CZ20013320A3

CZ20013320A3 - Povlak s malým zamlžením, předmět jím opatřený, a způsob jejich výroby

Info

Publication number: CZ20013320A3
Application number: CZ20013320A
Authority: CZ
Inventors: Janos Szanyi; John F. Sopko; George A. Neuman
Original assignee: Ppg Industries Ohio, Inc.
Priority date: 1999-03-18
Filing date: 2000-03-15
Publication date: 2003-10-15
Also published as: WO2000055102A2; US6797388B1; CZ302966B6; AU3895800A; ES2388502T3; JP2003522088A; JP2010260050A; EP1169275A2; CA2361733C; AU767341B2; EP1169275B1; ID30472A; TR200102690T2; WO2000055102A3; CN100374388C; KR20020003552A; HK1048799A1; BR0010774A; CA2361733A1; JP5177922B2

Description

Oblast techniky

Vynález se týká povlaků a předmětů opatřených povlaky, a zejména způsobů nanášení povlaků a výroby předmětů s povlakem, přičemž povlaky vykazují kou emisivitu. Vynález se také propustnosti slunečního záření nízké zamlžení a/nebo níztýká povlaků pro ovládání (solar control coatings) předměty, za účelem snížení prostupu infračervené energie (IR), zejména blízké infračervené energie (NIR), při současném udržování relativně vysokého prostupu viditelného světla a v podstatě neutrální barvy v prostupu a/nebo v odrazu předmětem opatřeným povlakem.

Spis navazuje na prozatímní patentovou přihlášku USA United

States provisional Application Seriál No.60/172 283, podanou 17 12 1999, a prozatímní patentovou přihlášku USA United States provisional Application Seriál No.60/125 050, podanou

03 1999, na jejichž obsah se zde odvoláváme jako na součást tohoto pojednávání.

Dosavadní stav techniky

Povlaky s nízkou emisivitou, nanášené na substrát na substrát, například skleněný substrát, jsou používány v řadě aplikací, jako průhledných dveří mrazniček, průhledových otvorů dveří pro trouby, okna ve stavebnictví, například výkladce okna obchodních a bytových staveb, a okna vozidel, abychom jmenovali některé. Emisivita se týká schopnosti povrchu emitovat energii nebo náchylnost k vyzařování. Povlaky s nízkou emisivitou umožňují, aby byla oknem propuštěna ultrafialová energie (U”), například pod 400 nm až okolo • · · ·

-2780 nm, ale aby byla odrážena infračervená energie (IR), například o vlnové délce vyšší než okolo 780 nm. Takové povlaky s nízkou emisivitou jsou atraktivní pro použití pro okna budov, například proto, že zabraňují tepelným ztrátám okny během chladných období, snižují náklady na vytápění v zimě na na klimatizaci v létě.

Povlaky s nízkou emisivitou se však dobře nehodí pro použití v teplejších klimatech, jako v jižních státech USA, jelikož povlaky s nízkou emisivitou propouštějí vysoký procentuelní podíl záření během dne, které může zahřát interiér budovy a zvyšují tak náklady na chlazení. Příklady běžně používaných povlaků s nízkou emisivitou zahrnují oxidy kovů, jako je oxid ciničitý (SnO₂), nebo dotované oxidy kovů, jako oxid cínu dotovaný fluorem. Povlak s nízkou emisivitou z oxidu cínu dotovaného fluorem je popsán v patentovém spisu USA Č.4 952 423.

V teplejších klimatech jsou žádoucí povlak, které poskytují nejen nízkou emis.ivitu, ale také lepší ovládání propustnosti slunečního záření (solar control), jako je odraz sluneční energie nebo absorpce nebo nízký clonící koeficient (shading coefficient). Termín clonící koeficient je termín obecně používaný ve sklářském průmyslu a vyjadřuje tepelný zisk získaný přes danou plochu otvoru nebo zasklení v poměru ke stejné ploše jednoduchého zasklení čirým sklem o tloušťce 1/8 (normová výpočtová metoda podle ASHRAE). Čirému sklu o tloušťce 18 (3,175 mm) je přiřazena hodnota 1,00. Hodnota clonícího koeficientu pod 1,00 značí lepší odpuzování tepla než má jednoduché čiré sklo a naopak.

Oxid cínu dotovaný fluorem poskytuje nízkou emisivitu. Oxid cínu dotovaný jinými materiály, jako antimonem (Sb) může vykazovat odrazivost a absorpční schopnost. Povlaky z oxidu cínu dotovaného antimonem jsou více absorpční pro sluneční záření než povlak samotného oxidu cínu. Dotování oxidu cínu antimonem zlepšuje absorpci sluneční energie v blízkém infračerveném pásmu a také snižuje propustnost viditelného světla, což jsou parametry zvlášť užitečné v teplých klimatech, kde mají zabraňovat přehřívání interiéru budovy nebo vozidla v letních měsících.

Kromě oxidu cínu se používají při vytváření povlaků s nízkou emisivitou a/nebo povlaků pro ovládání propustnosti slunečního záření jiné oxidy kovů, zahrnující Sb₂O₃, TiO₂, Co₃0₄, Cr₂O₃, InO₂ a SiO₂. Oxidy cínu však mají výhodu vůči těmto jiným oxidům kovů vzhledem k jejich odolnosti proti oděru, tvrdosti a vodivosti. Výhody jak nízké emisivity a ovládání propustnosti slunečního záření mohou být získány tím, že se vytvoří povlak, mající jak povlakový materiál s nízkou emisivitou, jako oxid cínu dotovaný fluorem, tak i povlakový materiál pro ovládání propustnosti slunečního záření, jako je oxid cínu dotovaný antimonem, nebo že se vytvoří povlak obsahující smíšené materiály ovládající emisivitu a propustnost slunečního záření, jako je oxid cínu dotovaný jak antimonem tak i fluorem. Příklad takového povlaku je popsán v patentovém spisu GB 2 302 102.

Patentový spis USA č.4 504 109 popisuje souvrství clonící infračervené záření, obsahující prostřídané vrstvy clonící IR záření a interferenční odrazivé vrstvy.

Patentový spis GB 2 302 102 popisuje povlak, mající jednu vrstvu oxidu cínu a antimonu, v níž oxid cínu a antimonu jsou ve specifikovaném molárním poměru, a také popisuje vrstvu z oxidu cínu dotovaného fluorem, nanesenou na vrstvu oxidu cínu a antimonu.

Obecným pravidlem pro povlaky s oxidy kovu nebo dotovanými oxidy kovu je, že když tloušťka povlaku vzrůstá, klesá emisivita povlaku a vzrůstá vodivost povlaku. Kdyby proto nebyly ve hře jiné faktory, bylo by možné získat povlak pro ovládání propustnosti slunečního záření mající nízkou emisivitu, například menší než 0,2, jednoduchým zvyšováním tloušťky povlaku na úroveň zajišťující požadovanou emisivitu. Zvyšování tloušťky povlaku však má také nevýhody ve zvyšování zamlžení povlaku, například v množství nebo procentuelním podílu viditelného světla, rozptýleného při průchodu předmětem, a ve snižování propustnosti viditelného světla. Takové povlaky mohou také vykazovat nežádoucí iridiscenci. Zejména pro okna staveb nebo vozidel jsou takové zamlžení nebo iridiscence nežádoucí.

Pro většinu průmyslových aplikací je zamlžení větší než okolo 1,5% shledáváno jako nežádoucí. Možnost zajistit vytvoření povlaku s nízkou emisivitou s vlastnostmi zajišťující ovládání propustnosti slunečního záření (solar control) nebo bez takových vlastností byla proto až dosud omezena potřebou minimalizovat zamlžení povlaku na komerčně přijatelné úrovně.

Spis GB 2 302 102 uvádí hypotézu, že takové zamlžení povlaku vyplývá z vnitřního zamlžení vyvolaného migrací ion♦ 9 tů sodíku ze skleněného substrátu do povlaku a navrhuje pro snižování zamlžení vytvářet bariérovou vrstvu z nestechiometrického oxidu křemičitého mezi skleněným substrátem a povlakem pro blokování migrace sodíkových iontů.

Řada známých infračervených povlaků také vykazuje iridiscenci nebo interfereční barvy s odráženým a propuštěným světlem. Povlečené transparentní výrobky, jako okna vozidel, které zajišťují nižší činitel prostupu infračerveného záření a nižší celkový činitel prostupu sluneční energie ke snížení tepelného zisku ve vnitřním prostoru vozidla by také měly mít přednostně v podstatě neutrální barvu, například šedou barvu, aby nekolidovaly s celkovou barvou vozidla.

Jak bude zřejmé pro běžné odborníky v oboru, bylo by výhodné zajistit povlak, výrobek opatřený povlakem a/nebo způsob vytváření povlaku, který by měl emisivitu nižší než okolo 0,2, a který by také mel nízké zamlžení, například nižší než okolo 2,0%. Bylo by také výhodné vytvořit povlak a/nebo předmět s povlakem, který by měl sníženou propustnost infračerveného záření a/nebo nízký clonící koeficient při současném udržování relativně vysoké propustnosti viditelného světla a snížené iridiscenci.

Podstata vynálezu

Povlak podle vynálezu obsahuje první povlakový povrch, druhý povlakový povrch, a přerušovací vrstvu, uloženou mezi prvním a druhým povlakovým povrchem. Přerušovací vrstva je vytvořena tak, aby přerušovala krystalickou strukturu povlaku.

Další povlak podle vynálezu obsahuje v podstatě krys

-6talickou první vrstvu, v podstatě krystalickou druhou vrstvu, uloženou přes první vrstvu, a přerušovací vrstvu, uloženou mezi první a druhou vrstvou. Přerušovací vrstva je vytvořena tak, že zabraňuje epitaxnímu růst druhé vrstvy na první vrstvě nebo ho alespoň snižuje.

Jiný povlak obsahuje v podstatě krystalickou první vrstvu obsahující oxid cínu dotovaný antimonem, mající tlouštku například od okolo 1200 Á až okolo 2300 Á, v podstatě krystalickou druhou vrstvu, uloženou na první vrstvě, druhou vrstvu obsahující oxid cínu dotovaný fluorem a mající tloušťku například od okolo 3000 Á do okolo 3600 Á, a přerušovací vrstvu, uloženou mezi první a druhou krystalickou vrstvoiu. Přerušovací vrstva, například amorfní vrstva, zabraňuje epitaxnímu růstu druhé vrstvy na první vrstvě nebo tento růst alespoň snižuje.

Předmět podle vynálezu s povlakem obsahuje substrát a povlak, ukládaný na alespoň část substrátu. Povlak obsahuje první povlakový povrch a druhý povlakový povrch, přičemž přerušovací vrstva podle vynálezu je uložená mezi prvním a druhým povlakovým povrchem.

Další předmět s povlakem podle vynálezu obsahuje substrát, v podstatě krystalickou první vrstvu nanesenou na alespoň část substrátu, přerušovací vrstvu, nanesenou přes první vrstvu, a v podstatě krystalickou druhou vrstvu, nanesenou přes přerušovací vrstvu.

Další předmět s povlakem obsahuje substrát, v podstatě krystalickou první vrstvu nanesenou přes alespoň část

-7substrátu, a přex^vušovací vrstvu nanesnou přes alespoň část první vrstvy. Přerušovací vrstva je vytvořena tak, aby bránila epitaxnímu růstu krystalické povlakové vrstvy, nanášené na předmět s povlakem, nebo aby alespoň tento růst snižovala.

Další předmět s povlakem obsahuje substrát, vrstvu pro potlačování barvy, uloženou přes alespoň část substrátu, a první v podstatě transparentní vodivou vrstvu oxidu kovu, nanesenou přes vrstvu pro potlačování barvy a mající tloušťku například od okolo 700 Á do okolo 3000 Á. Vrstva pro potlačování barvy je s výhodou odstupňovaná, s tloušťkou například od okolo 50 Á do okolo 3000 Á.

Jiný předmět s povlakem obsahuje substrát, vrstvu oxidu cínu dotovaného antimonem, nanesenou přes nejméně jednu část substrátu a mající tloušťku například od okolo 900 Á až okolo 1500 Á, a vrstvu oxidu cínu dotovaného fluorem, nanesenou přes vrstvu oxidu cínu dotovaného antimonem a mající tloušťku například od okolo 1200 Á do okolo 3600 Á. Vrstva oxidu cínu dotovaného antimonem má nejméně dvě strata s odlišnými koncentracemi antimonu, s prvním stratem majícím tloušťku například 985 Á a druhým stratem majícím tloušťku například okolo 214 Á (poznámka: termín stratům jako latinský název slova vrstva je zde a v celém dalším textu používán pro doslovný překlad anglického slova strata k odlišení od termínu vrstva-layer).

Ještě další předmět s povlakem obsahuje substrát, první vrstvu z dotovaného oxidu kovu, nanesenou přes alespoň část substrátu, a druhou vrstvu dotovaného oxidu kovu, nane-8-

senou přes první vrstvu dotovaného oxidu kovu. První vrstva dotovaného oxidu kovu má index lomu nižší než druhá vrstva dotovaného oxidu kovu.

Další předmět s povlakem obsahuje substrát, vrstvu pro potlačování barvy, nanesenou přes alespoň část substrátu, v podstatě krystalické první vrstvy nanesené přes vrstvu pro potlačování barvy, v podstatě krystalickou druhou vrstvu nanesenou přes první vrstvu, a přerušovací vrstvu podle vynálezu, uloženou mezi první a druhou vrstvou.

Další předmět s povlakem obsahuje substrát, první povlakovou oblast uloženou přes alespoň část substrátu, přičemž první povlaková oblast obsahuje oxid kovu a dotující látku, dále přechodovou oblast nanesenou přes první oblast, přičemž tato přechodová oblast obsahuje oxid kovu, první dotující látku, a druhou dotující látku s poměrem první dotující látky ke druhé dotující látce se vzdáleností od substrátu, a třetí povlakovou oblast nanesenou přes druhou povlakovou oblast, přičemž třetí povlaková oblast obsahuje oxid kovu a druhou dotující látku. Popřípadě může být v povlakovém souvrství uložena jedna nebo více přerušovacích vrstev podle vynálezu.

Způsob povlékání substrátu zahrnuje nanášení v podstatě krystalické první vrstvy na alespoň část substrátu, nanášení přerušovací vrstvy přes první vrstvu, a nanášení v podstatě krystalické druhé vrstvy na přerušovací vrstvu. Přerušovací vrstva je vytvořena tak, aby bránila epitaxnímu růstu druhé vrstvy na první vrstvě nebo tento růst snižovala.

• · · 4 4 ·

-9Další způsob povlékání substrátu zahrnuje nanášení v podstatě krystalické první vrstvy přes alespoň část substrátu, a nanášení přerušovací vrstvy přes první krystalickou vrstvu. Přerušovací vrstva je vytvořena tak, aby bránila epitaxnímu růstu vrstvy, následně nanášené na první krystalické vrstvě, nebo aby tento růst snižovala.

Další způsob vytváření předmětu s povlakem spočívá v tom, že se vytváří substrát, na alespoň část substrátu se ukládá vrstva pro potlačování barvy, mající tlouštku například od okolo 50 Á do okolo 3000 Á, a přes vrstvu pro potlačování barvy se nanáší první vrstva v podstatě transparentního vodivého oxidu kovu, přičemž první vrstva vodivého oxidu kovu je například z oxidu cínu dotovaného antimonem, majícího tlouštku například od okolo 700 Á do okolo 3000 Á.

Přehled obrázků na výkresech

Vynález je blíže vysvětlen v následujícím popisu na příkladech provedení s odvoláním na připojené výkresy, ve kterých znázorňuje obr.l schematický řez (mimo měřítko) povlakem a povlečeným předmětem podle vynálezu, obr.2 schematický řez (mimo měřítko) povlakem a povlečeným předmětem podle dalšího provedení vynálezu, obr.3 schematický řez (mimo měřítko) povlakem a povlečený předmětem podle ještě dalšího provedení vynálezu, obr.4 diagram závislosti absorpce slunečního záření na vlnové délce pro několik povlaků oxidu cínu dotovaného antimonem na čirém sklu float, obr.5 diagram závislosti propustnosti na vlnové délce pro povlečený předmět podle vynálezu, obr.6 diagram závislosti propustnosti na na vlnové délce pro povlečený předmět podle vynálezu, mající vrstvu

-10φφ φφφφ φ ·φ φφφφφ φ φ φ· • φ· • φ φφφ oxidu cínu dotovaného antimonem tlustší než v případě z obr.5, obr.7 diagram závislosti propustnosti na vlnové délce pro povlečený předmět s vrstvou oxidu titanu a bez ní, obr.8 diagram závislosti změny barvy na změnách tloušťky vrstvy oxidu cínu dotovaného fluorem, obr.9 diagram závislosti změny barvy na změnách tloušťky vrstvy oxidu cínu dotovaného fluorem pro povlak mající vrstvu oxidu cínu dotovaného fluorem nanesenou přes dvě vrstvy oxidu cínu dotovaného antimonem, a obr.10 znázorňuje diagram závislosti změny barvy na změnách tloušťky vrstvy oxidu cínu dotovaného antimonem pro povlak z obr.9.

Příklady provedení vynálezu

Všechny číselné údaje vyjadřující množství složek, reakční podmínky atd., použité v popisu a v patentových nárocích, jiné než v příkladech provedení, nebo kde není uvedeno něco jiného, je třeba chápat ve všech případech jako modifikované slovem okolo. Všechny číselné údaje pokud jde o procentuelní podíly, pokud není uvedeno jinak, se rozumí jako hmotnostní podíly.

Pokud jde o zamlžení, považuje se dále jako výchozí předpoklad, že pro krystalické nebo v podstatě krystalické povlaky, například krystalické povlaky s nízkou emisivitou na bázi oxidů kovů, o tloušťce větší než od okolo 2000 do okolo 4000 Á, vyplývá zamlžení povlaku primárně z povrchové morfologie povlaku a ne z vnitřních zamlžovacích faktorů, jak bylo dosud předpokládáno.

Povlaky s nízkou emisivitou a/nebo ovládající propustnost slunečního záření (solar control), jsou zpravidla — 11 — vytvořeny tak, aby byly krystalické, jelikož krystalické struktury zajištují výhody lepší adheze na skleněné substráty a zvýšenou trvanlivost, a také zajištují rychlejší růst povlaku a tedy větší chemickou účinnost. Jinou výhodou krystalické struktury je, že zvyšuje elektrickou vodivost, která podporuje nižší emisivitu. Tato krystalická povlaková struktura, bez ohledu na to, je-li tvořena jednou nebo více vrstvami materiálů, však může vést k tvorbě velkých struktur, například větších než okolo 2000 Á až okolo 4000 Á, přičemž jednokrystalové struktury vedou k vysoké drsnosti povrchu a tedy k vysokému zamlžení, například většímu než okolo 2%.

Například prd vytváření krystalického povlaku s nízkou emisivitou a ovládajícího propustnost slunečního záření (solar control), mající vrstvu oxidu cínu (SnO₂) dotovaného fluorem (F) na vrstvě oxidu cínu dotovaného antimonem, se na substrát nejprve nanášejí prekurzory oxidu cínu a antimonu. Prekurzory antimonu a oxidu cínu nukleují na povrchu substrátu tak, aby začínaly s tvorbou krystalů oxidu cínu dotovaného antimonem, jejichž velikost roste s tím, čím se ukládá více prekurzorového materiálu. Když má první krystalická vrstva požadovanou tloušťku, nanášejí se přes první vrstvu prekurzory fluoru a oxidu cínu pro tvorbu krystalické druhé vrstvy oxidu cínu, dotované oxidem cínu. Termín dotovaný a dotující znamenají materiál, který může být přítomný v krystalické struktuře jiného materiálu nebo může být přítomný v intersticiálních polohách v jiném materiálu.

Nyní však bylo zjištěno, že jestliže prekurzorové materiály pro druhou krystalickou vrstvu jsou nanášeny přímo na první krystalickou vrstvu, mají krystaly druhé krystalic-12ké vrstvy sklon epitaxně růst na krystalech první krystalické vrstvy, t.j. nenukleovat, ale spíše navazovat na krystalickou strukturu první vrstvy krystalů k tvorbě velkých, podlouhlých a jednotlivých krystalických struktur, uspořádaných vzhůru v podstatě přes celou tloušťku povlaku, s dolní částí krystalické struktury sestávající z oxidu cínu dotovaného antimonem a horní části krystalické struktury tvořené dotovaným oxidem cínu. Tento epitaxní krystalový růst má za následek tvorbu povlaku s velmi vysokou drsností povrchu a tedy nepřijatelně vysokým zamlžením, například větším než okolo 2%. Vysoká drsnost povrchu byla potvrzena mikroskopií s atomovou silou (atomic force microscopy AFM) a skenovací elektronovou mikroskopií (SEM) a předpokládá se, že je prvořadým faktorem přispívajícím k celkovému zamlžení povlaku takových krystalických povlaků, protože zamlžení je sníženo, když jsou povrchy vyhlazené.

Na základě tohoto nového chápání vynález přináší povlak a způsob vytváření povlaku, dovolující vytváření povlaků s nízkou emisivitou a/nebo ovládajících propustnost slunečního záření, například kompozitní nebo vícevrstvé krystalické povlaky na bázi oxidů kovů na substrátu, které zachovávají výhody krystalické struktury popsané výše, ale které brání epitaxnímu růstu, jenž je společným znakem pro známé povlékací procesy, nebo alespoň takový růst snižují, a které tak snižují zamlžování výsledného povlaku.

Povlečený předmět 10 se znaky podle vynálezu je znázorněn na obr.l. Předmět 10 obsahuje substrát 12 s povlakovým souvrstvím nebo povlakem 14 naneseným přes alespoň část substrát 12, obvykle přes celý povrch substrátu 12.

13Povlak 14 má vnitřní nebo první povrch 13 a vnější nebo druhý povrch 15. Termíny nanesený přes a vytvořený přes zahrnují nanesené nebo vytvořené nad, t.j. ve větší vzdálenosti od substrátu, ale nikoli nezbytně v povrchovém dotyku s ním. Například první povlaková oblast nebo vrstva nanesená přes druhou povlakovou oblast nevylučuje přítomnost jedné nebo více povlakových oblastí nebo vrstev mezi první a druhou povlakovou vrstvou.

Povlak 14 zahrnuje první oblast nebo vrstvu 16 a druhou oblast nebo vrstvu 20 s přerušovací oblastí nebo vrstvou 18 podle vynálezu, pro přerušování epitaxního růstu, uloženou mezi první vrstvou 16 a druhou vrstvou 20. Termín vrstva se zde používá pro označování povlakové oblasti zvoleného složení v povlaku. Například vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem je oblast povlaku, vytvořená v převažující míře z oxidu cínu dotovaného fluorem. Je však třeba rozumět, že mezi přilehlými vrstvami nemusí být odlišné rozhraní, a že vrstvy mohou být jednoduše odlišné oblasti stejného povlakového materiálu.

Substrát 12 je s výhodou transparentní, polotransparentní nebo průsvitný materiál, například jako plast, keramická hmota nebo přednostně sklo. Například může být sklo čiré sklo float nebo čiré, tónované nebo barevné ploché sklo. Sklo může mít jakékoli složení s jakýmikoli optickými vlastnostmi, například s jakoukoli hodnotou prostupu viditelného světla, prostupu ultrafialového záření, prostupu infračerveného záření a/nebo celkového prostupu sluneční energie. Typy skla, jaké mohou být v rámci vynálezu použity, ale na něž se vynález neomezuje, jsou popsány v patentovém spisu

-14USA Č.4 746 347, 4 792 536, 5 240 886, 5 385 872 a 5 393 593. Substrát 12 může mít jakoukoli tloušťku, ale s výhodou má tloušťku od okolo 2 mm do okolo 13 mm, s výhodou od okolo 2,2 mm do okolo 6 mm.

Povlak 14 je s výhodou vícevrstvý povlak, t.j. obsahuje více vrstev nebo oblastí odlišného složení, nanesených přes nejméně část povrchu substrátu jakýmkoli vhodným způsobem, jako nanášením magnetronovým rozprašováním parami (magnetron sputter vapor deposition MSVD), nanášením chemickými parami (CVD), pyrolýzou nástřiku, nanášení metodou sol-gel, atd. V současně přednostním provedení vynálezu se povlak 14 nanáší chemickými parami (CVD).

Způsoby nanášení chemickými parami CVD jsou dobře známé v oboru nanášení tenkých filmů a nebudou proto podrobně rozebírány. V typickém způsobu pyrolytického vytváření povlaku, jako je vytváření povlaku chemickými parami CVD, se prekurzorové materiály ve formě plynu nebo páry nebo směsi takových prekurzořových materiálů směrují k povrchu horkého substrátu. Prekurzořové materiály pyrolyzují a nukleují na povrchu substrátu pro vytváření pevného povlakového materiálu, typicky oxidového materiálu, jehož složení je určeno typem a/nebo množstvím použitých prekurzořových materiálů a složením nosného plynu.

Jak je rovněž znázorněno na obr.l, obsahuje první oblast nebo vrstva 16 s výhodou kovový oxidový materiál, jako oxid jednoho nebo více prvků se skupiny obsahující Zn, Fe, Mn, Al, Ce, Sn, Sb, Hf, Zr, Ni, Zn, Bi, Ti, Co, Cr, Si nebo I nebo slitinu, jako ciničitan zinečnatý. První vrstva 16

-15• ♦ <

• · · ·· • · ·· «·· s výhodou také obsahuje jednu nebo více dotujících látek, jako Sn, F, In nebo Sb. V současně přednostním provedení vynálezu je první vrstva 16 z oxidu cínu dotovaného antimonem, přičemž antimon je přítomný v prekurzořových materiálech v podílu menším než okolo 10 hmotnostních procent, vztaženo na celkovou hmotnost prekurzořových materiálů, s výhodou méně než okolo 7,5 hmotn.%. V současně přednostním provedení má první vrstva 16 s výhodou tloušťku od okolo 1000 Á do okolo 2300 Á, výhodněji od okolo 1700 Á do okolo 2300 Á, a nejvýhodněji okolo 2000 Á. V současně přednostním provedení je považováno za výhodné, aby atomový poměr cínu k antimonu (Sn/Sb) v nanesené první vrstvě 16 byl od okolo 8 do okolo 12, s výhodou od okolo 10 do okolo 11, při měření rentgenovou fluorescencí. První vrstva 16 se s výhodou ukládá tak, že struktura první vrstvy 16 je krystalická nebo v podstatě krystalická, t.j. z více než 75% krystalická. První vrstva 16 z oxidu cínu dotovaného antimonem podporuje absorpci viditelného světla nebo sluneční energie v blízkém infračerveném pásmu.

I když je tomu současně dávána přednost, neomezuje se první vrstva 16 na oxid cínu dotovaný antimonem. První vrstva 16 by také mohla obsahovat jeden nebo více oxidů kovů, jako je oxid cínu dotovaný více dotujícími látkami, jako jak antimonem tak fluorem. Alternativně by první vrstva 16 mohla být gradientově vrstva s například směsi oxidu cínu dotovaného fluorem a oxidem cínu dotovaným antimonem s plynule se měnícím složením se zvyšováním vzdálenosti od substrátu. Například v blízkosti povrchu substrátu by první vrstva 16 mohla být v převažující míře z oxidu cínu dotovaného antimonem, zatímco vnější povrch nebo oblast první vrstvy 16 by

-1699 »*·* • 99 • ·♦··

9 99 • 9·

9999» mohla být v převažující míře z oxidu cínu dotovaného fluorem s plynule se měnícím poměrem antimonu ke fluoru v mezilehlé části. Vhodný způsob vytváření takové gradientově vrstvy je popsán v patentovém spisu USA č.5 356 718, na který se zde odvoláváme pro další podrobnosti jako součást tohoto pojednávání .

První vrstva 16 může dále obsahovat dvě nebo více strat nebo oblastí z oxidů kovů, například oxidu cínu, se straty majícími rozdílnou koncentraci dotující látky. Vhodný způsob vytvářené takových strat je také popsán v patentovém spisu USA č.5 356 718.

Druhá vrstva 20 je s výhodou vrstva z oxidu kovu, s výhodou dotovaného oxidu kovu, a může být podobná výše popsané první vrstvě 16. I když toto nelze považovat za omezující, je podle současně přednostního provedení vynálezu druhá vrstva 20 vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem, přičemž fluor je přítomný v prekurzořových materiálech v podílu menším než okolo 20 hmotn.%, vztaženo na celkovou hmotnost prekurzořových materiálů, s výhodou menším než okolo 15 hmotn.% a nejvýhodněji menším než okolo 13 hmotn.%. I když to není specificky měřeno, je odhadováno, že fluor je přítomný v nanesené druhé vrstvě 20 v podílu menším než okolo 5 atomových procent. Předpokládá se, že jestliže je fluor přítomný ve větším podílu než 5 atomových %, může ovlivnit vodivost povlaku, která může zmenšit jeho emisivitu. Druhá vrstva 20 je také krystalická nebo v podstatě krystalická. V přednostním provedení má druhá vrstva 20 s výhodou tloušťku od okolo 2000 Á do okolo 5000 Á, a výhodněji od okolo 3000 Á do okolo 3600 Á. Druhá vrstva 20 z oxidu cínu dotova-17-

		9	• ·· ·
•	•	•	99	• ·	9	9	99
•	•	• ··	9	•	9	9	•
•	•	• ♦	9	•	9 9	9	•
•		• <··«	r ···	• 999	9 99	9	• ···

ného fluorem podporuje nízkou emisivitu.

Podle vynálezu je přerušovací vrstva 18 uložena mezi první krystalickou vrstvou 16 a druhou krystalickou vrstvou 20. Přerušovací vrstva 18 je oblast nebo vrstva, která preventivně odstraňuje, brání a nebo brzdí epitaxní růst krystalů v podstatě krystalické druhé vrstvy 20 na v podstatě krystalické první vrstvě 16, například narušováním nebo přerušováním krystalické struktury povlaku. I když to nelze považovat za omezující, je v současně přednostním provedení vynálezu přerušovací vrstva 18 s výhodou amorfní vrstva. Když se vytváří druhá vrstva 20, nukleují tak prekurzorové materiály druhé vrstvy na přerušovací vrstvě 18 a nerostou epitaxně na krystalické první vrstvě 16. To zabraňuje nebo snižuje tvorbu krystalů druhé vrstvy 20, takže nedojde k pokračování krystalické struktury krystalů první vrstvy a zabrání se tak tvorbě více jednotlivých, v podstatě souvislých krystalů ve tvaru pilovitých zubů, procházejících v podstatě naskrz povlakem, takže se snižuje povrchová drsnost, což potom vyvolá snížení zamlžení povlaku 14.

I když je v současně přednostním provedení vynálezu přerušovací vrstva 18 přednostně amorfní, může být přerušovací vrstva 18 také neamorfní vrstva, která podporuje tvorbu menších krystalů ve druhé vrstvě 20, než jaké by se vytvářely v nepřítomnosti přerušovací vrstvy 18. Přerušovací vrstva 18 může být například krystalická, polokrystalická nebo v podstatě krystalická vrstva s parametry mřížky odlišnými od první vrstvy 16, čímž dojde k nesouladu mřížek a narušování nebo přerušování krystalického růstu povlaku. Přerušovací vrstva 18 by měla být dostatečně tlustá pro to, aby

-18preventivně bránila epitaxnímu růstu krystalů druhé vrstvy na první vrstvě krystalů a nebo ho brzdila, ale aby nebyla tak tlustá, že by mela negativní dopad na mechanické nebo optické parametry povlaku 14. V současně přednostním provedení vynálezu je přerušovací vrstva 18 tlustá méně než okolo 1000 Á, výhodněji od okolo 100 Á do okolo 600 Á.

Přerušovací vrstva 18 a/nebo první vrstva 16 a/nebo druhá vrstva 20 mohou být homogenní, nehomogenní nebo s odstupňovanou změnou složení. Vrstva je homogenní, když horní povrch nebo část, dolní povrch nebo část a části vrstvy mezi horní a dolní plochou mají v podstatě stejné chemické složení od dolního povrchu k hornímu povrchu a naopak. Vrstva je odstupňovaná, jestliže má v podstatě vzrůstající podíl jedné nebo více složek a v podstatě se snižující podíl jedné nebo více složek směrem od horního povrchu k dolnímu povrchu nebo naopak. Vrstva je nehomogenní, když je vrstva jiná než homogenní nebo odstupňovaná.

V současně přednostním provedení vynálezu je přerušovací vrstva 18 vrstva oxidu kovu obsahující fosfor, například vrstva oxidu cínu, s fosforem přítomným v nanášené směsi prekurzorového materiálu v množství menším než okolo 20 hmotn.%, s výhodou menším než okolo 10 hmotn.%, a ještě výhodněji okolo 3 hmotn.%, vztaženo na celkovou hmotnost směsi prekurzorového materiálu. Předpokládá se, že prekurzorové materiály fosforu a oxidu cínu tvoří směsný oxid nebo pevný roztok, když jsou nanášeny na první vrstvu .16, t.j. fosfor a oxid cínu jsou dohromady v pevné formě, aniž by docházelo ke ztrátě jejich chemické identity. I když toto není specificky změřeno, odhaduje se, že atomový poměr fosforu k cínu

-19(P/Sn) v současně přednostním provedení nanášené přerušovací vrstvy 18 je od okolo 0,01 do okolo 0,1, pravděpodobněji od okolo 0,03 do okolo 0,08 a nejpravděpodobněji od okolo 0,04 do okolo 0,06. V přednostním provedení vynálezu přerušovací vrstva 18 s výhodou není slitina, protože s výhodou není krystalická.

V alternativním provedení může být přerušovací vrstva 18 směsný oxid cínu a křemíku, například pevný roztok oxidu cínu a křemíku. V současně přednostním provedení obsahuje prekurzorový materiál oxidu křemičitého méně než okolo 20 hmotn.% kombinovaných prekurzorových materiálů oxidu cínu a křemíku, vztaženo na celkovou hmotnost kombinovaných prekurzorových materiálů oxidu cínu a křemíku. V současně přednostním provedení vynálezu je atomový poměr křemíku k cínu (Si/Sn) v nanesené přerušovací vrstvě 18 odhadován na od okolo 0,005 do okolo 0,50, výhodněji od okolo 0,010 do okolo 0,035 a nejvýhodněji od okolo 0,015 do okolo 0,025. Přerušovací vrstva 18 by také mohla být směsí materiálů bránící nebo narušující růst krystalů, jako je oxid kovu s jak fosforem, tak i oxidem křemičitým.

Ochranná vrstva 22 je přednostně chemicky odolný dielektrický materiál, mající žádoucí optické vlastnosti, ovladatelné vlastnosti z hlediska nanášení, a kompatibilní s jinými materiály povlakového souvrství. Příklady vhodných ochranných materiálů zahrnují oxid titaničitý (patent USA č.4 716 086 a 4 786 563), oxid křemičitý (kanadský patent č.2 156 571), oxid hlinitý a nitrid křemíku (patentové spisy USA Č.5 425 861, 5 344 718, 5 376 455, 5 584 902 a 5 532 180 a PCT zveřejněná přihláška WO 95/29883), oxinitrid křemíku

-20nebo oxinitrid křemíku a hliníku (patentová přihláška USA č. 09/058 440), na které se zde odvoláváme pro další podrobnosti jako na součást tohoto pojednání.

V současně přednostním provedení vynálezu se povlak 14 nanáší způsobem CVD. Například běžné povlakovací zařízení CVD nebo povlékač mající více povlékacích štěrbin může být uloženo v odstupu od skleněného pásu neseného na lázni roztaveného kovu v komoře obsahující neoxidující atmosféru, například typu popsaného v patentovém spisu USA č.4 853 257, na který se zde odvoláváme pro další podrobnosti jako na součást tohoto pojednáni. Postupy CVD jsou dobře známé pro odborníky v oboru nanášení tenkých filmů a nebudou tedy podrobněji rozebírány. Příklady povlékacích zařízení a způsobů je možné najít, formou příkladů nijak neomezujích vynález, v patentových spisech USA č.3 652 246, 4 351 861, 4 719 126, 4 853 257, 5 356 718 a 5 776 236, na které se zde odvoláváme pro další podrobnosti jako na součást tohoto pojednávání.

V příkladném způsobu vytváření povlaku podle vynálezu bude nyní popsán příklad povlaku s vrstvami oxidu cínu dotovaného antimonem, přerušovací vrstvy/povlaku oxidu cínu dotovaného fluorem. Pro nanášení první vrstvy 16 oxidu cínu dotovaného antimonem se směšuje prekurzor oxidu cínu, jako monobutylstanniumchlorid (MBTC), s prekurzorem antimonu, jako SbCl₃ nebo SbCl₅, a prekurzory se ukládají na substrát jednou nebo více povlékacími štěrbinami, když se substrát pohybuje pod povlékacím zařízením. Při provádění vynálezu je prekurzor antimonu, jako SbCl^, přítomný v množství menším než okolo 20 hmotn.% celkové hmotnosti kombinovaného mate— 21 —

riálu na bázi MBTC a SbClg. Materiál první vrstvy se ukládá pro vytváření první vrstvy 16 o tlouštce s výhodou od okolo 1000 Á do okolo 2300 Á, a nejvýhodněji od okolo 1700 Á do okolo 2300 Á.

Dále se MBTC smíchaný s materiálem přerušovací vrstvy nanáší přes materiál první vrstvy skrz jednu nebo druhou povlékací štěrbinu na výstupní straně od štěrbiny nebo štěrbin prvního povlékacího zařízení. S výhodou je přerušovací materiál triethylfosfit (TEP) pro získání přerušovací vrstvy 18 oxidu cínu obsahující fosfor. TEP je přítomný s výhodou v množství menším než 20 hmotn.%, vztaženo na celkovou hmotnost materiálu obsahujícího MBTC a TEP., výhodněji méně než okolo 10 hmotn.%, a nejvýhodněji okolo 3 hmotn.%. Výsledná přerušovací vrstva 18 obsahující fosfor má s výhodou tloušťku menší než okolo 600 Á. Fosfor může negativně ovlivňovat optické vlastnosti povlaku 14., jako iridiscenci. Tloušťka přerušovací vrstvy 18 obsahující fosfor by se proto měla volit tak, aby zabraňovala epitaxnímu růstu následující druhé vrstvy oxidu kovu, ale neměla by být tak tlustá, aby negativně ovlivňovala optické vlastnosti povlaku 14.

Alternativně může být přerušovací materiál tetraethylorthokřemičitan (TEOS) pro vytváření přerušovací vrstvy 18 oxidu křemičitého a oxidu cínu. V tomto alternativním provedení je obsah TEOS s výhodou menší než okolo 20 hmotn.%, vztaženo na celkovou hmotnost kombinovaných prekurzorových materiálů na bázi MBTC a TEOS.

Zbytek možnosti nanášení povlékacím zařízením může být využit k nanášení směsi MBTC a prekurzoru fluoru, jako

-22kyseliny trifluorooctové (TFA) na substrát pro vytváření druhé vrstvy 20 oxidu cínu dotovaného fluorem přes přerušovací vrstvu 18. TFA s výhodou obsahuje méně než okolo 20 hmotn.% celkové hmotnosti materiálu na bázi MBTC a TFA, výhodněji méně než okolo 15 hmotn.%.

Přerušovací vrstva 18 podle vynálezu se neomezuje na použití s výše popsaným povlakem 14. Koncepce přerušovací vrstvy může být použita pro jiná povlaková souvrství, která zajišťují požadované vlastnosti pro ovládání propustnosti slunečního záření (solar control), a která byla až dosud omezena v jejich průmyslovém použití vzhledem k nepřijatelně vysokému zamlžování.

Jak je rozebráno výše, byl například používán materiál na bázi oxidu cínu, dotovaného fluorem, pro vytváření povlaků s nízkou emisivitou. Při tloušťkách větších než okolo 2000 Á vykazuje běžný krystalický povlak oxidu cínu, dotovaný fluorem, komerčně nežádoucí zamlžení, například větší než okolo 2%. Jak je znázorněno na obr.2, může vynález usnadnit tento problém tím, že se vloží jedna nebo více přerušovacích vrstev 18 podle vynálezu do běžného povlaku z oxidu cínu dotovaného fluorem pro rozdělení povlaku z oxidu cínu dotovaného fluorem do více strat, oblastí nebo vrstev 30 na bázi oxidu cínu dotovaného fluorem, oddělovaných přerušovacími vrstvami 18,. Každá vrstva 30 z oxidu cínu dotovaného fluorem má s výhodou tloušťku menší než okolo 4000 Á, s výhodou menší než okolo 3000 Á, výhodněji menší než okolo 2000 Á a nejvýhodněji menší než okolo 1000 Á. Přerušovací vrstvy 18 tak zabraňují tvorbě velkých krystalů oxidu cínu dotovaného fluorem, t.j. větších než o tloušťce okolo

-232000 Á, a zmenšují proto výsledné zamlžení.

Podobným způsobem mohou být vytvářeny začleněním jedné nebo více přerušovacích vrstev 18 do povlakového souvrství mohou být vytvářeny vícevrstvé povlaky z jiných známých povlakových materiálů, jako jednoho nebo více dotovaných nebo nedotovaných oxidů kovů, aniž by však bylo řešení na tyto materiály omezené, pro redukování tvorby zamlžení v celém povlaku, a to dělením povlaku na více krystalických povlakových oblastí, přičemž každá povlaková oblast má tloušťku menší než okolo 4000 Á, s výhodou menší než okolo 3000 Á, výhodněji menší než okolo 2000 Á a nejvýhodněji menší než okolo 1000 Á.

Ve výše rozebíraných přednostních provedeních je přerušovací vrstva 18 podle vynálezu uložena mezi zvolenými krystalickými vrstvami povlakového souvrství. Přerušovací vrstva 18 by však mohla být také použita jako vrchní povlak, t.j. vrstva nanesená na vrch vrchní krystalické vrstvy funkčního povlakového souvrství pro vyhlazení hrubého vnějšího povrchu pod ním ležící krystalické vrstvy, podobně jako je to popsáno v patentovém spisu USA č.5 744 215, na který se zde odvoláváme jako na součást tohoto pojednáváni. Například by mohly být jedna nebo více krystalických vrstev naneseny přes substrát, s mezilehlým uložením jedné nebo více přerušovacích vrstev 18, jak je uvedeno výše, nebo bez takových přerušovacích vrstev, pro vytváření funkčního povlakového souvrství. Po té, co jsou naneseny krystalické vrstvy, mohla by potom být potom nanesena přerušovací vrstva 18 podle vynálezu přes vnější povrch vrchní krystalické vrstvy, pro vyhlazování vnějšího krystalického povrchu, t.j.

• 4	444 ·	• · ·4
•	4	4	4 ·	• ·	• ♦ 4
•	4	4 44	•	•	• 4
4	4	4 ·	•	4	4· 4
•	4	4	4	•	4 4
44		444	4 4 4	444	4 4 4

pro vyplňování a/nebo vyhlazování jakýchkoli úžlabí nebo prohlubní ve vrchním krystalickém povrchu pro snižování povrchového zamlžení. Tento vrchní povlak z přerušovací vrstvy by potom mohl být v případě potřeby pokryt dočasnou nebo trvalou ochrannou vrstvou 22. Při použití vrchního krytu se předpokládá, že by přerušovací vrstva 18 mohla mít větší tloušťku než když se používá jako vnitřní vrstva.

Jak bylo uvedeno výše, vykazuje mnoho povlaků pro ovládání propustnosti slunečního záření, kromě problému zamlžování, také iridiscenci, jaká je nežádoucí v tržním použití. Vynález také přináší povlaky, zejména povlaky s nízkou emisivitou, se zlepšenými vlastnostmi z hlediska iridiscence.

Obr.3 například ukazuje povlak 40 podle vynálezu se sníženou iridiscenci. Povlak 40 obsahuje vrstvu 42 pro potlačování barvy, uloženou přes substrát 12 s první funkční oblastí nebo vrstvou 44, například vrstvou dotovaného oxidu kovu, nanesenou přes vrstvu 42 pro potlačování barvy. Vrstva 42 pro potlačování barvy je s výhodou gradientově vrstva, přecházející z jednoho oxidu nebo nitridu kovu do druhého. Příklady vhodných vrstev 42 pro potlačování barvy jsou popsány například v patentových spisech USA č.4 187 336, 4 419 386, 4 206 252, 5 356 718 nebo 5 811 191, na něž se zde odvoláváme pro další podrobnosti jako na součást tohoto pojednávání .

Vrstva 42 pro potlačování barvy může být například gradientova vrstva, obsahující směs oxidu křemičitého a oxidu kovu, jako oxidu cínu, s plynule se měnícím složením se

-25zvyšující se vzdáleností od povrchu substrátu 12. Například v blízkosti povrchu substrátu 12 nebo při tomto povrchu může být vrstva 42 pro potlačování barvy převážně z oxidu křemičitého, zatímco vnější povrch nebo oblast vrstvy 42 pro potlačování barvy může být s výhodou převážně z oxidu cínu. Vrstva 42 pro potlačování barvy má s výhodou tloušťku od okolo 50 Á do okolo 3000 Á, přednostně okolo 1000 Á.

Vrstva 42 pro potlačování barvy je s výhodou amorfní a může být nanášena jakoukoli známou nanášecí technikou. Například pro systémy se skly float jsou nejvýhodnější běžné postupy nanášení chemickými parami (CVD). Vrstva 42 pro potlačování barvy však také může být nanášena jinými dobře známými postupy, jako pyrolýzou nástřiku nebo nanášením magnetronovým rozprašováním parami (magnetron sputter vapor deposition MSVD). I když je dávána přednost odstupňované vrstvě 42 pro potlačování barvy, může dále tato vrstva být také tvořena vrstvou z jediné složky nebo vícesložkovou vrstvou, jak je známé v oboru.

První vrstva 44 je s výhodou vytvořena z transparentního vodivého oxidu kovu, jako je oxid cínu dotovaný antimonem, s antimonem přítomným v množství od okolo 10 hmotn.% do okolo 30 hmotn.%, s výhodou od okolo 15 hmotn.% do okolo 20 hmotn.%, vztaženo na celkovou hmotnost první vrstvy 44 nebo prekurzořových materiálů. První vrstva 44 má s výhodou tloušťku od okolo 700 Á do okolo 3000 Á. Jestliže je však tloušťka první vrstvy 44 větší než od okolo 1500 Á do okolo 2000 Á, mohou být jedna nebo více přerušovacích vrstev 18 podle vynálezu použity pro rozdělování první vrstvy 44 do více oblastí nebo dílčích vrstev, jak je popsáno výše pro

-26snižování zamlžení, přičemž každá z dílčích vrstev má tloušťku menší než okolo 2000 Á, s výhodou menší než okolo 1500 Á, a výhodněji menší než 1000 Á a oddělovanou od přilehlé dílčí vrstvy přerušovací vrstvou 18.

Druhá vrstva 46 může být popřípadě uložena přes první vrstvu 44. Jak je znázorněno čárkovanými čarami na obr.3, může být případná přerušovací vrstva 18 podle vynálezu uložena mezi první vrstvou 44 a druhou vrstvou 46,. Druhá vrstva 46 je s výhodou z dotovaného kovového oxidu, jako je oxid cínu dotovaný fluorem a/nebo indiem, nebo alternativně oxid india dotovaný cínem. V současně přednostním provedení je druhá vrstva 46 z oxidu cínu dotovaného fluorem, přičemž fluor je přítomný v množství od okolo 10 hmotn.% do okolo 30 hmotn.%, vztaženo na celkovou hmotnost druhé vrstvy 46 nebo prekurzořových materiálů. Druhá vrstva má tloušťku od okolo 0 Á do okolo 3000 Á, přičemž tloušťka druhé vrstvy 46 je s výhodou nepřímo úměrná tloušťce první vrstvy 44, t.j. když je první vrstva 44 z oxidu cínu dotovaného antimonem na své horní přednostní mezi nebo v její blízkosti (3000 Á), je druhá vrstva 46 oxidu cínu dotovaného fluorem na její dolní přednostní mezi nebo v její blízkosti (okolo 0 Á), t.j. druhá vrstva 46 nemusí být přítomná (0 Á) nebo, je-li přítomná, je velmi tenká (> 0 Á). Obráceně, když je první vrstva 44 z oxidu cínu dotovaného antimonem na její dolní přednostní mezi nebo v blízkosti této meze (700 Á), je s výhodou druhá vrstva z oxidu cínu dotovaného fluorem na její horní přednostní mezi nebo v blízkosti této meze (3000 Á). Jak bylo uvedeno výše, je však možné použít v případě, kdy je požadovaná tloušťka druhé vrstvy 46 větší než od okolo 1500 Á do okolo 2000 Á, mohou být použity jedna nebo více přerušova cích vrstev 18 podle vynálezu pro dělení druhé vrstvy 46 do více dílčí vrstev pro zmenšování zamlžení povlaku, přičemž každá dílčí vrstva má tloušťku menší než od okolo 1500 Á do okolo 2000 Á.

Jak bude zřejmé pro odborníky v oboru, vynález tak přináší substrát s povlakem s nízkou emisivitou, mající například emisivitu nižší než okolo 0,2, a také nízký clonící koeficient, t.j. okolo 0,5, s výhodou okolo 0,44, a nízké zamlžení, například nižší než okolo 1,5 %, a to použitím jedné nebo více přerušovacích vrstev 18 podle vynálezu.

Vynález také přináší povlak pro ovládání propustnosti slunečního záření, s nízkou emisivitou a se sníženou iridiscencí, používající vrstvu 42 pro potlačování barvy ve spojeni s jednou nebo více vrstvami z dotovaného oxidu kovů. Problémy jak zamlžování tak i iridiscence je možné řešit současně používáním povlaku s jednou nebo více přerušovacími vrstvami a vrstvou pro potlačování barvy.

Vynález dále přináší povlečený substrát, který může mít první funkční vrstvu a druhou funkční vrstvu, s přerušovací vrstvou 18 podle vynálezu, uloženou mezi dvěma funkčními vrstvami. Jak bude zřejmé z výše uvedeného rozboru, může první funkční vrstva obsahovat povlakovou vrstvu ovládající propustnost slunečního záření, jako z oxidu cínu dotovaného antimonem, nebo vrstvu pro potlačování barvy. Druhá funkční vrstva by mohla obsahovat povlakovou vrstvu s nízkou emisivitou, jako z oxidu cínu dotovaného fluorem. Alternativně mohou být první a druhá funkční vrstva obě vrstvy pro ovládání propustnosti slunečního záření (solar control) nebo

-28povlakové vrstvy s nízkou emisivitou.

Odborníkům v oboru bude snadno zřejmé, že vynález může být podroben obměnám, aniž by se opustily principy uvedené v předchozím popisu. Konkrétně uvedená provedení tak slouží pouze pro ilustraci a neomezují rozsah vynálezu, jehož plná šířka je vymezována patentovými nároky a všemi ekvivalenty jejich znaků.

PŘÍKLAD I

Tento příklad znázorňuje přerušovací vrstvu obsahující fosfor podle vynálezu. V tomto příkladě bylo použito pět základních prekurzorových složek, z nichž každá je na trhu dostupná od ELF Atochem N.A. Těchto pět složek je monobutylstanniumchlorid (MBTC, obchodní označení ICD-1087), tetraethylorthokřemičitan (TEOS), triethylfosfit (TEP), kyselina trifluorooctová (TFA) a 20 hmotn.% směsi chloridu antimonitého v MBTC (ATC, prodejní kód ICD-1133).

V tomto příkladě se ATC rozředil MBTC pro získání koncentrace 7 hmotn.% chloridu antimonitého v monobutylstanniumchloridu. Tato směs se zavedla do běžné kolonové odparky s náplní a zahřála se na 177°C (350°F) pro převedení směsi do stavu par. Jako nosný plyn se použil dusík a vedl se protiproudově odparkou pro vytváření plynné směsi dusíku, monobutylstanniumchloridu a chloridu antimonitého. Tato plynná směs se dále ředila vzduchem na 0,8 až 1,0 mol.% reaktantu. Plynná směs se vedla do povlékací stanice typu popsaného v patentovém spisu USA č.4 853 257, na který se odvoláváme pro další podrobnosti jako součást tohoto pojednávání.

-29·« «*··· • ·· • ···· ♦ ·· · • <»· ··· •·* ···· •· •· •· ·*·Φ0· »· * • · ·0 • ·♦ • 00* • Φ· «0 · · ·

Prekurzorová směs se vedla povlékací stanicí a na kus čirého skla float o tloušťce 3,3 mm o teplotě od okolo 649°C (1200°F) do okolo 660°C (1220°F) a pohybující se rychlostí od 1610 cm/min do 1829 cm/min pod povlékací stanicí. Když se prekurzorová směs dostala do styku se sklem, vyvolala tepelná energie skla pyrolýzu prekurzořových složek na vytváření povlakové oblasti nebo vrstvy z krystalického oxidu cínu dotovaného antimonem na skle. Plynné produkty reakce a jakékoli nevyužité chemické páry byly odváděny do obvyklého tepelného oxidátoru, následovaného komorou s pytlovými filtry.

Na další povlékací stanice byly monobutylstanniumchlorid (MBTC) a triethylfosfit (TEP) samostatně odpařovány výše popsaným způsobem v přítomnosti dusíku jako nosného plynu a oba plynné prekurzorové materiály byly kombinovány pro vytvoření směsi 3 hmotn.% TEP v MBTC. Směs se potom ředila vzduchem na 0,8 až 1,0 mol.% reaktantu ve formě par a směrovala se druhou povlékací stanicí stejného typu, jaký byl popsán výše, na výše popsaný povlečený skleněný substrát. Když se směs dostala do styku s povlékaným povrchem, TEP a MBTC pyrolyzovaly pro vytvoření amorfní vrstvy nebo oblasti oxidu cínu smíšeného s fosforem na vrchu první povlakové oblasti.

Na následující povlékací stanici se kyselina trifluorooctová (TFA) v kapalné formě smísila s přiváděným kapalným proudem monobutylstanniumchloridu (MBTC) pro získání směsi 12 hmotn.% TFA v MBTC. Tato směs byla odpařována, jak bylo popsáno výše, v přítomnosti dusíku jako nosného plynu, a dále se ředila vzduchem na 0,8 až 1,0 mol.% reaktantu ve • · · ·

-30formě par. Tyto páry se po té směrovaly na před tím povlečený substrát na třetí povlékací stanici pro vytvoření povlakové oblasti nebo vrstvy oxidu cínu dotovaného fluorem přes přerušovací vrstvu.

Konečný produkt bylo třívrstvé souvrství na 3,3 mm čirém skle float. U souvrství bylo odhadnuto, že obsahuje první vrstvu oxidu cínu dotovaného antimonem o tloušťce okolo 1750 Á, přerušovací vrstvu z oxidu cínu obsahujícího fosfor o tloušťce okolo 650 Á a druhou vrstvu z oxidu cínu dotovaného fluorem o tloušťce okolo 3400 Á. Substrát s povlakem měl clonící koeficient 0,44 pro jednu tabuli, propustnost viditelného světla 48%, emisivitu 0,18 a zamlžení 0,8%. Barva v odrazu byla bledě zelená až zelenavě modrá a barva v prostupu byla neutrálně šedá až šedavé modrá. Očekávalo se, že bez přerušovací vrstvy 18 by povlečený substrát měl zamlžení větší než okolo 3%.

PŘÍKLAD II

Tento příklad ilustruje použití přerušovací vrstvy podle vynálezu, obsahující křemík.

Připravil se další povlečený substrát, a to podobným způsobem jak je popsáno výše v příkladě I, ale na druhé povlékací stanici se nanášela směs tetraethylorthokřemičitanu (TEOS) a monobutylstanniumchloridu (MBTC) pro vytváření přerušovací vrstvy z oxidu cínu a oxidu křemičitého. TEOS a MBTC se smíchaly pro vytvoření směsi 1,2 až 1,4 hmotn.% (0,5 až 0,8 mol.%) TEOS v MBTC, která se dále ředila vzduchem na 0,8 až 1,0 mol.% reaktantu ve formě par.

U povlečeného čirého skla float tl.3,3 mm se odhadu-

je, že má první vrstvu oxidu cínu dotovaného antimonem o tlouštce 1750 Á, přerušovací vrstvu z oxidu cínu a oxidu křemičitého o tloušřce od okolo 450 Á do okolo 650 Á, a vrstvu oxidu cínu dotovaného fluorem o tlouštce 3400 Á.

Tento povlečený substrát měl clonící koeficient 0,44 pro jednu tabuli, propustnost viditelného světla 48%, emisivitu 0,18 a zamlžení 1,5%.

PŘÍKLAD III

Pokud jde o problém iridiscence, ukazuje obr.4 absorpci slunečního záření pro několik povlaků z oxidu cínu dotovaného antimonem, nanesených na čirém skle float technikou CVD. Parametry procesu CVD, které vedly k vytvoření těchto povlaků, jsou uvedeny v tabulce 1. Mohou být samozřejmě použity jiné známé postupy nanášení, jako pyrolytické nanášení nebo nanášeni rozprašováním, jako magnetronovým rozprašováním parami (magnetron sputter vapor deposition MSVD).

Tab. 1

Vz.	Tepl.	MBTC	Voda	Plynný	Odvád.	Sklo tl.	Rychl.
č.	skla	mol. %	mol. %	proud	poměr	mm	linky
	°C	konc.	konc.	SLM¹	%plynu		cm/min
1	538	0,5	0,5	55	115	4	127
2	648	0,5	0,5	55	115	4	127
4	648	0,5	0	55	115	4	127
6	648	0,1	0,5	55	115	4	127
8	648	0,1	0	55	115	4	127
9	538	0,5	1,0	55	115	4	127
10	538	1,0	0,5	55	115	4	127
11	538	1,0	1,0	55	115	4	127

• · · ·

Ί * ο normových litru za minutu

Byl vytvořen nástřikový povlak při použití 5 hmotn.% směsi prekurzoru antimonu, jako chloridu antimonitého, v prekurzoru oxidy kovu, jako monobutylstanniumtrichloridu (MBTC), která se ručně stříkala na substrát z čirého skla zahřátý na okolo 621°C (1150°F). Prekurzor antimonu se přiváděl při konstantním podílu 20 hmotn.% vzhledem k MBTC. Povlékací zařízení mělo střední vstupní štěrbinu a výstupními štěrbinami na poproudové a protiproudové straně z hlediska postupu skla. Šířka povlékacího pásma byla 10,16 cm (4) a kontaktní délka mezi vypouštěnými látkami byla 12,7 cm (5)· Jako nosný plyn se použil vzduch. Prekurzor oxidu kovu reagoval na povrchu skleněného substrátu pro vytvoření oxidu cínu s dotujícím antimonem, poskytovaným reagováním prekurzoru antimonu.

Jak je znázorněno na obr.4, povlaky 4 (S4) a 8 (S8) pohlcují více energii v blízkém infračerveném pásmu NIR než viditelné světlo, což činí povlaky vhodné pro ovládání propustnosti slunečního záření, když je zapotřebí vysoká propustnost viditelného světla. Povlaky 2 (S2) a 6 (S6) mají vrcholnou absorpci při přibližně 550 nm. Tyto povlaky se dobře hodí pro tlumení zelené barvy některých běžných skel, jako je sklo Solex^R nebo sklo Solargreen^, na trhu dostupná od PPG Industries lne., Pittsburgh, Pa. Povlak 10 (S10) absorbuje více viditelné světlo než záření v NIR pásmu, povlak 1 (Sl) absorbuje relativně konstantní podíl po délce slunečního spektra a povlaky 9 (S9) a 11 (Sil) absorbuje znatelně UV záření.

-33Významným hlediskem pro povlaky na sklech, která budou používána v normálně chlazeném stavu (annealed, t.j. s žíháním a následným chlazením) nebo tvrzeném stavu je stálost barvy, t.j. že se barva nebude měnit, když se sklo s povlakem zahřívá. Vzhled a vlastnosti by měly být stejné před i po tepelném zpracování. Povlaky s oxidem cínu dotovaným antimonem podle vynálezu se mohou nebo nemusí měnit zahříváním, a to v závislosti na parametrech nanášení. Vlastnosti různých vzorků a demonstrace toho, jak se některé vlastnosti mění tepelným zpracováním, jsou uvedeny v tab.2. Jednotky tloušťky jsou v angstrómech (Á). Čísla vzorků s H udávají vzorky po tepelném zpracování. Vzorky byly vystaveny teplotě 649°C (1200°C) po dobu přibližně čtyři minuty a po té se nechaly vychladnout na teplotu místnosti.

Tab.2 (část A)

Prům.	Hallova	Konc. Halí.	Halí.povrch. Nevá žená
film	mobilita	nosiče	odpor	absorpce
		MMR H-50	MMR H-50	MMR H-50	UV-Vis	UV-Vis
		(cm²/Vs)	(*E20 nos./cm“	‘^(ohm/čtv	. ) 300-	300-
					-700nm	-2500 nm
Vz.	Tl.	Prům.	Prům.	Prům.
1	665	7,52	2,35	3.E+05	0,159	0,191
2	795	0,72	1,49	7.E+03	0,307	0,298
4	310	0,54	4,57	9.E+03	0,173	0,256
8	153	0,54	4,95	2.E+04	0,142	0,211
10	675	6,70	6,03	2.E+06	0,203	0,214
11	879	4,90	9,48	6.E+05	0,254	0,224
1H		1,02	1,07	3.E+05
2H		0,47	2,23	8.E+03
4H		0,42	4,89	l.E+04
8H		0,35	4,84	2.E+04
10H		0,04	3,41	2.E+05
11H		8,35	1,92	2.E+05
¹ Exponent (E) násobený io²⁰ elektronovými	nosiči/cm	3

Tab.2 (část B)

VZ.	T	Tx	Ty	R1Y	R1X	Rly	R2y	R2X	R2y
1	67,7	0,312	0,312	21,0	0,299	0,307	17,6	0,294	0,303
2	50,2	0,295	0,298	21,8	0,333	0,337	16,3	0,324	0,327
4	76,5	0,306	0,316	12,2	0,294	0,297	9,2	0,280	0,284
8	85,0	0,307	0,317	9,2	0,301	0,308	8,0	0,295	0,302

-35Tab.2 (část B) - pokračování

10	76,0 0,313	0,321	16,0 0,294	0,302	13,4	0,295	0,305
11	67,9 0,309	0,316	21,3 0,318	0,330	17,6	0,318	0,333
1H	70,1 0,312	0,320	19,2 0,298	0,306	16,6	0,293	0,303
2H	52,5 0,296	0,301	21,5 0,326	0,330	16,0	0,315	0,318
4H	76,7 0,306	0,316	12,2 0,294	0,297	9,2	0,280	0,284
8H	85,1 0,307	0,317	9,2 0,301	0,308	8,0	0,295	0,302
10H	72,1 0,312	0,320	18,3 0,295	0,304	16,1	0,291	0,302
11H	69,3 0,309	0,317	20,5 0,313	0,325	18,1	0,309	0,326
			Tab.2 (část	c)
	DE	DE	DE	Macadam Macadam Macadam
Vz.	Delta T	Delta	R1 Delta R2	T	R1	R2
1	2,38	-1,78	-0,96	3,21	4,	98	3,32
2	2,25	-0,32	-0,3	3,79	5,	16	6,56
4	0,14	-0,02	0,01	0,26	o,	1	0,19
8	0,12	-0,07	-0,02	0,18	o,	31	0,15
10	-3,9	2,32	2,68	4,74	7,	38	9,96
11	1,34	-0,81	0,49	1,9	4,	48	6,95

R1 je odrazivost od strany s povlakem, zatímco R2 je odrazivost od nepovlečené strany skla a T je prostup Luminantu. DE je změna barvy.

V následující tabulce 3 jsou uvedeny optické konstanty pro vzorek 8 před tepelným zpracováním. Tyto optické konstanty jsou také použity v dalších níže uváděných příkladech • ·

-36Tab. 3

Vlnová délka	Reálný index lomu	Imaginární lomu
350,0	1,89450	0,09050
360,0	1,88140	0,07227
370,0	1,86920	0,05884
380,0	1,85800	0,04934
390,0	1,84750	0,04301
400,0	1,83770	0,03929
410,0	1,82850	0,03770
420,0	1,81990	0,03783
430,0	1,81180	0,03938
440,0	1,80420	0,04209
450,0	1,79700	0,04573
460,0	1,79020	0,05013
470,0	1,78370	0,05514
480,0	1,77760	0,06065
490,0	1,77170	0,06655
500,0	1,76610	0,07276
510,0	1,76070	0,07922
520,0	1,75550	0,08586
530,0	1,75060	0,09265
540,0	1,74580	0,09954
550,0	1,74120	0,10650
560,0	1,73670	0,11351
570,0	1,73240	0,12054
580,0	1,72820	0,12759
590,0	1,72420	0,13463
600,0	1,72020	0,14165

-37Tab.3 - pokračování

610,0	1,71630	0,14865
600,0	1,71250	0,15563
630,0	1,70880	0,16256
640,0	1,70520	0,16947
650,0	1,70160	0,17633
660,0	1,69810	0,18315
670,0	1,69470	0,18993
680,0	1,69120	0,19667
690,0	1,68790	0,20337
700,0	1,68460	0,21003
710,0	1,68130	0,21665
720,0	1,67800	0,22323
730,0	1,67480	0,22979
740,0	1,67150	0,23631
750,0	1,66830	0,24280
760,0	1,66520	0,24926
770,0	1,66200	0,25570
780,0	1,65880	0,26212
790,0	1,65570	0,26852
800,0	1,65260	0,27491
810,0	1,64940	0,28128
820,0	1,64630	0,28764
830,0	1,64310	0,29399
840,0	1,64000	0,30033
850,0	1,63680	0,30668
860,0	1,63370	0,31302
870,0	1,63050	0,31936
880,0	1,62 7 3 0	0,32571
890,0	1,62410	0,33206
900,0	1,62090	0,33842

ΦΦ φφφφ ♦ φ· φ φ·Φ· φ φ φ· • φ· φφ φφφ pokračování

0	1,61770	0,34480
0	1,61450	0,35118
0	1,61120	0,35759
0	1,60790	0,36401
0	1,60460	0,37045
0	1,60130	0,37691
0	1,59800	0,38339
0	1,59460	0,38990
0	1,59120	0,39644
0	1,58780	0,40301
0	1,58440	0,40961
0	1,58090	0,41624
0	1,57740	0,42290
0	1,57390	0,42960
0	1,57040	0,43634
0	1,56680	0,44311
0	1,56320	0,44993
0	1,55950	0,45679
0	1,55580	0,46369
0	1,55210	0,47064
0	1,54840	0,47763
0	1,54460	0,48467
0	1,54080	0,49175
0	1,53700	0,49889
0	1,53310	0,50608
0	1,52920	0,51332
0	1,52520	0,52061
0	1,52120	0,52796
0	1,51720	0,53536
0	1,51310	0,54282

• 9

-39Tab.3 - pokračování

1210,0	1,50900	0,55033
1220,0	1,50480	0,55791
1230,0	1,50070	0,56554
1240,0	1,49640	0,57324
1250,0	1,49220	0,58099
1260,0	1,48790	0,58881
1270,0	1,48350	0,59669
1280,0	1,47910	0,60463
1290,0	1,47470	0,61264
1300,0	1,47020	0,62072
1310,0	1,46570	0,62886
1320,0	1,46110	0,63707
1330,0	1,45650	0,64534
1340,0	1,45180	0,65369
1350,0	1,44710	0,66210
1360,0	1,44240	0,67058
1370,0	1,43760	0,67914
1380,0	1,43280	0,68777
1390,0	1,42790	0,69647
1400,0	1,42300	0,70529
1410,0	1,41800	0,71408
1420,0	1,41300	0,72300
1430,0	1,40790	0,73200
1440,0	1,40280	0,74107
1450,0	1,39760	0,75022
1460,0	1,39240	0,75944
1470,0	1,38720	0,76874
1480,0	1,38190	0,77812
1490,0	1,37650	0,78758
1500,0	1,37110	0,79712

Tab.3 - pokračování

• ·	φφφφ	•
• ·	Φ	φ φ
« ·	• ··	φ
• ·	♦ ·	•
• ·	•	•
• ·	Φφφ	φφφ

φ	φφ	φ
φφ	φ	•·	φ φ
φ	φ	φ	φ
♦	φ φ	•	φ
φ	φ	φ	φ
φφφ	φ φ	φφφ

1510,0	1,36560	0,80674
1520,0	1,36010	0,81643
1530,0	1,35460	0,82621
1540,0	1,34900	0,83607
1550,0	1,34330	0,84601
1560,0	1,33760	0,85604
1570,0	1,33190	0,86614
1580,0	1,32610	0,87633
1590,0	1,32020	0,88661
1600,0	1,31430	0,89697
1610,0	1,30830	0,90741
1620,0	1,30230	0,91794
1630,0	1,29630	0,92855
1640,0	1,29020	0,93926
1650,0	1,28400	0,95004
1660,0	1,27780	0,96092
1670,0	1,27150	0,97188
1680,0	1,26520	0,98293
1690,0	1,25880	0,99407
1700,0	1,25230	1,00530
1710,0	1,24580	1,01660
1720,0	1,23930	1,02800
1730,0	1,23970	1,03950
1740,0	1,22600	1,05110
1750,0	1,21930	1,06280
1760,0	1,21260	1,07460
1770,0	1,20580	1,08640
1780,0	1,19890	1,09840
1790,0	1,19190	1,11040
1800,0	1,18500	1,12260

-41Tab.3 - pokračování #· ···♦ • ·· • ···· ♦ ·· ·

4·

44444 ·· ·· •· • ··

4·

44·

1810,0	1,17790	1,13480
1820,0	1,17080	1,14720
1830,0	1,16370	1,15960
1840,0	1,15650	1,17210
1850.0	1,14920	1,18470
1860,0	1,14190	1,19740
1870,0	1,13450	1,21020
1880,0	1,12700	1,22310
1890,0	1,11950	1,23610

Nanesení povlaku, který selektivně nebo přednostně absorbuje sluneční záření v blízké infračervené části spektra (NIR) na rozdíl od viditelného světla napomáhá k získání souvrství s dobrými vlastnostmi z hlediska ovládání propustnosti slunečního záření (solar control, protisluneční ochranu). V případě jedné vrstvy oxidu cínu dotovaného antimonem, s výše uvedenými optickými vlastnostmi, t.j. o tloušťce 800 Á, se předpokládá, že má propustnost viditelného světla 69% a celkovou propustnost sluneční energie TSET 58%. Vrstva oxidu cínu dotovaného antimonem podle vynálezu má s výhodou tloušťku od okolo 700 Á do okolo 3000 Á. Oxid cínu, dotovaný antimonem, absorbuje světlo v celém slunečním spektru. Má také velmi vysokou absorpci zeleného světla. Tím, že se na zeleném skleněném substrátu nanese povlak obsahující oxid cínu dotovaný antimonem je tak možné měnit barvu v prostupu ze zelené na šedou, takže se vytváří velmi účinné sklo ovládající propustnost slunečního záření s neutrálními estetickými vlastnostmi.

Níže popsané teoretické povlaky byly modelovány při

		4»
• ·			4 4	• ·
• ·	•		4	4	•
4 ·	4 44		4	• 4	4
4 4	• 4		4	4 ·
4 * • 4	4 • 44	···	• 4·	4 4

použití na trhu dostupného softwarového programu TFCalc, jak je podrobněji popisováno níže.

PREDIKTIVNÍ PŘÍKLAD IV

Vrstva oxidu cínu, dotovaného antimonem, může být kombinována s přídavnou vrstvou dotovaného oxidu kovu, jako vrstvou oxidu cínu dotovaného fluorem, vrstvou oxidu cínu dotovaného indiem nebo směsí oxidu india a oxidu cínu dotovaného fluorem pro dosažení jak nízké emisivity, tak i snížení prostupu. Oxid cínu dotovaný fluorem a/nebo indiem má vyšší index lomu než oxid cínu dotovaný antimonem. Oxid cínu dotovaný fluorem je elektricky vodivý a má vysoký index lomu v UV pásmu a viditelných částech spektra a nízký index lomu v pásmu NIR.

Pro účely tohoto rozboru znamená vysoký index lomu zpravidla index lomu vyšší než okolo 1,9 a nízký index lomu index lomu nižší než okolo 1,6. Střední index lomu znamená index lomu od okolo 1,6 do okolo 1,9.

V řešení podle vynálezu má povlak oxidu oxidu cínu dotovaný fluorem tloušťku od okolo 0 Á do okolo 3000 Á, přičemž s výhodou je tloušťka vrstvy oxidu cínu dotovaného fluorem nepřímo úměrná tloušťce vrstvy oxidu cínu, dotované antimonem. Když je vrstva oxidu cínu dotovaného antimonem blízko přednostní meze tloušťky, t.j. okolo 3000 Á, je vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem s výhodou na její dolní přednostní mezi nebo blízko této meze, t.j. okolo 0 Á. Obráceně když je tloušťka oxidu cínu dotovaného antimonem blízko její dolní přednostní meze, t.j. 700 Á, je tloušťka oxidu cínu dotovaného fluorem s výhodou blízko její horní před-43ýV 2oo-( — 77 20 nostní meze, t.j. 3000 Á.

Obr.5 znázorňuje teoretickou propustnost záření z odstupňované vrstvy povlaku oxidu cínu dotovaného antimonem a oxidu cínu dotovaného fluorem. Celková propustnost sluneční energie (TSET - dále: TSET) je okolo 51% a propustnost viditelného záření je okolo 69%. Propustnost TSET a propustnost viditelného záření může být obměňována měněním tloušťky vrstvy oxidu cínu dotovaného antimonem nebo měněním koncentrace antimonu v povlaku. Obecným pravidlem je, že když se tloušťka vrstvy oxidu cínu dotovaného antimonem zvětšuje nebo když se zvyšuje koncentrace antimonu, snižuje se hodnota TSET a hodnota propustnosti viditelného světla.

Pro vlastnosti oken platí vládní předpisy. Novým hlediskem vlastností, sledovaným v jižní části USA, je to aby okna měla clonící koeficient okolo 0,45. Toho je možné dosáhnout při TSET okolo 37%. Povlak popisovaný pro obr.5 může být měněn pro dosahování tohoto cíle zvyšování tloušťky vrstvy oxidu cínu dotovaného antimonem. Křivka prostupu pro tento povlak je znázorněna na obr.6. Tento povlak má propustnost viditelného světla okolo 52% a TSET okolo 37%. Povlak oxidu cínu dotovaného fluorem jako vrchní vrstva dodá tomuto povlaku emisivitu nižší než okolo 0,35. V tomto příkladě je tloušťka odstupňované vrstvy 800 Á, tloušťka oxidu cínu dotovaného antimonem je okolo 1800 Á a tloušťka oxidu cínu dotovaného fluorem je 1800 Á.

Hodnota TSET tohoto povlaku může být dále snížena použitím čtvrtvlnové vrstvy s vysokým indexem, jako TiO₂, na vrchu předmětu s odstupňovanou vrstvou oxidu cínu dotovaného — 44 —

9 4 •	4	•>»44 4	9 • *	• 9 9	94 4 9	4 4 9
•	4	4 »4	4	9	9 «	4
•	4	4 4	4	•	4 4 ·	•
	4	4	•	4	4 ·	4
• 4		4··	44 4	449	44	4 4 4

antimonem, a a oxidu cínu dotovaného fluorem, jak je uvedeno výše. TSET klesne na 32,5%, ale propustnost viditelného světla pouze klesne na 51%. Křivka propustnosti těchto souvrství, s vrstvou TiO₂ a bez ní, je znázorněna na obr.7.

Teoretické povlaky byly modelovány při použití na trhu dostupného softwarového programu TFCalc. Propustnost slunečního tepla byla vypočítána při použití integrované vzdušného hmoty 1,5, jak je definována v ASTM E 891-87. Propustnost viditelného záření byla vypočítána z výstupu TFCalc při použití iluminantu C. Vrstva pro potlačování barvy byla aproximována vrstvou vytvořenou z 20 plátků s malými změnami indexu lomu. Počet plátků byl obměňován pro získání konkrétního indexu lomu na vrchu vrstvy s odstupňovaným indexem lomu. Indexy lomu plátků byly měněny z 1,5 na 2,0 po krocích 0,05. Tato aproximace pro vrstvu s odstupňovaným indexem lomu byla provedena proto, že software nemá schopnost modelovat povlak s plynule se měnícím indexem lomu. Taková aproximační metoda je dobře známa v oboru modelování povlaků. Optické konstanty odstupňované vrstvy, popsané níže, jsou konstantami jako funkce vlnové délky ve slunečním spektru. V tomto příkladě je povlak navržen pro vlnovou délku 1230 nm. Odstupňovaná vrstva má na vrchu index lomu 2,0 a plátky jsou tlusté 10 nm.

Pro měnění vrstev dotovaného oxidu kovu je index lomu důležitý. Vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem byla modelována tak, že má při návrhové vlnové délce index lomu 1,42. Médium na dopadové straně je vzduch s indexem lomu 1,0. Vrstva oxidu cínu byla modelována tak, že má při návrhové vlnové délce index lomu 1,680. Fyzická tloušťka vrstvy oxidu ci-45-

··
4 ·	9	♦ ·
•	•	444
•	•	« 4
• ·	•
• »		• *

• ·♦ ·· · »· • ♦♦ • · · « • ·· »·· ·· · nu dotovaného fluorem by měla být 2166 angstrómů a vrstva oxidu cínu dotovaného cínem by měla být 3664 angstrómů. Tento modelovaný povlak teoreticky snižuje odrazivost v pásmu vlnových délek od 1045 nm do 1500 nm při srovnání s nepovlečeným substrátem. Propustnost viditelného světla je 40,01%, propustnost slunečního tepla je 27,2% a rozdíl mezi nimi je 12,80%. Rozdíl v indexech lomu mezi vrstvami oxidu cínu dotovaného cínem a oxidu cínu dotovaného antimonem je 0,174 při 500 nm, t.j. středu viditelného spektra, a rozdíl mezi indexy lomu je 0,260 při 1230 nm a návrhová vlnová délka je blízká IR. Povlak má také neutrální barvu v odrazu.

PREDIKTIVNÍ PŘÍKLAD V

Podobné modelování, jako v prediktivním příkladě IV, bylo provedeno pro povlak pro vlnovou délku 550 nm. Vrstva pro potlačování barvy byla modelována tak, že měla index lomu 2,0 na vrchu plátků 10 nm tlustých. Vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem měla při návrhové vlnové délce index lomu 2,0. Vrstva oxidu cínu dotovaného antimonem měla při návrhové vlnové délce index lomu 1,826. Fyzická tloušťka vrstvy oxidu cínu dotovaného fluorem byla 702 Á, zatímco vrstva oxidu cínu dotovaného antimonem měla tloušťku 1539 Á. Tento povlak snižuje při srovnání s nepovlečeným substrátem odrazivost v rozmezí vlnových délek od okolo 300 nm do okolo 1160 nm. Tento povlečený předmět je navržen pro médium na příchozí straně s indexem lomu 2,0, ale mohl by být použit také pro médium s jiným indexem lomu, jako je vzduch s indexem lomu 1,0. Pro vzduch by vypočítané relevantní hodnoty byly: propustnost viditelného světla 62,28% a propustnost slunečního tepla 49,54% s rozdílem 12,75%. Rozdíl v indexech lomu mezi oxidem cínu dotovaným fluorem byl 0,174 při 500

0« ···♦ • · · • · ··* - • · · ·	·· • •	φ ·· • • •	• · • · • · · • ·	• ·· • • •
• · · ·· ···		···	··	···

nm, středu viditelného spektra, a rozdíl mezi indexy lomu při vlnové délce 1230 nm, t.j. v blízkém IR pásmu, byl 0,260. Povlak měl neutrální barvu v odrazu.

PREDIKTIVNÍ PŘÍKLAD VI

Ve výše popsaném provedení byla použita vrstva pro potlačování barvy k zabraňování iridiscenci předmětu s povlakem. V dalším provedení vynálezu však vrstva pro potlačování barev není požadována. Bylo zjištěno, že nová kombinace oxidu cínu dotovaného antimonem a oxidu cínu dotovaného fluorem vytváří předmět s povlakem, mající neutrální barvu v odrazu a nízkou emisivitu. V tomto provedení vynálezu měl substrát, jako sklo, přes sebe nanesenou vrstvu oxidu cínu dotovaného antimonem, například jak je popsána výše. Vrstva oxidu cínu dotovaného antimonem měla s výhodou tloušťku od okolo 900 Á do okolo 1500 Á, výhodněji okolo 1200 Á. Vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem se potom běžným způsobem nanesla přes vrstvu oxidu cínu dotovaného antimonem. Vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem měla s výhodou tloušťku od okolo 2300 Á do okolo 3600 Á, což představuje transparentní vodivý oxid mající malé nebo vůbec žádné zbarvení v prostupu. Tloušťka vrstvy oxidu cínu dotovaného fluorem však může být obměňována tak, že se barva výsledného předmětu mění, ale zůstává robustní. Robustní zde znamená barvu, která je v podstatě necitlivá na změny v tloušťce filmu.

Vrstva oxidu cínu dotovaného cínem má s výhodou tloušťku od okolo 900 Á do okolo 1500 Á, výhodněji okolo 1200 Á. Oxid cínu dotovaný antimonem může mít jednu koncentraci oxidu antimonu nebo může být segmentovaný do dvou nebo více vrstev nebo strat různých koncentrací antimonu. Jeden

-4Ίzpůsob vytváření takových strat je popsán v patentovém spisu USA č.5 346 718 popisovaných výše. Přítomnost více strat rozdílných koncentrací oxidu antimonu a/nebo vhodná tloušťka oxidu cínu dotovaného antimonem vytváří situaci, v níž se vyvíjejí v barvě výsledného ratu. Obr.8 znázorňuje, jak mění se změnami tloušťky vícevrstvého souvrství body obse barva vícevrstvého souvrství vrstvy oxidu cínu dotovaného fluorem. Barva se točí v kruhu okolo neutrální, jejíž střed je definován jako X=0,333 a Y=0,333. Vnitřní spirála je bar va v prostupu a vnější spirála je barva v odrazu. Podél spirály odražené barvy nejsou žádné body, v nichž se barva ostře mění a všechny změny jsou postupné.

Teoretické parametry pro obr.8 jsou znázorněny vpravo od grafu. Tyto parametry jsou: kolorimetrická normová soustava: 1931 CIE, zorné pole: 2°, polarizace: průměrná, referenční bílá: CIE-C, iluminant: bílý, úhel dopadu: 0,00°, souřadnice x 0,338 pro odraz a 0,321 pro prostup, souřadnice y 0,371 pro odraz a 0,323 pro prostup, jasnost 14,24 pro odraz a 60,18 pro prostup, náhradní (dominantní) vlnová délka 569 nm pro odraz a 450 nm pro prostup, doplňková vlnová délka 450 nm pro odraz a 484 nm pro prostup, a souřadnicová čistota 0,223 pro odraz a 0,047 pro prostup. Spirály barvy podle obr.8 až 10 byly vytvořeny při použití softwaru TFCalc.

Přednostní povlaky jsou ty, které mají ostré body obratu v blízkosti neutrálního bodu. Nyní bude popsáno další provedení podle vynálezu.. Obr.9 ukazuje spirály barvy pro toto další provedení vynálezu, mající dvě strata oxidu cínu dotovaného antimonem. První stratům má tloušťku 985 Á a dru

-48hé stratům má tloušťku 214 Á. Vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem je v rozmezí od okolo 1200 Á do okolo 3600 Á. Ostré body obratu se vyskytují na X = 0,3, ϊ = 0, 34 a X = 0,34, Y = 0,32. Tyto dva body reprezentují robustní body. Druhý bod je o něco více neutrální než první. Okolo neutrálního bodu může být vypočítána barevná citlivost celkového řešení.

Obr.10 znázorňuje, jak se mění barva pro změny tloušťky každého strata v rozsahu ±75 Á. Kolorimetrická soustava, zorné pole, polarizace, referenční bílá, iluminant a úhel dopadu jsou v případě obr.9 a 10 stejné, jaké byly pro případ z obr.8. Zbývající parametry byly měněny následovně (pro následující nastavení je první číslo pro odraz a číslo v závorce je pro prostup). Pro obr.6 je souřadnice X 0,305 (0,325), souřadnice Y 0,342 (0,325), jasnost 11,06 (57,92), náhradní vlnová délka 539 nm (584 nm), doplňková vlnová délka N/A (483 nm) a souřadnicová čistota 0,057 (0,065). Pro obr.7 jsou souřadnice X 0,333 (0,322), souřadnice Y 0,326 (0,328), jasnost 10,55 /56,63), náhradní vlnová dílka 589 nm (578 nm), doplňková vlnová délka 486 nm (478 nm) a souřadnicová čistota 0,086 (0,064).

Claims

1. Povlak obsahuj ící:

první povlakovou vrstvu, druhou povlakovou vrstvu, a nejméně jednu přerušovací vrstvu uloženou mezi první a druhou povlakovou vrstvou, přičemž přerušovací vrstva je vytvořena tak, že přerušuje růst krystalové struktury mezi první a druhou vrstvou.

2. Povlak podle nároku 1, vyznačený tím, že první a druhý povrch povlaku jsou v podstatě krystalické a přerušovací vrstva je v podstatě amorfní.

3. Povlak podle nároku 1, vyznačený tím, že nejméně jedna z první a druhé povlakové vrstvy obsahuje nejméně jeden oxid kovu a nejméně jednu dotující látku.

4. Povlak podle nároku 1, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje nejméně jeden oxid kovu a fosfor.

5. Povlak podle nároku 1, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje nejméně jeden oxid kovu a křemík.

6. Povlak podle nároku 1, vyznačený tím, že první vrstva je v podstatě krystalická, druhá vrstva je v podstatě krystalická a je nanesená přes první vrstvu, a přerušovací vrstva leží mezi první a druhou vrstvou a je vytvořena tak, že zabraňuje epitaxnímu růstu druhé vrstvy na první vrstvě, nebo alespoň takový růst snižuje.

7. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že první vrstva obsahuje oxid kovu.

8. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že první vrstva obsahuje oxid kovu obsahující nejméně jednu dotující látku.

9. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že první vrstva má tloušťku od okolo 1000 Á do okolo 2300 Á.

10. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že nejméně jedna z první a druhé vrstvy obsahuje (a) oxid kovu zvolený z oxidů Zn, Fe, Mn, Al, Ti, In, Zr, Ce, Sn, Si, Cr, Sb, Co a jejich směsí a (b) nejméně jednu dotující látku, zvolenou ze skupiny sestávající z Sn, Sb, F, In a jejich směsí.

11. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že druhá vrstva má tloušťku od okolo 2000 Á do okolo 5000 Á.

12. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje oxid cínu a fosfor.

13. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje oxid cínu a oxid křemičitý.

14. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že přerušovací vrstva má tloušťku od okolo 100 Á do okolo 1000 Á.

15. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že přerušovací vrstva je amorfní.

16. Povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že první vrstva obsahuje oxid cínu dotovaný antimonem a má tlouštku od okolo 1200 Á do okolo 2300 Á, a druhá vrstva obsahuje oxid cínu dotovaný fluorem a má tlouštku od okolo 3000 Á do okolo 3600 Á.

17. Podle nároku 16, vyznačený tím, že přerušovací vrstva má tlouštku od okolo 100 Á do okolo 1000 Á a obsahuje oxid cínu s nejméně jednou z látek zahrnujících fosfor a oxid křemičitý.

18. Povlak podle nároku 1, vyznačený tím, že první povlaková vrstva je uložená přes alespoň část substrátu.

19. Povlak podle nároku 18, vyznačený tím, že první a druhý povrch povlaku jsou v podstatě krystalické a přerušovací vrstva je v podstatě amorfní.

20. Povlak podle nároku 18, vyznačený tím, že první povrch povlaku obsahuje nejméně jeden oxid kovu.

21. Povlak podle nároku 20, vyznačený tím, že první povrch povlaku dále obsahuje nejméně jednu dotující látku.

22. Povlak podle nároku 18, vyznačený tím, že druhý povrch povlaku obsahuje nejméně jeden oxid kovu.

23. Povlak podle nároku 22, vyznačený tím, že druhý povrch povlaku dále obsahuje nejméně jednu dotující látku.

24. Povlak podle nároku 18, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje nejméně jeden oxid kovu a fosfor.

25. Povlak podle nároku 18, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje nejméně jeden oxid kovu a křemík.

26. Předmět s povlakem, obsahující substrát a povlak podle nároku 6, vyznačený tím, že v podstatě krystalická první vrstva je nanesená přes alespoň část substrátu, přerušovací vrstva je nenesená přes první vrstvu, a v podstatě krystalická druhá vrstva je nanesená přes přerušovací vrstvu, přičemž přerušovací vrstva brání epitaxnímu růstu krystalické druhé vrstvy na krystalické první vrstvě.

27. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že substrát je zvolený ze skupiny sestávající ze skla, keramické hmoty a plastu.

28. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že první vrstva obsahuje oxid kovu obsahující nejméně jednu dotující látku.

29. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že první vrstva obsahuje oxid kovu zvolený z oxidů Zn, Fe, Mn, Al, Ti, In, Zr, Ce, Sn, Si, Cr, Sb, Co a jejich směsí, a nejméně jednu dotující látku, zvolenou ze skupiny sestávající z Sn, Sb, F, In a jejich směsí.

30. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený

tím, 2300 že první vrstva má tloušťku od okolo 1200 Á Á. do okolo 31. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že přerušovací vrstva je amorfní. 3 2. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že přerušovací vrstva má tloušťku od okolo 100 Á do okolo . 1000 Á. 3 3. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený

tím, že přerušovací vrstva obsahuje oxid cínu a fosfor.

34. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje oxid cínu a oxid křemičitý.

35. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že druhá vrstva obsahuje oxid kovu a nejméně jednu dotující látku.

36. Předmět s povlakem podle nároku 35, vyznačený tím, že druhá vrstva obsahuje oxid kovu zvolený ze skupiny sestávající z oxidů Zn, Fe, Mn, Al, Ti, In, Zr, Ce, Sn, Si, Cr, Sb, Co a jejich směsí, a nejméně jednu dotující látku zvolenou ze skupiny sestávající z Sn, Sb, F, In a jejich směsí.

37. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že první vrstva obsahuje oxid cínu dotovaný antimonem s atomovým poměrem antimonu k cínu od okolo 8,0 do okolo

12,0.

38. Předmět s povlakem podle nároku 35, vyznačený tím, že druhá vrstva obsahuje oxid cínu dotovaný fluorem, přičemž fluor je přítomný v množství menším než okolo 5 atomových procent.

39. Předmět s povlakem podle nároku 33, vyznačený tím, že přerušovací vrstva má atomový poměr fosforu k cínu od okolo 0,001 do okolo 0,10.

40. Předmět s povlakem podle nároku 34, vyznačený tím, že přerušovací vrstva má atomový poměr křemíku k cínu od okolo 0,005 do okolo 0,050.

41. Předmět s povlakem podle nároku 26, vyznačený tím, že dále obsahuje vrstvu pro potlačování barvy mezi substrátem a krystalickou první vrstvou.

42. Předmět s povlakem podle nároku 41, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje materiál obsahující fosfor.

43. Předmět s povlakem podle nároku 41, vyznačený tím, že přerušovací vrstva obsahuje materiál obsahující oxid křemičitý.

44. Předmět s povlakem podle nároku 41, vyznačený tím, že první vrstva obsahuje oxid cínu dotovaný antimonem.

45. Předmět s povlakem podle nároku 41, vyznačený tím, že druhá vrstva obsahuje oxid cínu dotovaný fluorem.

46. Předmět s povlakem, obsahující povlak podle nároku 1, a dále obsahující substrát, vyznačený tím, že první povlaková vrstva je nanesena přes alespoň část substrátu, přičemž první povlaková vrstva obsahuje oxid kovu a první dotující látku, přes první vrstvu je nanesená přechodová vrstva, obsahující oxid kovu, první dotující látku a druhou dotující látku, přičemž poměr první dotující látky k druhé dotující látce se konstantně mění se vzdáleností od substrátu, a přes přechodovou vrstvu je nanesená třetí povlaková vrstva, přičemž druhá povlaková vrstva obsahuje oxid kovu a druhou dotující látku.

47. Předmět s povlakem podle nároku 46, vyznačený tím, že každý z oxidů kovů první, druhé a třetí vrstvy je oxid cínu.

48. Předmět s povlakem podle nároku 46, vyznačený tím, že první a druhá dotující látka jsou zvolené z antimonu a fluoru.

49. Předmět s povlakem podle nároku 46, vyznačený tím, že obsahuje vrstvu pro potlačování barvy, uloženou mezi první vrstvou a substrátem.

50. Předmět s povlakem podle nároku 46, vyznačený tím, že obsahuje nejméně jednu přerušovací vrstvu mezi dvěma z přilehlých vrstev, tvořených první vrstvou, přechodovou vrstvou nebo druhou vrstvou.

·· ··· ·

51. Způsob vytváření povlaku na substrátu, vyznačený tím, že se přes alespoň část substrátu nanáší v podstatě krystalická první vrstva, přes krystalickou první vrstvu se nanáší přerušovací vrstva, přičemž přerušovací vrstva je vytvořena tak, že zabraňuje epitaxnímu růstu následující vrstvy na krystalické první vrstvě.

52. Způsob podle nároku 51, vyznačený tím, že se přes přerušovací vrstvu dále nanáší v podstatě krystalická druhá vrstva.

53. Předmět s povlakem, obsahující:

substrát, odstupňovanou vrstvu pro potlačování barvy, nanesenou přes alespoň část substrátu, přičemž vrstva pro potlačování barvy má tloušťku od okolo 50 Á do okolo 3000 Á, a první v podstatě transparentní vodivou vrstvu oxidu kovu, nanesenou přes vrstvu pro potlačování barvy, přičemž vodivá vrstva oxidu kovu má tloušťku od okolo 700 Á do okolo 3000 Á.

54. Předmět s povlakem podle nároku 53, vyznačený tím, že vodivá vrstva oxidu kovu obsahuje nejméně dvě povlaková strata.

55. Předmět s povlakem podle nároku 53, vyznačený tím, že obsahuje druhou v podstatě transparentní vodivou vrstvu oxidu kovu, nanesenou přes první vodivou vrstvu oxidu kovu, přičemž druhá vodivá vrstva oxidu kovu má tloušťku od — 57 — « » *· • * · :i • · ·♦ ♦ 999 ·**·· okolo 0 Á do okolo 3000 Á, přičemž druhá vodivá vrstva oxidu kovu je vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem, a přičemž tloušťka druhé vrstvy je nepřímo úměrná tloušťce první vrstvy.

56. Předmět s povlakem podle nároku 53, vyznačený tím, že odstupňovaná vrstva pro potlačování barvy je vrstva oxidu cínu dotovaného antimonem, nanesená přes substrát a mající tloušťku od okolo 900 Á do okolo 1500 Á, přičemž vrstva oxidu cínu má nejméně dvě strata s různými koncentracemi antimonu, přičemž první stratům má tloušťku okolo 985 Á a druhé stratům má tloušťku okolo 214 Á, a transparentní vrstva oxidu kovu je vrstva oxidu cínu dotovaného fluorem, nanesená přes vrstvu oxidu cínu dotovaného antimonem a mající tloušťku od okolo 1200 Á do okolo 3000 Á.

57. Způsob vytváření předmětu s povlakem, vyznačený tím, že se připraví substrát, přes alespoň část substrátu se nanese vrstva pro potlačování barvy, mající tloušťku od okolo 50 Á do okolo 3000 Á, přes vrstvu pro potlačování barvy se nanese první v podstatě transparentní vodivá vrstva oxidu kovu, přičemž první vodivá vrstva oxidu kovu obsahuje oxid cínu dotovaný antimonem, a má tloušťku od okolo 700 Á do okolo 3000 Á, přes první vodivou vrstvu oxidu kovu se nanáší druhá, v podstatě transparentní vodivá vrstva oxidu kovu, která obsahuje oxid dotovaný fluorem a má tloušťku od okolo 0 Á do okolo 3000 Á, přičemž tloušťka druhé vrstvy je v podstatě nepřímo úměrná tloušťce první vrstvy.

4« • · • · *4·»· • ··· *· < • t • * • · 58- “ • · • ··· • • « * · • 44»

Λ · • · ·

9 4 · * ·

58. Předmět s povlakem, obsahující:

substrát, první vrstvu dotovaného oxidu kovu, nanesenou přes alespoň část substrátu, a druhou vrstvu dotovaného oxidu kovu, nanesenou přes první vrstvu dotovaného oxidu kovu, přičemž první vrstva dotovaného oxidu kovu má nižší index lomu než je index lomu druhé vrstvy dotovaného oxidu kovu.

59. Předmět s povlakem podle nároku 58, vyznačený tím, že první vrstva dotovaného oxidu kovu obsahuje oxid cínu dotovaný antimonem.

60. Předmět s povlakem podle nároku 59, vyznačený tím, že druhá vrstva dotovaného oxidu kovu obsahuje dotovaný oxid kovu zvolený z vrstvy sestávající z oxidu cínu dotovaného fluorem, oxidu cínu dotovaného indiem a jejich směsí.