CS260265B1 - Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napStia - Google Patents
Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napStia Download PDFInfo
- Publication number
- CS260265B1 CS260265B1 CS861642A CS164286A CS260265B1 CS 260265 B1 CS260265 B1 CS 260265B1 CS 861642 A CS861642 A CS 861642A CS 164286 A CS164286 A CS 164286A CS 260265 B1 CS260265 B1 CS 260265B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- transistor
- controlled
- collector
- resistor
- emitter
- Prior art date
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
Riešenie spadá do oblasti ochrany tranzistorov,
najma pol'om riadených, proti zvýšeniu
napájacieho napatia. Riešenie pozoetáva
z troch odporov, bipolárneho tranzistora
a .potom riadeného tranzistora a jeho
podstatou je, že na zdroj napájacieho napatia
je připojený kolektor bipolárneho
tranzistora, ktorý je cez prvý odpor spojený
s jeho bázou. Táto je spojená s kolektorom
potom riadeného tranzistora, ktorého emitor
je spolu s emitorom bipolárneho tranzistora
spojený so žernou cez druhý odpor
a zároveň s kolektorom chráněného tranzistora.
Jeho emitor je spojený jednak s
hradlom potom riadeného tranzistora a jednak
cez zatažovací odpor so žernou. Hradlo
chráněného tranzistora je spojené s obvodom
ipre posuv jednosměrného napatia, ktorý
je spojený so zdrojom riadiaceho napatia.
Riešenie možno využit hlavně v prúdoivých
a napaťových zdrojoch, ako aj v integrovaných
obvodoch.
Description
Vynález sa týká ochranného obvodu pre zvýšenie maximálneho napájacieho napátia najmá potom riadených tranzistorov.
Doterajšie ochranné obvody využívajú sériové zapojenie tranzistorov, ktoré vyžaduje přesné nastavenie přechodových odporov a riadiacich napátí všetkých tranzistorov, pričom výstupný prúd takéhoto zapojenia je ovplyvnený použitou ochranou.
Uvedené nevýhody odstraňuje ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napátia najma potom riadeného tranzistora, pozostávajúce z troch odporov, bipolárneho tranzistora a potom riadeného tranzistora podta vynálezu, ktorého podstatou je, že na zdroj napájacieho napatia je připojený kolektor bipolárneho tranzistora typu NPN, ktorý je cez prvý odpor spojený s jeho bázou. Táto je spojená s kolektorom potom riadeného tranzistora s kanálom typu P, ktorého emitor je spojený jednak s emitorom bipolárneho tranzistora, jednak cez druhý odpor so zemou a jednak s kolektorom chráněného tranzistora. Jeho emitor íje spojený jednak s hradlom potom riadeiného tranzistora a jednak cez zaťažovací odpor so žernou. Hradlo chráněného tranzistora je spojené s obvodom pre posuv jednosměrného napátia, ktorý je spojený so zdrojom riadiaceho napatia. Doplňujúcim znakom vynálezu je, že bipolárny tranzistor je typu PNP a potom riadený tranzistor je s kanálom typu N.
Výhodou zapojenia podta vynálezu je, že ochranný obvod minimálně ovplyvňuje výstupný prúd zapojenia, nepotřebuje tak přesné nastavenie a umožňuje nastavit maximálně napatie UCe chráněného tranzistora na požadovaná hodnotu.
Na priloženom výkrese je znázorněný příklad zapojenia podta vynálezu, ktoré umožňuje dodávat do· záťaže požadovaný prúd s možnosťou vyšších napatí na záťaži.
Zapojenie podta vynálezu, ako je znázorněné na priloženom výkrese, pozostáva z chráněného· tranzistora 6 MOSFET s obohateným kanálom typu N, ktorého emitor je spojený cez zaťažovací odpor 7 so zemou, a ktorého kolektor je spojený s emitorom bipolárneho tranzistora 2 typu NPN, s emitorom potom riadeného tranzistora 3 s kanálom typu P a cez druhý odpor 4 so zemou. Prvý odpor 1 je připojený na bázu bipolárneho tranzistora 2 a spolu s jeho kolekto;rom na zdroj 9 napájacieho napatia: Kolektor potom riadeného tranzistora 3 je připojený na bázu bipolárneho tranzistora 2 a hradlo potom riadeného tranzistora 3 je připojené na emitor chráněného tranzistora 6. Zdroj 5 riadiaceho napátia Ur je připojený •cez obvod 8 pre posuv· jednosměrného napatia na hradlo chráněného tranzistora 8.
Funkcia zapojenia podta vynálezu je nasledovná. Pri nulovom vstupnom riadiacom napátí U, je obvodom 8 pre posuv jednosměrného napátia nastavené na hradle chráněného tranzistora 6 napatie, pri ktorom. tečie do záťaže cez kanál chráněného tranzistora 6 požadovaný prúd. Prúdy, ktoré tečú do záťaže cez hradlá tranzistorov 3 a 6 možu byť pri použití kvalitných MOSFET zanedbatelné. Pri zvýšení napátia UCE chráněného tranzistora 6 je potom riadený tranzistor 3 otváraný, čím sa zníži prúd tečúci do báze bipolárneho tranzistora 2, zvýši sa přechodový odpor RCE bipolárneho tranzistora 2 a tým nastáva na bipolárnom tranzistore 2 zvýšený úbytok napatia, v dósledku čoho UCE chráněného tranzistora 6 poklesne.
Pri kladnom vstupnom riadiacom napatí Ur je chráněný tranzistor 6 otváraný, ná•sledkom čoho tečie do záťaže vyšší prúd. Hodnoty odporov· 1 a 4 sú vybrané s ohladom na maximálně požadované napatie UCE chráněného tranzistora G. Pri použití symetrického· zapojenia možu byt riadené prúdy opačnej polarity. Bipolárny tranzistor 2 je vtedy typu PNP, polom riadený tranzistor 3 je s kanálom typu N a chráněný tranzistor 6 je s kanálom typu P. Spojením obidvoch zapojení může vzniknút obvod pre riadenie prúdu oboch polarit.
Zapojenie podta vynálezu možno využiť v prúdových a napáťových zdrojoch, ako aj v integrovaných obvodoch.
Claims (2)
1. Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napátia, najmá potom riadených tranzistorov, pozostávajúce z troch odporov, bipolárneho tranzistora a potom riadeného tranzistora, vyznačujúce sa tým, že na zdroj (9) napájacieho napátia je připojený kolektor bipolárneho tranzistora (2) typu NPN, ktorý je cez prvý odpor (lj spojený s jeho bázou, ktorá je spojená s kolektorom potom riadeného tranzistora (3) s kanálom typu P, ktorého emitor je spojený jednak s emitorom bipolárneho tranzistora (2), jednak cez druhý odpor (4) so zemou a jednak s kolektorom chráněného tranzistora (6), ktorého emitor je spojený jednak s hradlom potom riadeného'tranzistora (3) a jednak cez zaťažovací odpor (7j so zemou, pričom hradlo chráněného tranzistora 1(6) je spojené s obvodom (8j pre posuv jednosměrného napatia, ktorý je spojený so .zdrojom (5) riadiaceho napátia Ur.
2. Ochranný obvod podta bodu 1, vyznačujúce sa tým, že bipolárny tranzistor (2) je typu PNP a potom riadený tranzistor (3) je s kanálom typu N.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS861642A CS260265B1 (sk) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napStia |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS861642A CS260265B1 (sk) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napStia |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS164286A1 CS164286A1 (en) | 1988-05-16 |
CS260265B1 true CS260265B1 (sk) | 1988-12-15 |
Family
ID=5351281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS861642A CS260265B1 (sk) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napStia |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS260265B1 (sk) |
-
1986
- 1986-03-11 CS CS861642A patent/CS260265B1/sk unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS164286A1 (en) | 1988-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102478875A (zh) | 负荷驱动装置 | |
KR20120026517A (ko) | 광대역 반도체 파워 jfet용의 고온 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 집적회로 | |
US4740743A (en) | Switchable bipolar current source | |
TWI231093B (en) | One-way conduction device | |
US9118180B2 (en) | Input protection circuit | |
JP6119674B2 (ja) | 駆動回路及び半導体装置 | |
JPH04290965A (ja) | 電流検知回路 | |
SE455558B (sv) | Transistoriserad likriktarbryggkrets med stotstromsskydd | |
US4833344A (en) | Low voltage bias circuit | |
US4845391A (en) | Switching circuits performing thyristor and triac functions | |
US6975122B2 (en) | Protection of an A.C. switch | |
CS260265B1 (sk) | Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napStia | |
US4837458A (en) | Flip-flop circuit | |
US4004155A (en) | Bipolar regulated high voltage power supply | |
KR101569902B1 (ko) | 컨버터 | |
US4404477A (en) | Detection circuit and structure therefor | |
CN114326913B (zh) | 一种输入电压范围可选择性输出的电路 | |
US6320452B1 (en) | Floating power supply using dual npn transistor | |
US6842050B2 (en) | Current-mode circuit for implementing the minimum function | |
KR0137765B1 (ko) | 디지탈 아날로그 변환기를 갖는 전류분할회로 | |
US3708695A (en) | High speed switch with complementary outputs | |
JPH07105709B2 (ja) | 電圧変換回路 | |
JPH1141801A (ja) | 電圧クランプ回路 | |
SU746934A1 (ru) | Компенсированный ключ | |
SU1450098A1 (ru) | Входное устройство схемы сравнени токов |