CS230087B1 - Sposob hromadnej difúzie - Google Patents

Sposob hromadnej difúzie Download PDF

Info

Publication number
CS230087B1
CS230087B1 CS534882A CS534882A CS230087B1 CS 230087 B1 CS230087 B1 CS 230087B1 CS 534882 A CS534882 A CS 534882A CS 534882 A CS534882 A CS 534882A CS 230087 B1 CS230087 B1 CS 230087B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
diffusion
silicon
liquid
diffusion method
thatch
Prior art date
Application number
CS534882A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Inventor
Milan Stancik
Original Assignee
Milan Stancik
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Milan Stancik filed Critical Milan Stancik
Priority to CS534882A priority Critical patent/CS230087B1/cs
Publication of CS230087B1 publication Critical patent/CS230087B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

(54)
STANČlK MILAN prom.fyz., PIEŠŤANY
Sposob hromadnej difúzie
Vynález se týká oboru elektroniky v oblasti polovodičových jorvkov. Očelom vynálezu je možnosf pouzitia hromadnej difúzie pre lubovolny difuzant kvapalný. Uvedeného účelu sa dosiahne vytvořením zmesi přidáním oddelovacieho křemíkového prášku do difúzneho roztoku. Podstatou vynálezu je upravený difuzant, ktorý odstraňuje neoddelitelnost křemíkových dosiek pri hromadnej difúzii.
250 087
230 087
Výhoda tohto sposobu výroby spočívá vo zvýšení kapacity aifúznych zariadení, čím dochádza k úsporám elektrickéj energie, médií a k zvýšeniu produktivity práce.
Konkrétným príkladom využitia vynálezu je hromadná difúzia bóru'alebo fosforu z kvapalného difuzanta vytvořeného rozpuštěním kysličníka boritého alebo kyseliny fosforečnej H^PO^ v etylalkohole. Difúzha zmes sa připraví následovně: do příslušného difúzneho roztoku sa přidá křemíkový prášok o velkosti zrna 10 um až 100 'jim v hmotnostnom pomere cca 50:lr. Vyčištěné křemíkové došky sa naložia na vodorovná podložku funkčnou stranou hoře. Vytvořená difúzna zmes sa nanáša na Si došky pomocou vhodného injektora rozstrekovaním v prúde nosného plynu napr, Kg, 0^ alebo vzduchu. Po odpaření rozpúšťadla sa nanášanie difuzanta opakuje až 5-krát podlá požadovanéj doby difúzie. Si došky s naneseným difuzantom sa najprv sušia, potom sa nakladajú do ííásobníka určeného pre hromadná difúziu funkčnými stranami k sebe. Po predbežnom zažíhaní pri teplote 250 až 500°C sa došky vsúvajú do pracovněj zóny difúznej rúry. Po skončení difúzneho cyklu sa došky od seba oddelujú bežne používaným rozpúšťadlom.
230 087
Vynález sa týká spósobu hromadnej difúzie pomocou kvapalných roztokov, ako například BgO^, H^PO^ v θ^^^οΐιοίθ,
Medzi známe· spdsoby vytvárania p-n prechodov do kremíka je difúzia z plynnéj fázy. Křemíkové došky sa ukladajú do drážkovaného zásobníka, pričom vzdialenost medzi nimi je daná vzdialenosfou drážok. Difuzant, obsiahnutý v nosnom plyne, reaguje pri vysokéj teplote s povrchom Si dosiek a difunduje do ich objemu. Nevýhodou uvedeného sposobu je velká vzdialenost medzi doskami, čo má za následok malú výrobnú kapacitu dif#znej rúry, Iný známy spdsob vytvárania p-n prechodov v křemíku je tzv. hromadná difúzia. Na křemíkové došky sa nanesie difuzant v kvapalnom roztoku, ktorý sa vysuší. Si došky sa potom nakladajú do difúzneho zásobníka bezprostředné na seba, čím sa žváčší kapacita difúznej rúry až 10násobne. Nevýhodou tohto postupu je skutočnost, že niektoré difuzanty vytvárajú pri vysokých difúznych teplotách tekuté kysličníky, ktoré po vychladnutí sposobuje neoddelitelnost Si dosiek. Takéto difuzanty sú napr. kysličník boritý B^O^, alebo kyslina fosforečná v· etylalkohole, ktoré sú preto z hromadnéj difúzie vylúčené. Tieto difuzanty sa po' nanesení na Si došky dajú použit iba pri difúzii na drážkovanéj lodioke, čo je spojené so značným znížením výrobněj kapacity oproti hromadnéj difúzii a zároveň neumožňuje vzhladom na velkú vzdialenost dosiek od seba, využit hlavnú výhodu hromadnéj difúzie, t.j. difúziu pri maximálněj povrchovéj koncentrá cii pre danú teplotu.
Podstata sposobu hromadnej difúzie pomocou kvapalných difuzantov, ako sú například BgO^ alebo H^PO^ v etylalkohole, podlá vynálezu spočívá v tom, že sa do týchto kvapalných roztokov přidá křemíkový prášok o velikosti zrna 10 jun až J00 jun. Pri váčšej velkosti zrna ako 100 jun dochádza k zníženiu koncentrácie difuzanta v křemíkových doškách tzv. vydifundováním, pri menšej velkosti ako 10 jim nenastává požadovaný oddělovací účinok.

Claims (1)

  1. PREDMET VYNÁLEZU
    230 087
    Sposob hromadnej difúzie pomocou kvapalných roztokov, ako například BgO^, ^3^θ4 v e^ylalkohole vyznačujúci sa tým, že sa do kvapalných roztokov přidá před nanesením na křemíkové došky křemíkový prášok o velkosti zrna 10 jun až 100 pm.
CS534882A 1982-07-13 1982-07-13 Sposob hromadnej difúzie CS230087B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS534882A CS230087B1 (sk) 1982-07-13 1982-07-13 Sposob hromadnej difúzie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS534882A CS230087B1 (sk) 1982-07-13 1982-07-13 Sposob hromadnej difúzie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS230087B1 true CS230087B1 (sk) 1984-07-16

Family

ID=5398208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS534882A CS230087B1 (sk) 1982-07-13 1982-07-13 Sposob hromadnej difúzie

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS230087B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112745805A (zh) 一种相变微胶囊的制备方法
CN109573990A (zh) 一种通过紫外激光快速制备图案化掺杂石墨烯的方法
CS230087B1 (sk) Sposob hromadnej difúzie
US20070246868A1 (en) Method and apparatus for manufacturing fine particles
CN113234232A (zh) 碱金属-稀土异金属框架化合物、制备方法及应用
CN106006600B (zh) 一种不同形貌的氮掺杂炭球的制备方法
US995898A (en) Process of making di-ammonium phosphate.
US4596716A (en) Porous silicon nitride semiconductor dopant carriers
Giess et al. Gadolinium gallium garnet liquid phase epitaxy and the physical chemistry of garnet molten solutions
KR880010096A (ko) 표면처리 형광체 및 그의 제조법
CN115537009B (zh) 一种具有冲裁载带专用的聚碳酸酯薄膜
CS243919B1 (sk) Spósob difúzie do lesklých polovodičových povrchov
JP2019210492A (ja) アルミニウム系スラリー付着体の製造方法及びアルミニウム系多孔質体の製造方法
US3250830A (en) Prilling
Saito et al. Selective transport of fluorescent nanodiamonds based on nonlinear resonant optical response
SU108002A1 (ru) Способ нанесени люминофора на внутреннюю поверхность стекл нных колб люминесцентных ламп
Bannov et al. High-frequency current oscillations in submicron bipolar structures
CN104355319A (zh) 一种稀土钆原子磷酸铝分子筛及其制备方法
JPS6415936A (en) Production device for semiconductor device
LEONE Fundamental kinetic rate processes occurring in polyatomic vibrational lasers[Final Technical Report, 11 Nov. 1976- 11 Jun. 1977]
JPS55147266A (en) Preparation of melamine cyanurate
SU1446562A1 (ru) Способ получени высокодисперсного адсорбента дл высокоэффективной жидкостной хроматографии
CN121046164A (zh) 一种家庭用持久留香的洗衣凝珠及其制备方法
JPH0745954Y2 (ja) 石英炉芯管装置
JPS51140559A (en) Impurities diffusing to iii-v group compound semi-conductor base plate