CZ2017224A3 - Způsob přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě - Google Patents

Způsob přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě Download PDF

Info

Publication number
CZ2017224A3
CZ2017224A3 CZ2017-224A CZ2017224A CZ2017224A3 CZ 2017224 A3 CZ2017224 A3 CZ 2017224A3 CZ 2017224 A CZ2017224 A CZ 2017224A CZ 2017224 A3 CZ2017224 A3 CZ 2017224A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
magnesium
silicon
preparation
mol
magnesium silicide
Prior art date
Application number
CZ2017-224A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ307267B6 (cs
Inventor
Olga Šolcová
František Kaštánek
Pavel Dytrych
Jakub Bumba
Radek FAJGAR
Original Assignee
Ústav Chemických Procesů Av Čr, V. V. I.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ústav Chemických Procesů Av Čr, V. V. I. filed Critical Ústav Chemických Procesů Av Čr, V. V. I.
Priority to CZ2017-224A priority Critical patent/CZ2017224A3/cs
Publication of CZ307267B6 publication Critical patent/CZ307267B6/cs
Publication of CZ2017224A3 publication Critical patent/CZ2017224A3/cs

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Vynález spadá do oblasti syntézy anorganických produktů a konkrétně se týká příprav\ silicidu hořečnatého při nízké teplotě. Podstatou způsobu podle vynálezu je to, že směs hořčíku ve formě mikročástic a křemíku ve formě částic ve specifickém poměru se ohřívá na teplotu 330 °C až 550 °C, přičemž je směs udržována v uvedené teplotě po dobu kratší než 4 hodiny. Přitom obě nebo jen jedna z výchozích látek může obsahovat příměsi vlastních oxidů v množství do 10 % molárních a/nebo jednu nebo více příměsí vybraných z hliníku, lithia, vápníku, zinku, manganu, stříbra, zlata zirkonu, prvků vzácných zemin, ytria, thoria, či bóru, fosforu, síry, dusíku, a to v množství do 25% molárních vůči sumě látkových množství křemíku a hořčíku.

Description

Oblast techniky
Vynález spadá do oblasti syntézy anorganických produktů, konkrétně se týká přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě.
Dosavadní stav techniky
V současnosti je celosvětový zájem o silicid hořečnatý (Mg2Si) jako ekologickou, levnou a snadno surovinově dostupnou látku, pro využití v alternativní energetice na bázi vodíku i jako komponenty pro termo-energetické články.
Známá syntéza silicidu hořečnatého se provádí smícháním práškovitých základních složek, tj. křemíku a hořčíku, a zahřátím směsi na teplotu kolem 600 °C, za přítomnosti inertních plynů jako argonu a dusíku [1, 2]. Vzniká při tom tuhý produkt s různým stupněm konverze. Tento způsob přípravy, který vyžaduje teploty obvykle kolem 600 °C, ale spíše nad 600 °C, je vysoce energeticky náročný a pro uplatnění ve větším měřítku ekonomicky nerentabilní. Ekonomickou rentabilitu také značně snižuje nutnost využití vstupních surovin, křemíku a hořčíku, o vysoké čistotě. S ohledem na ekonomickou rentabilitu procesu by byla výhodná možnost využití odpadních surovin. Konkrétně to v případě křemíku znamená využívat odpadní fotovoltaické panely, kde jsou potenciálně využitelné Si články, a v případě hořčíku využívat odpadní hořčík. Nejčastějším zdrojem odpadního Mg je automobilový či letecký průmysl a slévárenství, které poskytují Mg ve formě slitiny s Al, Zn a Mn, tzv. elektron (slitina AZ91), obsahující 7,9 až 9,5 % hmotn. Al spolu s 0,3 až 1,5 % hmotn. Zn a 0,15 až 0,8 % hmotn. Mn. Odpadní suroviny mohou dále obsahovat příměsi látek jako je bór, fosfor, vápník, lithium, měď, stříbro atd. Snížení reakční teploty a možnost využití Si a Mg surovin obsahujících příměsi, nebyly doposud uspokojivě vyřešeny.
i » * '·
Podstata vynálezu
Předložený vynález se týká způsobu přípravy silicidu hořečnatého z křemíku a hořčíku při teplotě v rozmezí 330 °C až 550 °C, kdy směs mikročástic hořčíku o velikosti 10 až 200 pm a mikročástic křemíku o velikosti 0,1 až 200 pm či nanočástic křemíku o velikosti 10 až 100 nm, v molárním poměru 1,7 : 1 až 4 : 1 se ohřívá při tlaku v rozmezí 0 kPa až 1 kPa, přičemž celková doba reakce, která odpovídá době, kdy je směs udržována při uvedené teplotě, nepřesahuje dobu 4 hodin.
Příprava silicidu hořečnatého z křemíku a hořčíku při teplotě v rozmezí 330 °C až 550 °C probíhá při tlaku v rozmezí 0 kPa až 1 kPa, i v podmínkách, kdy směs mikročástic hořčíku a mikročástic nebo nanočástic křemíku v molárním poměru 1,7 :1 až 4 :1, výhodně 2,1: 1, obsahuje jednu nebo více příměsí vybraných z hliníku, lithia, vápníku, zinku, manganu, stříbra, zlata, zirkonu, prvků vzácných zemin, ytria, thoria, či bóru, fosforu, síry, dusíku, a to do 25 % molárních vůči sumě látkových množství křemíku a hořčíku.
Příprava silicidu hořečnatého z křemíku a hořčíku, i když obě nebo jen jedna z výchozích látek je zoxidována do 10 % molárních, probíhá také za výše popsaných podmínek, tzn. bez příměsí nebo s příměsemi, jak jsou výše uvedeny, kdy směs mikročástic hořčíku a mikročástic nebo nanočástic křemíku je v molárním poměru 1,7 :1 až 4 :1, výhodně 1,9 :1 až 2,9 :1.
Výhodně se při výše popsaném způsobu jako křemík používá nanokřemík s velikostí částic 10 až 100 nm.
Předmětem vynálezu je způsob přípravy silicidu hořečnatého, jak je definován v připojených patentových nárocích.
Stručné objasnění výkresů:
Obr. 1: Spektrum produktu připraveného v příkladu 1 měřené Ramanovou spektroskopií.
Připravený produkt byl porovnán se standardem - Mg2Si v čistotě p.a., fy SIGMA ALDRICH
Obr. 2: Prášková rentgenová difrakce produktu připraveného v příkladu 1.
s » · » t as» . ·» » • a a » » t ·*♦· ♦ ·»»»·· * « a * · ’ 3 9 ® » « · « ·
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1
Příprava silicidu hořečnatého (Mg2Si) probíhala v nerezovém trubkovém reaktoru o objemu přibližně 50 cm3, který byl opatřen uzávěrem s otvorem, jež umožňoval komunikaci s ostatními částmi reakčního zařízení a zároveň zajišťoval konstantní vakuum uvnitř reaktoru. Způsob přípravy byl testován s různými příměsemi, v tomto případě bóru a oxidu fosforečného a křemičitého celkově v množství 10 % molárních vůči sumě látkových množství křemíku a hořčíku. Zdrojem křemíku byl fotovoltaický panel včetně dopantů, který v?
byl rozmělněn na jemný homogenní prášek (5-100 pm) ve vibračním kulovém mlýně s wolframo-karbidovými kuličkami průměru 5 mm po dobu 120 minut. Poměr hmotnosti kuliček : Si = 5 :1. Hořčík (Magnesium Elektron Recycling CZ) byl kryogenně drcen a poté dále drcen a třen v achátové misce na částice (10-200 pm). Následně byla provedena homogenizace s přebytkem hořčíkového prášku vůči čistému křemíku (molární poměr hořčíku ke křemíku 3:1). Touto směsí výchozích látek byl naplněn trubkový reaktor, který byl následně sklepán. Naplněný reaktor byl dále vložen do křemenné trubice, ze které byl odčerpáván vzduch pomocí připojené rotační pumpy. Po přibližně 30 minutovém čerpání za laboratorní teploty, došlo k ustálení tlaku v systému na 5 až 10 Pa a křemenná trubice spolu s reaktorem byla ohřívána nasunutou trubkovou pecí s teplotním krokem 15 °C/min až na konečnou teplotu 500 °C. Tato teplota byla udržována tři hodiny, pak byl reaktor ochlazen a vzniklý silicid hořečnatý byl izolován a detekován pomocí Ramanovy spektroskopie (Raman Nicolet Almega XR Spectrometer) a rentgenové difrakce (Bruker D8 Discover diffractometer), přičemž jako standard byl užit Mg2Si v čistotě p.a., fy SIGMA ALDRICH - viz obrázek 1 a 2. Výsledky měření dokazují, že byl připraven vysoce krystalický silicid hořečnatý v čistotě 97,9 %.
Příklad 2
Silicid hořečnatý byl připraven postupem dle příkladu 1. Jako výchozí surovina byl použit hořčík s příměsemi a křemík s příměsemi (molární poměr hořčíku ke křemíku 4 : 1), kdy
·.· ·»
- 4 příměsi tvořil hliník, zinek a vápník; celkově v množství 15 % molárních. Po ohřátí na teplotu 550 °C byl po třech hodinách reaktor ochlazen a vzniklý silicid hořečnatý detekován stejně jako v příkladu 1.
Příklad 3
Silicid hořečnatý byl připraven postupem dle příkladu 1, jako příměs byly použity nitridy křemíku v množství 20 % molárních vůči křemíku, molární poměr hořčíku ke křemíku byl 2,2 : 1. Po ohřátí na teplotu 400 °C byl po hodině reaktor ochlazen a vzniklý silicid hořečnatý detekován stejně jako v příkladu 1.
Příklad 4
Silicid hořečnatý byl připraven postupem dle příkladu 1, jako příměs byl použit hliník a stříbro v množství 25 % molárních vůči křemíku, molární poměr hořčíku ke křemíku byl 3,5 :1. Po ohřátí na teplotu 550 °C byl po třech hodinách reaktor ochlazen a vzniklý silicid hořečnatý detekován stejně jako v příkladu 1.
Příklad 5
Silicid hořečnatý byl připraven postupem dle příkladu 1 bez příměsí, molární poměr hořčíku ke křemíku byl 2,05 :1. Ohřev probíhal za podmínek dle příkladu 1, přičemž maximální teplota byla 330 °C. Po čtyřech hodinách byl reaktor ochlazen a vzniklý silicid hořečnatý detekován stejně jako v příkladu 1.
Příklad 6
Silicid hořečnatý byl připraven postupem dle příkladu 1 bez příměsí, molární poměr hořčíku ke křemíku byl 2,05 :1, přičemž hořčík obsahoval 10 % molárních oxidu hořečnatého a e t »
- 5 křemík obsahoval 5 % molárních oxidu křemičitého. Ohřev probíhal za podmínek dle příkladu 1, přičemž maximální teplota byla 430 °C. Po dvou hodinách byl reaktor ochlazen a vzniklý silicid hořečnatý detekován stejně jako v příkladu 1.
Příklad 7
Silicid hořečnatý byl připraven postupem dle příkladu 1. Jako výchozí surovina byl použit hořčík s příměsemi a křemík s příměsemi (molární poměr hořčíku ke křemíku 4 : 1), kdy příměsi tvořil hliník, stříbro, zinek, vápník, bor a fosfor; celkově v množství 15 % molárních vůči křemíku. Křemík navíc obsahoval 5 % molárních oxidu křemičitého a hořčík navíc obsahoval oxid hořečnatý v množství 10 % molárních. Po ohřátí směsi na teplotu 550 °C byl po čtyřech hodinách reaktor ochlazen a vzniklý silicid hořečnatý detekován stejně jako v příkladu 1.
Citovaná literatura [1] Yoshinaga, M., lida, T., Noda, M.,. Endo, T., Takanashi,Y.; Bulk crystal growth of Mg2Si by the vertical Bridgman method; Thin Solid Films 2004, 461, 86- 89;
doi: 10.1016/j.tsf .2004.02.072 [2] Wunderlich, W. Suzuki, Y., Gibo, N., Ohkuma, T., Al-Abandi, M., Sáto, M., Khan, A. U., Moři, T.; Thermoelectric Properties of Mg2Si Produced by New Chemical Routě and SPS; Inorganics 2014, 2, 351-362; doi:10.3390/inorganics2020351

Claims (4)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Způsob přípravy silicidu hořečnatého, vyznačující se tím, že směs hořčíku ve formě mikročástic o velikosti 10 až 200 pm a křemíku ve formě částic o velikosti 10 nm až 200 pm v molárním poměru 1,7 : 1 až 4 : 1 se ohřívá při tlaku v rozmezí 0 až 1 kPa na teplotu 330 °C až 550 °C, přičemž je směs udržována v uvedené teplotě po dobu kratší než 4 hodiny, výhodně 1 až 3 hodiny, a přičemž popřípadě obě nebo jen jedna z výchozích látek obsahují příměsi vlastních oxidů v množství do 10 % molárních a/nebo obsahují jednu nebo více příměsí vybraných z hliníku, lithia, vápníku, zinku, manganu, stříbra, zlata, zirkonu, prvků vzácných zemin, ytria, thoria, či bóru, fosforu, síry, dusíku, a to v množství do 2|% molárních vůči sumě látkových množství křemíku a hořčíku.
  2. 2. Způsob přípravy silicidu hořečnatého podle nároku 1^ vyznačující se tím, že obě nebo jen jedna z výchozích látek obsahují příměsi vlastních oxidů v množství do 10 % molárních a mikročástice hořčíku a částice křemíku jsou výhodně v molárním poměru 1,9 :1 až 2,9 :1.
  3. 3. Způsob přípravy silicidu hořečnatého podle nároku 1/vyznačující se tím, že obě nebo jen í
    jedna z výchozích látek obsahuje jednu nebo více příměsí vybraných z hliníku, lithia, vápníku, zinku, manganu, stříbra, zlata, zirkonu, prvků vzácných zemin, ytria, thoria, či bóru, fosforu, síry, dusíku, a to do 25 % molárních vůči sumě látkových množství křemíku a hořčíku, a mikročástice hořčíku a částice křemíku jsou výhodně v molárním poměru 2,1:1.
  4. 4. Způsob přípravy silicidu hořečnatého podle kteréhokoliv z nároků 1 až 3^vyznačující se tím, že jako křemík se použije nanokřemík s velikostí částic 10 až 100 nm.
CZ2017-224A 2017-04-25 2017-04-25 Způsob přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě CZ2017224A3 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2017-224A CZ2017224A3 (cs) 2017-04-25 2017-04-25 Způsob přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2017-224A CZ2017224A3 (cs) 2017-04-25 2017-04-25 Způsob přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ307267B6 CZ307267B6 (cs) 2018-05-02
CZ2017224A3 true CZ2017224A3 (cs) 2018-05-02

Family

ID=62022908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2017-224A CZ2017224A3 (cs) 2017-04-25 2017-04-25 Způsob přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě

Country Status (1)

Country Link
CZ (1) CZ2017224A3 (cs)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101322779B1 (ko) * 2011-05-09 2013-10-29 한국세라믹기술원 비스무스가 도핑된 규화마그네슘 열전재료용 조성물 및 그 제조방법
CN102874818A (zh) * 2011-07-11 2013-01-16 浙江仪和岚新能源科技有限公司 一种制备硅化镁粉体的方法
JP2013189362A (ja) * 2012-03-15 2013-09-26 Yokohama National Univ ケイ化物の製造方法
WO2015061159A1 (en) * 2013-10-21 2015-04-30 Dow Corning Corporation Composite silica-metal oxide particles for magnesiothermic reduction
CN205222706U (zh) * 2015-11-06 2016-05-11 岳阳高圭新材料有限公司 一种连续生产低杂质硅化镁的系统

Also Published As

Publication number Publication date
CZ307267B6 (cs) 2018-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7871476B2 (en) Magnesium alloy exhibiting high strength and high ductility and method for production thereof
JP5686737B2 (ja) 二ホウ化マグネシウム
KR102394071B1 (ko) 규소-탄소 복합체를 제조하는 방법
CN101367511B (zh) 反应球磨法制备非化学计量比纳米TiNx粉末的方法
EP3627572B1 (en) Method of producing semiconductor sintered body, electrical/electronic member and semiconductor sintered body
Li et al. Preparation of high-purity α-Si3N4 nano-powder by precursor-carbothermal reduction and nitridation
CN109706520A (zh) 黑砷磷晶体及其制备方法
US11912578B2 (en) Low-temperature method for boron carbide production
Luo et al. Preparation mechanism and oxidation behavior of MgSiN2 powders by catalytic carbothermic reduction: Role of Fe2O3 and CaO
Singhal et al. Synthesis of cubic boron nitride from amorphous boron nitride containing oxide impurity using Mg–Al alloy catalyst solvent
Tian et al. Combustion synthesis of α-Si3N4 with the addition of NH4Cl
CN103159190B (zh) 一种超纯氮化物粉体的制备方法
CZ2017224A3 (cs) Způsob přípravy silicidu hořečnatého při nízké teplotě
Liang et al. Low temperature synthesis of LiSi 2 N 3 nanobelts via molten salt nitridation and their photoluminescence properties
CN104495845B (zh) 一种纯净 Fe3C 块体的制备工艺
US7077991B2 (en) Nanocomposites of silicon nitride, silicon carbide, and boron nitride
Anenburg Molybdenum and rhenium disulfide synthesis via high-pressure carbonate melt
JPH0510282B2 (cs)
Novoselov et al. Synthesis of a bismuth germanium oxide source material for Bi4Ge3O12 crystal growth
HUT53842A (en) Process for producing powder-mixtures of inorganic compounds of high melting point and metallic materials
Ya‐Li et al. One‐step Solid‐state Synthesis and Characterization of Two Kinds of ZnC2O4· 2H2O Hollow Nanostructures
CN101955773A (zh) 一种镨铈掺杂硼酸镥钪发光材料及其制备方法
CN101229914A (zh) 纳米氢化钙及制备方法
CN101367653B (zh) 亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法
Streletskii et al. Mechanochemical activation of aluminum: 5. Formation of aluminum carbide upon heating of activated mixtures

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20220425