CS204006B2 - Taristor - Google Patents

Taristor Download PDF

Info

Publication number
CS204006B2
CS204006B2 CS775115A CS511577A CS204006B2 CS 204006 B2 CS204006 B2 CS 204006B2 CS 775115 A CS775115 A CS 775115A CS 511577 A CS511577 A CS 511577A CS 204006 B2 CS204006 B2 CS 204006B2
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
control
electrode
control line
auxiliary emitter
thyristor
Prior art date
Application number
CS775115A
Other languages
English (en)
Inventor
Erhard Lehmann
Heinz Martin
Peter Voss
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CS204006B2 publication Critical patent/CS204006B2/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Vynález se týká tyristoru .s kotoučovým pouzdrem .s kovovými deskami a s izolačním prstencem mezi těmito kovovými deskami, s polovodičovým .prvkem obklopeným pouzdrem, kterýžto polovodičový prvek je opatřen řídicí elektrodou a pomocnou emitorovou elektrodou, s řídicím vedením, které je prostřednictvím řídicí elektrody elektricky spojeno· s průchodkou, uloženou v izolačním prstenci, s nejméně jednou štěrbinou, uspořádanou v jedné z kovových desek, ve které je upraveno řídicí vedení.
Takové a podobné tyristory, které se používají v různých zapojeních, jako v měničích stejnosměrného proudu, střídačích, kmitávých . obvodech atd., mohou se vypnout jenu pomocí zhášeních obvodů, jejichž nákladnost vzrůstá se vzrůstající spouštěcí dobou. Tyristory mají mít nepatrnou spouštěcí dobu. Pro přístroje a zařízení, pracující při vyšší frekvenci, je krátká spouštěcí doba potřebná pro· to, aby se zajistila funkce přístroje a dosáhla dostatečně příznivá účinnost. Zkrácení spouštěcí doby spínacími opatřeními· v řídicím obvodu umožňuje, Že se tyristory mohou použít při ještě vyšších provozních frekvencích, případně že se mohou snížit náklady na zhášení.
Je známo, .přivádět tyristorům se strukturami, zesilujícími řídicí proud, pro zkrá2 cení spouštěcí doby pomocné napětí na emitorovou elektrodu pomocného tyristoru, . která je vůči řídicímu napětí opačně pólováno. Toto pomocné napětí může být připojeno trvale nebo. jen během spouštěcí doby. Tímto pomocným napětím se odsávají nosiče nábojů nashromážděné v polovodičovém tělísku, které by jinak při opětovném nárůstů napětí v blokovacím směru mohly způsobit zapálení. Známá řešení pro přívod pomocného napětí předpokládají diodu, uuspořádanou v pouzdru nebo integrovanou v polovodičovém tělísku tyristoru, která je spojena .s pomocnou emitorovou elektrodou a s řídicími .přípoji a je polována tak, že řídicí proud pro tyristor nemůže téci do pomocné emitorové elektrody, viz DOS číslo 2 447 621.
Známé řešení však vyžaduje, že řídicí přístroj musí dodávat impulsy .obou polarit. Náklady pro vytváření negativního pomocného napětí mohou být pro mnohá použití menší tehdy, jestliže by se pomocná emitorová elektroda mohla vyhazovat přímo. z vnějšku, nezávisle na řídicí elektrodě, například připojením lehce vytvořitelného záporného stejnosměrného . napětí.
V užitném vzoru NSR 6 810 881 a v DOS
639 019 jsou popsány takové tyristory, u kterých se napětí pro jejich řízení přivádí mezi pomocnou emitorovou elektrodu a pomocnou řídicí elektrodu, respektive mezi katodovou elektrodou a pomocnou emitorovou elektrodu. Pro zkrácení spouštěcí doby se však přímá možnost- přístupu k pomocné emitorové elektrodě nevyužívá.
Má-li se shora uvedený druh tyristoru dimenzovat pro vyšší ·frekvence, pak se musí řídicí vedení k pomocné emitorové elektrodě vytvořit tak, aby mělo co nejmenší indukčnost.
Úkolem vynálezu je, rozvinout tyristor shora uvedeného druhu dále tak, aby se na základě nepatrné indukčnosti v řídicím- obvodu mohl provozovat s vysokými frekvencemi.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že pomocná emitorová elektroda ' je spojena s druhým řídicím vedením, také toto· druhé řídicí vedení je uložené ve štěrbině, uspořádané v jedné · z kovových desek, druhé řídící vedení je spojeno s druhou průchodkou, uloženou v izolačním prstenci, v jedné z kovových desek je · vytvořeno vybrání, které leží proti řídicí elektrodě a pomocné emitorové elektrodě a ústí do mezery, a obě průchodky, uložené v izolačním prstenci, jsou uspořádány u sebe.
Dalším význakem vynálezu pak je, že obě průchodky jsou uspořádány vedle sebe.
Rozvinutí vynálezu spočívá dále v tom, že obě průchodky jsou sdruženy v jedinou průchodku, vytvořenou jako koaxiální zásuvkové spojení.
Význakem vynálezu rovněž je, že kovová deska má dvě štěrbiny, ve kterých je upraveno · vždy jedno< · řídicí vedení.
Výhodné provedení vynálezu spočívá dále· v · tom, že obě řídicí vedení jsou upravena·· ve společné štěrbině.
Rovněž výhodné provedení vynálezu spočívá · dále · v · tom, že obě řídicí vinutí sestávají z drátů, jejichž · konce, ústící · do vybrání, jsou ohnuty a · tupě dosedají na řídicí elektrodu, případně na pomocnou emitorovou elektrodu a tyto- konce jsou tlačeny systémem pružin, uspořádaným ve vybrání, proti elektrodám.
Posledním význakem vynálezu pak je, že obě řídicí vinutí sestávají z drátů, jejichž konce, · ústící · do · vybrání, jsou vytvořeny jako navzájem soustředné pružiny.
Výhody řešení podle vynálezu spočívají zejména v tom, že jednoduchými a nenákladnými opatřeními· se získá tyristor is · nepatrnými indukčnostmi v řídicím obvodu, takže · může · být použito i pro · vysoké frekvence.
Vynález bude v dalším· textu blíže objasněn n-a·. příkladu provedení, znázorněném' na připojeném výkresu.
Na · obr. 1 je znázorněn· 'tyristor podle vynálezu v částečném^ řezu.
Na obr. 2 je znázorněn částečný pohled na tyristor podle Obr. 1 v řezu podle přímky III—III.
Tyristor· podle obr. 1 má horní kovovou d-esku 1 · a · dolní kovovou · desku 2. Kovové desky 1, 2 · sestávají · ' z materiálu, dobře vodícího teplo, například z mědi. Kovové desky · 1, 2 jsou prostřednictvím kovových · prstenců 4, 5 spojeny s izolačním' prstencem 3 například tvrdým pájením. Na dolní kovové desce 2 je uložen polovodičový prvek 6, přičemž mezi nimi může být uspořádána fólie 7 pro zlepšení· kontaktu. Na straně katody polovodičového prvku 6 je usazena horní kovová deska 1, která je -opatřena radiálně probíhající štěrbinou 22. Tato· štěrbina · 22 ústí do vybrání 10, uspořádaného středově v kovové desce 1, které leží proti řídicí elektrodě a pomocné emitorové elektrodě. Řídicí elektroda a pomocná emitorová elektroda nejsou z důvodu lepší přehlednosti na obrázku znázorněny. Ve . štěrbině 22 je uspořádáno první řídicí vedení 23 a druhé řídicí vedení 24, jejich vnitřní konce ústí do vybrání 10.
Tyto konce řídicích vedení 23, 24 jsou vytvořeny jako navzájem soustředné · pružiny 26, 27. Pružina 27 je šroubová pružina·, zatímco pružina 26 je pružina, sestávající z jediného závitu. Konce 25, 30 řídicích vedení 23, 24 odvrácené od řídicí elektrody, respektive pomocné ernitorové elektrody, jsou zasunuty do průchodek 21, 29, uspořádaných v izolačním prstenci 3. Tyto průchodky jsou vytvořeny jako přípoje pro řídicí elektrodu, respektive pomocnou emitorovou elektrodu.
Popsané provedení je s ohledem na použití tyristoru pro- vyšší frekvence, velmi výhodné, neboť žádné ze řídicích vedení nemusí být vedeno kolem pouzdra, čímž se nemohou vytvořit · indukčnosti, které jsou rušivé zejména při vyšších frekvencích. · Je však itaké možné, upravit · řídicí vedení 23, 24 do dvou štěrbin, · pokud · jsou průchodky 21, 29 uspořádány blízko u sebe, jak je znázorněno v obr. · 2. Je také možné, použít jednu jedinou průchodku, · jestliže obě průchodky jsou sdruženy v jedinou · průchodku na způsob koaxiálního zásuvkového spojení.
Vytvoření kontaktu u pomocné ernitorové elektrody· a řídicí elektrody se nemusí provádět prostřednictvím · navzájem soustředných pružin. Vytvoření kontaktu uvedených elektrod je také možné tím, · že obě řídicí vedení 23, 24 sestávají z drátů, · · jejichž konce, ústící do vybrání 10, jsou ohnuty a dosedají tupě na řídicí elektrodu, respektive pomocnou · emitorovou elektrodu. Tyto konce mohou přitom být tlačeny systémem pružin, uspořádaným ve vybrání, · proti elektrodám.
Popsané příklady provedení mají řídicí elektrody a pomocné emltorové elektrody pod tlakem, takže se vytváří potřebný styk. Je · však také možné, · spojit řídicí · vedení · s elektrodami, které · jsou jim přiřazeny, pomocí materiálu, například pájením, nebo svařením.

Claims (7)

  1. PŘEDMĚT VYNALEZU
    1. Tyristor s kotoučovým· pouzdrem s kovovými deskami a izolačním prstencem upraveným mezi nimi, s polovodičovým prvkem, obklopeným pouzdrem, kterýžto polovodičový prvek je opatřen řídicí elektrodou a pomocnou emitorovou elektrodou, s řídicím vedením, které je prostřednictvím řídicí elektrody elektricky spojeno· s průchodkou, uloženou v izolačním prstenci, s nejméně jednou štěrbinou, uspořádanou v jedné z kovových· desek, ve které je upraveno řídicí vedení, vyznačující se tím, že pomocná emitorová elektroda je spojena s druhým řídicím vedením (24), také toto druhé řídicí vedení (24) je upraveno· ve štěrbině (22) uspořádané v jedné z kovových desek (1), druhé řídicí vedení (24) je spojeno· s druhou průchodkou (29), uloženou v izo>lačním prstenci (3), v jedné z kovových desek (1) je uspořádáno vybrání (10), které leží proti řídicí elektrodě a pomocné emitorové elektrodě, a ústí do štěrbiny (22) a obě průchodky (21, 29) uložené v izolačním prstenci J3), jsou uspořádány u sebe.
  2. 2. Tyristor podle bodu 1, vyznačující se tím, že obě průchodky (21, 29) jsou uspořádány navzájem vedle sebe.
  3. 3. Tyristor podle bodu 1, vyznačující se tím, že obě průchodky (21, 29) jsou sdruženy v jedinou průchodku na způsob koaxiálního zásuvkového· spojení.
  4. 4. Tyristor podle bodů 1, 2 nebo· . 3, vyznačující se tím, že kovová deska (1) je opatřena dvěma štěrbinami, ve kterých leží vždy jedno řídicí vedení (23, 24).
  5. 5. Tyristor podle bodů 1, 2 nebo 3, vyznačující se tím, že obě řídicí vedení (23, 24) leží ve společné štěrbině (22).
  6. 6. Tyristor podle některého z bodů 1 až 5, vyznačující se tím, že obě řídicí vedení (23, 24) sestávají z drátů, jejichž konce, ústící do vybrání (10) jsou ohnuté a dosedají tupě na · řídicí elektrodu, respektive pomocnou emitorovou elektrodu, a tyto konce jsou tlačeny systémem pružin, uspořádaným ve vybrání (10), proti elektrodám.
  7. 7. Tyristor podle některého z bodů · 1 až 5, vyznačující se tím, že obě řídicí vedení (23, 24) sestávají z · drátů, jejichž konce, ústící · do vybrání (10), jsou vytvořeny jako navzájem soustředné pružiny (26, 27).
CS775115A 1976-08-13 1977-08-02 Taristor CS204006B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19762636631 DE2636631A1 (de) 1976-08-13 1976-08-13 Thyristor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS204006B2 true CS204006B2 (en) 1981-03-31

Family

ID=5985437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS775115A CS204006B2 (en) 1976-08-13 1977-08-02 Taristor

Country Status (11)

Country Link
US (1) US4158850A (cs)
JP (2) JPS5323284A (cs)
BR (1) BR7705338A (cs)
CA (1) CA1094693A (cs)
CH (1) CH617536A5 (cs)
CS (1) CS204006B2 (cs)
DE (1) DE2636631A1 (cs)
FR (1) FR2361746A1 (cs)
GB (1) GB1529157A (cs)
IT (1) IT1085731B (cs)
SE (1) SE7709107L (cs)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855648Y2 (ja) * 1978-12-04 1983-12-20 三菱電機株式会社 半導体装置
DE2855493A1 (de) * 1978-12-22 1980-07-03 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungs-halbleiterbauelement
US4305087A (en) * 1979-06-29 1981-12-08 International Rectifier Corporation Stud-mounted pressure assembled semiconductor device
US4386362A (en) * 1979-12-26 1983-05-31 Rca Corporation Center gate semiconductor device having pipe cooling means
FR2487126A1 (fr) * 1980-07-16 1982-01-22 Silicium Semiconducteur Ssc Dispositif de contact pour composant semi-conducteur, et composant semi-conducteur
JPS61208873A (ja) * 1985-03-13 1986-09-17 Res Dev Corp Of Japan 圧接構造型両面ゲ−ト静電誘導サイリスタ
EP0320618A1 (de) * 1987-12-14 1989-06-21 BBC Brown Boveri AG Gehäuse für einen abschaltbaren Leistungsthyristor (GTO)
US6501157B1 (en) * 1998-04-15 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Substrate for accepting wire bonded or flip-chip components
EP2071621A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-17 ABB Research Ltd. Semiconductor switching device with gate connection

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1639426A1 (de) * 1968-03-14 1971-02-25 Siemens Ag Bilateralthyristor
US3599057A (en) * 1969-02-03 1971-08-10 Gen Electric Semiconductor device with a resilient lead construction
FR2131846B1 (cs) * 1971-03-30 1977-04-22 Cogie
US3896480A (en) * 1971-10-22 1975-07-22 Gen Electric Semiconductor device with housing of varistor material
BE790502A (fr) * 1971-10-26 1973-04-25 Westinghouse Electric Corp Dispositif semiconducteur encapsule a l'aide d'un elastomere
DE2246423C3 (de) * 1972-09-21 1979-03-08 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thyristor mit scheibenförmigem Gehäuse
US3896476A (en) * 1973-05-02 1975-07-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor switching device
JPS556304B2 (cs) * 1974-03-13 1980-02-15
US3975758A (en) * 1975-05-27 1976-08-17 Westinghouse Electric Corporation Gate assist turn-off, amplifying gate thyristor and a package assembly therefor

Also Published As

Publication number Publication date
BR7705338A (pt) 1978-07-04
DE2636631A1 (de) 1978-02-16
GB1529157A (en) 1978-10-18
FR2361746A1 (fr) 1978-03-10
CH617536A5 (cs) 1980-05-30
US4158850A (en) 1979-06-19
SE7709107L (sv) 1978-02-14
IT1085731B (it) 1985-05-28
JPS58448U (ja) 1983-01-05
CA1094693A (en) 1981-01-27
JPS5323284A (en) 1978-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5055990A (en) Snubber circuit for power conversion semiconductor elements and assembly thereof
US5043859A (en) Half bridge device package, packaged devices and circuits
US4670833A (en) Semiconductor module for a high-speed switching arrangement
JP6245365B2 (ja) ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
US4639759A (en) Power transistor module
US4816984A (en) Bridge arm with transistors and recovery diodes
JP6603676B2 (ja) ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
CN105981274A (zh) 电力用半导体模块
US12261543B2 (en) Three-level power module
CS204006B2 (en) Taristor
JP2001274322A (ja) パワー半導体モジュール
JP2005005593A (ja) 半導体パワーモジュール
JPS5968958A (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体
JP2020043102A (ja) 半導体装置および電力変換装置
US4634891A (en) Gate turn-off thyristor module
US5617293A (en) Bridge module
US20080197458A1 (en) Small Outline Package in Which Mosfet and Schottky Diode Being Co-Packaged
JP4631179B2 (ja) 半導体装置およびこれを用いたインバータ装置
RU2002125832A (ru) Выключающее полупроводниковое устройство высокой мощности
JP2017169266A (ja) 昇圧チョッパ回路
US10593633B2 (en) Semiconductor module
CN112599505B (zh) 一种低寄生电感功率模块
CN114121919A (zh) 半导体电路
JPH06302734A (ja) 電力用半導体モジュール
US20240297148A1 (en) Power module with improved semiconductor die arrangement for active clamping