CS261255B1 - Fused glue especially for gripping parts during machining - Google Patents
Fused glue especially for gripping parts during machining Download PDFInfo
- Publication number
- CS261255B1 CS261255B1 CS873419A CS341987A CS261255B1 CS 261255 B1 CS261255 B1 CS 261255B1 CS 873419 A CS873419 A CS 873419A CS 341987 A CS341987 A CS 341987A CS 261255 B1 CS261255 B1 CS 261255B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- weight
- montan wax
- during machining
- melt adhesive
- parts during
- Prior art date
Links
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Očelem je možnost použití pro uchycení součástek při opracování při vyšší teplotě, tím zkrácení doby opracování a umožnění jeho dokonalejšího průběhu. Uvedeného účelu je dosaženo tavným lepidlem na bázi montánního vosku tvořeným směsí 50 až 95 % hmotnostních surového nebo montánního vosku a 5 až 50 I hmotnostních esterifikované kalafuny s bodem měknutí 60 až 130 °C.The purpose is to be able to use it for holding components during processing at a higher temperature, thereby shortening the processing time and enabling its more perfect course. The stated purpose is achieved by a hotmelt adhesive based on montan wax consisting of a mixture of 50 to 95% by weight of raw or montan wax and 5 to 50% by weight of esterified rosin with a softening point of 60 to 130 °C.
Description
Vynález se týká lepidla zejména pro uchycení součástek při opracování.The invention relates in particular to an adhesive for attaching components during machining.
Při chemicko-mechanickém leštění polovodičových destiček se k jejich upevněni na unášecí kotouč používá tmelu, který musí polovodičové destičky udržet při pracovní teplotě a značném mechanickém namáhání spoje, daném velikostí přítlaku na unášecí kotouče a rotaci leštících i unášecích kotoučů. Pro správné přitmelení polovodičových destiček na unašeči kotouče je nutné, aby tmel po roztavení měl nízkou viskozitou a vytvořil rovnoměrnou vrstvu, neobsahoval mechanické nečistoty a byl odolný vůči leštivu, tj. směsi a alkalickou nebo kyselou reakci. Musí být možné jeho úplné odstranění z polovodičových destiček po jejich vyleštění a odtmelení z unášecích kotoučů, které se provádí zahřátím a roztavením tmelu.In the chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers, a sealant is used to attach them to the carrier disc, which must maintain the semiconductor wafers at operating temperature and considerable mechanical stress of the joint, given the size of the contact pressure on the carrier discs and rotation of polishing and carrier discs. For proper bonding of the semiconductor wafers to the disc carrier, it is necessary that after melting the sealant has a low viscosity and a uniform layer, does not contain mechanical impurities and is resistant to the polishing agent, i.e. mixtures and alkaline or acidic reaction. It must be possible to completely remove it from the semiconductor wafers after polishing and sealing them from the carrier discs by heating and melting the sealant.
Při tomto odstraňování tmelu nesmí dojít k poškozeni polovodičových destiček, zejméně jejich vyleštěné strany.The removal of the sealant must not damage the semiconductor wafers, at least their polished sides.
Používané tmely, například tavné lepidlo složené ze směsi včelího vosku a kalafuny, uvedené požadavky splňují, ale teplota, při které je možno jich k danému účelu použít, je nízká. To má za následek prodlužování doby leštění nebo snížení kvality takto získaného leštěného povrchu, případně oba nepříznivé důsledky.The sealants used, for example a hot melt adhesive composed of a mixture of beeswax and rosin, meet these requirements, but the temperature at which they can be used for this purpose is low. This results in a prolongation of the polishing time or a decrease in the quality of the polished surface thus obtained, or both adverse consequences.
Uvedené nevýhody odstraňuje tavné lepidlo na bázi montánního vosku podle vynálezu, které je složeno ze směsi 50 až 95 % z hmotnostních surového nebo rafinovaného montánního vosku a 5 až 50 % hmotnostních esterifikované kalafuny s bodem měknutí 60 až 130 °C.The above-mentioned disadvantages are overcome by the montan wax hotmelt adhesive of the present invention, which consists of a mixture of 50-95% by weight of crude or refined montan wax and 5-50% by weight of esterified rosin having a softening point of 60-130 ° C.
Při použití tavného lepidla podle vynálezu je možno pracovat při teplotě až o 12 °C vyšší, což umožňuje uvolňování většího tepelného výkonu při leštění a tím lepší náběh chemické reakce.Using the hot melt adhesive according to the invention, it is possible to work at a temperature of up to 12 ° C higher, which allows the release of a higher heat output during polishing and thus a better start of the chemical reaction.
Výsledkem je rychlejší a úplnější průběh leštění, tj. kvantitativně i kvalitativně dokonalejší odstranění narušené povrchové vrstvy polovodičových destiček v kratším čase.The result is a faster and more complete polishing process, i.e., a better and more quantitative and qualitatively improved removal of the damaged surface layer of the semiconductor wafers in a shorter time.
Přiklad provedeníExemplary embodiment
Tavné lepidlo vhodné pro tmelení polovodičových destiček k chemicko-mechanickému leštění do maximální teploty 61 °C se vyrobí smísením '78 % hmotnostních surového montánního vosku a 22 % hmotnostních esterifikované kalafuny s bodem měknutí 90 až 100 °C. Nejprve se v kotli roztaví vosk a za stálého míchání se při 120 až 130 °C vnese esterifikované kalafuna. V míchání se pokračuje až do vzniku homogenní směsi, která se odlévá do požadovaných forem. Toto tavné lepidlo má pevnost ve smyku při 60- °C minimálně 100 kPa a bod tuhnuti na kuličce minimálně 78 °C.A hot melt adhesive suitable for cementing semiconductor wafers for chemical-mechanical polishing up to a maximum temperature of 61 ° C is made by mixing 78% by weight of raw montan wax and 22% by weight of esterified rosin with a softening point of 90-100 ° C. First, the wax is melted in the boiler and the esterified rosin is added with stirring at 120-130 ° C. Stirring is continued until a homogeneous mixture is obtained which is cast into the desired molds. The hot melt adhesive has a shear strength at 60 ° C of at least 100 kPa and a pour point on the ball of at least 78 ° C.
Tavné lepidlo vhodné pro tmelení polovodičových destiček při jejich opracováni do teploty 35 °C se vyrobí smísením 60 % hmotnostních rafinovaného montánního vosku a 40 % hmotnostních esterifikované kalafuny s bodem měknutí 60 °C. V kotli se roztaví montánní vosk a za stálého míchání se při teplotě 100 až 120 °C přidá esterifikované kalafuna. V míchání se pokračuje až do vzniku homogenní směsi, která se odlévá do požadovaných forem. Toto tavné lepidlo má pevnost ve smyku při teplotě 30 °c minimálně 100 kPa a bod tuhnutí na kuličce minimálně 60 °C.A hot melt adhesive suitable for bonding semiconductor wafers when processed to a temperature of 35 ° C is prepared by mixing 60% by weight of refined montan wax and 40% by weight of esterified rosin with a softening point of 60 ° C. Montan wax is melted in the boiler and esterified rosin is added at 100-120 ° C with stirring. Stirring is continued until a homogeneous mixture is obtained which is cast into the desired molds. The hot melt adhesive has a shear strength of 30 ° C of at least 100 kPa and a pour point on the ball of at least 60 ° C.
Tavné lepidlo podle vynálezu je možno používat i v oblasti jednostranného opracování skla, granátu, safíru, germánia a ostatních materiálů, při kterém je třeba užít tmelení.The hot-melt adhesive according to the invention can also be used in the field of one-sided processing of glass, garnet, sapphire, germanium and other materials in which bonding is required.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS873419A CS261255B1 (en) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | Fused glue especially for gripping parts during machining |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS873419A CS261255B1 (en) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | Fused glue especially for gripping parts during machining |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS341987A1 CS341987A1 (en) | 1988-06-15 |
CS261255B1 true CS261255B1 (en) | 1989-01-12 |
Family
ID=5374201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS873419A CS261255B1 (en) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | Fused glue especially for gripping parts during machining |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS261255B1 (en) |
-
1987
- 1987-05-13 CS CS873419A patent/CS261255B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS341987A1 (en) | 1988-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102965071A (en) | Hot melt adhesive for positioning and processing of brittle materials and preparation method of hot melt adhesive | |
US4897141A (en) | Method for preparing semiconductor wafers | |
US3269815A (en) | Coated abrasive grain | |
KR100284583B1 (en) | Method for fixing and detaching semiconductor wafers and suitable material mixtures for carrying out the method | |
CS261255B1 (en) | Fused glue especially for gripping parts during machining | |
US2955952A (en) | Composition for patching defects in glass or enamel coatings and method of applying the same | |
CN102936485B (en) | A kind of Wafer adhesive wax | |
GB2048272A (en) | Process for the Hardening of Reactive Resins | |
JP2002536527A (en) | Soluble adhesive | |
US1546115A (en) | Vitreous bonded silicon-carbide abrasive article | |
CN102695765B (en) | Temporarily fixing composition | |
CN106905920A (en) | A kind of preparation method of optics bonded adhesives | |
US2084534A (en) | Abrasive article | |
CN105038696A (en) | Bonding agent for bonding optical lenses and manufacturing method of bonding agent | |
TW529096B (en) | Process for lapping wafer and method for processing backside of wafer using the same | |
JPH09286967A (en) | Temporarily bonding adhesive for precision machining | |
JPH1161079A (en) | Temporary adhesive for precision processing | |
JPH06298539A (en) | Bonding of glass material | |
SU1725293A1 (en) | Cement for holding semiconductor wafers on polishing | |
SU1624006A1 (en) | Melted adhesive for fixing diamond elements to polishing tool body | |
CN107418473B (en) | A water-soluble wafer adhesive | |
JPS61141780A (en) | Modified adhesive | |
CN118599460B (en) | Wafer bonding film, memory chip and preparation method thereof | |
JPH07179842A (en) | Adhesive, its production, and production of electronic part from the same | |
JP2006159384A (en) | Manufacturing method of optical components |