CS215737B1 - Způsob odstraňování síťovaných polyailoxanů z povrchu materiálu - Google Patents

Abstract

Účelem vynálezu je dosažení snadného odstraňování nežádoucích nánosů nebo zrušení spojů, vytvořených z polyailoxanů. Tohoto účelu se dosáhne tím, Se se předmět, opatřený na povrchu síťovaným polysiloxanem, podrobí působení tekuté směsi primárního, sekundárního nebo terciálního aminu s 0,1 až 50 % přísad, sestávajících z hydroxidů alkalických kovů, jejich solí nebo kvarterních amoniových či fosfoniových solí. Vynález je možno použít pro leptání síťovaných polysiloxanů.

Description

Vynález se týká způsobu odstraňování síťovaných polysiloxanů z povrchu materiálu, zařízení, součástek nebo jejich spojů.

V současná době jsou podobná operace prováděny buá mechanickým způsobem, vysokoteplotními degradacemi, nebo kombinací mechanického narušení a botnéním v organických či vhodných anorganických sloučeninách, jako jsou kyseliny apod. a dodatečným odstraněním zbotnalýoh zbytků. Je zná* rovněž způsob odstraňování silikonových pryskyřic pomocí primárních a sekundárních aminů, spočívající ve Štěpení síťovaných pryskyřic těmito látkami. Štěpení je vysvětlováno jako nukleofilní substituce na atomu křemíku a jedná se o reakci reverzibilní. Nelze ji aplikovat na lineární polysiloxany.

Nedostatky jmenovaných postupů spočívají v možnosti mechanického nebo tepelného poškození podkladového materiálu, ve zdlouhavosti a pracnosti. Použití degradace pomocí aminů je omezeno na úzkou oblast silikonových pryskyřic.

Uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu způsob odstraňování síťovaných polysiloxanů z povrchu materiálu, zařízení, součástek nebo jejich spojů za použití aminů. Jeho podstata spočívá v tom, že se předmět, opatřený na povrchu síťovaným polysiloxanem, podrobí působení tekuté směsi primárního, sekundárního nebo terciárního aminu s 0,1 až 50 % hmot. přísad, skládajících se z hydroxidů alkalických kovů, jejich solí nebo kvartérních amoniových či fosfoniových bází.

Účinek způsobu podle vynálezu spočívá ve snadném odstraňování nežádoucích nánosů nebo zrušení spojů, vytvořených z polysiloxanů.

Hýdroxidy alkalických kovů, jejích soli i kvartérní amoniové či fosfoniové báze lze přidávat k aminům v jakékoliv fyzikální formě. Uvedené látky degradační účinek aminů podstatně urychlují, rozšiřují oblast jejich působnosti i na lineární polysiloxany, případně jejich vulkanizáty, získané věemi dosud známými postupy síťování a zabraňují vratnosti reakce.

Chemická odstraňování polysiloxanových vrstev je též jednoduché, rychlé a dokonalé. Výhodou je, že odstraňovaný nános je v kapalné formě lehce odstranitelný i z těžko přístupných míst jako dutin, kanálků apod. Další předností je možnost jeho provádění v celém teplotním rozsahu kapalné fáze použitého aminu a regulace rychlosti celého postupu změnou koncentrace druhé komponenty.

Aminy, použité k odstranění nánosů, lze jednoduchým způsobem a téměř beze ztrát, např. destilací, regenerovat. Uvedený způsob je rovněž možno použít k leptání síťovaných polysilo.-r xanů.

Způsob, podle vynálezu je v dalším blíže popsán v několika příkladech provedení.

Příklad 1

Jestliže bylo při rekonstrukci keramických, porcelánových, skleněných a jiných předmětů pro spojování jednotlivých zlomků použito» adheziva na bázi polysiloxanů, např. jednoslož1 kové, za normální teploty vulkanizující pasty Či tmelu, potom v případě nutnosti rozebrání slepených předmětů na původní zlomky bylo využito následujícího postupu: Předmět vyl ponořen do směsi 100 hmotnostních dílů n-butylaminu a 10 hmotnostních dílů silanolátu sodného. Doba destrukce siloxanové vrstvy je závislá na její tloušťce.,Při tloušťce do 2 mm došlo během 10 minut k dokonalému rozložení spoje. Po vyjmutí z destrukční lázně následovalo důkladné opláchnutí vodou.

Příklad 2

V elektrotechnice bývají citlivá místa součástek, např. různé spoje apod., chráněna krycí vrstvou na bázi polysiloxanů. Při úpravách, opravách nebo změnách prováděných na těchto součástkách byla krycí a izolační vrstva odstraněna ponořením do lázně, skládající se ze 100 hmotnostních dílů cyklohexylaminu, 5 hmotnostních dílů KOH o velikosti částic do 0,03 mm. S výhodou se rozpouštění provádělo při pohybu rožpouštěcího média, čímž byl obnovován povrch siloxanové vrstvy a docházelo k urychlení degradačního procesu. Zvýšení rychlosti rozpouštění lze dosáhnout také zahřátím destrukční lázně. Po vyplavení siloxanové složky byla každá sou*· částka dokonale omyta vodou, případně polárními rozpouštědly, a osušena. Po vysušení byla již připravena k dalšímu použití.

Příklad 3

V telefonních centrálách, kde bylo k izolaci nebo při konstrukci některých součástek využit® pryskyřic či jiných silikonových polymerů, dochází k sekundárnímu znečištění siloxanové složky, což je příčinou poruch. Směsí cyklohexylaminu s 0,03 % hydroxidu sodného a postupem uvedeným v příkladu 2 byla z demontované součástky odstraněna nežádoucí vrstva. Bez demontáže byly nánosy o menší tloušťce odstraněny potíráním směsí aminu s KOH, jak je uvedeno v příkladu 2, nebo 50 % disperzí KOH v cyklohexylaminu. Dodatečně byly očištěné součástky opláchnuty etylalkoholem.

Claims (1)

1. Způsob odstraňování síťovaných polysiloxanů z povrchu materiálů, zařízení, součástek nebo jejich spojů za použití aminů, vyznačený tím, že se předmět, opatřený na povrchu síťovaným polysiloxanem, podrobí působení tekuté směsi primárního, sekundárního nebo terciárního aminu s 0,1 až 50 % přísad, skládajících se z hydroxidů alkalických kovům, jejich solí nebo kvarterních amoniových či fosfoniových bází.