CS243318B1

CS243318B1 - Method of power semiconductor device's photolithographic mask production

Info

Publication number: CS243318B1
Application number: CS85665A
Authority: CS
Inventors: Josef Pich; Marie Ubikova; Pavel Pojman; Jaroslav Zamastil
Original assignee: Josef Pich; Marie Ubikova; Pavel Pojman; Jaroslav Zamastil
Priority date: 1985-01-31
Filing date: 1985-01-31
Publication date: 1986-06-12
Also published as: CS66585A1

Abstract

Účelem řešení je snížení pracnosti, zmetkovitosti a úspory zařízení při rozprostírání vrstvy fotoresistu na povrchu Si destičky. Uvedeného účelu se dosáhne použitím chemicky upraveného fotoresistu, který se po nanesení na Si destičku samovolně rozprostře po jejím povrchu a dále zpracuje obvyklým způsobem. Fotoresist je opatřen - přídavkem rozpouštědla fotoresistu a organické látky s nízkým povrchovým napětím.The solution is to reduce workload scrap and spreading equipment savings layers of photoresist on the surface Si plates. This purpose is achieved by use a chemically modified photoresist that does after application to the Si plate spreads spontaneously on its surface and further processes in the usual way. The photoresist has - by adding a photoresist and organic solvent substances with low surface tension.

Description

Vynález se týká způsobu výroby fotolitografioké masky výkonové polovodičové součástky.The present invention relates to a method for manufacturing a photolithographic mask of a power semiconductor component.

U výkonových polovodičových součástek stávajícího provedení se při celoplošném maskování fotolitografickou cestou nanese fotoresist na Si destičku a mechanicky se rozetře po celé její ploše. Pro vytvoření plošně členěných struktur se fotoresist nanese na Si destičku, po které se rozprostřě odstředěním.In power semiconductor devices of the present embodiment, a photoresist is applied to the Si plate in a full-area masking by photolithography and mechanically spread over its entire surface. To form surface-structured structures, the photoresist is applied to a Si plate, after which it is spread by centrifugation.

Nevýhodou této technologie je velká pracnost, náročnost na zrak a pečlivost pracovníků, vznik nerovnoměrné vrstvy fotoresistu při kolísání otáček odstředivky a možnost mechanického poškození Si destičky.The disadvantage of this technology is the high labor intensity, the demands on the eyesight and the care of the workers, the formation of an uneven layer of the photoresist when the centrifugal speed fluctuates and the possibility of mechanical damage to the Si plate.

Uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby fotolitografioké masky výkonové polovodičové součástky podle vynálezu, jehož podstatou je, že na upravený povrch Si destičky se nanese dávka chemicky upraveného fotoresistu. Po jeho samovolném rozprostření se vzniklá vrstva zpracuje obvyklým způsobem. Fotoresist je opatřen přídavkem rozpouštědla fotoresistu a organické látky s nízkým povrchovým napětím.The above disadvantages are overcome by the process for producing a photolithographic mask of a power semiconductor device according to the invention, which consists in applying a dose of a chemically modified photoresist to the treated surface of the Si plate. After its self-spreading, the resulting layer is processed in the usual manner. The photoresist is provided with the addition of a photoresist solvent and a low surface tension organic material.

Uvedeným způsobem výroby fotolitografioké masky výkonové polovodičové součástky pomocí chemicky upraveného fotoresistu je dosaženo snížení pracnosti, zmetkovitosti a úspory zařízení /odstředivka/.Said method of producing a photolithographic mask of a power semiconductor component by means of a chemically modified photoresist achieves a reduction in labor, scrap rate and equipment savings (centrifuge).

Příklad provedeníExemplary embodiment

Pro odleptání 20 řím N+emitorové vrstvy se Si destička o průměru 40 mm po oxidaci opatří vrstvou chemicky upraveného fotorezistoru ve složení fotorezist : xylen : n-heptan = »1:1:4.To etch the 20 Rome N + emitter layer, a 40 mm diameter Si plate is coated with a chemically modified photoresist consisting of photoresist: xylene: n-heptane = > 1: 1: 4 after oxidation.

Ručně pomocí kapátka se nakapou 4 kapky chemicky upraveného fotorezistu na Si destičku, po jejímž povrchu se chemicky upravený fotorezist samovolně rozprostře. Vzniklá vrstva se suší a dále zpracujg obvyklým způsobem.Using a dropper, manually apply 4 drops of chemically modified photoresist onto a Si plate, over which the chemically modified photoresist spreads spontaneously. The resulting layer was dried and further processed in the usual manner.

Přísadami organických látek s nízkým povrchovým napětím je dosaženo zředění fotorezistu, zvýšení jeho smáčivosti a zmenšení povrchového napětí vrstvy fotorezistu, což způsobuje žádané samovolné rozprostření vrstvy fotorezistu na povrchu Si destičky.Addition of low surface tension organic materials results in diluting the photoresist, increasing its wettability, and reducing the surface tension of the photoresist layer, causing the photoresist layer to spontaneously spread on the surface of the Si plate.

Způsob výroby podle vynálezu je vhodný pro všechny standardní výkonové polovodičové součástky, při jejichž výrobě se vyskytuje nejméně jedna operace maskování.The production method according to the invention is suitable for all standard power semiconductor components in which at least one masking operation occurs.

Claims

SUBJECT OF THE INVENTION

Process for producing a photolithographic mask of a power semiconductor component from a photoresist, characterized in that a dose of the photoresist chemically treated by the addition of a photoresist solvent and a low surface tension organic substance is applied to the treated Si plate surface and after self-spreading.