CS210167B1 - Způsob čištěni povrchu nevodivých podložek a zařízení k jeho provádění - Google Patents

Způsob čištěni povrchu nevodivých podložek a zařízení k jeho provádění Download PDF

Info

Publication number
CS210167B1
CS210167B1 CS853279A CS853279A CS210167B1 CS 210167 B1 CS210167 B1 CS 210167B1 CS 853279 A CS853279 A CS 853279A CS 853279 A CS853279 A CS 853279A CS 210167 B1 CS210167 B1 CS 210167B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
cleaned
cleaning
active gas
spark gap
under normal
Prior art date
Application number
CS853279A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Jandus
Original Assignee
Jan Jandus
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Jandus filed Critical Jan Jandus
Priority to CS853279A priority Critical patent/CS210167B1/cs
Publication of CS210167B1 publication Critical patent/CS210167B1/cs

Links

Landscapes

  • Cleaning In General (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

Vynález řeší čištění povrchu nevodivých podložek určených zejména pro vytváření tenkých vrstev, jehož podstatou je působení elektrického výboje na čištěný povrch za normálního tlaku vzduchu nebo aktivního plynu.

Description

Vynález se týká způsobu Slátání povrchu nevodivých podložek určených zejména pro vytváření tenkých Vrstev a zařízení k provádění tohoto způsobu.
Čistění různých typů nevodivých podložek, používaných zejména pro vytváření tenkých vrstev, se obvykle provádí mytím v různých typech mycích roztoků, případná výbojem ve zředěném plynu. Nevýhodou váech mycích metod je poměrně obtížné odstraněni slabých vrstev organických sloučenin z povrchu myté části podložky. Delší nevýhodou váech mycích metod je poměrně obtížné uskladňování vyčištěných podložek, nebol tenká vrstva organických sloučenin se velmi rychle usazuje na vyčištěném povrchu, je-li podložka ponechána v běžné pokojové atmosféře. Vyčištěné podložky je tedy nutno skladovat ve speciálně udržovaném termostatu a pokud dojde k opětnému znečištění, např. při dalším transportu, je nutno čisticí proces opakovat. Vrstvu organických nečistot a povrchů nevodivých podložek lze velmi dobře odstranit výbojem ve zředěném plynu. Avšak nevýhodou tohoto způsobu čištění je nutnost použít složitější zařízení obsahující, kromě jiného, i vakuovou čerpací jednotku.
Nevýhody dosavadních způsobů odstraňuje způsob čištění povrchu nevodivých podložek podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se na čištěnou podložku působí elektrickým výbojem za normálního tlaku okolní atmosféry, která je tvořena buž vzduchem, nebo aktivním plynem, např. kyslíkem nebo vodíkem nebo freonem.
Výhody způsobu podle vynálezu a vyšší účinek se projevují zejména v tom, Se je možno rychle, bez máčení a bez použití složitějšího zařízení dokonale odstranit vrstvičku organických sloučenin z povrchu nevodivá podložky. Způsob je možno použít též k rychlému přečištění 'podložek kontaminovaných při skladováni nebo transportu.
Na výkresu j® schematicky znázorněno zařízení pro převádění způsobu podle vynálezu, kterého lze např. využít k číStání skleněných podložek určených pro vytváření fotokonduktivn.ích vrstev a sloužících jako rozkladové elektrody ve snímacích elektronkách vidikonového typu. Na výkresu je podložka 2 umístěna na rotujícím držáku j mezi elektrodami jiskřiStě 2, Trubicí 2» umístěnou proti podložce 2, je přiváděn aktivní plyn. JiskřiStě 2 je napájeno opakovanými pulsy vysokého napětí. Jako zdroj pulsů slouží Teslův transformátor napájený z akumulátoru přes Vágnerovo kladívko. Vrstvu organických sloučenin z celého povrchu podložky lze odstranit za normálního atmosférického tlaku, přičemž 81Stěnou plochou se pohybuje tak, aby se v těsné blízkosti vystřídaly postupně všechny body čištěné plochy, Čisticí účinek elektrického výboje je možno zvýSit přívodem aktivního plynu do prostoru jiskřiStě. Tímto plynem může být kyslík, vodík nebo freon. Obvykl® po dvojím otočení podložky v jiskříSti se přítomnosti kyslíku je její povrch zbaven organických nečistot.
Způsob podle vynálezu lze zejména dobře využít pro odmaštovánl povrchu podložek určených pro vytvářeni tenkých vrstev.

Claims (3)

  1. t. Způsob čištění povrchu nevodivých podložek určených zejména pro vytvářeni tenkých vrstev, vyznačený tím, že se na otáčející se čištěnou podložku působí elektrickým výbojem procházejícím pod povrchem čištěné plochy podložky za normálního tlaku okolní atmosféry, která je.tvořena buá vzduchem, nebo aktivním plynem.
  2. 2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že aktivním plynem je kyslík nebo vodík nebo freon.
  3. 3. Zařízení k provádění způsobu podle bodu 1 a 2 vyznačené tím, že sestává z otočného držáku (3) a jiskřiště (2), přičemž čištěná plocha podložky (1) umístěná na držáku (3) je rovnoběžná se spojnici hrotů jiskřiště (2), která prochází pod povrchem čištěné plochy podložky (,\ proti níž je umístěno ústí trubice (4) pro přívod aktivního plynu.
CS853279A 1979-12-07 1979-12-07 Způsob čištěni povrchu nevodivých podložek a zařízení k jeho provádění CS210167B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS853279A CS210167B1 (cs) 1979-12-07 1979-12-07 Způsob čištěni povrchu nevodivých podložek a zařízení k jeho provádění

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS853279A CS210167B1 (cs) 1979-12-07 1979-12-07 Způsob čištěni povrchu nevodivých podložek a zařízení k jeho provádění

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS210167B1 true CS210167B1 (cs) 1982-01-29

Family

ID=5435961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS853279A CS210167B1 (cs) 1979-12-07 1979-12-07 Způsob čištěni povrchu nevodivých podložek a zařízení k jeho provádění

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS210167B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW501165B (en) A vertically configured chamber used for multiple processes
CN1355929A (zh) 半导体晶片的清洗方法与系统
CN112885741B (zh) 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
Mayer et al. Megasonic cleaning: A new cleaning and drying system for use in semiconductor processing
JPH08327959A (ja) ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置
JPH08100195A (ja) 半導体ウエハを洗浄するための洗浄剤および洗浄方法
TW424001B (en) An apparatus for the electrostatic collection of contaminant particles from a substrate in semiconductor substrate processing equipment and a method for removing contaminant particles from the surface of a substrate
CS210167B1 (cs) Způsob čištěni povrchu nevodivých podložek a zařízení k jeho provádění
JP2004053817A (ja) フォトマスク及びその製造方法
JP2850887B2 (ja) ウエーハの洗浄方法及びその装置
JPH04107824A (ja) 洗浄用部材の洗浄方法
JPS6072233A (ja) 半導体ウエ−ハの洗浄装置
US7525327B2 (en) Apparatus for evaluating semiconductor wafer
TW200847257A (en) Electrolytic processing unit device, and method for electrolytic processing, washing, and drying
JPH06232103A (ja) 洗浄方法
JP2915458B2 (ja) 半導体ウェーハ洗浄装置
JP7426898B2 (ja) 洗浄体、洗浄装置および洗浄方法
JPH02252238A (ja) 基板の洗浄装置
JP2000315672A (ja) 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置
JPS6442134A (en) Apparatus for cleaning semiconductor wafer
JPH07302827A (ja) 半導体ウエハ搬送装置
JPH0420966A (ja) レチクル洗浄機
JPS59195646A (ja) 半導体素子製造用マスクの洗浄方法および洗浄装置
TW482698B (en) Method for cleaning organic electro-luminescent (OEL) display panel and device therefore
CN213988837U (zh) 晶圆双面清洗设备