CS215737B1 - A method for removing crosslinked polyailoxanes from a material surface - Google Patents
A method for removing crosslinked polyailoxanes from a material surface Download PDFInfo
- Publication number
- CS215737B1 CS215737B1 CS651880A CS651880A CS215737B1 CS 215737 B1 CS215737 B1 CS 215737B1 CS 651880 A CS651880 A CS 651880A CS 651880 A CS651880 A CS 651880A CS 215737 B1 CS215737 B1 CS 215737B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- polysiloxanes
- crosslinked
- polyailoxanes
- salts
- material surface
- Prior art date
Links
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
Účelem vynálezu je dosažení snadného odstraňování nežádoucích nánosů nebo zrušení spojů, vytvořených z polyailoxanů. Tohoto účelu se dosáhne tím, Se se předmět, opatřený na povrchu síťovaným polysiloxanem, podrobí působení tekuté směsi primárního, sekundárního nebo terciálního aminu s 0,1 až 50 % přísad, sestávajících z hydroxidů alkalických kovů, jejich solí nebo kvarterních amoniových či fosfoniových solí. Vynález je možno použít pro leptání síťovaných polysiloxanů.The purpose of the invention is to achieve easy removal of unwanted deposits or the dissolution of joints formed from polysiloxanes. This purpose is achieved by subjecting an object provided with a crosslinked polysiloxane surface to a liquid mixture of a primary, secondary or tertiary amine with 0.1 to 50% of additives consisting of alkali metal hydroxides, their salts or quaternary ammonium or phosphonium salts. The invention can be used for etching crosslinked polysiloxanes.
Description
Vynález se týká způsobu odstraňování síťovaných polysiloxanů z povrchu materiálu, zařízení, součástek nebo jejich spojů.The present invention relates to a method for removing cross-linked polysiloxanes from the surface of a material, device, component or joint.
V současná době jsou podobná operace prováděny buá mechanickým způsobem, vysokoteplotními degradacemi, nebo kombinací mechanického narušení a botnéním v organických či vhodných anorganických sloučeninách, jako jsou kyseliny apod. a dodatečným odstraněním zbotnalýoh zbytků. Je zná* rovněž způsob odstraňování silikonových pryskyřic pomocí primárních a sekundárních aminů, spočívající ve Štěpení síťovaných pryskyřic těmito látkami. Štěpení je vysvětlováno jako nukleofilní substituce na atomu křemíku a jedná se o reakci reverzibilní. Nelze ji aplikovat na lineární polysiloxany.Currently, similar operations are performed either by mechanical means, high temperature degradation, or a combination of mechanical disruption and swelling in organic or suitable inorganic compounds such as acids and the like, and additional removal of swollen residues. It is also known to remove silicone resins by means of primary and secondary amines by resolving the cross-linked resins with these substances. Cleavage is explained as a nucleophilic substitution on a silicon atom and is a reversible reaction. It cannot be applied to linear polysiloxanes.
Nedostatky jmenovaných postupů spočívají v možnosti mechanického nebo tepelného poškození podkladového materiálu, ve zdlouhavosti a pracnosti. Použití degradace pomocí aminů je omezeno na úzkou oblast silikonových pryskyřic.The drawbacks of the above-mentioned processes lie in the possibility of mechanical or thermal damage to the base material, in lengthy and laborious conditions. The use of amine degradation is limited to the narrow region of silicone resins.
Uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu způsob odstraňování síťovaných polysiloxanů z povrchu materiálu, zařízení, součástek nebo jejich spojů za použití aminů. Jeho podstata spočívá v tom, že se předmět, opatřený na povrchu síťovaným polysiloxanem, podrobí působení tekuté směsi primárního, sekundárního nebo terciárního aminu s 0,1 až 50 % hmot. přísad, skládajících se z hydroxidů alkalických kovů, jejich solí nebo kvartérních amoniových či fosfoniových bází.According to the present invention, the method of removing cross-linked polysiloxanes from the surface of a material, device, component, or linkage thereof, using amines, removes the above drawbacks. It is characterized in that the article provided with a cross-linked polysiloxane on the surface is treated with a liquid mixture of a primary, secondary or tertiary amine with 0.1 to 50% by weight. additives consisting of alkali metal hydroxides, their salts or quaternary ammonium or phosphonium bases.
Účinek způsobu podle vynálezu spočívá ve snadném odstraňování nežádoucích nánosů nebo zrušení spojů, vytvořených z polysiloxanů.The effect of the process according to the invention is to easily remove unwanted deposits or to remove joints formed from polysiloxanes.
Hýdroxidy alkalických kovů, jejích soli i kvartérní amoniové či fosfoniové báze lze přidávat k aminům v jakékoliv fyzikální formě. Uvedené látky degradační účinek aminů podstatně urychlují, rozšiřují oblast jejich působnosti i na lineární polysiloxany, případně jejich vulkanizáty, získané věemi dosud známými postupy síťování a zabraňují vratnosti reakce.The alkali metal hydroxides, their salts and the quaternary ammonium or phosphonium bases can be added to the amines in any physical form. Said substances substantially accelerate the degradation effect of amines, extend their scope to include linear polysiloxanes or their vulcanizates, obtained by known cross-linking processes and prevent reversibility of the reaction.
Chemická odstraňování polysiloxanových vrstev je též jednoduché, rychlé a dokonalé. Výhodou je, že odstraňovaný nános je v kapalné formě lehce odstranitelný i z těžko přístupných míst jako dutin, kanálků apod. Další předností je možnost jeho provádění v celém teplotním rozsahu kapalné fáze použitého aminu a regulace rychlosti celého postupu změnou koncentrace druhé komponenty.Chemical removal of polysiloxane layers is also simple, fast and perfect. The advantage is that the deposited liquid is easily removable in liquid form even from hard-to-reach places such as cavities, ducts, etc. Another advantage is the possibility to carry it out over the entire temperature range of the liquid phase of the amine used and to control the speed of the process by changing the concentration of the second component.
Aminy, použité k odstranění nánosů, lze jednoduchým způsobem a téměř beze ztrát, např. destilací, regenerovat. Uvedený způsob je rovněž možno použít k leptání síťovaných polysilo.-r xanů.The amines used to remove deposits can be regenerated in a simple manner and almost without losses, for example by distillation. The process can also be used to etch cross-linked polysiloxanes.
Způsob, podle vynálezu je v dalším blíže popsán v několika příkladech provedení.The process according to the invention is described in more detail below in several exemplary embodiments.
Příklad 1Example 1
Jestliže bylo při rekonstrukci keramických, porcelánových, skleněných a jiných předmětů pro spojování jednotlivých zlomků použito» adheziva na bázi polysiloxanů, např. jednoslož1 kové, za normální teploty vulkanizující pasty Či tmelu, potom v případě nutnosti rozebrání slepených předmětů na původní zlomky bylo využito následujícího postupu: Předmět vyl ponořen do směsi 100 hmotnostních dílů n-butylaminu a 10 hmotnostních dílů silanolátu sodného. Doba destrukce siloxanové vrstvy je závislá na její tloušťce.,Při tloušťce do 2 mm došlo během 10 minut k dokonalému rozložení spoje. Po vyjmutí z destrukční lázně následovalo důkladné opláchnutí vodou.If polysiloxane-based adhesives, such as mono-component, vulcanizing pastes or sealants, were used to relate the individual fragments in the reconstruction of ceramic, porcelain, glass, and other objects, then the following procedure was used if necessary : The article was immersed in a mixture of 100 parts by weight of n-butylamine and 10 parts by weight of sodium silanolate. The destruction time of the siloxane layer is dependent on its thickness. At a thickness of up to 2 mm, the joint has been completely distributed within 10 minutes. Removal from the destruction bath was followed by thorough rinsing with water.
Příklad 2Example 2
V elektrotechnice bývají citlivá místa součástek, např. různé spoje apod., chráněna krycí vrstvou na bázi polysiloxanů. Při úpravách, opravách nebo změnách prováděných na těchto součástkách byla krycí a izolační vrstva odstraněna ponořením do lázně, skládající se ze 100 hmotnostních dílů cyklohexylaminu, 5 hmotnostních dílů KOH o velikosti částic do 0,03 mm. S výhodou se rozpouštění provádělo při pohybu rožpouštěcího média, čímž byl obnovován povrch siloxanové vrstvy a docházelo k urychlení degradačního procesu. Zvýšení rychlosti rozpouštění lze dosáhnout také zahřátím destrukční lázně. Po vyplavení siloxanové složky byla každá sou*· částka dokonale omyta vodou, případně polárními rozpouštědly, a osušena. Po vysušení byla již připravena k dalšímu použití.In electrical engineering, sensitive parts of components, eg various connections, etc., are protected by a polysiloxane-based coating. During modifications, repairs or alterations made to these components, the covering and insulating layers were removed by immersion in a bath consisting of 100 parts by weight of cyclohexylamine, 5 parts by weight of KOH having a particle size of up to 0.03 mm. Preferably, the dissolution is carried out as the dissolving medium moves, thereby renewing the surface of the siloxane layer and accelerating the degradation process. An increase in the dissolution rate can also be achieved by heating the destruction bath. After washing out the siloxane component, each amount was thoroughly washed with water or polar solvents, and dried. After drying it was ready for further use.
Příklad 3Example 3
V telefonních centrálách, kde bylo k izolaci nebo při konstrukci některých součástek využit® pryskyřic či jiných silikonových polymerů, dochází k sekundárnímu znečištění siloxanové složky, což je příčinou poruch. Směsí cyklohexylaminu s 0,03 % hydroxidu sodného a postupem uvedeným v příkladu 2 byla z demontované součástky odstraněna nežádoucí vrstva. Bez demontáže byly nánosy o menší tloušťce odstraněny potíráním směsí aminu s KOH, jak je uvedeno v příkladu 2, nebo 50 % disperzí KOH v cyklohexylaminu. Dodatečně byly očištěné součástky opláchnuty etylalkoholem.In call centers where resins or other silicone polymers have been used to insulate or design some components, the siloxane component is contaminated secondary, causing malfunctions. A mixture of cyclohexylamine with 0.03% sodium hydroxide and the procedure of Example 2 removed the undesirable layer from the disassembled part. Without disassembly, the thinner coatings were removed by rubbing mixtures of the amine with KOH as described in Example 2, or 50% dispersion of KOH in cyclohexylamine. Additionally, the cleaned parts were rinsed with ethyl alcohol.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS651880A CS215737B1 (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | A method for removing crosslinked polyailoxanes from a material surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS651880A CS215737B1 (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | A method for removing crosslinked polyailoxanes from a material surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS215737B1 true CS215737B1 (en) | 1982-09-15 |
Family
ID=5412405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS651880A CS215737B1 (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | A method for removing crosslinked polyailoxanes from a material surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS215737B1 (en) |
-
1980
- 1980-09-26 CS CS651880A patent/CS215737B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3673099A (en) | Process and composition for stripping cured resins from substrates | |
| US6635118B2 (en) | Aqueous cleaning of polymer apply equipment | |
| US20080076690A1 (en) | Non-hermetic encapsulant removal for module rework | |
| TW202405153A (en) | Composition, adhesive polymer cleaning method, device wafer manufacturing method, and support wafer regeneration method | |
| KR980700133A (en) | Cleaning Method and Cleaning Apparatus | |
| JP7405100B2 (en) | Disassembly cleaning composition, adhesive polymer cleaning method, and device wafer manufacturing method | |
| CN110591123B (en) | Dissolving agent for removing cured silicone rubber and preparation method thereof | |
| CA1038705A (en) | Method for rendering vitreous surfaces water repellant and dirt deposit resistant and articles produced thereby | |
| CN102301283B (en) | Resist remover composition and resist removing method using the same | |
| CS215737B1 (en) | A method for removing crosslinked polyailoxanes from a material surface | |
| KR940001078B1 (en) | Method for manufacturing a photoconductor drum | |
| CN100412184C (en) | Washing and rinsing method | |
| US3762952A (en) | Removal of vinylbenzylhalide polymeric deposits from surfaces | |
| TW201510005A (en) | Method for removing polyoxynoxy resin from a substrate | |
| KR20150016738A (en) | Method for reclaiming glasssubstrate for mobile | |
| US1185641A (en) | Finish-removing process. | |
| TW201422805A (en) | Substrate cleaning method and cleaning liquid composition | |
| JPWO2014057861A1 (en) | Glass substrate cleaning method | |
| JPH07265604A (en) | Washing and drying method | |
| JPH0253781B2 (en) | ||
| JPH07197092A (en) | Washing and drying method | |
| JPH04110483A (en) | Method for washing parts with water-soluble detergent | |
| KR100213292B1 (en) | Method and composition for removing photosensitive resin on the wafer | |
| JP3521136B2 (en) | Cleaning method | |
| US4787941A (en) | Cleaning method for keyboard assemblies |