CS232093B1 - Výkonová polovodičová součástka řízená světlem - Google Patents
Výkonová polovodičová součástka řízená světlem Download PDFInfo
- Publication number
- CS232093B1 CS232093B1 CS832223A CS222383A CS232093B1 CS 232093 B1 CS232093 B1 CS 232093B1 CS 832223 A CS832223 A CS 832223A CS 222383 A CS222383 A CS 222383A CS 232093 B1 CS232093 B1 CS 232093B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- contact
- compensating electrode
- region
- power semiconductor
- light
- Prior art date
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Vynález se týká výkonové polovodičové součástky řízené světlem, např. optotyristoru s kompenzující elektrodou, tvořenou kontaktovanou oblastí řídicí báze, přičemž kontakt řídicí báze kompenzující elektrody je galvanicky propojen s kontaktem fotocitlivé oblasti. Podstata vynálezu spočívá v tom, že kompenzující elektroda je umístěna mezi fotocitlivou 'oblastí a oblastí hlavního emitoru. Ve , fotocitlivé oblasti i v oblasti kompen- « zující elektrody je vytvořena zapuštěná emitorová vrstva a přes ni je provedeno galvanické propojení kontaktu fotocitlivé oblasti a kontaktu kompenzující elektrody.
Description
Autor vynálezu pína BOHUMIL ing., PRAHA,
HOMOLA JAROSLAV RNDr. CSc., KLADNO, MOLLER ILJA RNDr.,
HARTMAN JAN prom. fyz., PRAHA (54) Výkonová polovodičová součástka řízená světlem
232 093
Vynález se týká výkonové polovodičové součástky řízené světlem, např. optotyristoru s kompenzující elektrodou, tvořenou kontaktovanou oblastí řídicí báze, přičemž kontakt řídicí báze kompenzující elektrody je galvanicky propojen s kontaktem fotocitlivé oblasti. Podstata vynálezu spočívá v tom, že kompenzující elektroda je umístěna mezi fotocitlivou 'oblastí a oblastí hlavního emitoru. Ve , fotocitlivé oblasti i v oblasti kompen« zující elektrody je vytvořena zapuštěná emitorová vrstva a přes ni je provedeno galvanické propojení kontaktu fotocitlivé oblasti a kontaktu kompenzující elektrody.
Obr. 2
232 093
Vynález se týká výkonové polovodičové součástky řízené světlem, např. optotyristoru s kompenzující elektrodou, tvořenou kontaktovanou oblastí řídící báze. Kontakt řídící báze kompenzující elektrody je galvanicky propojen s kontaktem fotocitlivé oblasti, Optotyristory jsou vhodné zejména pro galvanické oddělení výkonových stupňů od řídících a umožňují zjednodušení řídících obvodů a podstatné snížení nebezpečí nežádoucího sepnutí rušivými signály. Základními parametry výkonových polovodičových součástek řízených světlem je fotocitlivost a její závislost na mezní hodnotě stiaosti nárůstu blokovacího napětí označované jako Stt0Iit<
Při překročení této kritické hodnoty dojde k sepnutí struktury posuvným proudem.
Dosud známé způsoby řešení konstrukce výkonových polovodičových součástek řízených světlem se zaměřily na zlepšení relace mezi fotocitlivostí a hodnotou SUCI?^^ optimalizací konstrukce fotocitlivé oblasti, zmenšením její plochy, zvýšením účinnosti a snížením ztrát v přenosové cestě řídícího světelného signálu. Dalším známým řešením je částečné nebo úplné odstranění vazby mezi fotocitlivostí a mezní hodnotou SUCJ?it kompenzováním účinků kapacitního proudu. Tato kompenzace se dosud realizovala takzvanou kompenzační elektrodou. Známé způsoby řešení využívají ke kompenzaci obvodových částí struktury, kde kapacitní a teplotně závislé svodové proudy se sčítají s povrchovými složkami proudů, které zesilují jejich účinek.
232 093
Nevýhodou stávajícího řešení kompenzace vlivu kapacitních a svodových proudů je nereprodukovatelnost povrchových složek proudů, které mají u výkonových součástek značný rozptyl a které v mezních pracovních podmínkách způsobují překročení potřebné úroviě kompenzace a z toho vyplývající podstatné zhoršení zapínacích a dynamických vlastností*
Uvedené nedostatky jsou odstraněny řešením výkonové polovodičové součástky řízené světlem podle vynálezu, jejíž podstata, spočívá v tom, že kompenzující elektroda je umístěna mezi fotocitlivou oblastí a oblastí hlavního emitoru.
Ve fotocitlivé oblasti i v oblasti kompenzující elektrody je vytvořena zapuštěná emitořová vrstva* Galvanické propojení kontaktu fotocitlivé oblasti a kontaktu kompenzující elektrody je provedeno přes zapuštěnou emitorovou vrstvu*
Pro některé aplikace je výhodné, že.kontakt kompenzující elektrody je vyveden z pouzdra součástky.
Výhody řešení výkonové polovodičové součástky řízené světlem podle vynálezu jsou přeyším v tom, že kompenzace vlivu kapacitních a svodových proudů není ovlivněna povrchovými složkami proudů, které jsou u výkonových součástek značně závislé na teplotě a technologii zpracování* Úroveň kompenzace lze s dostatečnou přesností a reprodukovatelnóstí zajistit pro celý rozsah í pracovních teplot a pracovních podmínek. Tím jsou podmínky spí- í nání a dynamické parametry nezávislé např* na současné hodnotě du/dt, na teplotě a na libovolném pracovním režimu.
Potřebná hodnota plošného odporu řídící báze v oblasti kompenzující elektrody, která určuje úroveň kompenzace, je dosažena sou-, časnou difúzí emitorové vrstvy do zahloubených oblastí kompenzující elektrody i fotocitlivé oblasti.
Výkonové součástky řízené světlem určené pro paralelní nebo sériové řazení potřebují různou úroveň kompenzace, kterou lze podle vynálezu řešit tím, že kontakt kompenzující elektrody je vyveden z pouzdra součástky*
Příklad řešení podle vynálezu je na přiloženém výkresu, kde je znázorněna struktura optotyristoru na obr, 3 v pohledu a na obr. 2 v řezu A - A.
232 093
Čtyřvrstvé struktura obsahuje katodovou emitorovou vrstvu 1 a následující vrstvu řídicí báze 2, vrstvu široké báze J a anodovou emitorovou vrstvu £. Mezi střední fotocitlivou oblastí £· a oblastí hlavního emitoru 6 jsou umístěny segmenty kompenzující elektrody 2» Kontakt kompenzující elektrody 8 je propojený s kontaktem fotocitlivé oblasti 2 přes zapuštěnou emitorovou vrstvu 10, Kompenzující elektroda 2 může pracovat.jako zesilující stupeň v kaskádě s dalším pomocným stupněm 11 nebo s hlavním katodovým stupněm.
PŘEDMĚT V í N A L E Z U.
232 093
Claims (4)
- 232 0931. Výkonová polovodičová součástka řízená světlem, s kompenzující elektrodou tvořenou kontaktovanou oblastí řídící báze, přičemž kontakt řídící báze kompenzující elektrody je galvanicky propojen s kontaktem fotocitlivé oblasti, vyznačená tím , že kompenzující elektroda /7/ je umístěna mezi fotocitlivou oblastí /5/ a oblastí hlavního emitoru /6/.
- 2« Výkonová polovodičová součástka podle bodu 1F vyznačená tím , že ve fotocitlivé oblasti /5/ i v oblasti kompenzující elektrody /7/ je vytvořena zapuštěná emitorová vrstva /10/.
- 3. Výkonová polovodičová součástka podle bodu 1 a 2, vyznačená tím , že galvanické propojení kontaktu fotocitlivé oblasti /9/ a kontaktu kompenzující elektrody /8/ je provedeno přes zapuštěnou emitorovou vrstvu /10Λ
- 4* Výkonová polovodičová součástka podle bodu 1F 2, 3j • vyznačená tím , že kontakt kompenzující elektrody /8/ je vyveden z pouzdra součástky.1 výkres232 093
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS832223A CS232093B1 (cs) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | Výkonová polovodičová součástka řízená světlem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS832223A CS232093B1 (cs) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | Výkonová polovodičová součástka řízená světlem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS222383A1 CS222383A1 (en) | 1984-05-14 |
| CS232093B1 true CS232093B1 (cs) | 1985-01-16 |
Family
ID=5358729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS832223A CS232093B1 (cs) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | Výkonová polovodičová součástka řízená světlem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS232093B1 (cs) |
-
1983
- 1983-03-30 CS CS832223A patent/CS232093B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS222383A1 (en) | 1984-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0654866B2 (ja) | 入出力端子を有する電子制御回路 | |
| JP2542656B2 (ja) | 相補形横方向絶縁ゲ―ト整流器 | |
| JP2002542644A (ja) | 電力スイッチング回路 | |
| CS232093B1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka řízená světlem | |
| JP3583803B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| DK0925594T3 (da) | Elektrisk kontaktslid og temperaturindikator | |
| KR910016146A (ko) | 반도체 릴레이 회로 | |
| US3657573A (en) | Unipolar device with multiple channel regions of different cross section | |
| KR0157672B1 (ko) | 포토 커플러 장치 | |
| US5847593A (en) | Voltage discharge circuit for a photovoltaic power source | |
| JPS6145393B2 (cs) | ||
| JP2633585B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN113474281B (zh) | Mems传感器以及用于运行mems传感器的方法 | |
| CZ20022847A3 (cs) | Monoliticky integrovaná polovodičová součástka | |
| CS254968B2 (en) | Radiation-controllable semiconductor element | |
| EP0066796A1 (en) | Control circuit for semiconductor element with control electrode | |
| CN105024688A (zh) | 氮化镓基低漏电流固支梁的与非门 | |
| US4086612A (en) | Thyristor | |
| CN105140227B (zh) | 氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门 | |
| KR840006894A (ko) | 다이리스터형 또는 트라이액형 반도체장치의 제어회로 | |
| JPS6192034A (ja) | Ｆｅｔを用いた半導体リレ− | |
| WO2000024060A3 (de) | Halbleiterschalter mit gleichmässig verteilten feinen steuerstrukturen | |
| CN104935296B (zh) | 氮化镓基低漏电流悬臂梁的rs触发器 | |
| JPS5477585A (en) | Semiconductor device | |
| JP3451810B2 (ja) | 光結合型半導体リレー |