CS244796B1 - Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů - Google Patents

Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů Download PDF

Info

Publication number
CS244796B1
CS244796B1 CS851675A CS167585A CS244796B1 CS 244796 B1 CS244796 B1 CS 244796B1 CS 851675 A CS851675 A CS 851675A CS 167585 A CS167585 A CS 167585A CS 244796 B1 CS244796 B1 CS 244796B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
single crystal
temperature
components
sintering
growing
Prior art date
Application number
CS851675A
Other languages
English (en)
Other versions
CS167585A1 (en
Inventor
Bohumil Perener
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Zdenek Hendrich
Original Assignee
Bohumil Perener
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Zdenek Hendrich
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bohumil Perener, Jiri Kvapil, Josef Kvapil, Zdenek Hendrich filed Critical Bohumil Perener
Priority to CS851675A priority Critical patent/CS244796B1/cs
Publication of CS167585A1 publication Critical patent/CS167585A1/cs
Publication of CS244796B1 publication Critical patent/CS244796B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů dvou nebo vícesložkových oxidických materiálů jako je yttritohlinitý granát nebo perovskit a to s dotacemi dalších příměsných prvků nebo bez nich, snižující korozi pěstovacího kelímku, energetickou náročnost pro protavování taveniny, zlepšení pěstovacích podmínek i jakosti pěstovaných monokrystalů, čehož se dosahuje tím, že se nejprve připraví homogenní směs příslušných práškovitých komponent v reaktivní formě s měrnými povrchy jednotlivých komponent v rozmezí 5 až 100 m"/g a poté se podrobí sintraci v prášku za teploty 1000 až 1500 °c na vzduchu po dobu, kdy zreaguje 10 až 50 % komponent mezi sebou na sloučeninu, jejíž monokrystal bude pěstován, s následujícím slisováním do výlisků tlakem 40 až 200 MPa, nebo stejnému postupu v obráceném pořadí operací , a poté se podrobí druhé sintraci při teplotě o 5 až 20 % nižší než je teplota tání dané sloučeniny s to v atmosféře, odpovídající atmosféře, jaká bude při pěstování monokrystalu v pěstovací peci, po dobu, kdy zreagují zbylé komponentv z 80 až 100 %.

Description

Vynález se týká způsobu úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů dvou nebo vícesložkových? ^materiálů jako jsou například yttritohlinitý granát nebo perovskit.
Při pěstování monokrystalů oxidických materiálů z dvou nebo vícesložkových tavenin jako je například yttritohlinitý granát nebo peřovskit, roztavených v kelímku z kovových materiálů například wolframu, molybdenu, iridia nebo platiny, se při přípravě taveniny běžně postupuje tak, že se práškovité jednotlivé komponenty vylisují na teblety nebo jiné výlisky, každá zvlášť, dále zhutní sintrací a po navážení v požadovaném poměru se výlisky smíchají přímo v kelímku, kde po zahřátí na potřebnou teplotu dojde k postupnému roztavení a vzájemnému rozpouštění, přičemž komponenty s nejvyššími teplotami tání se rozpouštějí v tavenině nejdéle. Je pravidlem, že jednotlivé komponenty mají teploty tání podstatně vyšší než jejich směsi. Například axid yttritý Υ2θ3 má teplotu tání 2400 °C, oxid hlinitý Al^O^ má teplotu tání 2050 °C, ale sloučenina aluminátu yttria YAIO^ připravená ze směsi v molárníra poměru 1 : 1 má teplotu tání jen 1875 °C. Pokud je v kelímku zbytek taveniny po předchozím pěstování, dochází k postupnému rozpouštění jednotlivých komponent v tavenině. Aby doba rozpouštění byla přijatelná, je nutno zvýšit teplotu taveniny obvykle o 100 až 150 °C nad její teplotu tání, čímž se zvyšu244 798
suje korose kelímku se všemi dále popsanými důsledky, nehledě na zvýšenou energetickou náročnost. Některá komponenty, zejména oxidy různých dotujících příměsí, jako je například oxid chromitý, čeřitý, neodymitý, ale i oxid yttritý v důsledku vyššího přehřátí, mají zvýšenou tendenci se rozkládat za uvolňování kyslíku, který napadá kelímek a způsobuje jeho zvýšenou korosi a přenos koloidnách částic kovu do taveniny, čímž se současně zhoršují její vlastnosti, zejména se zvýší absorpce záření stěn kelímku, které je základem přenosu tepla do- taveniny. Takto se zvyšuje gradient teploty v tavenině a dochází k jejímu nadměrnému přehřívání ve vrstvě u stěn kelímku a tím k jejímu rozkladu a také zvýšenému proudění v důsledku větších gradientů teploty. Proudění má za následek fluktuace teploty v tavenině a tím zase zhoršování optické jakosti monokrystalu.
Uvedené nedostatky lze odstranit způsobem úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů dvou nebo víceslož kových oxidických materiálů, jako je yttritohlinitý granát nebo perovskit a to s datacemi dalších příměsných prvků nebo bez nich, podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se nejprve připraví homogenní směs příslušných práškovitýoh komponent v reaktivní formě 3 měrnými povrchy jednotlivých komponent v rozsáhu 5 až 100 m /g a poté se podrobí sintraci v prášku za teploty 1000 až 1500 °C na vzduchu po dobu, kdy zreaguje 10 až 50 % komponent mezi sebou na sloučeninu jejíž monokrystal bude pěstován s následným slisováním do výlisků tlakem 40 až 200 MPa, nebo stejnému postupu v obráceném pořadí operací a poté se podrobí druhé sintraci při teplotě o 5 až 20 % nižší než je teplota tání dané sloučeniny a to v atmosféře odpovídající atmosféře, jaká bude při pěstování monokrystalu v pěstovací peci po dobu, kdy zreagují zbylé komponenty z 80 až 100
- 3 244 79β
Postup operací ge určí podle povahy jednotlivých směsí, zejména z hlediska dobré lisovatelnosti, aby výlisky byly co nejkompaktnější. V této fázi dojde reakcemi v pevném stavu k částečnému vzniku požadované sloučeniny a zreaguje obvykle 10 až 50 % komponent, což lze stanovit rentgenograficky. Potom se provede další sintrace a to v atmosféře odpovídající té, která bude při pěstování monokrystalu, aby se surovina upravila do potřebného redukovaného nebo oxidovaného stavu. Atmosféra, v níž se provede druhá sintrace, nemusí být zcela totožná té, v níž se bude monokrystal pěstovat, musí vÁa.k odpovídat možnému rozsahu v jejím složení, vhod ném pro pěstování. Tuto druhou sintraci je možno v řadě případů provádět přímo v pěstovacím kelímku před vlastním pěstováním. Při druhé sintraci dojde k zreagování 80 až 100 % komponent v pevném stavu a tím, žekomponenty zreagují v pevném stavu, vytvoří se požadovaná sloučenina o nižší teplotě tání, čímž se omezí jak teplota tak doba nutná k protavení při použití oddělených komponent a přirozeně se oraězí korose kelímku se všemi dalšími nepříznivými důsledky pro jakost a čistotu jak taveniny tak monokrystalu.
Příklad 1
Při přípravě monokrystalu yttritohlinitého granátu dotovaného ionty‘neodymu a ceru Hd,Ce:Yyll^O12 pro lasery bylo postupováno podle vynálezu a to tak, že výchozí práškovité suroviny, oxid neodyraitý, čeřitý, yttritý a hlinitý, vyžíhané na 700 až 900 °C měly měro né povrchy a to oxidy vzácných zemin 10 až 15 m/g, oxid hlinitý 70 m /g, byly naváženy do směsi složené z 54,03 hmot.% oxidu yttritého, 42,44 hraot.$ oxidu hlinitého, 3,42 hraot.% oxidu neodyraitého a 0,30 hmot& oxidu čeřitého. Směs byla dokonale zhomogenizována a vylisována do výlisků o průměru 35 mm a výšce 150 mm v isostatickém lisu tlakem 100 MPa. Výlisky byly podrobeny sintraci v superkantalové peci při teplotě
- 4 244 7M
1450 °C po dobu 12 hodin. Rentgenovou fázovou analýzou bylo zjištono, že směs zreagovala ze 40 % na granátovou fázi. Poté byla podrobena druhá sintraci při teplotě 1750 °C po dobu 1 hodiny v atmosféře složené z 70 obj .% argonu a 30 obj.% vodíku. Po ukončení sintrace bylo rentgenovou av.alýzou zjištěno, že surovina obsahuje již 80 % granátové fáze. Takto upravená suroví» na bylo po naplnění do molydbenového kelímku protavena během 2 hodin při teplotě 1980 °C v atmosféře, složené z 80 obj.% argonu a 20 obj.% vodíku.bez patrné korose pěetovacího kelímku. Z takto připravené taveniny byl vypěstován monokrystal s dokonalými optickými vlastnostmi a dobrou laserovou funkcí. Protavování suroviny při dosud běžném použití jednotlivých oddělených komponent trvalo nejméně 8 až 10 hodin při teplotě 2050 až 2080 °C.
Příklad 2
Při přípravě monokrystalu yttritohlinitého perovskitu aktivovaného ionty neodymu a chrómu Nd,Cr:YA10^ pro lasery, byly použity obdobné suroviny jako v příkla du 1, toliko místo oxidu čeřitého byl použit oxid chroo mitý, s měrným povrchem 55 mVg. Byla připravena práskovitá směs o složení 67,77 hmot.% oxidu yttritého, 30,95 hmot.% oxidu hlinitého, 1,18 hmot,% oxidu neodymitého a 0,10 hmot.% oxidu chromitého, která po zhomogenizování byla podrobena sintraci při 1350 °C po dobu 20 hodin? kdy zreagovalo 30 % na perovskitovou fázi.
Na to byla surovina slisována v isostatickém lisu tlakem 120 MPa na roubíky o průměru 45 mm a výšce 150 mm. Roubíky byly umístěny do molybdenového kelímku do pece pro pěstování monokrystalů a tam v atmosféře, složené z 33 obj.% vodíku a 67 obj.% argonu podrobeny druhé sintraci při teplotě 1800 °C pod dobu 1 hodiny, kdy v surovině bylo již 95 % perovskitové fáze. Dalším zvýšením teploty na 1910 °C byla běhen 2 hodin dokonale tavenina protavena a z ní vypěstován opticlqr jakostní monokrystal. Korose kelímku nebyla nikterak patrná.
Při běžném použití oddělených komponent trvalo protavení 12 hodin při teplotě 1980 až 2000 oc.

Claims (1)

  1. Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů dvou nebo vícesložkových oxidických materiálů, jako je yttritohlinitý granát nebo perovskit, vyznačený tím, že se nejprve připraví homogenní směs příslušných práškovitých komponent v reaktivní formě s měrnými povrchy jedo notlivých komponent v rozmezí 5 až 100 m /g a poté se podrobí sintraci v prášku za teploty 1000 až 1500 °C na vzduchu po dobu, kdy zreaguje 10 až 50 % komponent mezi sebou na sloučeninu, jejíž monokrystal bude pěstován a následným slisováním do výlisků tlakem 40 až 200 MPa, nebo stejnému postupu v obráceném pořadí oprací a poté se podrobí druhé sintraci při teplotě nižší o 5 až 20 % než je teplota tání dané sloučeniny a to v atmosféře odpovídající atmosféře, jaká bude při pěstování monokrystalu v pěstovací peci, po dobu, kdy zreagují zbylé komponenty z 80 až 100
CS851675A 1985-03-11 1985-03-11 Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů CS244796B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS851675A CS244796B1 (cs) 1985-03-11 1985-03-11 Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS851675A CS244796B1 (cs) 1985-03-11 1985-03-11 Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS167585A1 CS167585A1 (en) 1985-11-13
CS244796B1 true CS244796B1 (cs) 1986-08-14

Family

ID=5351713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS851675A CS244796B1 (cs) 1985-03-11 1985-03-11 Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS244796B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS167585A1 (en) 1985-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69213015T2 (de) Verfahren zur herstellung von einer kompositelektrode mit verbesserten hochtemperatureigenschaften für elektrochemische verfahren und verwendung der electrode
EP0343873B1 (en) Composition and method for producing boron carbide/titanium diboride composite ceramic powders using a boron carbide substrate
CN112875704B (zh) 一种难熔金属碳化物固溶体粉末的低温制备方法
US4491560A (en) Large crystal grains or single crystals of molybdenum and process for production thereof
JP2939535B2 (ja) 透明酸化イットリウム焼結体の製造法
US4830991A (en) Silicon nitride sintered bodies
JP3243278B2 (ja) 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックス
US4152280A (en) Molten salt synthesis of modified lead zirconate titanate solid solution powder
JPH03218963A (ja) 透明イットリウム―アルミニウム―ガーネット―セラミックスの製造方法
US5169832A (en) Synthesis of refractory metal boride powders of predetermined particle size
JP4251649B2 (ja) 透光性酸化ルテチウム焼結体及びその製造方法
US4704250A (en) Method for making boron carbide cermets
Mechnich et al. Reaction Sequence and Microstructrual Development of CeO2‐Doped Reaction‐Bonded Mullite
JPH05286762A (ja) 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法
JP3127015B2 (ja) 酸化物レーザ単結晶の製造方法
CS244796B1 (cs) Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů
JPH05301770A (ja) レーザ用多結晶透明セラミックス
JPH05294709A (ja) レーザ用多結晶透明セラミックス
JP2003342075A (ja) 熱収縮性セラミックスの合成方法
JPH0753258A (ja) 溶融ジルコニア耐火材料及びその製造方法並びに耐火材製品
CA2455428C (en) Production of cationically homogeneous refractory oxides of nanometer-scale particle size diameters at reduced temperatures
JPH05286761A (ja) 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法
JPH05294722A (ja) 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法
JP2984581B2 (ja) インジウム−スズ酸化物からなる部材およびその製造法
JPH0130766B2 (cs)