CZ20021584A3 - Kondenzátorový práąek - Google Patents
Kondenzátorový práąek Download PDFInfo
- Publication number
- CZ20021584A3 CZ20021584A3 CZ20021584A CZ20021584A CZ20021584A3 CZ 20021584 A3 CZ20021584 A3 CZ 20021584A3 CZ 20021584 A CZ20021584 A CZ 20021584A CZ 20021584 A CZ20021584 A CZ 20021584A CZ 20021584 A3 CZ20021584 A3 CZ 20021584A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- niobium
- powder
- tantalum
- capacitor
- capacitors
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 16
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical class O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- -1 tantalum alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloroquinoxaline-6-carbonyl chloride Chemical compound N1=C(Cl)C(Cl)=NC2=CC(C(=O)Cl)=CC=C21 NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010298 TiOSO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGAVSDVURUSLQK-UHFFFAOYSA-N ammonium heptamolybdate Chemical compound N.N.N.N.N.N.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Mo].[Mo].[Mo].[Mo].[Mo].[Mo].[Mo] QGAVSDVURUSLQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Chemical class 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z decaazanium;dioxido(dioxo)tungsten;hydron;trioxotungsten Chemical compound [H+].[H+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002821 niobium Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- OSYUGTCJVMTNTO-UHFFFAOYSA-D oxalate;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].[Ta+5].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O OSYUGTCJVMTNTO-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- KADRTWZQWGIUGO-UHFFFAOYSA-L oxotitanium(2+);sulfate Chemical compound [Ti+2]=O.[O-]S([O-])(=O)=O KADRTWZQWGIUGO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta+5] WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000012224 working solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12181—Composite powder [e.g., coated, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
Kondenzátorový prášek
Oblast techniky
Předložený vynález se týká prášku k výrobě elektrolytických kondenzátorů, zvláště prášku k výrobě anod pro elektrolytické kondenzátory.
Dosavadní stav techniky
V literatuře se pro výrobu kondenzátorů takového druhu popisují jako výchozí materiály obzvláště kovy kyselých zemin niob a tantal. Výroba kondenzátorů se provádí sintrováním jemnozrnných prášků za účelem vyrobení struktury s velkým povrchem, oxidací povrchu sintrovaného tělesa za účelem vyrobení nevodivé izolační vrstvy a nanesením protielektrody ve formě vrstvy oxidu manganičitého nebo vodivých polymerů. Mimořádná vhodnost prášků kyselých zemin vyplývá z jejich velké relativní dielektrické konstanty pentoxidů.
Technického významu pro výrobu kondenzátorů dosud nabyl pouze tantalový prášek. To vyplývá jednak z reprodukovatelné vyrobitelnosti jemnozrnného tantalového prášku a jednak ze skutečnosti, že izolační vrstva oxidu tantaličného má obzvláště výraznou stabilitu. To možná vyplývá z toho, že tantal na rozdíl od niobu netvoří žádné stabilní suboxidy.
Spolu s rozvojem mikroelektroniky se ovšem také projevují více nevýhody tantalu. Tantal má velmi vysokou hustotu
-2• · ·· · · · ·· ····
16,6 g/cm^. Tím jsou omezeny tendence k redukci hmotnosti obzvláště přenosných elektronických přístrojů, jako jsou příkladně mobilní telefony a jiné. Na základě jen poloviční hustoty niobu ve srovnání s tantalem lze za předpokladu stejné geometrie a za stejných vlastností vrstvy oxidu dosáhnout asi dvojnásobné specifické kapacity vztažené na hmotnost než s tantalovými prášky. Materiálové vlastnosti izolační vrstvy pentoxidu určující kapacitu kondenzátoru mají u niobu na straně jedné a u tantalu na straně druhé částečně protichůdné vlivy.
Tak je kapacita kondenzátoru o to vyšší, čím vyšší je dielektrická konstanta izolační vrstvy. Ta je tím nižší, čím silnější je tlouštka izolační vrstvy potřebná pro vždy určující provozní napětí. Tak se vyšší dielektrická konstanta oxidu niobičného 41 ve srovnání s konstantou oxidu tantaličného 26 kompenzuje větší potřebnou sílou vrstvy pentoxidu pro niob ve srovnání s tantalem. Při předem daném anodizačním napětí činí nárůst tlouštky vrstvy oxidu tantaličného asi 2 nm/V a v případě vrstvy oxidu niobičného asi 3,7 nm/v. Kapacity kondenzátorů vztažené na povrch jsou podle toho srovnatelné.
Použití niobových kondenzátorů dosud zůstává vyhrazeno pro oblast nižších specifických kapacit a nízké kvality.
Úkolem předloženého vynálezu je odstranit nevýhody známých niobových kondenzátorů. Obzvláště je úkolem předloženého vynálezu zlepšit uzavírací vrstvu oxidu niobičného u kondenzátorů z niobu tak, aby bylo možné realizovat vyšší specifické kapacity.
-3Podstata vynálezu
Bylo objeveno, že prášek niobu s povrchovým povlakem z nejméně jednoho z prvků AI, Si, Ti, Zr, Mo, V, Y a Ta je vynikajícím způsobem vhodný k výrobě niobových kondenzátorů. Obzvláště bylo objeveno, že specifická kapacita, vztažená na povrch anody kondenzátorů těchto kondenzátorů z prášku niobu s povlakem je vyšší než u čistých niobových anod a získají se niobové anody s nepatrnýnm zbytkovým proudem. Dále existují první náznaky dlouhodobé skladovatelnosti srovnatelné s tantalovými anodami.
Předmětem předloženého vynálezu je podle toho prášek niobu s povrchovýmpovlakem nejméně jednoho z prvků AL, Si, Ti, Zr, Mo, V, Y a Ta.
Předmětem vynálezu jsou také sintrované anody z niobu pro kondenzátory, přičemž anody vykazuj i na povrchu obsah nejméně jednoho z prvků AL, Si, Ti, Zr, Mo, V, Y a Ta.
Předmětem vynálezu jsou dále také sintrované anody z niobu opatřené uzavírací vrstvou, přičemž uzavírací vrstva vykazuje obsah nejméně jednoho z prvků AL, Si, Ti, Zr, Mo,
V, Y a Ta.
Předmětem vynálezu jsou dále elektrolytické kondenzátory které sestávají z niobové anody, uzavírací vrstvy z oxidu niobu, polovodivé katody a elektrolytu, přičemž uzavírací vrstva z oxidu niobu obsahuje nejméně jeden z povrchových modifikačních prvků.
S výhodou je obsah povrchového modifikačního prvku v uzavírací vrstvě méně než 25 % atomových, vztaženo na celko-49999 99
999 99 9999 vý obsah kovu v uzavírací vrstvě, obzvláště výhodně činí obsah do 20 % atomových. Nejvýhodnější je obsah povrchového modifikačního prvku v oxidové uzavírací vrstvě méně od 2 do 15 % atomových.
Vztaženo na prášek niobu činí množství povrchového povlaku s výhodou méně než 18 % atomových, obzvláště méně než 15 % aatomových, nejvýhodněji 1,5 až 12 % atomových.
Výhodnými povrchovými modifikačními prvky jsou Ti, Zr a Ta, obzvláště výhodný je Ta.
Předpokládá se, že povrchový modifikační prvek prášku niobu zůstává i při dalším zpracování na kondenzátor v podstatě na povrchu, protože teploty užívané při zpracování obvykle méně než 1250 °C s ohledem na teplotu tání niobu 2500 °C jsou pro difúzi pevných částic relativně nízké.
Na základě předloženého vynálezu je tedy možné vyrábět kondenzátory z niobu, které v současné době převyšují dostupné kondenzátory z tantalu s nejvyšší kapacitou. Takové tantalové kondenzátory mají specifickou kapacitu
100 000 pFV/g při anodovém napětí příkladně 40 V. Kondenzátor z niobu podle vynálezu s odpovídající geometrií vykazuje specifickou kapacitu vyšší než 300 000 gFV/g. Obzvláště se podařilo vyrobit chemicky modifikované kondenzátory z niobu, které mají specifickou kapacitu vztaženou na plochu kondenzátoru více jak 60 000 gFV/m , obzvláště více jak 70 0000 gFV/m2.
Předmětem vynálezu je také způsob výroby kondenzátorového prášku podle vynálezu. Způsob spočívá v tom, že se prášek niobu napojí roztokem hydrolyzovatelné nebo rozlo-5• · • · · · <J · · · žitelné sloučeniny prvku k povrchové modifikaci, prášek se od roztoku oddělí a sloučenina ulpělá na prášku se hydrolyzuje nebo rozloží a následně se hydrolyzát redukuje na kov.
Jako prášek niobu je vhodný prášek, který se získá zahříváním ingotu kovového niobu roztaveného pomocí elektronového paprsku v atmosféře vodíku, mletím mazteriálu zkřehlého po přijetí vodíku a odstraněním vodíku zahříváním ve vakuu. Vhodné jsou také niobové šupiny podle VO 98/19811.
Dále je vhodný vysoce porézní prášek z niobu, který se získá podle nezveřejněných návrhů přihlašovatele podle DE 198 31 280, DE 198 47 012 a PCT 99/09772 redukcí oxidu niobičného v kapalném nebo plynném hořčíku, případně po předchozí redukci na suboxid pomocí vodíku.
Jako prášek niobu je dále vhodný prášek niobu, který obsahuje jeden nebo několik prvků AI, Ti, Zr, Mo, V, Hf a Ta jako legovací přísadu, to znamená rovnoměrně rozdělené v množství do 5 % hmotnostních.
Nanášení povrchového modifikaěního prvku se dále popisuje na příkladu tantalu :
Jako rozložitelné případně hydrolyzovatelné sloučeniny tantalu přicházejí v úvahu obzvláště organické sloučeniny tantalu, které jsou rozpustné ve vodě nebo v organických rozpouštědlech. Jako organická ve vodě rozpustná sloučenina tantalu je vhodný oxalát tantalu. Dále jsou vhodné v alkoholech rozpustné alkoxidy tantalu s 1 až 8 uhlíkovými atomy jako tantalmethoxid, tantalethoxid, tantalpropoxid, tantalbutoxid a tak dále včetně tantaloktoátu, dále
-6organokovové sloučeniny tantalu podle US-A 5 914 417.
K výrobě tenké vrstvy tantalu na prášku niobu se organické sloučeniny tantalu použijí s výhodou jako zředěné roztoky, rovněž pokud jsou samy o sobě kapalné. Jako rozpouštědlo je vhodná voda, pokud je sloučenina tantalu ve vodě stálá. Alkoxidy se používají s výhodou v absolutním alkoholu nebo v jiných organických rozpouštědlech s tak malou aciditou, že bez přístupu vody nedochází k hydrolyze, jako je toluen nebo benzen. Výhodný k rozpuštění alkoxidů je vždy odpovídající alkohol.
Koncentrace sloučeniny tantalu v daném rozpouštědle činí s výhodou 1 až 20 % hmotnostních, obzvláště výhodně 1 až 10 % hmotnostních a nejvýhodněji 1 až 5 % hmotnostních.
Prášek niobu se suspenduje v roztoku organické sloučeniny tantalu a k zajištění dobrého smáčení se nechá po určitou dobu odstát. Typicky může tato doba činit 10 minut až 1 hodinu. Aby se zajistilo dobré proniknutí do porézního prášku niobu případně aglomerátů niobu může být účelné, uvést prášek niobu do vakua ve vakuovém zásobníku, zásobník případně promývat parami rozpouštědla a následně přivést do evakuované nádoby pracovní roztok.
Oddělení zpracovaného prášku niobu z roztoku se může provádět filtrací, centrifugací nebo dekantací.
V případě použití alkoxidů tantalu se tyto opatrně hydrolyzuji na vzduchu bez vyloučení vlhkosti případně v navlhčeném vzduchu, s výhodou za mírného zahřátí na teplotu 50 až 100 °C. Případně se může ke konci hydrolyzy uvádět k jejímu dokončení vodní pára. V případě použití oxalátu
-Ί• · ·
4 ···· ·· · · • · · · ·
4 · 4 · · • · · · · 4 tantalu se hydrolyza provádí ve vodném alkalickém roztoku, příkladně roztoku amoniaku nebo roztoku hydroxidu sodného. Obzvláště výhodně se hydrolyza provádí v proudu plynu obsahuj ícím amoniak.
K výrobě rovnoměrně uchyceného povlaku oxidu tantalu se má hydrolyza provádět postupně během několika hodin.
Máčení a hydrolyza se mohou několikrát opakovat. Výhodné je provádět máčení prášku niobu v méně koncentrovaných roztocích, ale několikrát.
Takto ošetřený prášek niobu se po přípaně zařazené operaci sušení redukuje s výhodou getrovacím kovem s dostatečně vysokým tlakem par při teplotě 850 až 100 °C. Jako getrovací kovy jsou vhodné : hořčík, vápník, stroncium, baryum, hliník a/nebo lanthan. Podstatné je, aby se oxidy tvořící se při redukci nechaly snadno vymýt minerálními kyselinami. Obzvláště výhodným redukčním prostředkem je hořčík.
Tímto způsobem zredukovaný, minerálními kyselinami promytý a dostateečně vodou do neutrální reakce promytý prá šek niobu se ve vhodných matricích lisuje na pelety o lisoa vací hustotě 2,5 až 3,5 g/cm a následně se známým způsobem sintruje při teplotě 1100 až 1250 °C. Sintrované anody se potom kontaktují tantalovým a/nebo niobovým drátem, s výhodou niobovým drátem, pokud tento kontaktní drát nebyl do matrice zasunut již při lisování.
Následně se známým způsobem formuje v 0,1 % kyselině fosforečné až do požadovaného formovacího napětí.
-8• · · ·
I · · <
• · ( • · 4 • · · · • · • · · · • · ·
Kromě oxalátů a alkoxidů jsou pro výrobu wolframových povlaků vhodné a výhodné vodné roztoky amoniumparawolframátu, k výrobě molybdenových povlaků vodné roztoky amoniumheptamolybdátu, které jsou tepelně rozložitelné.
K výrobě titanových povlaků je vhodný vodný roztok TÍOSO4, který se hydrolyzuje pomoci vodné báze, příkladně amoniaku, nebo čistý TÍCI4, který se následně hydrolyzuje vodní parou.
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1 až 7
Použije se vysoce čistý prášek niobu, který se získá redukcí parami hořčíku ze suboxidu niklu N1O2 podle DE-A 19 831 280. Prášek má specifický povrch podle BET 3,02 m /g. Rozdílná množství vzorků se máčela v ethanolovem roztoku, obsahujícím množství ethoxidu tantalu uvedená v tabulce 1. Srovnávací vzorek se ošetřil v čistém ethanolovém roztoku. Po 30 minutách se množství vzorku odfiltruje od příslušného roztoku a nechá se 15 minut na vzduchu.
Následně se vzorky suší po dobu 45 minut při teplotě 95 °C, promyjí se demineralizovanou vodou o teplotě 85 °C a znovu se vysuší.
Potom se vzorky redukují v atmosféře argonu hořčíkovými parami při teplotách 850 °C až 950 °C (teplotní spád v peci).
Obrázek 1 ukazuje příjem REM v rozdílném zvětšení • · • ♦ · · · ·
-9vzorku 1 podle tabulky 1.
Hodnoty analyzy pro Ta, C, H a 0 a rovněž specifické povrchy vzorků jsou uvedeny v tabulce 1.
Vzorky se obvyklým způsobem lisují na niobový drát při
O hustotě lisování 3,14 g/cm na anodové pelety a sintrují se po dobu 20 minut při teplotě 1 150 °C. Sintrované anody se formují v 0,1 % kyselině fosforečné až na formovací napětí 40 V.
Vlastnosti kondenzátoru se stanovují ve 30% kyselině sírové jako katholytu při napětí Bias 1,5 V.
Výsledky jsou uvedeny v následující tabulce 1.
• · ·· ···· • »
-10cd r“í
Xí cd
H
| P 0 5 s υ T3 C 0 cz | > > =- i—« c | 0,95 | 1,08 | 0,58 | 0,77 | 0,61 | 0,67 | Ό r-^ o“ | 0,69 |
| CM r, ε ε > > O =t | 61 400 | 74 400 | 73 700 | 70 500 | 74 700 | 59 200 | 80 300 | 85 600 | |
| on δ^ | 63 240 | 69 200 | 73 700 | 81 100 | o o ct ct 00 | 91 700 | 84 300 | 83 900 | |
| Prášek | Ά E | 1,03 | 0,93 | 1,00 | 1,15 | - | 1,55 | 1,05 | 0,98 |
| O ppm | 4 100 | 3 900 | 4 200 | 5 209 | 5 180 | 5 528 | 4 800 | 4 430 | |
| H PPm | 89 | 67 | 69 | 78 | 84 | 04 | 108 | 04 | |
| C Ppm | 98 | 103 | 143 | 224 | 196 | 275 | 267 | 248 | |
| Ta PPm | rt | 1 640 | 2 490 | 13 900 | 14 700 | 27 200 | 29 600 | 42 300 | |
| Máčení v ethanolu % hmotnostní Ta(0Et)5 | o | - | μπ | o | 5(3-násobně) | 20 | 5(6-násobně) | 5(8-násobně) | |
| Vzorek | Srovnání | Γ-* 0M | ΓΊ >P a. | m & | Př. 4 | >P B. | >P n. |
• · · 4
Claims (5)
1. Elektrolytický kondenzátor obsahující niobovou anodu, uzavírací vrstvu z oxidu niobu, polovodivou katodu a elektrolyt, přičemž uzavírací vrstva z oxidu niobu obsahuje nejméně jeden z kovů ze skupiny AI, Si, Ti, Zr, Mo, V, Y a Ta.
2. Kondenzátor podle nároku 1, přičemž kovem je tantal.
3. Kondenzátorová anoda, sestávající ze sintrovaného prášku niobu s uzavírací vrstvou vyrobenou anodickou oxidací, přičemž uzavírací vrstva obsahuje nejméně jeden z prvků AI, Si, Ti, Zr, Mo, V, Y a/nebo Ta.
4. Kondenzátorový prášek, sestávající v podstatě z niobu s povrchovým povlakem nejméně jednoho z prvků AI, Si, Ti,
Zr, Mo, V, Y a/nebo Ta.
5. Způsob výroby kondenzátorového prášku podle nároku 4 napojením případně legovaného prášku niobu roztokem hydrolyzovatelné nebo rozložitelné sloučeniny nejméně jednoho z prvků AI, Si, Ti, Zr, Mo, V, Y a/nebo Ta, oddělením prášku od roztoku, hydrolyzou nebo rozkladem ulpělé sloučeniny a případně redukcí hydrolyzátu na kov.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19953946A DE19953946A1 (de) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | Kondensatorpulver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ20021584A3 true CZ20021584A3 (cs) | 2002-07-17 |
| CZ301939B6 CZ301939B6 (cs) | 2010-08-04 |
Family
ID=7928474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20021584A CZ301939B6 (cs) | 1999-11-09 | 2000-10-27 | Kondenzátorový prášek, zpusob jeho výroby, kondenzátorová anoda a elektrolytický kondenzátor |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6821314B1 (cs) |
| EP (1) | EP1230655B1 (cs) |
| JP (1) | JP4999135B2 (cs) |
| KR (1) | KR100715408B1 (cs) |
| CN (1) | CN1211819C (cs) |
| AU (1) | AU770489B2 (cs) |
| BR (1) | BRPI0015400B1 (cs) |
| CZ (1) | CZ301939B6 (cs) |
| DE (2) | DE19953946A1 (cs) |
| IL (2) | IL149038A0 (cs) |
| PT (1) | PT1230655E (cs) |
| RU (1) | RU2253919C2 (cs) |
| SV (1) | SV2002000213A (cs) |
| WO (1) | WO2001035428A1 (cs) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6416730B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
| US6322912B1 (en) | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| BR122015027076B1 (pt) † | 2000-08-10 | 2017-02-21 | Showa Denko Kk | pó de nióbio para capacitores e produto de nióbio granulado |
| DE10044451C1 (de) * | 2000-09-08 | 2002-04-04 | Epcos Ag | Elektrode und Kondensator mit der Elektrode |
| JP2003213301A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ |
| JP2004143477A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Cabot Supermetal Kk | ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ |
| US7655214B2 (en) | 2003-02-26 | 2010-02-02 | Cabot Corporation | Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods |
| US7445679B2 (en) | 2003-05-16 | 2008-11-04 | Cabot Corporation | Controlled oxygen addition for metal material |
| EP1638891A2 (en) | 2003-05-19 | 2006-03-29 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| EP1683167B1 (en) | 2003-11-10 | 2012-04-18 | Showa Denko K.K. | Niobium powder for capacitor, niobium sintered body and capacitor |
| US20080011124A1 (en) * | 2004-09-08 | 2008-01-17 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Deoxidation of Valve Metal Powders |
| US8264819B2 (en) | 2005-08-19 | 2012-09-11 | Avx Corporation | Polymer based solid state capacitors and a method of manufacturing them |
| GB0517952D0 (en) * | 2005-09-02 | 2005-10-12 | Avx Ltd | Method of forming anode bodies for solid state capacitors |
| DE102005043829A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
| GB0622463D0 (en) * | 2006-11-10 | 2006-12-20 | Avx Ltd | Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes |
| US7760487B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes |
| US7852615B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-12-14 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound |
| US7760488B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-07-20 | Avx Corporation | Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor |
| US7768773B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-08-03 | Avx Corporation | Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor |
| US8203827B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-06-19 | Avx Corporation | Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment |
| WO2012086272A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体及び電解コンデンサ |
| TW201446361A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-12-16 | Showa Denko Kk | 鈮電容器陽極用化學合成體及其製造方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3684929A (en) * | 1969-07-31 | 1972-08-15 | Mallinckrodt Chemical Works | Electrolytic capacitor anode comprising oxide filmed hollow bodies |
| US3849124A (en) * | 1969-12-05 | 1974-11-19 | Norton Co | Capacitor powder |
| JPS5539899B2 (cs) * | 1971-08-09 | 1980-10-14 | ||
| US3976435A (en) * | 1971-09-12 | 1976-08-24 | P. R. Mallory & Co. Inc. | Porous electrodes and electrolytic capacitors made therefrom |
| US3867129A (en) * | 1974-02-05 | 1975-02-18 | Metallurgie Hoboken | Anodically oxidizable metal powder |
| US3986869A (en) * | 1974-03-01 | 1976-10-19 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Process for making electrolytic capacitor anodes forming a continuum of anodes and cutting the continuum into individual bodies |
| US4338354A (en) * | 1980-04-28 | 1982-07-06 | International Standard Electric Corporation | Coating powdered material |
| DE3130392C2 (de) * | 1981-07-31 | 1985-10-17 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden |
| GB2106938A (en) * | 1981-09-29 | 1983-04-20 | Standard Telephones Cables Ltd | Tantalum coated alumina articles |
| US5034857A (en) | 1989-10-06 | 1991-07-23 | Composite Materials Technology, Inc. | Porous electrolytic anode |
| US4973526A (en) * | 1990-02-15 | 1990-11-27 | Dow Corning Corporation | Method of forming ceramic coatings and resulting articles |
| JPH05243101A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| DE4225920A1 (de) * | 1992-08-05 | 1994-02-10 | Roederstein Kondensatoren | Kondensator, insbesondere Elektrolytkondensator |
| US5914417A (en) * | 1995-01-03 | 1999-06-22 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Nb, Ta and Ti salt solutions and processes for the production and use thereof |
| US5993513A (en) * | 1996-04-05 | 1999-11-30 | Cabot Corporation | Method for controlling the oxygen content in valve metal materials |
| US6165623A (en) | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| JP3254163B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
| US6051326A (en) | 1997-04-26 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Valve metal compositions and method |
| US6282419B1 (en) | 1997-08-20 | 2001-08-28 | Ericsson Inc | Apparatus and method for mobile terminal rescans during roaming |
| JP3233084B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの陽極体の製造方法 |
| JPH11214242A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびそれを用いた積層セラミック電子部品 |
| DE19831280A1 (de) | 1998-07-13 | 2000-01-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern |
| EP1144147B8 (en) * | 1998-05-06 | 2012-04-04 | H.C. Starck GmbH | METHOD FOR PRODUCING METAL POWDERS BY REDUCTION OF THE OXIDES, Nb AND Nb-Ta POWDERS AND CAPACITOR ANODE OBTAINED THEREWITH |
| DE19847012A1 (de) | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2000243665A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| CN1221994C (zh) * | 1999-07-15 | 2005-10-05 | 昭和电工株式会社 | 铌粉、其烧结体和使用该烧结体的电容器 |
| JP4683512B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2011-05-18 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用粉体、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
-
1999
- 1999-11-09 DE DE19953946A patent/DE19953946A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-10-27 CZ CZ20021584A patent/CZ301939B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2000-10-27 PT PT00975948T patent/PT1230655E/pt unknown
- 2000-10-27 JP JP2001537079A patent/JP4999135B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 EP EP00975948A patent/EP1230655B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 CN CNB008153027A patent/CN1211819C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 BR BRPI0015400A patent/BRPI0015400B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-10-27 AU AU13891/01A patent/AU770489B2/en not_active Ceased
- 2000-10-27 US US10/129,536 patent/US6821314B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 WO PCT/EP2000/010622 patent/WO2001035428A1/de active IP Right Grant
- 2000-10-27 DE DE50010419T patent/DE50010419D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 IL IL14903800A patent/IL149038A0/xx active IP Right Grant
- 2000-10-27 RU RU2002115641/09A patent/RU2253919C2/ru active
- 2000-10-27 KR KR1020027005959A patent/KR100715408B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-09 SV SV2000000213A patent/SV2002000213A/es active IP Right Grant
-
2002
- 2002-04-09 IL IL149038A patent/IL149038A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2253919C2 (ru) | 2005-06-10 |
| EP1230655B1 (de) | 2005-05-25 |
| CZ301939B6 (cs) | 2010-08-04 |
| PT1230655E (pt) | 2005-09-30 |
| WO2001035428A1 (de) | 2001-05-17 |
| IL149038A (en) | 2007-07-04 |
| DE19953946A1 (de) | 2001-05-10 |
| AU1389101A (en) | 2001-06-06 |
| BRPI0015400B1 (pt) | 2016-04-19 |
| BR0015400A (pt) | 2002-06-25 |
| JP4999135B2 (ja) | 2012-08-15 |
| EP1230655A1 (de) | 2002-08-14 |
| KR100715408B1 (ko) | 2007-05-08 |
| AU770489B2 (en) | 2004-02-26 |
| JP2003514378A (ja) | 2003-04-15 |
| CN1387667A (zh) | 2002-12-25 |
| KR20020065513A (ko) | 2002-08-13 |
| US6821314B1 (en) | 2004-11-23 |
| IL149038A0 (en) | 2002-11-10 |
| SV2002000213A (es) | 2002-02-05 |
| DE50010419D1 (de) | 2005-06-30 |
| CN1211819C (zh) | 2005-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ20021584A3 (cs) | Kondenzátorový práąek | |
| AU2004203145B2 (en) | Niobium suboxide powder | |
| JP5464682B2 (ja) | コンデンサー粉末 | |
| KR100572181B1 (ko) | 콘덴서용 전극 재료 및 그것을 사용한 콘덴서 | |
| KR100850386B1 (ko) | 전해 커패시터 기판용의 탄탈과 질화탄탈 분말의 혼합물 및 상기 분말 혼합물을 이용한 캐패시터, 및 그의 제조방법 | |
| KR20090040301A (ko) | 구조화 소결 활성 표면을 갖는 반제품 및 그 제조 방법 | |
| WO2001029291A1 (en) | Method of anodizing tantalum powder | |
| EP1344750A1 (en) | Method of forming titanium oxide film and titanium electrolytic capacitor | |
| KR20010080767A (ko) | 니오브 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| JPH0449773B2 (cs) | ||
| JP5851667B1 (ja) | コンデンサ陽極体、固体電解コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ陽極体の製造方法 | |
| US9378894B2 (en) | Method for producing electrolytic capacitors from valve metal powders | |
| KR20020079800A (ko) | 커패시터용 니오브 분말, 그 소결체 및 소결체를 이용한커패시터 | |
| MXPA02004597A (en) | Capacitor powder | |
| JPH059710A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 | |
| JP6908503B2 (ja) | 電解コンデンサ | |
| JP2004018966A (ja) | チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
| JP2002180291A (ja) | チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
| JPS6257090B2 (cs) | ||
| JP2002180293A (ja) | チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
| JP2002180292A (ja) | チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
| JPS6410928B2 (cs) | ||
| JPS60229325A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0766083A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Patent expired |
Effective date: 20201027 |