CS272819B1 - Method of crystallization nucleus fastening - Google Patents
Method of crystallization nucleus fastening Download PDFInfo
- Publication number
- CS272819B1 CS272819B1 CS611588A CS611588A CS272819B1 CS 272819 B1 CS272819 B1 CS 272819B1 CS 611588 A CS611588 A CS 611588A CS 611588 A CS611588 A CS 611588A CS 272819 B1 CS272819 B1 CS 272819B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- seed crystal
- melt
- crystal
- crystal nucleus
- fastening
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title abstract description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 title description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000721671 Ludwigia Species 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Vynález ee týká způsobu upevněni zárodečného krystalu v horizontální lodičce při pěstování monokrystalů z taveniny/ zejména polovodičových materiálů/ určených pro výrobu diskrétních polovodičových součástek a integrovaných obvodů.
Při pěstování monokrystalů z taveniny v horizontální podičce je možno získat monokrystal samovolnou krystalizaci/ avšak jeho krystalografická orientace je náhodná. Použije-li se zárodečný krystal s definovanou krystalografickou orientaci/ má ji potom i vypěstovaný monokrystal. Horizontální lodička/ vyrobená z křemenného skla nabo vysoce čisté speciální keramiky/ je obvykle tvaru půlválce a na jednom konci je vytvarována schránka pro uloženi zárodečného krystalu. Tvaru schránky je nutné přizpůsobit tvar zárodečného krystalu a do schránky ho přesně upevnit. Způsoby upevněni zárodečného krystalu jsou omezené. Materiály/ které máji vhodné mechanické vlastnosti většinou způsobují nežádoucí znečištění taveniny. Naproti tomu materiály; ze kterých se vyrábějí lodičky/ nemaji vhodné mechanické vlastnosti pro konstrukci různých příchytek nebo svorek. Oednim ze známých způsobů ja zárodečný krystal uchycen ve schránce lodičky pomocí křemenných destiček. Tyto destičky musí být přesně opracovány právě tak jako zárodečný krystal. Těsné uloženi zárodečného krystalu 've schránce je omezeno možnostmi přesného provedeni a také rozdílnou teplotní roztažnosti zárodku a lodičky. Při volnějším uloženi zárodečného krystalu může tavenina zatéci po jeho stranách nsbo může zárodečný krystal vyplavat na jeji povrch. Při těsnějším uloženi může lodička prasknout.
Uvedené nedostatky odstraňuje způsob upevněni zárodečného krystalu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom/ žs se kolem zárodečného krystalu upěchuje sypký oxid křemičitý Si02 nebo nitrid boritý BN s čistotou 99,99 % a e velikosti zrn v rozmezí 20 až 200 /Um,' který se dále při taveni polovodičového materiálu zpeče/ přičemž horní plocha zárodečného krystalu a jeho čelo/’ přivrácené k tavenině; zůstává volné.
Způsobem podle vynálezu neni k přidržení zárodečného krystalu třeba žádná přesně vyrobená součástka ani nsni potřebné přesné opracováni zárodečného krystalu. Oe zabráněno zatečeni taveniny pod zárodečný krystal nebo vedle krystalu a tedy jejímu styku s jinými krystalografickými rovinami. Tak se při krystalizaci spolehlivě zabráni vzniku polykrystalu; který je pro dalši využiti nepotřebný. Lez používat zárodečné krystaly různých rozměrů; například i ty/ které již byly použity. Protože lodičky jsou většinou vyrobeny z křemenného skla nebo z keramiky z nitridu boru/ je pravděpodobnost znečištěni taveniny upšchovaným materiálem stejná jako materiálem lodičky.
Volné čelo zárodečného krystylu přichází do styku s taveninou, Volná horni plocha zárodečného krystalu umožňuje kontrolovat počáteční nataveni krystalu po jeho spojeni s taveninou. Během technologického procesu dojde při vysoké teplotě potřebné k rozta veni polovodičového materiálu ke zpečeni upěchovaného materiálu/ a tim js zajištěno upevněni zárodečného krystalu.
Oako přiklad bude uveden způsob upevněni zárodečného krystalu při pěstováni monokrystalu arsenídu galitého metodou pohyblivého gradientu. Krystalizace se provádí v horizontální lodičce z křemenného skla. Lodička má tvar půlválce o'průměru 50.mm; jehož jeden konec je přitavena schránka na zárodečný krystal. Vnitřní rozměry schránky jsou o několik milimetrů větší/ nsž rozměry zárodečného krystalu ve tvaru čtyřbokého hranolu velikosti 20 mm x 12 mm x 5 mm. Oedna z jeho stěn o rozměru 12 mm x 5 mm s přesně definovanou krystalografickou orientací tvoři čelo zárodečného krystalu; které je k půlválcové části lodičky přivráceno. K upevněni zárodečného krystalu arsenidu galitého se použije upéchovaný oxid křomičitý čistoty 99,99 % s velikosti zrn 40 až 80 m, který byl předtím žíhán při teplotě okolo 1 000 °C ve vakuu ÍO-4 Pa po dobu 5 hodin. Tavení výchozího polovodičového materiálu probíhá v lodičce 4 až 5 hodin. Při něm neni tavenina ve styku se zárodečným krystalem ani s upěchovaným oxidem křemičitým. Teplota va schránce se zárodečným krystalem se pohybuje několik stupňů pod bodem jeho táni/ což je například u arsenidu galitého 1 238 °C. Tato doba i teplota ja dostatečná/ aby došlo ke zpečeni upěchovaného materiálu.
CS 272 819 Bl 2
Způsob upevněni zárodečného krystalu v horizontální lodičce podle vynálezu je určen zejména pro pěstování monokrystalů z taveniny a je výhodný tam; kde se kladou vysoké nároky na čistotu technologického procesu.
Claims (1)
- Způsob upevnění zárodečného krystalu v horizontální lodičce při pěstováni monokrystalu z taveniny, zejména polovodičových materiálů, vyznačující se tim, žé se kolem zárodečného krystalu upěchuje sypký oxid křemičitý Si02 nebo nitrid boritý BN s čistotou 99,99 % a s velikosti zrn v rozmezi 20 až 200 ^um, který se dále při tavení polovodičového materiálu zpeče,' přičamž horní plocha zárodečného krystalu a jeho čelo; přivrácené k taveninč,' zůstává volné.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS611588A CS272819B1 (en) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | Method of crystallization nucleus fastening |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS611588A CS272819B1 (en) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | Method of crystallization nucleus fastening |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS611588A1 CS611588A1 (en) | 1990-06-13 |
| CS272819B1 true CS272819B1 (en) | 1991-02-12 |
Family
ID=5407432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS611588A CS272819B1 (en) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | Method of crystallization nucleus fastening |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS272819B1 (cs) |
-
1988
- 1988-09-13 CS CS611588A patent/CS272819B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS611588A1 (en) | 1990-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Feigelson et al. | Vertical Bridgman growth of CdGeAs2 with control of interface shape and orientation | |
| EP0390672A2 (en) | Method for heat process of silicon | |
| US5406905A (en) | Cast dopant for crystal growing | |
| CS272819B1 (en) | Method of crystallization nucleus fastening | |
| Ivleva et al. | The growth of multicomponent oxide single crystals by stepanov's technique | |
| US4046954A (en) | Monocrystalline silicates | |
| Patel et al. | Growth of barite group crystals by the flux evaporation method | |
| JPH01278490A (ja) | 結晶育成方法および結晶育成用るつぼ | |
| Ha et al. | Origin of threading dislocation arrays in SiC boules grown by PVT | |
| JPH04187585A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JP2546746Y2 (ja) | 垂直ブリッジマン法用るつぼ | |
| JP2739547B2 (ja) | 硼酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| CA1047897A (en) | Monocrystalline silicates and method of growth | |
| JP2610034B2 (ja) | 単結晶の成長方法 | |
| KR101966707B1 (ko) | 종자결정의 소형화 또는 박형화를 가능하게 하고 내부 결함 발생을 억제하는 종자결정의 지지구조 및 이로부터 제조되는 단결정 | |
| JP2974023B1 (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JP2833714B2 (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| JPS5921594A (ja) | ルツボ | |
| JPS6036397A (ja) | 化合物単結晶育成装置 | |
| JPH0465035B2 (cs) | ||
| JPS6236997B2 (cs) | ||
| JP2582318B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS63134594A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH02311392A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH04193798A (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |