KR100273855B1 - 셀 투영 방식 및 가변 성형 빔 방식을 병용하는 전자 빔 제도방법 - Google Patents

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Abstract

레지스트에 패턴이 제도되는 패턴 영역이 셀 투영 방식으로 제도되는 제1 영역인지 또는 가변 성형 빔 방식으로 제도되는 제2 영역인지의 여부가 판단된다. 이 때, 패턴 영역이 제1 영역이면 제1 노출 광량이 선택되며 패턴 영역이 제2 영역이면 제2 노출 광량이 선택된다. 제2 노출 광량은 제1 노출 광량과 다르다. 패턴은 제1 영역에서는 제1 노출 광량으로 제도되고 제2 영역에서는 제2 노출 광량으로 제도된다.

Description

셀 투영 방식 및 가변 성형 빔 방식을 병용하는 전자 빔 제도 방법
본 발명은 전자빔에 의해 반도체 기판 표면 상의 레지스트 위에 미세한 패턴을 형성하는데 적합한 전자빔 제도 방법에 관한 것으로서, 특히, 미세한 패턴을 고속으로 형성할 수 있는 셀 투영 방식(cell projection manner)과 종래의 가변 성형 빔 방식(variably shaped beam manner)으로 반도체 기판 상의 레지스트 위에 실질적으로 동일한 크기의 패턴들을 형성할 수 있는 전자빔 제도 방법에 관한 것이다.
LSI의 진보와 더불어, 반도체 장치 제조 공정에 사용되는 패턴의 미세화도 급속히 발전하고 있다. 전자빔을 이용하는 제도 방법은 반도체 장치의 제조에 있어서 향후 필요해질 0.25㎛ 이하의 소형의 패턴 폭을 형성하는데 효과적이다. 도 1a는 종래의 전자빔 노광 시스템을 도시한 개략도이고 도 1b는 애퍼처(aperture)를 통과하는 빔 경로를 도시한 개략도이다. 도 1b의 제도된 잠상 위에 빗금이 그어져 있다. 전자빔 노광 시스템에는, 표면이 레지스트로 도포된 반도체 웨이퍼(91)가 장착되는 샘플 스테이지(92)가 배치되고, 전자총(81)은 샘플 스테이지(92)의 상부에 배치되어, 반도체 웨이퍼(91) 상으로 조사되는 전자빔(100)을 발생시킨다. 전자총(81)과 샘플 스테이지(92)의 사이에는, 위에서부터 차례대로, 반도체 웨이퍼(91)에 대한 전자빔(100)의 조사의 온/오프를 제어하는 블랭킹 전극(82), 전자빔(100)을 단면이 사각형인 전자빔(100a)으로 변환시키기 위한 사각형 개구부(opening: 83a)을 가진 제1 애퍼처(83), 제1 애퍼처(83)를 통과한 전자빔(100a)의 분산을 억제하는 빔 성형 렌즈(84), 전자빔(100a)을 편향시키는 성형 편향기(85), 사각형의 가변 성형 빔 제도용 개구부(86f) 및 전자빔(100a)의 단면을 셀 투영 빔(100b) 또는 가변 성형 빔(100c)으로 변환시키기 위한 셀 투영 제도용 복수의 개구부들(86a 내지 86e)을 갖는 제2 애퍼처(86), 제2 애퍼처(86)를 통과하는 셀 투영 빔(100b)과 가변 성형 빔(100c)의 분산을 억제하는 축소 렌즈(87), 셀 투영 빔(100b)과 가변 성형 빔(100c)을 편향시키는 주편향기(88)와 보조 편향기(89), 및 셀 투영 빔(100b)과 가변 성형 빔(100c)의 초점을 제어하는 투영 렌즈(90)가 제공된다.
셀 투영 제도용 개구부(86a 내지 86e)는 서로 다른 형태를 가진다. 도 1b에서, 셀 투영 빔(100b)은 전자빔(100a)이 개구부(86c)를 통과한 후의 전자빔이다.
블랭킹 전극(82), 성형 편향기(85), 주편향기(88), 및 보조 편향기(89)를 제어하는 제어 장치(96)는 이들 부분들에 접속된다. 그 이외에도, 제어 장치(96)에는, 데이타 버스(93)를 통해서 데이타의 전개, 소트 등의 처리가 행해지고 전자빔의 세기가 계산되는 계산기(94), 반도체 웨이퍼(91) 상의 레지스트 위에 제도되는 도형 데이타가 기억되는 기억 장치(95), 및 도형 데이타를 일시적으로 기억하는 도형 데이타용 메모리(97)가 접속된다.
이러한 방식으로 구성된 전자빔 노광 시스템에서, 반도체(91) 상의 레지스트 위에 제도되는 도형 데이타는 기억 장치(95)에 기억되고 데이타 전개, 소트 등과 같은 필요한 처리가 계산기(94)에 의해서 행해진다. 이 때, 처리 결과의 일부는 일시적으로 도형 데이타 메모리(97)에 기억되어 그로부터 판독된다. 계산기(94)의 처리 결과는 제어 장치(96)로 전달되고 블랭킹 전극(82), 성형 편향기(85), 주편향기(88) 및 보조 편향기(89)는 제어 장치(96)에 의해서 제어된다. 이에 의해서, 원하는 형태의 셀 투영 빔(100b) 또는 가변 성형 빔(100c)이 반도체 기판(91) 표면 상의 원하는 위치에 조사될 수 있다.
이 상술한 전자빔 노광 시스템을 사용하여, 복수의 패턴을 가진 셀 투영 빔(100b)을 반도체 웨이퍼(91) 표면 상의 레지스트 위에 조사함으로써 1회의 샷(shot)에 의해 하나 또는 그 이상의 패턴의 잠상을 형성할 수 있다. 이에 의해서 스루풋(throughput)이 향상될 수 있다. 가변 성형 빔(100c)의 단면적은 제1 애퍼처(83)의 개구부(83a)와 제2 애퍼처(86)의 가변 성형 빔 제도용 개구부(86f) 사이의 중첩 정도(superposition degree)에 의해서 결정된다. 따라서, 임의의 단면적의 패턴이 반도체 웨이퍼(91) 상에 도포된 레지스트 상에 잠상으로서 형성될 수 있다.
예를 들어, 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)를 제조하는데 있어서의 노광 처리를 설명한다. 도 2는 DRAM의 구조를 도시한 개략도이다. DRAM은, 동일한 형상의 패턴들이 반복적인 방식으로 배치되는 메모리 셀 어레이부(101)와, 패턴들이 불규칙한 방식으로 배치되는 주변 회로부(102)로 구성된다.
DRAM의 패턴이 전자빔 노광 시스템의 사용에 의해 노출되는 경우에, 가변 성형 빔 제도용 개구부(86f)가 선택되어 주변 회로부(102)를 형성하고 가변 성형 빔 방식으로 제도가 행해진다. 한편, 메모리 셀 어레이부(101)의 형성을 위해서 셀 투영 도면용의 개구부(86a, 86b, 86c, 86d 또는 86e)를 선택하므로써 셀 투영 방식으로 제도가 수행된다.
종래의 전자빔 제도 방법에 있어서, 패턴의 도형 데이타는 다음과 같은 방식으로 작성된다. 도 3은 종래의 도형 데이타 작성 처리를 도시한 플로우챠트이다. 먼저, 소정 면적에 존재하는 제도 패턴의 밀도가 CAD 데이타(68)를 기초로 하여 계산된다(단계 S51). 그 다음, 이 밀도에 기초하여 근접 효과 보정(proximity effect correction)을 행하여 최적 노출 광량을 산출한다(단계 S52). 그 다음, 제도 패턴이 셀 투영 방식 또는 가변 성형 빔 방식으로 전사되는지와 무관하게 노출 광량(D0)이 설정된다(S52). 이러한 방식으로, 직접 제도용 데이타(69)가 만들어진다. 이 직접 제도용 데이타(69)는 패턴들의 도형 데이타이다. 이러한 직접 제도용 데이타(69)를 사용함으로써 전자빔의 제도가 행해진다(S54).
그러나, 셀 투영 방식으로 제도된 패턴에 대한 최적 노출 광량과 가변 성형 빔 방식으로 제도된 패턴에 대한 최적 노출 광량은 서로 다르다. 따라서, 동일한 노출 광량(D0)으로 제도가 행해질 때, 셀 투영 방식과 가변 성형 빔 방식으로 제도된 패턴들의 크기가 달라진다.
도 4는 종래의 전자빔 제도 방법에 의해서 형성된 패턴을 도시한 개략도이다. 도 4의 제도된 잠상 위에 빗금이 그어져 있다. 예를 들면, 복수의 기본 반복부(73)가 배치되는 셀 투영 제도 영역(71)과 그 둘레의 가변 성형 빔 제도 영역(72)이 동일한 노출 광량(Do)으로 제도되는 경우, 가변 성형 빔 방식으로 제도된 패턴(72a)의 크기(L4)가 셀 투영 방식으로 제도된 패턴(71a)의 크기(L3)보다 좁다.
일본 특허 공개 공보 5-251318호에는, 제도 후 현상 등의 공정 단계에서 패턴의 선폭의 변동을 억제하는 패턴 형성 방식이 개시되어 있다. 이 공보에 개시된 종래의 방법에 있어서, 각각의 패턴 형성 영역마다 선폭의 변동이 예측되므로, 이 예측에 기초하여 하전된 입자들의 광량을 조정할 수 있다.
그러나, 이러한 방법에 의한다 해도, 셀 투영 방식으로 제도되는 패턴과 가변 성형 빔 방식으로 제도되는 패턴이 혼합된 방식으로 존재한다면, 양 패턴들 간의 크기를 동일화할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 셀 투영 방식과 가변 성형 빔 방식으로 제도되는 패턴들을 실질적으로 동일한 크기로 형성할 수 있는 전자빔 제도 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따르면, 셀 투영 방식과 가변 성형 빔 방식을 병용하는 전자빔 제도 방법은, 레지스트에 패턴이 제도되는 패턴 영역이 셀 투영 방식으로 제도되는 제1 영역인지 또는 가변 성형 빔 방식으로 제도되는 제2 영역인지를 판정하는 단계를 포함한다. 전자빔 제도 방법은 패턴 영역이 제1 영역이면 제1 노출 광량을 선택하고 패턴 영역이 제2 영역이면 제2 노출 광량을 선택하는 단계를 더 포함한다. 제2 노출 광량은 제1 노출 광량과 다르다. 전자빔 제도 방법은 제1 영역에서는 제1 노출 광량으로 패턴을 제도하고 제2 영역에서는 제2 노출 광량으로 패턴을 제도하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 있어서, 셀 투영 방식으로 제도되는 패턴과 가변 성형 빔 방식으로 제도되는 패턴에 대해서 서로 다른 노출 광량이 각각 설정되므로, 양 패턴 영역들은 각각 적당한 노출 광량으로 제도될 수 있다. 따라서, 셀 투영 방식 및 가변 성형 빔 방식 간에 동일한 크기의 패턴을 얻을 수 있다.
도 1a는 종래의 전자빔 노광 시스템을 도시한 개략도이고, 도 1b는 애퍼처(aperture)를 통과하는 전자빔의 경로를 도시한 개략도.
도 2는 DRAM의 구조를 도시한 개략도.
도 3은 종래의 도형 데이타 작성 처리를 도시한 플로우챠트.
도 4는 종래의 전자빔 제도 방법에 의해 형성된 패턴을 도시한 개략도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자빔 제도 방법을 도시한 플로우챠트.
도 6a는 셀 투영 제도용 데이타를 도시한 설명도이고, 도 6b는 가변 성형 빔 제도용 데이타를 도시한 설명도.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자빔 제도 방법에 의해서 생성된 패턴을 도시한 개략도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자빔 제도 방법을 도시한 플로우챠트.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
41 : 셀 투영 제도 영역
42 : 가변 성형 빔 제도 영역
41a, 42a : 패턴
43 : 기본 반복부
94 : 계산기
95 : 기억 장치
96 : 제어 장치
97 : 도형 데이타용 메모리
101 : 메모리 셀 어레이부
102 : 주변 회로부
본 발명의 실시예들에 따른 전자빔 제도 방법은 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 방법으로 설명되어질 것이다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자빔 제도 방법을 도시한 플로우챠트이다. 본 실시예에서, 패턴은, 도 1a와 도 1b에 도시된 전자빔 제도 시스템을 사용하여, 복수의 기본 반복부가 일정 간격으로 배치된 셀 투영 제도 영역과, 이 셀 투영 제도 영역 주변의 가변 성형 빔 제도 영역이 도 4에 도시된 것과 같이 서로 혼합된 패턴으로 제도된다.
먼저, 소정 영역에서 존재하는 제도 패턴의 밀도가 CAD 데이타(18)에 기초하여 계산된다(단계 S1). 제도 패턴의 밀도는 소정 영역에서 제도 패턴의 전체 면적 대 소정 영역의 면적으로 정의된다.
이 때, 제도 패턴의 셀 명칭이 셀 투영 제도 셀의 명칭인지 또는 가변 성형 빔 제도 셀의 명칭인지 여부를 판정한다(단계 S2).
노출 광량(D0)은 셀 투영 방식으로 제도된 패턴에 대해서 설정된다(단계 S3). 노출 광량(D1)은 가변 성형 빔 방식으로 제도된 패턴에 대해서 설정된다(단계 S4).
도 6a는 셀 투영 제도용 데이타를 도시한 설명도이고 도 6b는 가변 성형 빔 제도용 데이타를 도시한 설명도이다. 셀 투영 방식이나 가변 성형 빔 방식으로 제도된 패턴용 데이타는 헤더부와 패턴 데이타부로 구성된다. 헤더부에서는, 파라미터 T와 파라미터 K가 기록된다. 파라미터 T는 노출 광량(D0와 D1)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 경우에 결정된다. 파라미터 K는 제2 애퍼처의 개구부 사이에서 선택되는 경우에 결정된다. 일단 영역에 대한 노출 광량이 설정되면, 파라미터(T와 K)가 결정되고, 이 영역에서 제도용으로 사용되는 패턴 데이타가 도 6a와 도 6b에 도시된 패턴 데이타부에 기초하여 선택된다. 이러한 방식으로, 각 영역에 대한 패턴 데이타가 결정된다.
그 다음, 각각의 영역에 대한 패턴 데이타가 직접 제도용 데이타(19)를 생성하기 위해 합성된다. 직접 제도용 데이타(19)는 기억 장치(95)에 기억된다.
그 다음, 파라미터 T의 설정 값이 계산기(94)에 의해서 노광 시간 길이로 변환되고, 그 결과가 제어 장치(96)를 통해서 블랭킹 전극(82)으로 전달되고 이 블랭킹 전극(82)은 설정된 노광 시간 길이에 대응하는 시간 길이 동안 OFF 상태에 있게 된다. 이 셀 투영 빔(100b) 또는 가변 성형 빔(100c)은 반도체 웨이퍼(91) 상으로 조사되어 레지스트 상에서 소정 제도를 수행한다(단계 S5).
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자빔 제도 방법에 의해서 형성된 패턴을 도시한 개략도이다. 도 7에 제도된 잠상이 빗금이 그어져 있다. 도 7에 도시된 패턴은, 베어-Si 기판 상에 화학 증폭형 음의 레지스트를 0.5㎛ 두께로 도포시켜 마련된 표본에 제도된 패턴이다. 20 (μC/㎠)의 노출 광량(D0)은 복수의 기본 반복부(43)로 구성되는 셀 투영 제도 영역(41)에서 패턴(41a)을 제도하기 위해서 설정되었다. 한편, 22.4 (μC/㎠)의 노출 광량(D1)은 가변 성형 빔 제도 영역(42)에서 패턴(42a)을 제도하기 위해서 설정되었다. 그 결과, 셀 투영 제도 영역(41)에서 레지스트의 크기(L1)는 0.16㎛이었고, 가변 성형 빔 제도 영역(42)에서 레지스트의 크기(L2)는 0.16㎛이었다. 즉, 이들 두 영역에서 레지스트들의 크기가 서로 일치한다. 셀 투영 제도 셀의 명칭과 가변 성형 빔 제도 셀의 명칭은 CAD 데이타(18)에 정의되어 이용될 수 있다. 셀들이 셀 투영 도면 셀이나 가변 성형 빔 노출 셀로서 CAD 데이타(18)로부터 각각 얻어지는 경우 그 명칭들을 정의하여 사용할 수 있다.
이제, 본 발명의 제2 실시예가 설명되어질 것이다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자빔 제도 방법을 도시한 플로우챠트이다. 본 실시예에서, 또한 패턴은, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 전자빔 제도 시스템을 사용하여, 복수의 기본 반복부가 일정 간격으로 배치된 셀 투영 제도 영역과, 이 셀 투영 제도 영역 주변의 가변 성형 빔 제도 영역이 도 4에 도시된 바와 같이 서로 결합되어 있는 패턴으로 제도된다.
먼저, CAD 데이타(38)에 기초하여 소정 영역에서 존재하는 제도 패턴의 밀도가 계산된다(S21). 패턴 밀도의 정의는 제1 실시예와 동일하다.
그 다음, 인디케이터(indicater)의 값은, 제2 애퍼처 상의 개구부의 위치를 지시하도록 설정되어, 패턴이 제도될 때 개구부를 사용한다(단계 S22).
패턴의 데이타는 도 6a와 도 6b에 도시된 경우와 유사하다. 즉, 제도된 패턴 데이타는 헤더부와 패턴 데이타부로 구성된다. 파라미터 T와 K는 헤더부에 기록된다. 영역 제도용으로 이용되는 개구부를 나타내는 인디케이터 값이 설정되면, 영역 제도용으로 이용되는 패턴 데이타가 도 6a와 도 6b에 도시된 패턴 데이타부를 기초로 하여 선택되어진다.
그 다음, 각각의 영역에 대한 패턴 데이타가 합성되어 직접 제도용 데이타(39)를 합성한다.
그 다음에는, 개구부 인디케이터 데이타 값이 셀 투영 방식으로 제도된 패턴의 개구부 인디케이터 데이타 값인지 또는 가변 성형 빔 방식으로 제도된 패턴의 개구부 인디케이터 값인지 여부를 판정한다(단계 S23).
노출 광량(D0)은 셀 투영 방식으로 제도된 패턴들에 대해서 설정된다(단계 S24). 노출 광량(D1)은 가변 성형 빔 방식으로 제도된 패턴에 대해서 설정된다(단계 S25).
그 다음, 파라미터 T의 설정 값이 계산기(94)에 의해서 노광 시간 길이로 변환되고 그 결과가 제어 장치(96)를 통해서 블랭킹 전극(82)으로 전송되며 블랭킹 전극(82)은 설정된 노광 시간 길이에 대응하는 시간 길이 동안 OFF 상태가 된다. 셀 투영 빔(100b)이나 가변 성형 빔(100c)은 반도체 웨이퍼(91) 위로 조사되어 레지스트 상에서 소정의 제도를 행한다(S26).
본 실시예에서는, 또한, 도 7에 도시된 패턴을 얻었다. 즉, 베어-Si 기판 상에 화학 증폭형 음의 레지스트를 0.5㎛ 두께로 도포시켜 마련된 표본에서, 셀 투영 제도 영역(41)에서 레지스트의 L1에 대한 크기는 0.16㎛이었고, 가변 성형 빔 제도 영역(42)에서 레지스트의 L2에 대한 크기는 0.16㎛이었다. 따라서, 양 영역에서 레지스트들의 크기는 서로 일치한다. 제2 실시예에서, 또한 20 (μC/㎠)의 노출 광량(D0)은 셀 투영 제도 영역(41)에서 패턴(41a)을 제도하기 위해서 설정되었다. 한편, 22.4 (μC/㎠)의 노출 광량(D1)은 가변 성형 빔 제도 영역(42)에서 패턴(42a)을 제도하기 위해서 설정되었다.
셀 투영 도면 셀의 명칭과 가변 성형 빔 제도 셀의 명칭은 CAD 데이타(18)에서 정의되어 사용될 수 있다. 이 명칭들은, 셀들이 셀 투영 셀이나 가변 성형 빔 제도 셀로서 CAD 데이타(18)로부터 각각 얻어질 때 정의되어 이용될 수 있다.
상술된 2개의 실시예에 있어서, 셀 투영 방식이나 가변 성형 빔 방식을 이용하기 위해 서로 다른 노출 광량이 각각 설정되는 동안, 서로 다른 노출 광량과 서로 다른 인디케이터 값도 물론 셀 투영 방식에서 사용되는 각 개구부에 대해서 설정될 수 있다.
또는, 직접 제도용 데이타(19 또는 39)가 생성될 때까지 공정 단계들은 도 1a와 도 1b에 도시된 시스템의 외부에서 행해졌지만, 이들 공정 단계들은 시스템 내부에서도 수행될 수 있다. 즉, 이것은 CAD 데이타(18 또는 38) 등와 같은 데이타가 기억 장치(95)에 기억되고 패턴 등의 밀도가 계산기(94)에 의해서 계산될 수 있게 한다.

Claims (8)

  1. 셀 투영 방식과 가변 성형 빔 방식을 병용하는 전자빔 제도(drawing) 방법에 있어서,
    레지스트에 패턴이 제도되는 패턴 영역이 셀 투영 방식으로 제도되는 제1 영역인지 또는 가변 성형 빔 방식으로 제도되는 제2 영역인지를 판정하는 단계,
    상기 패턴 영역이 상기 제1 영역이면 제1 노출 광량을 선택하고 상기 패턴 영역이 상기 제2 영역이면 상기 제1 노출 광량과는 다른 제2 노출 광량을 선택하는 단계, 및
    상기 제1 영역에는 상기 제1 노출 광량으로 상기 패턴을 제도하고 상기 제2 영역에는 상기 제2 노출 광량으로 상기 패턴을 제도하는 단계
    를 포함하는 전자빔 제도 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 영역에 제도되는 패턴에 대한 제1 데이타에 제1 파라미터가 미리 설정되고,
    상기 제2 영역에 제도되는 패턴에 대한 제2 데이타에 상기 제1 파라미터와는 다른 제2 파라미터가 미리 설정되며,
    상기 패턴 제도 단계는,
    상기 패턴 영역이 상기 제1 영역이면 상기 제1 파라미터를 선택함으로써 상기 제1 데이타를 선택하고, 상기 패턴 영역이 상기 제2 영역이면 상기 제2 파라미터를 선택함으로써 상기 제2 데이타를 선택하는 단계, 및
    상기 제1 데이타에 기초하여 상기 제1 영역에 대한 상기 패턴을 제도하고 상기 제2 데이타에 기초하여 상기 제2 영역에 대한 상기 패턴을 제도하는 단계
    를 포함하는 전자빔 제도 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 노출 광량이 선택되었음을 나타내는 파라미터이고,
    상기 제2 파라미터는 상기 제2 노출 광량이 선택되었음을 나타내는 파라미터 인 전자빔 제도 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1 파라미터와 상기 제2 파라미터는, 상기 패턴을 제도하기 위해 사용된 전자빔 제도 시스템의 애퍼처(aperture)용으로 제공되는 복수의 개구부들로 구성된 군으로부터 개구부가 선택됨을 나타내는 파라미터들인 전자빔 제도 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 노출 광량이 상기 제2 노출 광량보다 작은 전자빔 제도 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 패턴 영역이 상기 제1 영역인지 또는 상기 제2 영역인지를 판정하는 상기 단계 이전에 상기 패턴 영역의 상기 패턴의 밀도를 계산하는 단계를 더 포함하는 전자빔 제도 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 영역은 복수의 동일 패턴들이 제도되는 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역 둘레에 패턴이 제도되는 영역인 전자빔 제도 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 패턴을 제도하는 상기 단계는,
    상기 제1 노출 광량과 상기 제2 노출 광량을 노광 시간 길이로 변환시키는 단계, 및
    상기 패턴을 제도하기 위해 사용된 전자빔 제도 시스템의 블랭킹 전극을 상기 노광 시간 길이에 대응하는 시간 길이 동안 OFF 상태로 하는 단계
    를 포함하는 전자빔 제도 방법.
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