CS215853B1 - Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu - Google Patents
Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu Download PDFInfo
- Publication number
- CS215853B1 CS215853B1 CS259180A CS259180A CS215853B1 CS 215853 B1 CS215853 B1 CS 215853B1 CS 259180 A CS259180 A CS 259180A CS 259180 A CS259180 A CS 259180A CS 215853 B1 CS215853 B1 CS 215853B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- increasing
- plastic
- reliability
- semiconductor device
- embedded
- Prior art date
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Vynález se týká zapouzdření polovodičů do platických hmot a řeší problém zvýšení těsnosti pouzder z platu. Podstatou vynámezu je použití alkylhyfrugenpolysiloxanu obecného vzorce R^-Sí-O-/RH-Sí-Ot(?;—-— —/ Rg-Si-O^- Si R^j kde R je methyl nebo ethyl a m = 10+2000 resp. n = 0*2000, jako impregnačního laku k vakuové impregnaci pouzder polovodičkových prvků za tlaku 0,66 až 13,33 kPa po dobu minimálně 30 sekund. Lak se potom vytvrdí např. 3 hodiny při 160 °C. Cílem této operace je především utěsnění spár a mezer mezi plastem a elektrodami nebo chladicími plochami součástek. Ke snížení vytvrzovací teploty a doby vytvrzování lze použít katalyzátoru ze skupiny látek zahrnujících organokovové soli nebo organokovové sloučeniny některých kovů např. naftenát kobaltový, naftenát železnatý, oktoát zinečnatý, oktoát cínatý a pod.
Description
Vynález se týká způsobu zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky v platu, zejména ve vlhkém prostředí.
Hlavním důvodem stále rostoucího použití plastů v oblasti zapouzdřování polovodičových součástek jsou především důvody ekonomické. Plasty, které dosáhly dominujícího postavení v oblasti spotřebního průmyslu již v dřívější době, začínají pronikat nyní i do průmyslových a vojenských aplikací elektrotechniky a elektroniky. Tento průnik plastů souvisí se stále rostoucí spolehlivostí pouzder z plastů, která dosud byla jejich hlavní^nevýhodou a limitujícím faktorem použiti ve výkonových aplokacích nebo ve vojenské technice.
Větší spolehlivosti se dosáhlo jednak zlepšením čistoty používaných hmot, tedy snížením obsahu volných iontů ve hmotě, které v součinnosti s vlkostí jsou původci elektrochemické koroze a mají zejména alkalické ionty i nepříznivý vliv na polovodičový přechod diod, tyristorů, tranzistorů a pod. Dále byla zvýšena teplota skelného přechodu T pouO zdřicich hmot, tedy teplota, při které se skokem mění lineární roztažnost. Prudký nárůst lineární roztažnosti při teplotě T mé za·následek ztrátu součástky a vznik amykových
O namáháni ve spojích, pájce a pod., což může vést ke krátkodobému nebo i trvalému poškození součástky. Například zavedením epoxidových novolaků se teplota T zvýšila z dosavado nich 115 a 125 °C pro dlaňové epoxidové pryskyřice na 145 a 165 °C. Vedle zlepšení čistoty samotných pouzder se zlepšila i čistota a kvalita pasivačních povlaků děrové a elektronové vodivosti. V posledních několika letech se natavuji na polovodičový přechod, určený k zapouzdření do platu, speciální borosilikátová skla. Zavedením epoxidových novolaků se zlepšila i adheze pouzdřících hmot a tím i spolehlivost součástek v platu. Také nové silikonové a epoxysilikonové hmoty doznaly zřejmého pokroku v této oblasti.
Je známou skutečností, že vlhkost proniká do pouzdra samotným plastem, který nikdy není nepropustný vůči vlkosti, jednak podél samotných vývodů. Není-li adheze hmoty vysoká, nebo je-li snížena důsledkem teplotního cyklování během zkoušek nebo provozu, je řídícím dějem pronikání vlkosti prostup plynné páry podél kovových vývodů. Jedním z procesů jak zlepšit spolehlivost součástky platu je dodatečná impregnace pouzdry nízkoviskozním lakem, který utěsní spáru podél vývodů součástky. K tomuto účelu se používají nízkoviskozní, zpravidla silikonové impregnační laky, speciálně formulované pro tento účel, obvykle jde o methylsiloxanové nebo methylfenylsiloxanové laky, jejichž nevýhodou bývá vysoká vytvrzovací teplota, zpravidla 200 °C nebo i vyšší, která je v některých případech nevhodná s ohledem na použité pájky nebo i materiál pouzdra, nebo se používají modifikované siloxany, například modifikátory mohou být. alkydy, akryláty, fenoplasty, epoxidy a pod., jejichž vytvrzování probíhá za nižších a tedy přijatelnějších teplot*
Výše uvedené nedostatky, t.j. vysoké vytvrzovaci teploty impregnačních laků, jsou odstraněny způsobem zvyšování spolehlivosti zapouzdřené polovodičové součástky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že polovodičová součástka v odlévacím nebo lisovaném pouzdru z plastu se ponoří do alkylhydrogenpolysiloxanu
215 853
R
R - Si I
R
Si
Si
kde R=CH, nebo CHc 3 2 5 m = 10 * 2000 n = O, ♦ 2000 při tlaku 0,66 až 13,33 kPa po dobu minimálně 30 s a po této lázně opláchne nebo otře alifatickým nebo aromatickým rozpouštědlem» Poté se vysuší* zbytky rozpouštědla a vytvrdí nanesený alkylhydrogenpolysiloxan.
Alkylhydrogenpolysiloxan je vytvrditelný například již při teplotě 160 °C, s použitím katalyzátorů ,/naftenáty a oktoáty zinku, olova, cínu, železa apod. lze snížit vytvrzování až na 120 °C nebo s přídavkem organických sloučenin titanu postačí teplota 20 ®C.
Příklad
Polovodičový modul s bezpotenciální základnou zapouzdřený do epoxidové pryskyřice se ponoří do methyhydrogenpolysiloxanu za tlaku 5 kPa po dobu 30 sekund. Po odstranění vakua a vyjmutí součástky z lázně se součástka ponoří na 5 sekund do perchlorethylenu. Po odpaření rozpouštědla na vzduchu se povlak vytvrdí 3 hodiny při 160 °C. Vzniklý povlak je pružný a zachovává na rozdíl od nemodifikovaných methylsiloxanů a methylfenylsiloxanů svou funkci i při teplotních šocích.
Polovodičový modul impregnovaný výše uvedeným způsobem je vložen po zapouzdření do kyselé galvanické cínovací lázně obsahující 20 % hmotnostních koncentrované kyseliny sírové' HgSO^ na dobu 10 minut při teplotě 25 °C. Takto impregnované moduly jsou bez výjimky stabilně stejné, ale neimpregnované součástky jsou stoprocentně nestabilní. Podobně jsou stoprocentně stabilní součástky impregnované za stejných podmínek metbylhydrogenpolysiloxa nem s přídavkem 10 hmotnostních dílů naftenátu olovnatého, když impregnační lak se po nane sení nejprve vytvrdí 30 minut při teplotě 120 °C.
Claims (2)
- P fi E D M Ě T VYNÁLEZU1. Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu, vyznačený tím, že do alkylhydrogenpolysiloxanu obecného vzorce se ponoří polovodičová součástka kde R = CH^ - nebo C2H5 ~ m = 10 + 2000 , n· = 0 ♦ 2000 při tlaku 0,66 až 13,33 kPa po dobu minimálně 30 sekund a po vyjmutí se očistí alifatickým nebo aromatickým rozpoštědlem, vysuší se zbytky rozpouštědla, načež se vytvrdí nanesený215 853 alkylhydrogenpolysiloxan.
- 2. Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky podle bodu 1, vyznačený t í m, že do alkylhydrogenpolysiloxanu se přidá katalyzátor ze skupiny látek zahrnujících organokovové soli nebo organokovové sloučeniny některých kovů jako cínu, olova, titanu, chrómu, -zinku, kobaltu, vápníku a hořčíku.Vytiskly Moravské tiskařské závody, provoz 12, Leninova 21, Olomouc
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS259180A CS215853B1 (cs) | 1980-04-14 | 1980-04-14 | Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS259180A CS215853B1 (cs) | 1980-04-14 | 1980-04-14 | Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS215853B1 true CS215853B1 (cs) | 1982-09-15 |
Family
ID=5363475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS259180A CS215853B1 (cs) | 1980-04-14 | 1980-04-14 | Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS215853B1 (cs) |
-
1980
- 1980-04-14 CS CS259180A patent/CS215853B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3673099A (en) | Process and composition for stripping cured resins from substrates | |
| EP0044136A1 (en) | Encapsulation of electronic device | |
| JP6853826B2 (ja) | 非クロメート腐食防止ポリチオエーテルシーラント | |
| US8717130B2 (en) | Lacquer composition and use thereof | |
| KR20150074153A (ko) | 제어-방출 아민-촉매화된 황-함유 중합체 및 에폭시 조성물 | |
| TWI706024B (zh) | 散熱材料接著用組成物、附接著劑之散熱材料、鑲嵌件基板及其製造方法 | |
| GB2317386A (en) | UV- and thermally-hardenable epoxy resins | |
| US4564562A (en) | Silicone encapsulated devices | |
| US4582556A (en) | Adhesion primers for encapsulating epoxies | |
| ATE494329T1 (de) | Vernetzungsverfahren für eine epoxidharzzusammensetzung enthaltend reaktives phosphonat | |
| EP0644908A1 (en) | Silicon based lacquer, its use as a substrate coating and substrates thus obtained | |
| CS215853B1 (cs) | Způsob zvýšení spolehlivosti zapouzdření polovodičové součástky zalisované nebo zalité v plastu | |
| CN1146975C (zh) | 形成模制的中空塑料外壳的方法 | |
| JP6436988B2 (ja) | 金属リガンド含有プレポリマー、その合成方法、及びその組成物 | |
| CN1027375C (zh) | 硅树脂组合物制造方法 | |
| US4362570A (en) | Solvent mixture for removing polysulfide and silicone rubber coatings | |
| US4148966A (en) | Polyarylene sulphide coated backing | |
| CA1040942A (en) | Method of coating oxidized inorganic substrates with polymide | |
| JP2001244383A (ja) | 半導体装置 | |
| KR101825031B1 (ko) | 반도체 패키지 화학적 디플래시 용액 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지 플래시 제거방법 | |
| US2955327A (en) | Method for sealing electrical switches or the like | |
| KR20210124994A (ko) | 실란계 코팅을 고체 표면, 특히 금속 표면 상에 도포하는 개선된 방법 | |
| Li et al. | Epoxy Resin with Metal Complex Additives for Improved Reliability of Epoxy-Copper Joint | |
| JP2005229697A (ja) | 真空用モータ | |
| JP4651514B2 (ja) | 電解コンデンサ |