formed by solid state crystal conversion |
US6299681B1 (en) * | 1998-11-27 | 2001-10-09 | General Electric Company | Single crystal conversion control |
US6414436B1 (en) | 1999-02-01 | 2002-07-02 | Gem Lighting Llc | Sapphire high intensity discharge projector lamp |
JP2001064075A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | 透光性アルミナ焼結体およびその製造方法 |
WO2003011792A1 (en) | 2001-08-01 | 2003-02-13 | The Pennsylvania State University Research Foundation | Method and apparatus for the preparation of transparent alumina ceramics by microwave sintering |
US6812441B2 (en) | 2000-08-04 | 2004-11-02 | The Penn State Research Foundation | Method and apparatus for the preparation of transparent alumina ceramics by microwave sintering |
US6475942B1 (en) * | 2000-09-05 | 2002-11-05 | General Electric Company | Conversion of polycrystalline alumina to single crystal sapphire using molybdenum doping |
DE10141961A1 (de) * | 2001-08-28 | 2003-03-20 | Philips Corp Intellectual Pty | Entladungslampe und Außenkolben hierfür |
US6873108B2 (en) * | 2001-09-14 | 2005-03-29 | Osram Sylvania Inc. | Monolithic seal for a sapphire metal halide lamp |
US7348076B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-03-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Single crystals and methods for fabricating same |
CN103256861A (zh) * | 2005-06-10 | 2013-08-21 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 复合物透明铠板 |
TWI472652B (zh) * | 2006-09-22 | 2015-02-11 | Saint Gobain Ceramics | 製造發光二極體或雷射二極體之方法 |
CN101205628A (zh) * | 2006-12-18 | 2008-06-25 | 庄育丰 | 蓝宝石晶体生长方法 |
US8157912B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-04-17 | Osram Sylvania Inc. | Method of converting PCA to sapphire and converted article |
US20090130415A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-21 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | R-Plane Sapphire Method and Apparatus |
CN101307484B (zh) * | 2008-02-04 | 2011-08-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 多晶-单晶固相转化方法 |
US20090211514A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Lehigh University | Single crystal conversion process |
JP5704565B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-04-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶製造方法および大型単結晶 |
CN102557596B (zh) * | 2012-01-05 | 2013-08-14 | 西北工业大学 | 一种激光送粉法制备氧化铝基共晶陶瓷的方法 |
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
WO2017019746A1 (en) | 2015-07-28 | 2017-02-02 | The Penn State Research Foundation | Method and apparatus for producing crystalline cladding and crystalline core optical fibers |
US11047650B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-06-29 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Transparent composite having a laminated structure |
CN107829132A (zh) * | 2017-10-10 | 2018-03-23 | 上海应用技术大学 | 一种制备氧化铝单晶的方法 |
GB2593950A (en) | 2020-04-08 | 2021-10-13 | Corning Inc | Solid state conversion of polycrystalline material |
CN112795792A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-05-14 | 南通泰德电子材料科技有限公司 | 一种生产6n5超高纯铝的生产工艺 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US988230A (en) * | 1910-05-10 | 1911-03-28 | Heller & Son L | Process of producing synthetic sapphires. |
US3026210A (en) * | 1961-01-03 | 1962-03-20 | Gen Electric | Transparent alumina and method of preparation |
US3382047A (en) * | 1964-12-14 | 1968-05-07 | Ibm | Preparing large single crystalline bodies of rare earth chalcogenides |
US3943324A (en) * | 1970-12-14 | 1976-03-09 | Arthur D. Little, Inc. | Apparatus for forming refractory tubing |
US3998686A (en) * | 1975-03-10 | 1976-12-21 | Corning Glass Works | Sapphire growth from the melt using porous alumina raw batch material |
GB1595518A (en) * | 1977-03-11 | 1981-08-12 | Gen Electric | Polycrystalline alumina material |
US4402787A (en) * | 1979-05-31 | 1983-09-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a single crystal |
JPS5692190A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-25 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Oxide single crystal body and its production |
US4285732A (en) * | 1980-03-11 | 1981-08-25 | General Electric Company | Alumina ceramic |
JPS5792591A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-09 | Ngk Insulators Ltd | Production of single crystal |
JPS6221794A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-30 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 集光加熱装置によるブル−サフアイア単結晶の製造方法 |
US4629377A (en) * | 1985-07-30 | 1986-12-16 | Fellows Corporation | Disposable disk cutter |
JPS62278198A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 集光フロ−テイングゾ−ン法によるブラツクスタ−サフアイアの製造方法 |
JPS6311591A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶セラミクスの製造方法 |
US5427051A (en) * | 1993-05-21 | 1995-06-27 | General Electric Company | Solid state formation of sapphire using a localized energy source |
-
1993
- 1993-09-24 US US08/126,954 patent/US5451553A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-06 TW TW083107234A patent/TW336258B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-09-01 EP EP94306449A patent/EP0645476B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-01 ES ES94306449T patent/ES2155465T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-01 DE DE69427007T patent/DE69427007T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-15 CA CA002132185A patent/CA2132185C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-20 CN CN94115321A patent/CN1047412C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-22 PL PL94305145A patent/PL305145A1/xx unknown
- 1994-09-22 JP JP6227124A patent/JPH07165484A/ja active Pending
- 1994-09-23 BR BR9403826A patent/BR9403826A/pt not_active IP Right Cessation
- 1994-09-23 CZ CZ942339A patent/CZ233994A3/cs unknown
- 1994-09-23 KR KR1019940023959A patent/KR100416023B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69427007T2 (de) | 2001-10-18 |
BR9403826A (pt) | 1995-06-06 |
JPH07165484A (ja) | 1995-06-27 |
CN1047412C (zh) | 1999-12-15 |
CA2132185C (en) | 2006-05-09 |
DE69427007D1 (de) | 2001-05-10 |
EP0645476A2 (en) | 1995-03-29 |
CA2132185A1 (en) | 1995-03-25 |
KR100416023B1 (ko) | 2004-08-30 |
US5451553A (en) | 1995-09-19 |
EP0645476B1 (en) | 2001-04-04 |
ES2155465T3 (es) | 2001-05-16 |
TW336258B (en) | 1998-07-11 |
EP0645476A3 (en) | 1996-04-03 |
KR950008735A (ko) | 1995-04-19 |
PL305145A1 (en) | 1995-04-03 |
CN1103679A (zh) | 1995-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CZ233994A3 (en) | Method of transformation in a solid state of a polycrystalline ceramic material to a monocrystalline material and the monocrystalline material obtained in such a manner | |
US5487353A (en) | Conversion of doped polycrystalline material to single crystal | |
US5549746A (en) | Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire using a seed crystal | |
KR100288661B1 (ko) | 국부에너지원에 의한 사파이어의 고체 상태의 형성 방법 | |
Scott et al. | Conversion of polycrystalline Al2O3 into single‐crystal sapphire by abnormal grain growth | |
JP2011153054A (ja) | 酸化ガリウム単結晶の製造方法および酸化ガリウム単結晶 | |
TW200930849A (en) | Scintillator crystals and methods of forming | |
CN107935572A (zh) | 一种具有特殊微结构的陶瓷材料及其制备方法 | |
Hing | Fabrication of translucent magnesium aluminate spinel and its compatibility in sodium vapour | |
JP5919961B2 (ja) | セラミック複合体の製造方法 | |
Bates | Efg Growth of Alumina‐Zirconia Eutectic Fiber | |
US5540182A (en) | Conversion of polycrystalline material to single crystal material using bodies having a selected surface topography | |
US20090211514A1 (en) | Single crystal conversion process | |
Subramanian et al. | Growth of nickel aluminate single crystals by the floating zone method | |
Kappen | Status quo of ceramic material for metal halide discharge lamps | |
JP2007254191A (ja) | 透光性酸化マグネシウム焼結体及びその製造方法 | |
BORODIN | INTERNATIONAL CENTRE FOR SCIENCE AND HIGH TECHNOLOGY |