CS234678B1 - Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu - Google Patents

Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu Download PDF

Info

Publication number
CS234678B1
CS234678B1 CS936883A CS936883A CS234678B1 CS 234678 B1 CS234678 B1 CS 234678B1 CS 936883 A CS936883 A CS 936883A CS 936883 A CS936883 A CS 936883A CS 234678 B1 CS234678 B1 CS 234678B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
cadmium
analysis
solution
photoresistor
concentration
Prior art date
Application number
CS936883A
Other languages
English (en)
Inventor
Alois Kolar
Jan Kalous
Original Assignee
Alois Kolar
Jan Kalous
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alois Kolar, Jan Kalous filed Critical Alois Kolar
Priority to CS936883A priority Critical patent/CS234678B1/cs
Publication of CS234678B1 publication Critical patent/CS234678B1/cs

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

Způsob výroby naparovaného lineárního fotoodporu řeší problém strmosti a lineární charakteristiky fotoodporů. Podstata řešení spočívá v tom, že za účelem dosaženi vysoké linearity a strmosti odporové charakteristiky fotoodporu se ve vakuu na keramickou destičku vyhřátou na teplotu 250° až 350 °C napaří aktivní fotocitlivá vrstva sulfo selenidu kademnatého CdS Se, , kde x = 0,90 až 0,94 v množství"na jeden až dva gramy na jeden napařovací cyklus, načež se napařená vrstva za účelem aktivace opatří sypkým sirníkem kademnatým dotovaným aktivátory v množství 0,19 až 0,30 milimetru roztoku dusičnanu n stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 gramů na 1 mililitr, 1,60 až 2,10 mililitru roztoku chloridu měanatěho pro analýzu o koncentraci 20 miligramů na jeden mililitr, a 1,20 až 1,75 mililitru roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 miligramů na jeden mililitr na 1000 gramů sirníku kademnatého. Fotoodpory vyráběné uvedeným způsobem jsou výhodně použitelné pro různé účely v oboru optoelektroniky.

Description

Vynález ae týká způsobu výroby napařovaného lineárního fotoOporu se strmostí 1, s keramickou destičkou a aktivní vodivou vrstvou, jež je hermeticky zapouzdřena v průhledném pouzdru, určené/» pro optoelektronické účely.
Jsou známy fotoodpory, jejichž strmost leží přibližně v rozmezí 0,5 6*0,7 a hodnota odporu při 0,125 Lx se pohybuje v rozmezí 10 o*150 kft. Nevýhodou těchto fotoodporů je nízká strmost při značně nelineárním průběhu odporové charakteristiky, přičemž i náběhová strmost je nízká.
Dosavadní výroba uvedených fotoodporů je založena na použití sulfoselenidu kademnatého CdS Se-, , kde x « 0,45 , který se v požadovaném množství 4 6-^6 g na jeden cyklus nanáší napařováním na podkladovou keramickou destičku, přičemž napařená vrstva je aktivována kombinací aktivátorů. Tímto řešením se Však nedosahuje dostatečná strmost a dostatečně vysoká linearita, ani dostatečná rychlost náběhu strmosti.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporů se strmostí 1 s keramickou destičkou s aktivní vrstvou, jež se hermeticky zapouzdřuje v průhledném pouzdru, s použitím sulfoselenidu kademnatého a aktivačního prostředku vytvořeného z dusičnanu stříbrného, chloridu měctaatého, chloridu manganatého a sirnfku kademnatého. Podstata vynálezu spočívá v tom, že za účelem dosažení vysoké linearity a strmosti odporové charakteristiky fotoodporů se ve vakuu na keramickou destičku vyhřátou na teplotu 25O°«az 350° C napaří aktivní fotocitlivá vrstva sulfoselenidu kademnatého CdSxSe1<><x , kde x « 0,90 0,94 v množství
234 678 jeden až dva gramy na jeden napařovací cyklus, načež se napařená ; vrstva za účelem aktivace opatří sypkým sirníkem kademnatým dotovaným aktivátory v množství 0,19 a* 0,30 ml roztoku dusičnanu stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 mg/lml, l,60a/2,10 ml roztoku chlotidu měďnatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml, a 1,20 cu
1,75 ml roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml na 1000 g sirníku kademnatého.
Výhody způsobu výroby napařovaného fotoodporu spočívají v dosažení vysoké strmosti a linearity odporové charakteristiky, jakož i ve zvýšení rychlosti náběhu strmosti při zachování stability všech ostatních parametrů fotoodporu.
Způsob výroby napařovaného lieárního fotoodporu podle vynálezu bude následovně blíže popsán v příkladovém provedení.
Jako materiál pro napařování na podkladní vyčištěnou keramickou destičku se použije vysoce čistý sulfoselenid kademnatý, který i se připraví směsnou sublimaci v prostředí argonu. Pro napařování jednoho cyklu je stanovena potřeba jen 1í^&2 g sulfoselenidu kademnatého , kde x se rovná 0,90 až 0,94. Keramická destička na kterou se napařování provádí se vyhřeje na 25Ο°αχ 350° C a napařovéní začíná při dosažení vakua nejméně 2,66 .10 ? a v průběhu celého napařovacího procesu nesmí vakuum klesnout pod 1,33 - Pct. Po napaření vrstvy je prováděna její aktivizace sypkým sirníkem kademnatým dotovaným aktivátory v množství
0,19 ¢/0,30 ml roztoku dusičnanu stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 mg/ml,
1,60<jz 2,10 ml roztoku chloridu měSnatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml, a
1,20«/ 1,75 ml roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml na 1000 g sirníku kademnatého.
Aktivace napařené vrstvy se provádí tak, že na keramickou destičku se připraví vrstva výše uvedeného dotovaného sirníku kademnatého. Napařené destičky se naskládají napařenou vrstvou na připravený aktivační prášek. Provede se výpal v časovém rozmezí
234 678
- 3 30 až 50 minut při běžně známé aktivační teplotě 490%/ 570° C.
Po aktivaci se provede známým způsobem napaření indiových elektrod fotoodporu. Hustota meandru napařovacích masek je 7/8 a navážka india k napaření elektrodje 2,2 3,0 g india. Destička s napařeným elektrodovým systémem sé stabilizuje 20 az 80 minut při 150°ež 200°C a pak 10 až 20 hodin při 100° <2/140° C. Po následném měření se vyhovujcicí fotoodpory hermeticky zapouzdří v průhledném pouzdru. Po proměření izolačního odporu a stabilizaci v zatěžovací skříni 100<z/l80 ,mW na kus po dobu 3 a> 7 dnů a 15ti až 20ti dnech volného stárnutí se provede konečné měření a výběr fotoodporů.

Claims (1)

  1. Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu se strmostí 1 s keramickou destičkou a aktivní vodivou vrstvou, jež se hermeticky zapouzdřuje v průhledném pouzdru, s použitím sulfoselenídu kademnatého a aktivačního prostředku vytvořeného z dusičnanu stříbrného, chloridu měSnatého, chloridu manganatého a sirníku kademnatého, vyznačený tím, že za účelem dosažení vysoké strmosti a linearity odporové charakteristiky fotoodporu se ve vakuu na keramickou destičku vyhřátou na teplotu v rozsahu 25O°a^ 350° C napaří aktivní fotocitlivá vrstva sulfoselenídu kademnatého CdS„Sen , kde
    JL JL JL x = .0,90^3 0,94 v množství lae 2 g na jeden napařovací cyklus, načež se nagařei>á vrstva za účelem aktivace opatří sypkým sirníkem kademnatýní) aktivátory v množství
    0,190,30 ml roztoku dusičnanu stříbrného pro analýzu o koncentraci 10 mg/ml,
    1,60 <2*2,10 ml roztoku chloridu měcínatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml, a l,20a^l,75 ml roztoku chloridu manganatého pro analýzu o koncentraci 20 mg/ml na 1000 g sirníku kademnatého·
CS936883A 1983-12-13 1983-12-13 Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu CS234678B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS936883A CS234678B1 (cs) 1983-12-13 1983-12-13 Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS936883A CS234678B1 (cs) 1983-12-13 1983-12-13 Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS234678B1 true CS234678B1 (cs) 1985-04-16

Family

ID=5444232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS936883A CS234678B1 (cs) 1983-12-13 1983-12-13 Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS234678B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yuan et al. Approximately 800-nm-thick pinhole-free perovskite films via facile solvent retarding process for efficient planar solar cells
FI812762L (fi) Extrahering av saccaros fraon en sockerblandning
Hou et al. Efficient and stable perovskite solar cell achieved with bifunctional interfacial layers
CS234678B1 (cs) Způsob výroby napařovaného lineárního fotoodporu
DE1619977C3 (de) Zweifach dotiertes Galliumarsenid
JPS5749263A (en) Manufacture of close contact type image sensor
US2997409A (en) Method of production of lead selenide photodetector cells
US3208022A (en) High performance photoresistor
US3391021A (en) Method of improving the photoconducting characteristics of layers of photoconductive material
JPS6047752B2 (ja) 擦像管タ−ゲット
JPS629235B2 (cs)
JPS5934672A (ja) 光導電性薄膜の製造方法
JPH0560675B2 (cs)
DE2254044C2 (de) Elektrolumineszente Anzeigevorrichtung
SU1188615A1 (ru) Способ изготовлени датчика влажности
JPH0133955B2 (cs)
JPS5713756A (en) Electrode for semiconductor device
JPH0510833B2 (cs)
JPH0476223B2 (cs)
JPS6050075B2 (ja) 光導電性膜の活性化方法
JPH0510832B2 (cs)
JPS60142579A (ja) 光導電性薄膜の製造方法
EP4548725A1 (de) Organisches elektronisches bauelement mit einer akzeptorschicht und einer daran angeordneten kaskade aus mindestens zwei in direktem kontakt aufeinanderfolgenden donorschichten
SU1195814A1 (ru) Способ получения инжекционных слоев
JPS5492598A (en) Production of cdse film