CS254170B1 - Justážny znak pre priamu elektrónovú litografiu - Google Patents

Description

Vynález sa týká justážnych znakov pre priamu elektronová litografiu. V procese priamej elekrónovej litografie je jedným z důležitých faktorov vplývajúcich na přesnost justáže a vzájomného súkrytovania jednotlivých technologických úrovní kvalita justážnych znakov. Pod kvalitou rozumieme rozměrová a tvarová přesnost danej konfigurácie štruktúr, nachádzajúcich sa v určených miestach a dobré detekovatetný signál získaný po prerastrovaní elektronového zvazku cez túto štruktúru. Doteraz sa na přípravu takýchto znakov používajú ťažkotavitefné kovy, například wolfrám, ktoré majú súčasne vysokú atómovú hmotnost a tým aj výrazné odlišný koeficient odrazu elektrónov od substrátu, obyčajne z křemíku, čo umožňuje získat kvalitný signál z takýchto značiek. Takýmito materiálmi sú tantal, wolfrám, platina, niob. Nevýhodou týchto materiálov, je, že pri ich depozícii či už pomocou elektronového odparovača alebo roznych druhov naprašovacích zariadení často dochádza k poškodeniu rezistovej vrstvy alebo substrátu či už stykom s plazmou, elektrónmi, alebo tepelnými efektami. Pri mnohých technologických postupech tvarovania mikroelektronických štruktúr nie je potřebné, aby justážne znaky holi z ťažkotavitelného kovu, ale stačí, aby materiál mal dostatočnú atómovú hmotnost.

Uvedené nedostatky v podstatnej miere odstraňuje justážny znak pre priamu elektronová litografiu podfa vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že justážny znak je zložený z adhéznej vrstvy chrómu alebo zliatiny chromniklu ti z funkčnej vrstvy antimonu. Justážny znak sa deponuje výhodné termickým odpařením vrstiev chrómu alebo chromniklu v tom istom vákuovom cykle. Hrúbka vrstvy chrómu alebo chrómniklu je 5 až 100 nm, hrúbka vrstvy antimónu je aspoň 300 nm. Výhody vynálezu spočívajú v tom, že ne-

Claims (3)

1. PREDMET

   1. Justážny znak pre priamu elektronová litografiu vytvořený na substráte, vyznačujúci sa tým, že je tvořený z adhéznej vrstvy chrómu aleba vrstvy zliatiny chromniklu a z funkčnej vrstvy antimonu.
2. 2. Justážny znak podta bodu 1 vyznaču- dochádza k poškodeniu rezistovej vrstvy ani substrátu a s výhodou možno na tvarovanie deponovaných vrstiev použit technológiu lift off. Termický odparovač použitý k depozícii vrstiev patří na rozdiel od elektronového odparovača alebo naprašovacieho zariadenia k základnému vybaveniu vákuových depozičných zariadení. Použitie antimonu tiež nachádza ťažko dostupné alebo strategicky důležité materiály, ako sú wolfrám, tantal, niob, zlato, platina. Přikladl Na křemíková podložku s nanesenou a vytvarovanou vrstvou polymetylmetakrylátu o hrúbke 1 mikrometer, sa termickým odpařením deponuje postupné 6 nm hrubá vrstva chrómniklu a v tom istom vákuovom cykle 30 nm hrubá vrstva antimonu. Potom sa rozpustí podložná vrstva polymetylmetakrylátu v acetone, čím sa dosiahne vytvarovanie deponovaných vrstiev do tvaru justážneho znaku. Pri rozpúšťaní vrstvy polymetylmetakrylátu možno použit ultrazvuk. Příklad 2 Na galiumarzenidovú podložku s nanesenou a vytvarovanou vrstvou polymetylmetakrylátu o hrúbke 1 mikrometer, sa termickým odpařením deponuje postupné 6 nm hrubá vrstva chrómu a v tom istom vákuovom cykle 500 nm hrubá vrstva antimonu. Potom sa rozpustí podložná vrstva polymetylmetakrylátu v acetone, čím sa dosiahne vytvarovanie deponovaných vrstiev do tvaru justážneho znaku. Pri rozpúšťaní vrstvy polymetylmetakrylátu možno použit ultrazvuk. Vynález může nájsť použitie vo vačšine moderných technologických procesoch výroby mikroelektronických obvodov velmi vetkej integrácie využívajúcich priamu elektronová litografiu. ynAlezu júci sa tým, že hrúbka vrstvy chrómu alebo zliatiny chrómniklu vytvořená termickým odpařením je 5 až 100 nm.
3. 3. Justážny znak podta bodu 1 vyznačujúci sa tým, že hrúbka vrstvy antimonu je aspoň 300 nm.