JPS61141780A - Modified adhesive - Google Patents

Modified adhesive

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Publication number
JPS61141780A
JPS61141780A JP27170085A JP27170085A JPS61141780A JP S61141780 A JPS61141780 A JP S61141780A JP 27170085 A JP27170085 A JP 27170085A JP 27170085 A JP27170085 A JP 27170085A JP S61141780 A JPS61141780 A JP S61141780A
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JP
Japan
Prior art keywords
hollow microspheres
adhesive
pentaborate
sodium
epoxy
Prior art date
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Pending
Application number
JP27170085A
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Japanese (ja)
Inventor
リチヤード テイー.ギラード
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PQ Corp
Original Assignee
PQ Corp
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Publication date
Application filed by PQ Corp filed Critical PQ Corp
Publication of JPS61141780A publication Critical patent/JPS61141780A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は改良された熱硬化接着剤の調製に間する。この
接着剤は多くの用途を有し、改良された用途及び製品特
性を有して多くの現存する熱硬化性樹脂に代り得るもの
である。熱硬化性接着剤は半導体の製造に使用されるシ
リコンウェハーの製造に有用である。特に本発明はシリ
コンのインゴットを最終製造の為にウェハーにスライス
する前にスライスに先立ってシリコンインゴットをグラ
ファイトカッティングビームに固定するのに利用する接
着剤の改良に関係するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention is directed to the preparation of improved thermosetting adhesives. This adhesive has many uses and can replace many existing thermosets with improved application and product properties. Thermosetting adhesives are useful in manufacturing silicon wafers used in semiconductor manufacturing. In particular, the present invention relates to improvements in adhesives utilized to secure silicon ingots to graphite cutting beams prior to slicing the silicon ingots into wafers for final manufacturing.

半導体デバイスを製造するための通常はシリコンである
半導体基体の製造は多くの厳密に制御された化学及び機
械的段階を要する。基体物質はどんな製造及び精製方法
が要求されるにせよ先ず非常に純粋な状態に製造されな
ければならない、この物質を次に結晶化し、インゴット
の形の非常に大きな単一結晶を与える。これらのインゴ
ットを次にウェハーに鋸で切るか又はスライスしてこれ
をラップしくラップ板上で磨<)、そして磨いてこみい
ったエレクトロニクス成分の製造の為の平坦な表面を与
える。
The manufacture of semiconductor substrates, usually silicon, for manufacturing semiconductor devices requires many tightly controlled chemical and mechanical steps. Whatever manufacturing and purification methods are required, the substrate material must first be produced in a very pure state; this material is then crystallized to give very large single crystals in the form of ingots. These ingots are then sawed or sliced into wafers which are lapped and polished on a lapping plate to provide a flat surface for the manufacture of polished electronic components.

[先行技術] インゴットをウェハーにスライスするのは、ウェハーが
均一の厚みを有さねばならず、平坦な外形を有さねばな
らず、そしてスライスによって生じる応力のないもので
なければならないので工程において非常に重要な段階で
ある。これらの要求を達成するのに要する一つの要因は
インゴットがスライス操作の間非常に固定的に保たれね
ばならないことである。現在使用されている方法はイン
ゴットを切断ビームに結合し、接着し、この切断ビーム
は通常エポキシ樹脂を有するグラファイトである。グラ
ファイト切断ビームをエポキシで被覆し、シリコンイン
ゴットをビーム上に置く。このエポキシを12〜14時
間硬化させてからダイヤモンド鋸を使用してインゴット
をウェハーにスライスする。ウェハーをエポキシ接着結
合を破壊することにより切断ビームから除去する。
[Prior Art] Slicing an ingot into wafers is a difficult process because the wafers must have a uniform thickness, must have a flat profile, and must be free of stress caused by slicing. This is a very important step. One factor necessary to accomplishing these requirements is that the ingot must be kept very stationary during the slicing operation. The method currently used is to bond and glue the ingot to a cutting beam, which is usually graphite with epoxy resin. Coat the graphite cutting beam with epoxy and place the silicon ingot on the beam. The epoxy is allowed to cure for 12-14 hours before slicing the ingot into wafers using a diamond saw. The wafer is removed from the cutting beam by breaking the epoxy adhesive bond.

[発明が解決しようとする問題点] この段階に関連する多くの問題がある。長い硬化時間は
樹脂の発熱硬化によるインゴットに生じる応力を最小と
することが要求される。切断の間ダイヤモンド鋸はエポ
キシ接着剤が詰ってきて周期的に掃除しなければならな
い。これらの問題は工程に要する全体の時間を増加する
。更に強いエポキシ結合は切断ビームからのウェハーの
除去を困難とする。樹脂処方及び/又は適用における僅
かの誤りが多くの不合格品を生じ得る。
[Problems to be Solved by the Invention] There are many problems associated with this step. Long curing times are required to minimize stress on the ingot due to exothermic curing of the resin. During cutting, the diamond saw becomes clogged with epoxy adhesive and must be cleaned periodically. These problems increase the overall time required for the process. Furthermore, the strong epoxy bond makes removal of the wafer from the cutting beam difficult. Small errors in resin formulation and/or application can result in many rejects.

本発明の目的は改良されたエポキシ接着剤を提供するこ
とである。更に本発明の目的は改良されたエポキシ系が
中空微小球を含み、応力なしにより速い硬化時間を与え
、より奇麗なスライスを与え、そして半導体インゴット
を切断ビームに結合するのに使用した時に支持ビームか
ら結合パーツを分離するのにより改良された分離を与え
る。
It is an object of the present invention to provide an improved epoxy adhesive. It is further an object of the present invention that the improved epoxy system contains hollow microspheres, provides faster curing times without stress, provides cleaner slices, and supports a support beam when used to join semiconductor ingots to a cutting beam. Provides improved separation by separating joined parts from each other.

[問題を解決する手段] 本発明において中空微小球をエポキシ樹脂接着剤に混入
した時に有意義な多くの利点が実現されることが発見さ
れた。即ち硬化時間が減少し、硬化した接着剤は比較的
応力がないものであり、最終生成物の切断時間が減少し
、より容易に達成できた。シリコンインゴットは中空微
小球50容量%までを含有するエポキシ樹脂によってグ
ラファイトシリコンビームに結合できた。均−且つ欠陥
のない切断を与えるのに要する結合強さは保持され、し
かも他の性質が大きく改良された。樹脂の切断時間はイ
ンゴットに応力を誘発することなく減少することが出来
た。樹脂の残りかすによる鋸への結合が減少された。こ
れらの利点は実質的な時間と費用の減少を与えた。破壊
されたウェハーの不合格率もスライスされたウェハーが
スライスビームから容易に除くことができるので減少し
た。ウェハーとビームの間のエポキシ結合の解放の容易
さはインゴットとビームの間の結合が非常に強いことか
ら、驚くべきことである。更にダイヤモンド鋸の刃の寿
命が増加した。
SUMMARY OF THE INVENTION It has been discovered in the present invention that a number of significant advantages are realized when hollow microspheres are incorporated into an epoxy resin adhesive. That is, the curing time was reduced, the cured adhesive was relatively stress free, and the cutting time of the final product was reduced and more easily achieved. Silicon ingots could be bonded to graphite silicon beams by epoxy resin containing up to 50% by volume of hollow microspheres. The bond strength required to provide an even and defect-free cut was retained, yet other properties were greatly improved. The resin cutting time could be reduced without inducing stress in the ingot. Bonding to the saw due to resin residue has been reduced. These advantages have provided substantial time and cost savings. The rejection rate of broken wafers was also reduced because the sliced wafers could be easily removed from the slicing beam. The ease of releasing the epoxy bond between the wafer and the beam is surprising since the bond between the ingot and the beam is very strong. Additionally, the lifespan of the diamond saw blade has been increased.

接着剤は樹脂及び中空微小球からなる。この樹脂は中空
微小球と適合性のある任意の硬化可能な有機重合系であ
り、樹脂系に加えられて改良された接着剤を形成する中
空微小球は上記樹脂を劣化させない限り殆ど任意の組成
の物であり得る。2成分混合型のエポキシ樹脂が好まし
い、インゴットは任意の要求される半導体物質であり得
るが通常はシリコン又はドープトシリコンである。スラ
イシングビームはインゴットに対して強固な支持を提供
する比較的不活性の任意の物質でありえ、グラファイト
が通常用いられる。
The adhesive consists of resin and hollow microspheres. The resin can be any curable organic polymeric system that is compatible with the hollow microspheres, and the hollow microspheres that are added to the resin system to form an improved adhesive can be of almost any composition as long as they do not degrade the resin. It can be of. A two-component epoxy resin is preferred; the ingot can be any required semiconductor material, but is usually silicon or doped silicon. The slicing beam can be any relatively inert material that provides solid support to the ingot, and graphite is commonly used.

中空の微小球は溶融されたガラス微小球、例えば米国特
許3,365,315.3,838,998に記載され
たもの又は米国特許2,797,201.2,978,
340.3,030,215.3.699,050.4
 、059 、423.4,063.916に記載され
たシリコンを基にした微小球でありうる。有機重合系の
中空微小球も有用であり、そのような物質は例えば米国
特許2 、978 、340及び3,615.972に
記載されている。ガラス及び金属を含めた種々の物質の
中空微小球は米国特許4 、279 、632及び4,
344.787に開示された方法により造ることが出来
、これらの物質も有用である。これら11の特許はここ
に本発明に有用な物質を記載するものとして参照する。
The hollow microspheres are fused glass microspheres, such as those described in U.S. Pat. No. 3,365,315.3,838,998 or U.S. Pat.
340.3,030,215.3.699,050.4
, 059, 423.4, 063.916. Organic polymeric hollow microspheres are also useful; such materials are described, for example, in US Pat. No. 2,978,340 and 3,615,972. Hollow microspheres of various materials including glass and metals are disclosed in U.S. Pat.
344.787, and these materials are also useful. These eleven patents are referenced herein as describing materials useful in the present invention.

特に興味の持たれる中空微小球はアルカリ金属シリケー
ト及びポリサルトから構成されている殻を有するもので
ある。これらの物質は米国特許3.795.777に記
載され、ここで参照する。この微小球はシリケートとア
ンモニアペンタボレート、ナトリウムペンタボレート及
びナトリウムヘキサメタホスフェートの群から選ばれる
ポリサルトの均一溶液を噴霧乾燥し、次に更に乾燥して
水分含量を約10%以上から約7%未満に減少させるこ
とによって造られる。中空微小球の寸法は大きく変化す
るが直径はエポキシ結合の実質的な弱体化が現れないよ
うなものであるべきである。一般に中空微小球は平均直
径1〜500μを有する中空微小球が有用であるようで
ある。エポキシ系とともに使用されるべき微小球の量も
広く変化し、上限はエポキシ結合強度を有意義に減少さ
せる量である。
Hollow microspheres of particular interest are those with shells composed of alkali metal silicates and polysalts. These materials are described in US Pat. No. 3,795,777, incorporated herein by reference. The microspheres are prepared by spray drying a homogeneous solution of silicate and polysalt selected from the group of ammonia pentaborate, sodium pentaborate, and sodium hexametaphosphate, and then further drying to reduce the moisture content from about 10% to less than about 7%. is created by reducing it to The dimensions of the hollow microspheres can vary widely, but the diameter should be such that no substantial weakening of the epoxy bond appears. In general, hollow microspheres having an average diameter of 1 to 500 microns appear to be useful. The amount of microspheres to be used with the epoxy system also varies widely, with the upper limit being the amount that significantly reduces the epoxy bond strength.

微小球の有用な量は樹脂組成物の量の約2%〜約35%
迄変化する。微小球は接着系の容量の実質的に50xを
越えるものとなるべきではない。
Useful amounts of microspheres range from about 2% to about 35% of the amount of resin composition.
change until. The microspheres should not exceed substantially 50x the capacity of the adhesive system.

本発明生成物は中空微小球を接着剤の樹脂部分と混合す
ることによフて開始される。この工程は樹脂を充填する
時又は接着剤を使用する直前に実施できる。2成分系に
おいて樹脂成分は適当な量の硬化剤と混合し、約4〜6
時閉の硬化時間を与える。
The product of the invention is initiated by mixing hollow microspheres with the resinous portion of the adhesive. This step can be performed at the time of filling the resin or immediately before using the adhesive. In a two-component system, the resin component is mixed with an appropriate amount of curing agent, approximately 4 to 6
Allow curing time between closing and closing.

[実施例] 次の実施例は本発明及び先行技術のある種の具体例を例
示する。これらの実施例は本発明の範囲を確立するため
に与えられるのでなくて、本発明の範囲は明細書に開示
され、特許請求の範囲に記載されている。割合は特に記
載がなけば重量部(pbν)又は重量%(χwt/1w
)である。
EXAMPLES The following examples illustrate certain embodiments of the invention and the prior art. These examples are not given to establish the scope of the invention, but rather that scope is disclosed in the specification and claimed. Ratios are parts by weight (pbν) or weight % (χwt/1w) unless otherwise specified.
).

実施例1 この実施例は先行技術の方法によってシリコンインゴッ
トをグラファイト切断ビームに結合することを例示する
。樹脂、炭酸カルシウム及びシリカシックナーを含有す
る市販のエポキシ樹脂を調製した。十分な硬化剤を加え
て12〜24時間の硬化時間を与えた。樹脂系を次にグ
ラファイトビーム上に広げ、インゴットをそのうえに置
いた。12〜24時間の後インゴットをダイヤモンド鋸
でカットし、ウェハーを与えた。ウェハーをグラファイ
トビームから除くとエポキシ結合は非常に強い力を与え
たので幾つかのウェハーの無駄が経験された。
Example 1 This example illustrates bonding a silicon ingot to a graphite cutting beam by prior art methods. A commercially available epoxy resin containing resin, calcium carbonate, and silica thickener was prepared. Sufficient curing agent was added to give a curing time of 12-24 hours. The resin system was then spread onto the graphite beam and the ingot was placed on top. After 12-24 hours the ingot was cut with a diamond saw to give wafers. When the wafer was removed from the graphite beam, the epoxy bond exerted so much force that several wafer losses were experienced.

実施例2 この実施例は本発明の改良方法によってグラファイト切
断ビームにシリコンインゴットを結合することを例示す
る。市販のエポキシ樹脂(56,9重量部)を30.9
重量部の炭酸カルシウム及び1.9重量部のヒユームド
シリカと混合した。この混合物は高ぜん断を用いて調製
した。均一の混合物を加熱して粘土を減少させ、10.
3重量部の中空シリケート微小球を樹脂混合物に低せん
断てブレンドした。
Example 2 This example illustrates bonding a silicon ingot to a graphite cutting beam by the improved method of the present invention. 30.9 parts of commercially available epoxy resin (56.9 parts by weight)
It was mixed with parts by weight of calcium carbonate and 1.9 parts by weight of fumed silica. This mixture was prepared using high shear. heating the homogeneous mixture to reduce clay; 10.
Three parts by weight of hollow silicate microspheres were blended into the resin mixture at low shear.

この樹脂混合物を次に11.3重量部のアミン硬化剤と
混合し、エポキシの硬化を生じた。この系をグラファイ
ト切断ビーム上に広げシリコンインゴットをそのうえに
置いた。5時間後エポキシが硬化したがシリコンインゴ
ットに見掛は上の明瞭な歪を生じなかった。インゴット
の切断は実施例1の方法と比較した時に頻繁に起こった
エポキシのかすが鋸に絡まることがなかったのでより簡
単であった。生じるシリコンウェハーを除くことも容易
でエポキシ結合が実施例1の方法において観察されたよ
りもより簡単にはがれるようであったので無駄も少なか
った。
This resin mixture was then mixed with 11.3 parts by weight of amine curing agent to effect curing of the epoxy. This system was spread on a graphite cutting beam and a silicon ingot was placed on top. After 5 hours, the epoxy had cured, but no apparent distortion occurred in the silicon ingot. Cutting the ingot was easier as the epoxy scum did not get caught in the saw as frequently occurred when compared to the method of Example 1. Removal of the resulting silicon wafer was also easy and there was less waste as the epoxy bond appeared to come off more easily than observed in the method of Example 1.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、65%〜98%(重量/重量)の接着性樹脂及び2
%〜35%(重量/重量)の中空微小球を含む改良接着
剤。 2、中空微小球の平均径が1〜500マイクロメータで
ある特許請求の範囲第1項に記載の接着剤。 3、中空微小球がシリケートガラス溶融物又は合成有機
重合体から形成される特許請求の範囲第1項に記載の接
着剤。 4、中空微小球がアルカリ金属シリケート及びアンモニ
ウムペンタボレート、ナトリウムペンタボレート、及び
ナトリウムヘキサメタホスフェートからなる群から選ば
れるポリサルトの均一溶液から形成される特許請求の範
囲第1項に記載の接着剤。 5、中空微小球がシリケートガラス溶融物又は合成有機
重合体から形成される特許請求の範囲第2項に記載の接
着剤。 6、中空微小球がアルカリ金属シリケート及びアンモニ
ウムペンタボレート、ナトリウムペンタボレート、及び
ナトリウムヘキサメタホスフェートからなる群から選ば
れるポリサルトの均一溶液から形成される特許請求の範
囲第2項に記載の接着剤。 7、65%〜98%(重量/重量)のエポキシ樹脂と2
%〜35%(重量/重量)の中空微小球を含むシリコン
インゴットをスライシングビームに結合するのに使用す
る特許請求の範囲第1項に記載の接着剤。 8、中空微小球の平均径が1〜500マイクロメータで
ある特許請求の範囲第7項に記載の接着剤。 9、中空微小球がシリケートガラス溶融物又は合成有機
重合体から形成される特許請求の範囲第7項に記載の接
着剤。 10、中空微小球がアルカリ金属シリケート及びアンモ
ニウムペンタボレート、ナトリウムペンタボレート、及
びナトリウムヘキサメタホスフェートからなる群から選
ばれるポリサルトの均一溶液から形成される特許請求の
範囲第7項に記載の接着剤。 11、中空微小球がシリケートガラス溶融物又は合成有
機重合体から形成される特許請求の範囲第8項に記載の
接着剤。 12、中空微小球がアルカリ金属シリケート及びアンモ
ニウムペンタボレート、ナトリウムペンタボレート、及
びナトリウムヘキサメタホスフェートからなる群から選
ばれるポリサルトの均一溶液から形成される特許請求の
範囲第8項に記載の接着剤。 13、(a)平均径が1〜500マイクロメータである
中空微小球をエポキシ接着剤の樹脂部分と混合し、 (b)エポキシ接着剤の硬化剤の十分量を段階(a)の
混合物と混合し、4〜6時間の硬化時間を与え、 (c)混合した接着剤系をグラファイトビーム及び/又
はシリコンインゴット上に広げ、 (d)上記グラファイトのビーム及びシリコンインゴッ
トをお互いに接する状態にし、 (e)接着剤を4〜6時間硬化させることからなるシリ
コンインゴットをグラファイト切断ビームに結合する方
法。 14、中空微小球がシリケートガラス溶融物又は合成有
機重合体から形成される特許請求の範囲第13項に記載
の方法。 15、中空微小球がアルカリ金属シリケート及びアンモ
ニウムペンタボレート、ナトリウムペンタボレート、及
びナトリウムヘキサメタホスフェートからなる群から選
ばれるポリサルトの均一溶液から形成される特許請求の
範囲第13項に記載の方法。
[Scope of Claims] 1. 65% to 98% (w/w) adhesive resin; and 2.
% to 35% (w/w) hollow microspheres. 2. The adhesive according to claim 1, wherein the hollow microspheres have an average diameter of 1 to 500 micrometers. 3. An adhesive according to claim 1, wherein the hollow microspheres are formed from a silicate glass melt or a synthetic organic polymer. 4. The adhesive of claim 1, wherein the hollow microspheres are formed from a homogeneous solution of an alkali metal silicate and a polysalt selected from the group consisting of ammonium pentaborate, sodium pentaborate, and sodium hexametaphosphate. 5. An adhesive according to claim 2, wherein the hollow microspheres are formed from a silicate glass melt or a synthetic organic polymer. 6. The adhesive of claim 2, wherein the hollow microspheres are formed from a homogeneous solution of an alkali metal silicate and a polysalt selected from the group consisting of ammonium pentaborate, sodium pentaborate, and sodium hexametaphosphate. 7. 65% to 98% (w/w) epoxy resin and 2
An adhesive according to claim 1 for use in bonding a silicon ingot containing % to 35% (w/w) hollow microspheres to a slicing beam. 8. The adhesive according to claim 7, wherein the hollow microspheres have an average diameter of 1 to 500 micrometers. 9. An adhesive according to claim 7, wherein the hollow microspheres are formed from a silicate glass melt or a synthetic organic polymer. 10. The adhesive of claim 7, wherein the hollow microspheres are formed from a homogeneous solution of an alkali metal silicate and a polysalt selected from the group consisting of ammonium pentaborate, sodium pentaborate, and sodium hexametaphosphate. 11. An adhesive according to claim 8, wherein the hollow microspheres are formed from a silicate glass melt or a synthetic organic polymer. 12. The adhesive of claim 8, wherein the hollow microspheres are formed from a homogeneous solution of an alkali metal silicate and a polysalt selected from the group consisting of ammonium pentaborate, sodium pentaborate, and sodium hexametaphosphate. 13. (a) mixing hollow microspheres with an average diameter of 1 to 500 micrometers with the resin portion of the epoxy adhesive; (b) mixing a sufficient amount of the hardener of the epoxy adhesive with the mixture of step (a); (c) spreading the mixed adhesive system over the graphite beam and/or silicon ingot; (d) bringing the graphite beam and silicon ingot into contact with each other; e) A method of bonding silicon ingots to graphite cutting beams consisting of curing the adhesive for 4-6 hours. 14. The method of claim 13, wherein the hollow microspheres are formed from silicate glass melts or synthetic organic polymers. 15. The method of claim 13, wherein the hollow microspheres are formed from a homogeneous solution of an alkali metal silicate and a polysalt selected from the group consisting of ammonium pentaborate, sodium pentaborate, and sodium hexametaphosphate.
JP27170085A 1984-12-06 1985-12-04 Modified adhesive Pending JPS61141780A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63277290A (en) * 1987-05-08 1988-11-15 Junkosha Co Ltd Adhesive of low dielectric constant
JP2014009354A (en) * 2012-07-03 2014-01-20 Panasonic Corp Thermosetting adhesive for fixing silicon ingot, method for fixing silicon ingot by using the same, and method for manufacturing silicon wafer

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