CS225362B1 - Sposob exponovania obrazcov na maskách integrovaných obvodov - Google Patents

Description

Vynález sa týká spósobu exponovania obrazcov na maskách integrovaných obvodov, pričom rieši optimalizáciu riadenia generátore obrazcov a elektronového litografu.

Morfológia integrovaných obvodov navrhnutých grafickou metodou je vyjádřená v obrysovej reprezentácii, t. j. každý obrazec na maske integrovaného obvodu je definovaný svojim obrysom. Pri exponovaní pozitívnych masiek na generátore obrazcov alebo elektrónovom litografe je celá plocha ohraničená obrysom postupné exponovaná cez štrbinU obdížnikového tvaru a pri exponovaní negativných masiek je postupné exponovaná plocha medzi obrazcami. Poloha, rozměry a natočenie osi štrbiny sú ovládané prostredníctvom riadiaceho počítača generátora obrazcov alebo elektronového litografu. Doteraz používané sposoby sú zamerané predovšetkým na minimalizáciu počtu expozícií, pričom vo všeobecnosti je vždy jedna strana exponovaného obdížnika stotožnená s častou obrysu obrazca. Výška exponovaného obdížnika je přitom vypočítaná tak, aby celý obdížnik ležal vo vnútornej ploché obrysu. Nevýhodou u doteraz používaných sposobov je predovšetkým rozměrová roznorodosť exponovaných obdížníkov, negativné ovplyvňujúca celkovú dobu exponovania masiek na generátore obrazcov. Obrazce obsahujúce ostré vnútorné uhly nie sú týmto spósobom exponovatelné. Niektoré typy neortogonálnych obrazcov nie je možné úplné pokryt exponovanými obdížníkmi. Exponované plochy sa viacnásobne pokrývajú, čo vylučuje aplikáciu týchto postupov v elektrónovej litografii. Doteraz používané sposoby majú vel'ké nároky na operačnú pamať a strojový čas počítača, a preto sú implementované len na velkých počítačoch.

Uvedené nevýhody v podstatnej miere odstraňuje sposob exponovania obrazcov na maskách integrovaných obvodov podlá vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že jeden rozměr štrbiny je konštantný pri natočení z jej základnej polohy.

Sposob exponovania obrazcov na maskách integrovaných obvodov podlá vynálezu umožňuje spolahlivo exponovat všetky druhy obrysovo zadaných obrazcov, pričom má univerzálně použitie ako v elektrónovej litografii, tak i pri exponovaní masiek generátormi obrazcov. Skrátenie doby exponovania masiek o 20 až 40 % zvýši produktivitu generátora obrazcov a umožní generovat masky VLSI obvodov. Ďalšou přednostou je zjednodušenie konštrukcie obdížníkov a predtriedenie vygenerovaných obdížníkov do dvocb skupin, čím sa urýchli a zjednoduší celý postup natolko, že je realizovatelný na minipočítači.

Na priloženom výkrese je na obr. 1 obrysová reprezentácia dvoch obrazcov na maske integrovaného obvodu. Na obr. 2 je plnou čiarou vyznačená poloha obdížnika s osami roznobežnými s osami súradnicového systému masky v obrazci pri exponovaní na pozitívnej maske. Na obr. 3 je plnou čiarou vyznačená poloha obdížnika s osami róznobežnými s osami súradnicového systému masky v obrazci pri exponovaní negatívnej masky. Na obr. 4 je náhradný ortogonálny obrys obrazca pri exponovaní generátorom obrazcov na pozitívnej maske. Na obr. 5 je náhradný ortogonálny obrys obrazca pri exponovaní na negatívnej maske. Na obr. 6 je náhradný ortogonálny obrys obrazca pri exponovaní elektrónovým litografom na pozitívnej maske. Na obr. 7 je náhradný ortogonálny obrys obrazca pri exponovaní elektrónovým litografom na negatívnej maske. Na obr. 8 sú znázorněné plochy exponované elektrónovým litografom na pozitívnej maske. Na obr. 9 sú znázorněné plochy exponované elektrónovým litografom na negatívnej maske. Na obr. 10 sú znázorněné plochy exponované generátorom obrazcov na pozitívnej maske.

Pri spósobe podlá vynálezu sú z obrysovej reprezentácie 1 obrazcov na maskách integrovaných obvodov generované obdížniky v dvoch etapách. V prvej etape sú generované obdížniky s osiami štrbiny 15 natočenými voči osiam masky 12. Na všetkých hranách obrysu obrazcov róznobežných s osiami 12 sú zostrojené obdížniky tak, že hrana obrysu 16 róznobežná s osiami masky tvoří jednu stranu obdížnika a výška obdížnika 13, 14 je konštantná. Pri exponovaní pozitívnej masky je obdížnik 2, 8 vygenerovaný na vnútornú stranu od hrany obrazca a pri exponovaní negatívnej masky je obdížnik 3, 9 vygenerovaný na vonkajšiu stranu. Pre riadenie generátore obrazcov je konštantná výška obdlžnikov 13 daná minimálnou vnútornou vzdialenosťou obrazcov masky vyplývajúcou z návrhářských pravidiel. Vygenerované obdížniky 2 sú exponované generátorom obrazcov ako obdížniky 19. Pri ostrom vnútornom uhle vznikne porušenie obrysu 20, ktoré je možné eliminovat nastavením konštantnej výšky obdížnika podlá minimálneho rozměru štrbiny, Pre riadenie elektronového litografu je konštantná výška obdlžnikov 14 daná celočíselným násobkom minimálneho rozměru štrbiny alebo priemeru elektronového lúča, pričom je vlastně exponovanie vygenerovaných obdlžnikov 10, 11 s osiami natočenými voči osiam masky 12 potlačené. V druhej etape sú generované obdížniky s osiami v základnej polohe. Vytvořený je náhradný ortogonálny obrys, pri exponovaní pozitívnej masky vpísaný 4 do póvodného obrysu obrazca 1 a pri exponovaní negatívnej masky opísaný 5 okolo póvodného obrysu 1. V náhradnom ortogonálnom obryse sú hrany róznobežné s osiami masky interpolované ortogonálnou lomenou čiarou 6, 8 pri exponovaní pozitívnej masky a 7, 9 pri exponovaní negatívnej masky tak, aby celá lomená čiara ležala vo vnútri zodpovedajúcich obdlžnikov 2, 3, 10, 11 vygenerovaných v prvej etape. Z náhradného ortogonálneho obrysu 4, 5 sú vygenerované a exponované obdížniky 17 elektrónovým litografom, resp. 18 generátorom obrazcov podlá běžných postupov.

Claims (1)

1. Sposob exponovania obrazcov na maskách integrovaných obvodov generátorom obrazcov a elektrónovým litografom s nastavitelnou polohou, rozmermi a sklonom osi štrbiny obdlžnikového tvaru postupným exponovaVYNÁLEZU ním plochy masky s osiami štrbiny v základnej polohe rovnoběžnými s osiami masky vyznačujúci sa tým, že jeden rozměr štrbiny je konštantný pri natočení osi z jej základnej polohy.