CS215853B1 - Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu - Google Patents

Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu Download PDF

Info

Publication number
CS215853B1
CS215853B1 CS259180A CS259180A CS215853B1 CS 215853 B1 CS215853 B1 CS 215853B1 CS 259180 A CS259180 A CS 259180A CS 259180 A CS259180 A CS 259180A CS 215853 B1 CS215853 B1 CS 215853B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
increasing
plastic
reliability
semiconductor device
embedded
Prior art date
Application number
CS259180A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Makovicka
Bohumil Kolman
Jaroslav Mares
Original Assignee
Jan Makovicka
Bohumil Kolman
Jaroslav Mares
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Makovicka, Bohumil Kolman, Jaroslav Mares filed Critical Jan Makovicka
Priority to CS259180A priority Critical patent/CS215853B1/cs
Publication of CS215853B1 publication Critical patent/CS215853B1/cs

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Vynález se týká zapouzdření polovodičů do platických hmot a řeší problém zvýšení těsnosti pouzder z platu. Podstatou vynámezu je použití alkylhyfrugenpolysiloxanu obecného vzorce R^-Sí-O-/RH-Sí-Ot(?;—-— —/ Rg-Si-O^- Si R^j kde R je methyl nebo ethyl a m = 10+2000 resp. n = 0*2000, jako impregnačního laku k vakuové impregnaci pouzder polovodičkových prvků za tlaku 0,66 až 13,33 kPa po dobu minimálně 30 sekund. Lak se potom vytvrdí např. 3 hodiny při 160 °C. Cílem této operace je především utěsnění spár a mezer mezi plastem a elektrodami nebo chladicími plochami součástek. Ke snížení vytvrzovací teploty a doby vytvrzování lze použít katalyzátoru ze skupiny látek zahrnujících organokovové soli nebo organokovové sloučeniny některých kovů např. naftenát kobaltový, naftenát železnatý, oktoát zinečnatý, oktoát cínatý a pod.

Description

Vynález se týká způsobu zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky v platu, zejména ve vlhkém prostředí.
Hlavním důvodem stále rostoucího použití plastů v oblasti zapouzdřování polovodičových součástek jsou především důvody ekonomické. Plasty, které dosáhly dominujícího postavení v oblasti spotřebního průmyslu již v dřívější době, začínají pronikat nyní i do průmyslových a vojenských aplikací elektrotechniky a elektroniky. Tento průnik plastů souvisí se stále rostoucí spolehlivostí pouzder z plastů, která dosud byla jejich hlavní^nevýhodou a limitujícím faktorem použiti ve výkonových aplokacích nebo ve vojenské technice.
Větší spolehlivosti se dosáhlo jednak zlepšením čistoty používaných hmot, tedy snížením obsahu volných iontů ve hmotě, které v součinnosti s vlkostí jsou původci elektrochemické koroze a mají zejména alkalické ionty i nepříznivý vliv na polovodičový přechod diod, tyristorů, tranzistorů a pod. Dále byla zvýšena teplota skelného přechodu T pouO zdřicich hmot, tedy teplota, při které se skokem mění lineární roztažnost. Prudký nárůst lineární roztažnosti při teplotě T mé za·následek ztrátu součástky a vznik amykových
O namáháni ve spojích, pájce a pod., což může vést ke krátkodobému nebo i trvalému poškození součástky. Například zavedením epoxidových novolaků se teplota T zvýšila z dosavado nich 115 a 125 °C pro dlaňové epoxidové pryskyřice na 145 a 165 °C. Vedle zlepšení čistoty samotných pouzder se zlepšila i čistota a kvalita pasivačních povlaků děrové a elektronové vodivosti. V posledních několika letech se natavuji na polovodičový přechod, určený k zapouzdření do platu, speciální borosilikátová skla. Zavedením epoxidových novolaků se zlepšila i adheze pouzdřících hmot a tím i spolehlivost součástek v platu. Také nové silikonové a epoxysilikonové hmoty doznaly zřejmého pokroku v této oblasti.
Je známou skutečností, že vlhkost proniká do pouzdra samotným plastem, který nikdy není nepropustný vůči vlkosti, jednak podél samotných vývodů. Není-li adheze hmoty vysoká, nebo je-li snížena důsledkem teplotního cyklování během zkoušek nebo provozu, je řídícím dějem pronikání vlkosti prostup plynné páry podél kovových vývodů. Jedním z procesů jak zlepšit spolehlivost součástky platu je dodatečná impregnace pouzdry nízkoviskozním lakem, který utěsní spáru podél vývodů součástky. K tomuto účelu se používají nízkoviskozní, zpravidla silikonové impregnační laky, speciálně formulované pro tento účel, obvykle jde o methylsiloxanové nebo methylfenylsiloxanové laky, jejichž nevýhodou bývá vysoká vytvrzovací teplota, zpravidla 200 °C nebo i vyšší, která je v některých případech nevhodná s ohledem na použité pájky nebo i materiál pouzdra, nebo se používají modifikované siloxany, například modifikátory mohou být. alkydy, akryláty, fenoplasty, epoxidy a pod., jejichž vytvrzování probíhá za nižších a tedy přijatelnějších teplot*
Výše uvedené nedostatky, t.j. vysoké vytvrzovaci teploty impregnačních laků, jsou odstraněny způsobem zvyšování spolehlivosti zapouzdřené polovodičové součástky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že polovodičová součástka v odlévacím nebo lisovaném pouzdru z plastu se ponoří do alkylhydrogenpolysiloxanu
215 853
R
R - Si I
R
Si
Si
kde R=CH, nebo CHc 3 2 5 m = 10 * 2000 n = O, ♦ 2000 při tlaku 0,66 až 13,33 kPa po dobu minimálně 30 s a po této lázně opláchne nebo otře alifatickým nebo aromatickým rozpouštědlem» Poté se vysuší* zbytky rozpouštědla a vytvrdí nanesený alkylhydrogenpolysiloxan.
Alkylhydrogenpolysiloxan je vytvrditelný například již při teplotě 160 °C, s použitím katalyzátorů ,/naftenáty a oktoáty zinku, olova, cínu, železa apod. lze snížit vytvrzování až na 120 °C nebo s přídavkem organických sloučenin titanu postačí teplota 20 ®C.
Příklad
Polovodičový modul s bezpotenciální základnou zapouzdřený do epoxidové pryskyřice se ponoří do methyhydrogenpolysiloxanu za tlaku 5 kPa po dobu 30 sekund. Po odstranění vakua a vyjmutí součástky z lázně se součástka ponoří na 5 sekund do perchlorethylenu. Po odpaření rozpouštědla na vzduchu se povlak vytvrdí 3 hodiny při 160 °C. Vzniklý povlak je pružný a zachovává na rozdíl od nemodifikovaných methylsiloxanů a methylfenylsiloxanů svou funkci i při teplotních šocích.
Polovodičový modul impregnovaný výše uvedeným způsobem je vložen po zapouzdření do kyselé galvanické cínovací lázně obsahující 20 % hmotnostních koncentrované kyseliny sírové' HgSO^ na dobu 10 minut při teplotě 25 °C. Takto impregnované moduly jsou bez výjimky stabilně stejné, ale neimpregnované součástky jsou stoprocentně nestabilní. Podobně jsou stoprocentně stabilní součástky impregnované za stejných podmínek metbylhydrogenpolysiloxa nem s přídavkem 10 hmotnostních dílů naftenátu olovnatého, když impregnační lak se po nane sení nejprve vytvrdí 30 minut při teplotě 120 °C.

Claims (2)

  1. P fi E D M Ě T VYNÁLEZU
    1. Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu, vyznačený tím, že do alkylhydrogenpolysiloxanu obecného vzorce se ponoří polovodičová součástka kde R = CH^ - nebo C2H5 ~ m = 10 + 2000 , n· = 0 ♦ 2000 při tlaku 0,66 až 13,33 kPa po dobu minimálně 30 sekund a po vyjmutí se očistí alifatickým nebo aromatickým rozpoštědlem, vysuší se zbytky rozpouštědla, načež se vytvrdí nanesený
    215 853 alkylhydrogenpolysiloxan.
  2. 2. Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky podle bodu 1, vyznačený t í m, že do alkylhydrogenpolysiloxanu se přidá katalyzátor ze skupiny látek zahrnujících organokovové soli nebo organokovové sloučeniny některých kovů jako cínu, olova, titanu, chrómu, -zinku, kobaltu, vápníku a hořčíku.
    Vytiskly Moravské tiskařské závody, provoz 12, Leninova 21, Olomouc
CS259180A 1980-04-14 1980-04-14 Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu CS215853B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS259180A CS215853B1 (cs) 1980-04-14 1980-04-14 Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS259180A CS215853B1 (cs) 1980-04-14 1980-04-14 Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS215853B1 true CS215853B1 (cs) 1982-09-15

Family

ID=5363475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS259180A CS215853B1 (cs) 1980-04-14 1980-04-14 Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS215853B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3673099A (en) Process and composition for stripping cured resins from substrates
EP0044136A1 (en) Encapsulation of electronic device
JP6853826B2 (ja) 非クロメート腐食防止ポリチオエーテルシーラント
US8717130B2 (en) Lacquer composition and use thereof
KR20150074153A (ko) 제어-방출 아민-촉매화된 황-함유 중합체 및 에폭시 조성물
TWI706024B (zh) 散熱材料接著用組成物、附接著劑之散熱材料、鑲嵌件基板及其製造方法
GB2317386A (en) UV- and thermally-hardenable epoxy resins
US4564562A (en) Silicone encapsulated devices
US4582556A (en) Adhesion primers for encapsulating epoxies
ATE494329T1 (de) Vernetzungsverfahren für eine epoxidharzzusammensetzung enthaltend reaktives phosphonat
EP0644908A1 (en) Silicon based lacquer, its use as a substrate coating and substrates thus obtained
CS215853B1 (cs) Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu
CN1146975C (zh) 形成模制的中空塑料外壳的方法
JP6436988B2 (ja) 金属リガンド含有プレポリマー、その合成方法、及びその組成物
CN1027375C (zh) 硅树脂组合物制造方法
US4362570A (en) Solvent mixture for removing polysulfide and silicone rubber coatings
US4148966A (en) Polyarylene sulphide coated backing
CA1040942A (en) Method of coating oxidized inorganic substrates with polymide
JP2001244383A (ja) 半導体装置
KR101825031B1 (ko) 반도체 패키지 화학적 디플래시 용액 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지 플래시 제거방법
US2955327A (en) Method for sealing electrical switches or the like
KR20210124994A (ko) 실란계 코팅을 고체 표면, 특히 금속 표면 상에 도포하는 개선된 방법
Li et al. Epoxy Resin with Metal Complex Additives for Improved Reliability of Epoxy-Copper Joint
JP2005229697A (ja) 真空用モータ
JP4651514B2 (ja) 電解コンデンサ