CS260265B1 - Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napStia - Google Patents

Description

Riešenie spadá do oblasti ochrany tranzistorov, najma pol'om riadených, proti zvýšeniu napájacieho napatia. Riešenie pozostáva z troch odporov, bipolárneho tranzistora a .polom riadeného tranzistora a jeho podstatou je, že na zdroj napájacieho napatia je připojený kolektor bipolárneho tranzistora, ktorý je cez prvý odpor spojený s jeho bázou. Táto je spojená s kolektorom polom riadeného tranzistora, ktorého emitor je spolu s emitorom bipolárneho tranzistora spojený so žernou cez druhý odpor a zároveň s kolektorom chráněného tranzistora. Jeho emitor je spojený jednak s hradlom polom riadeného tranzistora a jednak cez zaťažovací odpor so žernou. Hradlo nhráneného tranzistora je spojené s obvodom pre posuv jednosměrného napStia, ktorý je spojený so zdrojom riadiaceho napatia. Riešenie možno využiť hlavně v prúdoivých a napaťových zdrojoch, ako aj v integrovaných obvodoch.

260265 2 Β 0,2 6 5

Vynález sa týká ochranného obvodu pre zvýšenie maximálneho napájacieho napátia najmá polom riadených tranzistorov.

Doterajšie ochranné obvody využívajú sériové zapojenie tranzistorov, ktoré vyžaduje přesné nastavenie přechodových odporov a riadiacich napátí všetkých tranzistorov, pričom výstupný prúd takéhoto zapojenia je ovplyvnený použitou ochranou.

Uvedené nevýhody odstraňuje ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napátia najma polom riadeného tranzistora, pozostávajúce z troch odporov, bipolárneho tranzistora a polom riadeného tranzistore podlá vynálezu, ktorého podstatou je, že na zdroj napájacieho napatia je připojený kolektor bipolárneho tranzistora typu NPN, ktorý je cez prvý odpor spojený s jeho bázou. Táto je spojená s kolektorom polom riadeného tranzistora s kanálom typu P, ktorého emitor je spojený jednak s emitorom bipolárneho tranzistora, jednak cez druhý odpor so zemou a jednak s kolektorom chráněného tranzistora. Jeho emitor ije spojený jednak s hradlom polom riadeiného tranzistora a jednak cez zaťažovací odpor so zemou. Hradlo chráněného tranzistora je spojené s obvodom pre posuv jednosměrného napátia, ktorý je spojený so zdrojom riadiaceho napatia. Doplňujúcim znakom vynálezu je, že bipolárny tranzistor je typu PNP a polom riadený tranzistor je s kanálom typu N. Výhodou zapojenia podlá vynálezu je, že ochranný obvod minimálně ovplyvňuje výstupný prúd zapojenia, nepotřebuje tak přesné nastavenie a umožňuje nastavit maximálně napatie UCe chráněného tranzistora na požadovanú hodnotu.

Na priloženom výkrese je znázorněný příklad zapojenia podlá vynálezu, ktoré umožňuje dodávat do· záťaže požadovaný prúd s možnosťou vyšších napatí na záťaži.

Zapojenie podlá vynálezu, ako je znázorněné na priloženom výkrese, pozostáva z chráněného· tranzistora 6 MOSFET s obohateným kanálom typu N, ktorého emitor je spojený cez zaťažovací odpor 7 so zemou, a ktorého kolektor je spojený s emitorom bipolárneho tranzistora 2 typu NPN, s emitorom polom riadeného tranzistora 3 s kanálom typu P a cez druhý odpor 4 so zemou. Prvý odpor 1 je připojený na bázu bipolárineho tranzistora 2 a spolu s jeho kolektorom na zdroj 9 napájacieho napátia: Kolektor polom riadeného tranzistora 3 je připojený na bázu bipolárneho tranzistora 2 a hradlo polom riadeného tranzistora 3 je připojené na emitor chráněného tranzistora 6. Zdroj 5 riadiaceho napátia Ur je připojený •cez obvod 8 pre posuv· jednosměrného napatia na hradlo chráněného tranzistora 8.

Funkcia zapojenia podlá vynálezu je nasledovná. Pri nulovom vstupnom riadiacom napátí U, je obvodom 8 pre posuv jednosměrného napátia nastavené na hradle chráněného tranzistora 6 napátie, pri ktorom tečie do záťaže cez kanál chráněného tranzistora 6 požadovaný prúd. Prúdy, ktoré tečú do záťaže cez hradlá tranzistorov 3 a 6 možu byť pri použití kvalitných MOSFET zanedbatelné. Pri zvýšení napátia UCE chráněného tranzistora 6 je polom riadený tranzistor 3 otváraný, čím sa zníži prúd tečúci do báze bipolárneho tranzistora 2, zvýši sa přechodový odpor RCE bipolárneho tranzistora 2 a tým nastáva na bipolárnom tranzistore 2 zvýšený úbytok napátia, v dósledku čoho UCE chráněného tranzistora 6 poklesne.

Pri kladnom vstupnom riadiacom napatí Ur je chráněný tranzistor 6 otváraný, následkom čoho tečie do záťaže vyšší prúd. Hodnoty odporov· 1 a 4 sú vybrané s ohl'adom na maximálně požadované napátie UCE chráněného tranzistora G. Pri použití symetrického· zapojenia možu byť riadené prúdy opačnej polarity. Bipolárny tranzistor 2 je vtedy typu PNP, polom riadený tranzistor 3 je s kanálom typu N a chráněný tranzistor 6 je s kanálom typu P. Spojením obidvoch zapojení može vzniknúť obvod pre riadenie prúdu oboch polarit.

Zapojenie podía vynálezu možno využiť v prúdových a napěťových zdrojoch, ako aj v integrovaných obvodoch.

Claims (2)

PREDMET

1. Ochranný obvod pre zvýšenie maximálneho napájacieho napátia, najmá polom riadených tranzistorov, pozostávajúce z troch odporov, bipolárneho tranzistora a polom riadeného tranzistora, vyznačujúce sa tým, že na zdroj (9) napájacieho napátia je připojený kolektor bipolárneho tranzistora (2) typu NPN, ktorý je cez prvý odpor (lj spojený s jeho bázou, ktorá je spojená s kolektorům polom riadeného tranzistora (3) s kanálom typu P, ktorého emitor je spojený jednak s emitorom bipolárneho tranzistora (2), jednak cez druhý odpor (4) so zemou a jednak s kolektorom chráněného tranzistora (6), ktorého emitor je spojený jednak s hradlom polom riadeného'tranzistora (3) •a jednak cez zaťažovací odpor (7) so zemou, pričom hradlo chráněného tranzistora 1(6) je spojené s obvodom (8) pre posuv jednosměrného napatia, ktorý je spojený so zdrojom (5) riadiaceho napátia Ur.

2. Ochranný obvod podía bodu 1, vyznačujúce sa tým, že bipolárny tranzistor (2) je typu PNP a polom riadený tranzistor (3) je s kanálom typu N. 1 list výkresov 260265