CS251148B1 - Způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů - Google Patents
Způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů Download PDFInfo
- Publication number
- CS251148B1 CS251148B1 CS998885A CS998885A CS251148B1 CS 251148 B1 CS251148 B1 CS 251148B1 CS 998885 A CS998885 A CS 998885A CS 998885 A CS998885 A CS 998885A CS 251148 B1 CS251148 B1 CS 251148B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- resonators
- temperature
- heat treatment
- microwave
- ferimagnetic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
Řešení se týká oboru monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů z železitoyttritého granátu dotovaného galiem, a/nebo indiem, a/nebo hliníkem a jejich kombinací, kulového tvaru o průměru 0,3 až 3,0 mm, předem mechanicky opracovaných broušením a leštěním a řeší problém jejich tepelného zpracování. Podstata vynálezu spočívá v tom, že vybroušené a vyleštěné monokrystalické mikrovlnné feromagnetické rezonátory, uložené na platinové podložce, se zahřeji na vzduchu na teplotu v rozmezí 1 000 až 1 250 °C udržovanou po dobu 1 až 5 hodin, načež se řízenou rychlostí v rozmezí 50 až 500 °C za sekundu vybroušené a vyleštěné monokrystalické feromagnetické rezonátory ochladí na teplotu 100 až 250 °C vložením platinové podložky s rezonátory do měděného bloku o teplotě v rozmezí 20 až 200 °C.
Description
Vynález se týká způsobu tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů pro mikrovlnné aplikace především v mikrovlnných oscilátorech a v mikrovlnných filtrech.
Je známo, že monokrystalioké mikrovlnné ferimagnetické rezonátory tvoří základní prvky mikrovlnných součástek, jako jsou např. přeladitelné filtry, přeladitelné oscilá^· tory, omezovače výkonu apod. Připravují se nejčastěji z železitoyttritého granátu a to bud čistého, nedotovaného nebo dotovaného galiem, indiem, hliníkem, případně jejich kombinací. Rezonátory mají obvykle kulový tvar, který se získá mechanickým a chemickým opracováním.
Na jakost monokrystalických mikrovlnných rezonátorů mají největší vliv homogenita výchozího monokrystaliokého materiálu a kvalita opracovaného povrchu. Je známo, že u vypěsto váných monokrystalů se dotující příměsi a ionty olova z pěstovací taveniny do obsahu jednoho hmotnostního procenta usazuji hlavně v blízkosti poruchových center krystalické mřížky.
Tento jev má nepříznivý vliv na šíři rezonanční linie a na zvýšení magnetokrystalické anizotropie, a nelze jej při pěstovacím procesu odstranit. V literatuře je popsáno tepelné zpracováni rezonátorů, které by mělo zlepšit homogenitu monokrystaliokého materiálu, snížit počet poruchových center krystalové mřížky a odpařit část těkavých nečistot. Toto tepelné zpracování se provádí obvykle tak, že monokrystalioké rezonátory jsou zahřívány na teplotu 800 až 1 250 °C a po výdrži 5 až 10 hodin jsou pomalu rovnoměrně ochlazovány na teplotu 20 až 25 °C. Nedostatkem tohoto způsobu je skutečnost, že se dosáhne jen malého zlepšeni mikrovlnných vlastností rezonátorů, přičemž hodnota šíře rezonanční linie se sníží jen o 3 až 5 S, a hodnota efektivního pole magnetokrystalické anizotropie se nezmění vůbec.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů podle vynálezu, zhotovených z železitoyttritého granátu nebo železitoyttritého granátu dotovaného galiem, a/nebo indiem, a/nebo hliníkem a jejich kombinací, kulového tvaru o průměru 0,3 až 3,0 mm, předem mechanicky opracovaných broušením a leštěním. Podstata vynálezu spočívá v tom, že vybroušené a vyleštěné monokrystalioké ferimagnetické rezonátory se na platinové podložce zahřejí na vzduchu na teplotu v rozmezí 1 000 až 1 250 °C udržovanou po dobu 1 až 5 hodin, načež se řízenou rychlosti v rozmězí 50 až 500 °C za sekundu vybroušené a vyleštěné monokrystalioké mikrovlnné ferimagnetické rezonátory Ochladí na teplotu 100 až 250 °C vložením platinové podložky s rezonátory do měděného bloku o teplotě v rozmezí 20 až 200 °C.
Výhody řešeni podle vynálezu spočívají v tom, že tepelným zpracováním se zlepší homogenita monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů a tím se dosáhne výrazného snížení hodnoty šíře rezonanční linie o 30 až 40 S. Dále se dosáhne snížení hodnoty efektivního pole magnetokrystalické anizotropie o 10 až 30 S, Tím se podstatně zvýší kvalita rezonátů z hlediska mikrovlnných ztrát, jakož i jejich teplotní stabilita. V důsledku snížení hodnoty šíře rezonanční linie může odpadnout dosud nutné chemické opracování rezonátorů. Kromě toho u takto tepelně zpracovaných rezonátorů se v důsledku snížení hodnoty efektivního pole magnetokrystalické anizotropie sníží hodnota mezního kmitočtu, což spolu se zdokonalenou homogenitou monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů má za následek snížení počtu parazitních rezonancí.
Způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů podle vynáelzu bude následovně blíže popsán ve dvou příkladových provedeních:
Příklad 1
Rezonátor z nedotovaného železitoyttritého granátu o průměru 0,55 mm se na platinové podložce zahřeje v crusilitové peci na vzduchu na teplotu 1 200 °C. Další řízení teplotního průběhu probíhá tak, že po udrženi na této teplotě po dobu 1,5 hodin se platinová podložka s rezonátorem vloží do měděného bloku předehřátého na teplotu 25 °C. Následné ochlazeni probíhá při uvedeném průměru rezonátoru a uvedené teplotě předehřátého měděného bloku počáteční rychlostí 500 °C/s, kterážto rychlost ochlazování se sníží během tří sekund na 150 °C/s.
Při teplotě 150 °C se platinová podložka s rezonátoerm vyjme z měděného bloku a ochladí samovolně na vzduchu až na teplotu 25 °C, čímž je způsob tepelného zpracování rezonátoru ukončen. Před tepelným zpracováním byla hodnota šíře rezonanční linie rezonátoru 0.61 A/cm a hodnota efektivního pole magnetokrystalické anizotropie -34.0 A/cm. Po tepelném zpracování způsobem podle vynálezu bylo dosaženo hodnoty šíře rezonanční linie 0,37 A/cm a efektivního pole magnetokrystalické anizotropie -30,3 A/cm.
Příklad 2
Rezonátor z železitoyttritého granátu dotovaného galiem, o průměru 2,1 mm se na platinové podložce zahřeje na teplotu 1 230 °C na vzduchu v crusilitové peci. Další řízení teplotního průběhu probíhá tak, že po udržení na této teplotě po dobu 3 hodin se platinová podložka s rezonátorem vloží do měděného bloku předehřátého na teplotu 130 °C. Následné ochlazení probíhá při uvedeném průměru rezonátoru a uvedené teplotě předehřátého měděného bloku počáteční rychlostí 350 °C/s, kterážto rychlost se postupně během pěti sekund sníží na 50 °C/s. Při teplotě 200 °C se platinová podložka s rezonátorem vyjme z měděného bloku a ochladí samovolně na vzduchu na teplotu 25 °C, čímž je způsob tepelného zpracování ukončen. Před tepelným zpracováním byla hodnota šíře rezonanční linie rezonátoru 1,45 A/cm a hodnota efektivního pole magnetokrystalické anizotropie -44,2 A/cm. Po tepelném zpracování způsobem podle vynálezu bylo dosaženo hodnoty šíře rezonanční linie rezonátoru 0,94 A/cm a efektivního pole magnetokrystalické anizotropie -33,1 A/cm.
Uvedené pracovní postupy probíhají v obou případech na vzduchu.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů z železitoyttritého granátu nebo Železitoyttritého granátu dotovaného galiem, a/nebo indiem, a/nebo hliníkem a jejich kombinací, kulového tvaru o průměru 0,3 až 3,0 mm, předem mechanicky opracovaných broušením a leštěním, vyznačený tím, že vybroušené a vyleštěné monokrystalické ferimagnetické rezonátory se na platinové podložce zahřejí na vzduchu na teplotu v rozmezí 1 000 až 1 250 °C udržovanou po dobu 1 až 5 hodin, načež se řízenou rychlostí v rozmezí 50 až 500 °C za sekundu vybroušené a vyleštěné monokrystalické ferimagnetické rezonátory ochladí na teplotu 100 až 250 °C vložením platinové podložky s rezonátory bloku o teplotě v rozmezí 20 až 200 °C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS998885A CS251148B1 (cs) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS998885A CS251148B1 (cs) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS251148B1 true CS251148B1 (cs) | 1987-06-11 |
Family
ID=5447464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS998885A CS251148B1 (cs) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS251148B1 (cs) |
-
1985
- 1985-12-28 CS CS998885A patent/CS251148B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002293693A (ja) | テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶及びその製造方法 | |
| JPWO2002022920A1 (ja) | 希土類−鉄ガーネット単結晶体及びその製造方法 | |
| JPWO2002022920A6 (ja) | 希土類−鉄ガーネット単結晶体及びその製造方法並びに希土類−鉄ガーネット単結晶体を用いたデバイス | |
| CN110284193B (zh) | 一种tgg晶体生长方法及tgg晶体 | |
| CS251148B1 (cs) | Způsob tepelného zpracování monokrystalických mikrovlnných ferimagnetických rezonátorů | |
| JPS6445126A (en) | Manufacture of gaas compound semiconductor substrate | |
| US4929564A (en) | Method for producing compound semiconductor single crystals and method for producing compound semiconductor devices | |
| US3441385A (en) | Reducing dislocation defects of silicon semiconductor monocrystals by heat treatment | |
| JP2904668B2 (ja) | 静磁波素子用ガーネット磁性酸化物単結晶とその製造方法および静磁波素子 | |
| JPH08165197A (ja) | ガーネット磁性酸化物単結晶及び静磁波素子の製造方法 | |
| Stearns et al. | Liquid phase epitaxy of hexagonal ferrites | |
| JPH08290998A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶 | |
| CN113463196B (zh) | 液相外延法制备的超厚石榴石单晶膜及其制备方法 | |
| Uecker et al. | The problem of twinning in NdGaO3 Czochralski crystals | |
| CN115094511B (zh) | 一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法 | |
| JPS55110764A (en) | Method of thermal treatment for amorphous alloy | |
| JP3490143B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶 | |
| JP6822109B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜とその製造方法、及び光アイソレータ | |
| CN114686983B (zh) | 一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法 | |
| SU396742A1 (cs) | ||
| Yushchuk et al. | Growing of thick single-crystalline La-substituted yttrium-iron garnet films with reproducible parameters | |
| JP2756273B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 | |
| CN119082871A (zh) | 一种单晶厚膜异质外延生长的方法 | |
| CN119332344A (zh) | 一种应用于s波段宽带滤波器的大线宽石榴石铁氧体单晶材料的生长方法 | |
| CN116981333A (zh) | 一种pin-pmn-pt单晶及其退火高温极化方法和应用 |