CS218175B1

CS218175B1 - Sposob přípravy pások submikrometrovej šířky

Info

Publication number: CS218175B1
Application number: CS725780A
Authority: CS
Inventors: Stefan Chromik
Original assignee: Stefan Chromik
Priority date: 1980-10-27
Filing date: 1980-10-27
Publication date: 1983-02-25

Description

Vynález sa týká spósobu přípravy pások submikrometrovej šířky z róznych materiálov a tiež jednoduchších elektronických štruktúr, pozostávajúcich z týchto pások, na polovodičových, izolačných, príp. kovových podložkách.

Podstata spósobu přípravy pások submikrometrovej šířky podía vynálezu spočívá v tom, že na podložku opatrenú schodíkmi sa nanesie pod ostrým uhlom vrstva z l’ubovolného materiálu a ďalej sa táto vrstva leptá, kým na stene schodíka nie je vytvořená páska submikrometrovej šířky.

Vynález možno využiť všade tam, kde sú potřebné pásky submikrometrovej šířky. 218175 2

Vynález sa týká spósobu přípravy pások submikrometrovej šířky z róznych materiálov a tiež jednoduchších elektronických štruktůr, pozostávajúcich z týchto pások, na polovodičových, izolačných, připadne kovových podložkách. Běžné fotooptické zariadenia, ktoré sa používajú pri fotolitografickej príprave elektronických štruktúr, súčiastok a obvodov, majú obmedzenú rozlišovaciu schopnost, ktorá je určená vlnovou dlžkou použitého elektromagnetického žiarenia. Pomocou týchto zariadení dajú sa spravidla dosiahnút šířky čiar 1 až 2 μτη. S cieíom odstrániť tento nedostatok skúmajú a vyvíjajú sa nové metódy — elektronová, iónová a róntgenová litografia. Všetky tieto techniky vyžadujú si zložité a nákladné zariadenia, ktoré sú v súčasnom období v štádiu postupného zdokonalovania, do výrobnej praxe však zatial’ v širokom meradle neprenikli. Za tejto situácie možno pri príprave jednoduchších štruktúr resp. pások potřebných pre laboratorně, připadne výrobně účely, uplatnit aj postupy, ktoré nemajú také' univerzálně použitie ako napr. elektronová litografia, mevyžadujú však náročné a zložité zariadenia.

Uvedené nevýhody v podstatnej miere odstraňuje vynález.

Podstata spósobu přípravy pások submikrometrovej šířky podl’a vynálezu spočívá v tom, že na podložku opatrenú schodíkmi sa nanesie pod ostrým uhlom vrstva z 1’ubovolného materiálu a ďalej sa táto vrstva leptá, kým na stene schodíka nie je vytvořená páska submikrometrovej šířky. Výhodou vynálezu je, že nevyžaduje zložité a nákladné zariadenia, ktoré sú potřebné pri elektrónovej a róntgenovej litografii. Ďalšou přednostou vynálezu je, že umožňuje připravit pásky šířky značné pod 1 μτη, čo je v mnohých prípadoch ťažko dosiahnutelné.

Na pripojenom výkrese, a to na obr. la je znázorněná podložka vhodná pre přípravu pásky submikrometrovej šířky, na obr. lb je znázorněná pod ostrým uhlom nanesená vrstva na podložku, na obr. lc je znázorněná po- odlepení vytvořená páska submikrometrovej šířky, na obr. Id je znázorněné vytvorenie schodíka pomocou pomocnéj vrstvy a na obr. le je znázorněná páska submikrometrovej šířky po odstráneni pomocnej vrstvy.

Claims

PREDMET

1. Spósob přípravy pások submikrometrovej šířky vyznačujúci sa tým, že na podložku opatrenú schodíkmi sa nanesie pod ostrým uhlom vrstva z 1’ubovol’ného materiálu a ďalej sa táto vrstva leptá, kým na stene schodíka nie je vytvořená páska submikrometrovej šířky. Na podložku 1 s vytvořeným schodíkom (obr. la) nanesie sa pod uhlom a v smere šípky tenká vrstva 2 (obr. lb) hrůbky h. Po stenčení (leptaní) tejto vrstvy, pričom najvhodnejšie je anizotropné pósobiace iónové leptanie v smere kolmom na podložku, zostane pri stene schodíka požadovaná páska 3 (obr. lc). Je žiadúce, aby schodík (obr. la) bol kolmý na podložku. V opačnom případe nie je možné připravit pásku s obdlžnikovým prierezom. Výšku schodíka móžeme volit 1’ubovolne, musí byť však minimálně rovná hrúbke požadovanej pásky. Sirka pásky d je fuÍnkciou uhlu a a hrůbky naparenej vrstvy h a možno ju určit vzťahom g a Keďže hrůbku vrstvy h móžeme volit < 1 μχη, móžeme týmto postupom získat aj pásky šířky hlbšie pod 1 μπα., pričom dalším parametrom technologického postupu je uhol a. Presnosť šířky submikrometrovej pásky závisí od toho, s akou presnosťou dokážeme kontrolovat hrůbku nanešenej tenkej vrstvy a s akou presnosťou nastavíme uhol a. Vhodnou metodou nanášania, vrstvy sú rózne varianty vákuového naparovania, kedy pri použití malého (bodového ) zdřoja á dostatočne velkej vzdialenosti zdřoja pár a podložky móžeme dosiahnút prakticky rovnoběžný zvázok nanášaných častíc a tým aj presne definovaný uhol a resp. okraje pásky. Opísaný postup možno však v zásadě použiť aj v kombinácii s naprašovaním, připadne inými metodami nanášania vrstiev. Po poslednom kroku (obr. lc), t. j. po leptaní vrstvy ostane pri stene schodíka v dosledku róznych hrúbok vrstvy v smere leptania požadovaná páska, ktorú móžeme dalším leptáním ešte stenčiť, príp. zúžit. Pri použití schodíka vytvořeného v pomocnej vrstvě 4 z iného materiálu ako je vlastná podložka (napr. fotorezistu obr. Id), móžeme po leptaní vrstvy 2 pomocnú vrstvu 4 odstrániť (selektívne odleptat) čím získáme „samostatnú“ pásku submikrometrovej šířky (obr. le). Vynález možno využiť v róznych oblastiach mikroelektroniky, kde sú potřebné pásky submikrometrovej šířky. Ako příklad možno uviesť přípravu slaboviazaných supravodičových štruktúr, testovacích obrazcov a vzoriek pre výskům vlastností spojov integrovaných obvodov a pod. VYNÁLEZU
2. Spósob přípravy pások podía bodu 1 vyznačujúci sa tým, že schodíky sú vytvořené v pomocnej vrstvě, ktorá sa po vytvoření pásky odstráni.
3. Spósob přípravy pások podía bodu 1 a 2 vyznačujúci sa tým, že hrůbku, šířku pások alebo obrazcov možno v priebehu leptania ďalej zmenšovat. 1 vý 218175

Obr. 1 a «6 | gw , d 'á2Z2^ Obr. 1 b

Obr. Í2 d

Obr. 1 e