CZ2014849A3 - Optický prvek, zejména laserový slab, a způsob jeho výroby - Google Patents

Optický prvek, zejména laserový slab, a způsob jeho výroby

Info

Publication number
CZ2014849A3
CZ2014849A3 CZ2014-849A CZ2014849A CZ2014849A3 CZ 2014849 A3 CZ2014849 A3 CZ 2014849A3 CZ 2014849 A CZ2014849 A CZ 2014849A CZ 2014849 A3 CZ2014849 A3 CZ 2014849A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
core
laser
ceramic coating
degc
weakness
Prior art date
Application number
CZ2014-849A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ305707B6 (cs
Inventor
Martin Divoký
Tomáš Mocek
Chyla Magdalena Sawicka-
Ondřej Slezák
Jindřich Houžvička
Viliam Kmetík
Michal Košelja
Antonio Lucianetti
Original Assignee
Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.
Crytur, Spol. S R.O.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Crytur, Spol. S R.O. filed Critical Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.
Priority to CZ2014-849A priority Critical patent/CZ305707B6/cs
Publication of CZ2014849A3 publication Critical patent/CZ2014849A3/cs
Publication of CZ305707B6 publication Critical patent/CZ305707B6/cs

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Vynález se týká optického prvku, zejména laserového slabu pro generaci laserového záření s potlačením zesílené spontánní emise (ASE), který sestává z monokrystalického jádra a optického keramického povlaku bez patrného optického rozhraní na spojovacích plochách jádra a povlaku. Keramický povlak je vytvořen přímo na monokrystalickém jádru bez použití spojovacích technik. Monokrystal je zhotovený z vysokoteplotních oxidů s granátovou strukturou (YAG, LuAG, YSG, GGG) s vhodným dopantem a keramický povlak je z odpovídajícího typu základního materiálu dopovaný stejným a/nebo odlišným typem dopujícího iontu. Způsob výroby takového laserového slabu spočívá ve výběru homogenní části monokrystalu, ze které se vyrobí jádrové těleso, to se uloží do zhutněné vrstvy práškového prekurzoru povrchové keramické vrstvy. Načež se provede izostatické lisování tlakem 50 až 200 MPa. Výlisek se vakuově sintruje s rychlosti náběhu teploty 400 .degree.C/hod po dobu 6 hodin při teplot 1600 až 1750 .degree.C. Následuje ochlazení stejnou rychlostí a mechanické dělení sintrovaného tělesa na slaby, které se broušením a leštěním opracují na požadovanou jakost povrchu.
CZ2014-849A 2014-12-03 2014-12-03 Optický prvek, zejména laserový slab, a způsob jeho výroby CZ305707B6 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2014-849A CZ305707B6 (cs) 2014-12-03 2014-12-03 Optický prvek, zejména laserový slab, a způsob jeho výroby

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2014-849A CZ305707B6 (cs) 2014-12-03 2014-12-03 Optický prvek, zejména laserový slab, a způsob jeho výroby

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2014849A3 true CZ2014849A3 (cs) 2016-02-10
CZ305707B6 CZ305707B6 (cs) 2016-02-10

Family

ID=55311036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2014-849A CZ305707B6 (cs) 2014-12-03 2014-12-03 Optický prvek, zejména laserový slab, a způsob jeho výroby

Country Status (1)

Country Link
CZ (1) CZ305707B6 (cs)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8682125B2 (en) * 2010-05-20 2014-03-25 Lawrence Livermore National Security, Llc Method and system for edge cladding of laser gain media
CN103650261A (zh) * 2011-06-13 2014-03-19 劳伦斯利弗摩尔国际安全有限责任公司 用于被低温冷却的激光放大器的方法和系统

Also Published As

Publication number Publication date
CZ305707B6 (cs) 2016-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5756888B2 (ja) 半導体用複合基板のハンドル基板
MY185237A (en) Semiconductor wafer with a layer of al:ga1-zn and process for producing it
MY191675A (en) Wafer producing apparatus
MY195790A (en) Wafer Producing Method and Wafer Producing Apparatus
JP6107709B2 (ja) 貼り合わせsoiウェーハの製造方法
KR101531809B1 (ko) 반도체용 복합 기판의 핸들 기판
CN102347219A (zh) 形成复合功能材料结构的方法
US20160046528A1 (en) Handle Substrates for Composite Substrates for Semiconductors
MY180743A (en) Production method for rare earth permanent magnet
WO2015018397A3 (de) Metall-keramik-substrat sowie verfahren zum herstellen eines metall-keramik-substrates
CN104868050A (zh) 在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法
CN101698467B (zh) Mems圆片级封装的划片方法
JP6146413B2 (ja) 組み合わせ体、プラズマ処理装置用部材、プラズマ処理装置およびフォーカスリングの製造方法
CZ2014849A3 (cs) Optický prvek, zejména laserový slab, a způsob jeho výroby
CN105226029B (zh) 具压应力之硅基板及其制造方法
CN105470122A (zh) 一种SiC减薄方法
CN103065945A (zh) 一种影像传感器晶圆的键合方法
WO2013049652A4 (en) Bonded abrasives formed by uniaxial hot pressing
JP5928672B2 (ja) アルミナセラミックス接合体の製造方法
CN103943742A (zh) 蓝宝石衬底的制造方法
SG10201810200QA (en) Manufacture of optical elements by replication and corresponding replication tools and optical devices
JP2022038259A (ja) 酸化物焼結体の製造方法
KR20120102867A (ko) 세라믹히터의 히팅플레이트 수리방법
JP2009016778A (ja) 発光ダイオードチップのカッティング方法
US20140202376A1 (en) Method for producing sapphire substrate used in light emitting diode