CS234678B1 - Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu - Google Patents
Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu Download PDFInfo
- Publication number
- CS234678B1 CS234678B1 CS936883A CS936883A CS234678B1 CS 234678 B1 CS234678 B1 CS 234678B1 CS 936883 A CS936883 A CS 936883A CS 936883 A CS936883 A CS 936883A CS 234678 B1 CS234678 B1 CS 234678B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cadmium
- analysis
- solution
- photoresistor
- concentration
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Způsob výroby naparovaného lineárního fotoodporu řeší problém strmosti a lineární charakteristiky fotoodporů. Podstata řešení spočívá v tom, že za účelem dosaženi vysoké linearity a strmosti odporové charakteristiky fotoodporu se ve vakuu na keramickou destičku vyhřátou na teplotu 250° až 350 °C napaří aktivní fotocitlivá vrstva sulfo selenidu kademnatého CdS Se, , kde x = 0,90 až 0,94 v množství"na jeden až dva gramy na jeden napařovací cyklus, načež se napařená vrstva za účelem aktivace opatří sypkým sirníkem kademnatým dotovaným aktivátory v množství 0,19 až 0,30 milimetru roztoku dusičnanu n stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 gramů na 1 mililitr, 1,60 až 2,10 mililitru roztoku chloridu měanatěho pro analýzu o koncentraci 20 miligramů na jeden mililitr, a 1,20 až 1,75 mililitru roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 miligramů na jeden mililitr na 1000 gramů sirníku kademnatého. Fotoodpory vyráběné uvedeným způsobem jsou výhodně použitelné pro různé účely v oboru optoelektroniky.
Description
Vynález ae týká způsobu výroby napařovaného lineárního fotoOporu se strmostí 1, s keramickou destičkou a aktivní vodivou vrstvou, jež je hermeticky zapouzdřena v průhledném pouzdru, určené/» pro optoelektronické účely.
Jsou známy fotoodpory, jejichž strmost leží přibližně v rozmezí 0,5 6*0,7 a hodnota odporu při 0,125 Lx se pohybuje v rozmezí 10 o*150 kft. Nevýhodou těchto fotoodporů je nízká strmost při značně nelineárním průběhu odporové charakteristiky, přičemž i náběhová strmost je nízká.
Dosavadní výroba uvedených fotoodporů je založena na použití sulfoselenidu kademnatého CdS Se-, , kde x « 0,45 , který se v požadovaném množství 4 6-^6 g na jeden cyklus nanáší napařováním na podkladovou keramickou destičku, přičemž napařená vrstva je aktivována kombinací aktivátorů. Tímto řešením se Však nedosahuje dostatečná strmost a dostatečně vysoká linearita, ani dostatečná rychlost náběhu strmosti.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporů se strmostí 1 s keramickou destičkou s aktivní vrstvou, jež se hermeticky zapouzdřuje v průhledném pouzdru, s použitím sulfoselenidu kademnatého a aktivačního prostředku vytvořeného z dusičnanu stříbrného, chloridu měctaatého, chloridu manganatého a sirnfku kademnatého. Podstata vynálezu spočívá v tom, že za účelem dosažení vysoké linearity a strmosti odporové charakteristiky fotoodporů se ve vakuu na keramickou destičku vyhřátou na teplotu 25O°«az 350° C napaří aktivní fotocitlivá vrstva sulfoselenidu kademnatého CdSxSe1<><x , kde x « 0,90 0,94 v množství
234 678 jeden až dva gramy na jeden napařovací cyklus, načež se napařená ; vrstva za účelem aktivace opatří sypkým sirníkem kademnatým dotovaným aktivátory v množství 0,19 a* 0,30 ml roztoku dusičnanu stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 mg/lml, l,60a/2,10 ml roztoku chlotidu měďnatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml, a 1,20 cu
1,75 ml roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml na 1000 g sirníku kademnatého.
Výhody způsobu výroby napařovaného fotoodporu spočívají v dosažení vysoké strmosti a linearity odporové charakteristiky, jakož i ve zvýšení rychlosti náběhu strmosti při zachování stability všech ostatních parametrů fotoodporu.
Způsob výroby napařovaného lieárního fotoodporu podle vynálezu bude následovně blíže popsán v příkladovém provedení.
Jako materiál pro napařování na podkladní vyčištěnou keramickou destičku se použije vysoce čistý sulfoselenid kademnatý, který i se připraví směsnou sublimaci v prostředí argonu. Pro napařování jednoho cyklu je stanovena potřeba jen 1í^&2 g sulfoselenidu kademnatého , kde x se rovná 0,90 až 0,94. Keramická destička na kterou se napařování provádí se vyhřeje na 25Ο°αχ 350° C a napařovéní začíná při dosažení vakua nejméně 2,66 .10 ? a v průběhu celého napařovacího procesu nesmí vakuum klesnout pod 1,33 - Pct. Po napaření vrstvy je prováděna její aktivizace sypkým sirníkem kademnatým dotovaným aktivátory v množství
0,19 ¢/0,30 ml roztoku dusičnanu stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 mg/ml,
1,60<jz 2,10 ml roztoku chloridu měSnatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml, a
1,20«/ 1,75 ml roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml na 1000 g sirníku kademnatého.
Aktivace napařené vrstvy se provádí tak, že na keramickou destičku se připraví vrstva výše uvedeného dotovaného sirníku kademnatého. Napařené destičky se naskládají napařenou vrstvou na připravený aktivační prášek. Provede se výpal v časovém rozmezí
234 678
- 3 30 až 50 minut při běžně známé aktivační teplotě 490%/ 570° C.
Po aktivaci se provede známým způsobem napaření indiových elektrod fotoodporu. Hustota meandru napařovacích masek je 7/8 a navážka india k napaření elektrodje 2,2 3,0 g india. Destička s napařeným elektrodovým systémem sé stabilizuje 20 az 80 minut při 150°ež 200°C a pak 10 až 20 hodin při 100° <2/140° C. Po následném měření se vyhovujcicí fotoodpory hermeticky zapouzdří v průhledném pouzdru. Po proměření izolačního odporu a stabilizaci v zatěžovací skříni 100<z/l80 ,mW na kus po dobu 3 a> 7 dnů a 15ti až 20ti dnech volného stárnutí se provede konečné měření a výběr fotoodporů.
Claims (1)
- Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu se strmostí 1 s keramickou destičkou a aktivní vodivou vrstvou, jež se hermeticky zapouzdřuje v průhledném pouzdru, s použitím sulfoselenídu kademnatého a aktivačního prostředku vytvořeného z dusičnanu stříbrného, chloridu měSnatého, chloridu manganatého a sirníku kademnatého, vyznačený tím, že za účelem dosažení vysoké strmosti a linearity odporové charakteristiky fotoodporu se ve vakuu na keramickou destičku vyhřátou na teplotu v rozsahu 25O°a^ 350° C napaří aktivní fotocitlivá vrstva sulfoselenídu kademnatého CdS„Sen , kdeJL JL JL x = .0,90^3 0,94 v množství lae 2 g na jeden napařovací cyklus, načež se nagařei>á vrstva za účelem aktivace opatří sypkým sirníkem kademnatýní) aktivátory v množství0,190,30 ml roztoku dusičnanu stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 mg/ml,1,60 <2*2,10 ml roztoku chloridu měcínatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml, a l,20a^l,75 ml roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml na 1000 g sirníku kademnatého·
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS936883A CS234678B1 (cs) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS936883A CS234678B1 (cs) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS234678B1 true CS234678B1 (cs) | 1985-04-16 |
Family
ID=5444232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS936883A CS234678B1 (cs) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS234678B1 (cs) |
-
1983
- 1983-12-13 CS CS936883A patent/CS234678B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yuan et al. | Approximately 800-nm-thick pinhole-free perovskite films via facile solvent retarding process for efficient planar solar cells | |
| FI812762L (fi) | Extrahering av saccaros fraon en sockerblandning | |
| Hou et al. | Efficient and stable perovskite solar cell achieved with bifunctional interfacial layers | |
| CS234678B1 (cs) | Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu | |
| DE1619977C3 (de) | Zweifach dotiertes Galliumarsenid | |
| JPS5749263A (en) | Manufacture of close contact type image sensor | |
| US2997409A (en) | Method of production of lead selenide photodetector cells | |
| US3208022A (en) | High performance photoresistor | |
| US3391021A (en) | Method of improving the photoconducting characteristics of layers of photoconductive material | |
| JPS6047752B2 (ja) | 擦像管タ−ゲット | |
| JPS629235B2 (cs) | ||
| JPS5934672A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| JPH0560675B2 (cs) | ||
| DE2254044C2 (de) | Elektrolumineszente Anzeigevorrichtung | |
| SU1188615A1 (ru) | Способ изготовлени датчика влажности | |
| JPH0133955B2 (cs) | ||
| JPS5713756A (en) | Electrode for semiconductor device | |
| JPH0510833B2 (cs) | ||
| JPH0476223B2 (cs) | ||
| JPS6050075B2 (ja) | 光導電性膜の活性化方法 | |
| JPH0510832B2 (cs) | ||
| JPS60142579A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| EP4548725A1 (de) | Organisches elektronisches bauelement mit einer akzeptorschicht und einer daran angeordneten kaskade aus mindestens zwei in direktem kontakt aufeinanderfolgenden donorschichten | |
| SU1195814A1 (ru) | Способ получения инжекционных слоев | |
| JPS5492598A (en) | Production of cdse film |