CS225362B1 - Exposition of figures on integrated circuit masks - Google Patents

Description

ČESKOSLOVENSKASOCI A LI S TI C KÁREPUBLIKA (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVEDČENIU 225362 (11) (Bl) i (23) Výstavná priorita(22) Přihlášené 26 01 82(21) PV 518-82 (40) Zverejnené 24 06 83 (51) Int. Cl.3 H 01 L 21/00 ÚŘAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (45) Vydané 30 06 85 (75)

Autor vynálezu KOSTOLANSKÁ KATARÍNA RNDr., PLESKO IGOR ing., BRATISLAVA (54) Sposob exponovania obrazcov na maskách integrovaných obvodov

Vynález sa týká spósobu exponovaniaobrazcov na maskách integrovaných obvo-dov, pričom rieši optimalizáciu riadenia ge-nerátora obrazcov a elektronového litografu.

Morfológia integrovaných obvodov navrh-nutých grafickou metodou je vyjádřená v ob-rysovej reprezentácii, t. j. každý obrazec namaske integrovaného obvodu je definovanýsvojim obrysom. Pri exponovaní pozitívnychmasiek na generátore obrazcov alebo elek-trónovom litografe je celá plocha ohraničenáobrysom postupné exponovaná cez štrbinUobdížnikového tvaru a pri exponovaní nega-tivných masiek je postupné exponovanáplocha medzi obrazcami. Poloha, rozmérya natočenie osi štrbiny sú ovládané pro-stredníctvom riadiaceho počítača generátoruobrazcov alebo elektronového litografu. Do-teraz používané sposoby sú zamerané predo-všetkým na minimalizáciu počtu expozícií,pričom vo všeobecnosti je vždy jedna stranaexponovaného obdížnika stotožnená s častouobrysu obrazca. Výška exponovaného obdíž-nika je přitom vypočítaná tak, aby celý ob-dížnik ležal vo vnútornej ploché obrysu.Nevýhodou u doteraz používaných sposobovje predovšetkým rozměrová roznorodosťexponovaných obdížníkov, negativné ovplyv-ňujúca celková dobu exponovania masiek na generátore obrazcov. Obrazce obsahujúceostré vnútorné uhly nie sú týmto spósobomexponovatelné. Niektoré typy neortogonál-nych obrazcov nie je možné úplné pokrytexponovanými obdížníkmi. Exponované plo-chy sa viacnásobne pokrývajú, čo vylučujeaplikáciu týchto postupov v elektrónovejlitografii. Doteraz používané sposoby majúvel'ké nároky na operačnú pamať a strojovýčas počítača, a preto sú implementované lenna velkých počítačoch.

Uvedené nevýhody v podstatnej miere od-straňuje sposob exponovania obrazcov namaskách integrovaných obvodov podlá vy-nálezu, ktorého podstata spočívá v tom, žejeden rozměr štrbiny je konštantný pri na-točení z jej základnej polohy.

Sposob exponovania obrazcov na maskáchintegrovaných obvodov podlá vynálezuumožňuje spolahlivo exponovat všetky druhyobrysovo zadaných obrazcov, pričom máuniverzálně použitie ako v elektrónovej lito-grafii, tak i pri exponovaní masiek generá-tormi obrazcov. Skrátenie doby exponovaniamasiek o 20 až 40 % zvýši produktivitu ge-nerátore obrazcov a umožní generovat maskyVLSI obvodov. Ďalšou přednostou je zjedno-dušenie konštrukcie obdížníkov a predtriede-nie vygenerovaných obdížníkov do dvoch 225362

Claims (1)

1. 2 skupin, čím sa urýchli a zjednoduší celýpostup natolko, že je realizovatelný na mini-počítači. Na priloženom výkrese je na obr. 1 obryso-vá reprezentácia dvoch obrazcov na maskeintegrovaného obvodu. Na obr. 2 je plnoučiarou vyznačená poloha obdížnika s osamiroznobežnými s osami súradnicového systé-mu masky v obrazci při exponovaní na pozi-tívnej maske. Na obr. 3 je plnou čiarou vy-značená poloha obdížnika s osami róznobež-nými s osami súradnicového systému maskyv obrazci pri exponovaní negatívnej masky.Na obr. 4 je náhradný ortogonálny obrysobrazce pri exponovaní generátorom obraz-cov na pozitívnej maske. Na obr. 5 je náhrad-ný ortogonálny obrys obrazca pri exponovanína negatívnej maske. Na obr. 6 je náhradnýortogonálny obrys obrazca pri exponovaníelektrónovým litografom na pozitívnej mas-ke. Na obr. 7 je náhradný ortogonálny obrysobrazca pri exponovaní elektrónovým lito-grafom na negatívnej maske. Na obr. 8sú znázorněné plochy exponované elektró-novým litografom na pozitívnej maske. Naobr. 9 sú znázorněné plochy exponova-né elektrónovým litografom na negatívnejmaske. Na obr. 10 sú znázorněné plochyexponované generátorom obrazcov na pozi-tívnej maske. Pri spósobe podlá vynálezu sú z obrysovejreprezentácie 1 obrazcov na maskách inte-grovaných obvodov generované obdížnikyv dvoch etapách. V prvej etape sú genero-vané obdížniky s osiami štrbiny 15 natoče-nými voči osiam masky 12. Na všetkých hra-nách obrysu obrazcov róznobežných s osiami12 sú zostrojené obdížniky tak, že hrana ob-rysu 16 róznobežná s osiami masky tvoří jednu stranu obdížnika a výška obdížnika 13,14 je konštantná. Pri exponovaní pozitívnejmasky je obdížnik 2, 8 vygenerovaný na vnú-tornú stranu od hrany obrazca a pri expo-novaní negatívnej masky je obdížnik 3, 9vygenerovaný na vonkajšiu stranu. Pre riade-nie generátore obrazcov je konštantná výškaobdlžnikov 13 daná minimálnou vnútornouvzdialenosťou obrazcov masky vyplývajúcouz návrhářských pravidiel. Vygenerované ob-dížniky 2 sú exponované generátorom obraz-cov ako obdížniky 19. Pri ostrom vnútornomuhle vznikne porušenie obrysu 20, ktoré jemožné eliminovat nastavením konštantnejvýšky obdížnika podlá minimálneho rozměruštrbiny, Pre riadenie elektronového litografuje konštantná výška obdlžnikov 14 daná celo-číselným násobkom minimálneho rozměruštrbiny alebo priemeru elektronového lúča,pričom je vlastně exponovanie vygenerova-ných obdlžnikov 10, 11 s osiami natočenýmivoči osiam masky 12 potlačené. V druhej eta-pe sú generované obdížniky s osiami v zá-kladnej polohe. Vytvořený je náhradný orto-gonálny obrys, pri exponovaní pozitívnejmasky vpísaný 4 do póvodného obrysu ob-razca 1 a pri exponovaní negatívnej maskyopísaný 5 okolo póvodného obrysu 1. V ná-hradnom ortogonálnom obryse sú hranyróznobežné s osiami masky interpolovanéortogonálnou lomenou čiarou 6, 8 pri expo-novaní pozitívnej masky a 7, 9 pri exponovanínegatívnej masky tak, aby celá lomená čiaraležala vo vnútri zodpovedajúcich obdlžnikov2, 3, 10, 11 vygenerovaných v prvej etape.Z náhradného ortogonálneho obrysu 4, 5 súvygenerované a exponované obdížniky 17elektrónovým litografom, resp. 18 generáto-rom obrazcov podlá běžných postupov. PREDMET Spósob exponovania obrazcov na maskáchintegrovaných obvodov generátorom obraz-cov a elektrónovým litografom s nastavitel-nou polohou, rozmermi a sklonom osi štrbinyobdlžnikového tvaru postupným exponova- VYNÁLEZU ním plochy masky s osiami štrbiny v základ-nej polohe rovnoběžnými s osiami maskyvyznačujúci sa tým, že jeden rozměr štrbinyje konštantný pri natočení osi z jej základnejpolohy. 1 výkres