CS270293B1 - Světloemitujici dioda s potlačenou boční emisi - Google Patents

Abstract

jedná sa o potlačeni nežádoucí emise z boků čipu světloemitujici diody na bázi dvojité heterostruktury GaAs/GaAlAs tim, že heterostruktura je narůstána na předem tvarovaný substrát tak, aby část aktivní vrstvy (4), ve které docházi ke generaci zářeni ležela mimo úroveň čelni plochy čipu o vzdálenost větši než je součet tlouštěk vrstev tvořicich světlovod (3,4,5). Tim dojde v miste zakřiveni vrstev heterostruktury k vyvedeni světla ze světlovodu tvořeného vrstvami (3,4,5) a Jeho absorbci vrstvami (1,2) nebo vrstvami (6,7,8), heterostruktury (10), které jsou pro dané vlnové délky zářeni neprůsvitné.

Description

Vynález ae týká světloemitujici diody s potlačenou boční emisi na bázi GaAs/GaAlAs.

Známá provedeni 3větloemitujicich diod tohoto druhu užívají k potlačeni výstupu nežádoucího záření pokryti čelní plochy čipu mimo oblast požadovaného výstipu zářeni tenkými vrstvami neprůsvitnými pro zářeni dané vlnové délky. Tyto diody jsou připravovány z takových materiálů, v nichž nedochází k rozváděni emitovaného světla do stran a jeho vyzařováni z boků čipů. Tímto způsobem není možno připravit obdobné čipy z dvojité heterostruktury GaAs/GaAlAs, protože tato struktura se vyznačuje značnou schopnosti rozvádět světlo do stran a vyzařovat je z boků čipu.

Uvedené nevýhody odstraňuje světloemitujici dioda s potlačenou boční emisi podle vynálezu, Jehož podstata spočívá v tom, ža na substrát výškově tvarovaný technologii MESA alespoň do hloubky, rovnající se součtu tlouštěk vrstev tvořících světlovod heterostruktury, je celoplošně vytvořena heterostruktura světloemitujici diody, přičemž boční plochy výškově tvarované heterostruktury Jsou vůči čalni ploše skloněny o 12 až 90 stupňů.

Hlavni výhodou potlačeni nežádoucí emise světla z boků čipu podle tohoto vynálezu je v tom, že pro konstrukci čipů s potlačenou emisi zářeni mimo přesně vymezenou oblast mohou být použity struktury schopná rozvádět světlo do stran. Oále operace nutné pro potlačeni boční emise jsou prováděny při tvarováni substrátu. V případě neúspěchu těchto operaci je tedy zničen pouze substrát a nikoliv deska s narostlými spitaxnimi vrstvami .

Na výkresu je znázorněný řez čipem pro snímač proužkového kódu s potlačenou boční emisi.

Na předem vytvarovaný substrát 8 typu N je metodou epitaxe z kapalné fáze vytvořena heterostruktura 10, skládající se z vrstvy 7 GaAs Buffer typu N a závěrné vrstvy 6 GaAs typu P, dále vrstvy 5 GaAlAs prvního emitoru typu N, aktivní vrstvy 4 typu P, vrstvy GaAlAs druhého emitoru typu P a kontaktní vrstvy 2 GaAs typu P. Tato struktura je opatřena, prvni a druhou kovovou vrstvou JL a 9 pro přívod elektrického proudu na straně P a N. V prvni kovové vrstvě JL a v kontaktní vrstvě 2 Ja fotolitografii a selektivním leptáním vytvořeno okno pro výstup zářeni z požadované oblasti. Funkce světloemitujici diody je následující.

Zářeni je generováno ve vyšrafováné části aktivní vrstvy v místě vymezeném částečným odstraněním závěrné vrstvy 6. Generované zářeni vychází z čipu oknem vytvořeným ve vrstvách JL a 2. část zářeni je rozváděna do stran světlovodem tvořeným vrstvami 3, 4,

J5, avšak v mlátě ohybu těchto vrstev 3, 4, Ei je ze světlovodů vyvedeno a pohltí se v materiálu vretev 1 a 2 , nebo vrstev 6, 7 a 8. Tyto vrstvy 2» 2, 6, 7, 8 jaou pro zářeni dané vlnové délky neprůavitné.

Světloemitujici diodu s potlačenou boční emisi podle vynálezu je možno využit při výrobě světloemitujicich čipů pro optoelektroniku.

Claims (1)

1. Světloemitujici dioda s potlačenou boční emisi, vyznačující se tim, že na substrát (8), výškově tvarovaný technologii MESA alespoň do hloubky, rovnající sa součtu tlouštěk vrstev (3, 4, 5), tvořících světlovod heterostruktury (10), je celoplošně vytvořena heteroetruktura (10) světloemitujici diody, přičemž bočni plochy výškově tvarované heterostruktury (10) jsou vůči čelní ploše skloněny o 12 až 90 stupňů.