CS201148B1 - Sp6sob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu při epitaxii z kvapalnej fázy - Google Patents
Sp6sob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu při epitaxii z kvapalnej fázy Download PDFInfo
- Publication number
- CS201148B1 CS201148B1 CS574577A CS574577A CS201148B1 CS 201148 B1 CS201148 B1 CS 201148B1 CS 574577 A CS574577 A CS 574577A CS 574577 A CS574577 A CS 574577A CS 201148 B1 CS201148 B1 CS 201148B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- melt
- semiconductor material
- liquid phase
- epitaxtal
- growth
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Vynález sa týká spósobu odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu pri epitaxii z kvapalnej fázy.
Odstraňovanie taveniny z povrchu polovodičového materiálu sa doteraz robilo týmito postupmi: 1. Vlastnou váhou taveniny pri vysávaní polovodičového materiálu. V tomto případe sa odstraňuje tavenina nedoatatočne, lebo okrem vlastnej váhy nepósobí na ňu žiadna iné sila.
2. Mechanicky, keá tekutá tavenina sa odstraňuje grafitovou doátičkou, ktoré sa posúva po povrchu alebo tesne nad povrchom polovodičovej doštičky. Tento postup má nedostatok v tom, že při mechanickom odstraňovaní taveniny z povrchu polovodičového materiálu sa nedostává hrana doštičky odstraňujúcej taveninu do dostatočného styku s jej povrchom, lebo povrch polovodičového materiálu bývá niekedy nerovný, a preto na nej zanechává zbytky taveniny. Okrem toho dochádza pri ich tesnom styku k mechanickému poškodeniu polovodičového materiálu. 3. Odstředivou silou. Pri tomto postupe sa polovodičový materiál aj s taveninou uvedie do rotačného pohybu a vzniknutá odstředivá sila vytláča taveninu z povrchu polovodičového materiálu. Nedostatkom tohto postupu je, že zariadenie je konstrukčně komplikované, tavenina sa odstraňuje hlavně pri členitejšom povrchu polovodičového materiálu po čaatiach a malé kvapóčky taveniny sa odstraňujú ťažko.
Vyššie uvedené nedostatky sa odstraňujú spósobom podTa vynálezu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že na vyaúvajúci sa polovodičový materiál z taveniny sa
201 148
201 148 působí vibráciami o frekvenci! 10 až 150 000 Hz.
Spůsobom podlá vynálezu sa dosahuje dokonalejšie oddelovanie taveniny z povrchu polovodičového materiálu ako u doteraz používaných postupov a súčasne je jednoduchší ako odstředivý spůsob.
Na pripojenom výkrese je znázorněné epitaxné zariadenie využívajúce spůsob podle vynálezu.
Zariadenie na prevédzanie tohto spůsobu sa skládá z kremennej ampule 1, z výhřevného vinutia 2, z grafitovej nádobky 3, z taveniny 4, z nosnej tyčky 5, z vibrátore 6, z vibrujúcej nosnej tyčky 7, z držiaka polovodičového materiálu 8 a z polovodičového materiálu v tvare okrúhlej doštičky 9,
Příklad 1
V ampule z křemenného skla 1, okolo ktoréj je navinutá výhřevná Spirála 2, je umieatnená grafitová nádoba 3 o priemere 60 mm, v ktorej je tavenina o obsahu 90 % véh. india a 10 % váh indium-antimonidu. Doteraz popísané časti sú nepohyblivé. Pomocou nosnej tyčky na ktorej je upevněný vibrátov 6, sa do taveniny vaúvajú a z nej vysúvajú vibrujúce časti: vibrujúca nosná tyčka 7, držiak polovodičovej doštičky 8 a polovodičové doštička 9. Pracovný priestor je preplachlovaný čistým vodíkom. Po vyhriatí taveniny na teplotu 270 °C sa pohyblivý siel, skladajúoi sa z nosnej tyčky 5, z vibrujúcej nosnej tyčky 7, z vibrátore 6, z držiaka polovodičového materiálu 8 a z polovodičového materiálu 9, vsunie do taveniny tak, aby aa polovodičový materiál o priemere 20 mm úplné ponořil do taveniny 4. Počas chladnutia taveniny 4 z 270 °C na 260 °C nařasté na polovodičovom materiáli 9 indium-antimonidová epitaxná vrstva o hrúbke asi 30 um. Po dosiahnutí teploty 260 °C sa zapne vibrátor 6, ktorý cez vibrujúcu noanú tyčku 7 a držiak polovodičového materiálu 8 uvedie do kmitavého pohybu polovodičový materiál 9. Pri vysávaní polovodičového materiálu 9 z taveniny, uvedený kmitavý pohyb spůsobuje lepšie oddelovania taveniny 4 od polovodičovej doštičky 9. Použitá vibračná frekvencia bola 450 Hz. Příkon privádzaný na elektromagnetický^vibrátor 6 bol 30 W,
Příklad 2
Podobné ako v příklade 1 bolo použité to isté zariadenie na vytvorenie vrstiev gáliaarzénu pri použití taveniny o zložení 3,6 g gália a 0,13 g gélia-aržfcnu pri použitéj teplote 750 °C s ochladením na 740 °C a pri použití vibračných fřekvencií 8500 Hz a 90 000 Hz. ,
Spůsob podlá vynálezu je možno použiť vo všetkých prípadoch, v ktorých sa vyskytujú problémy s odstraňováním kvapalnej taveniny z povrchu polovodičového materiálu.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZUSpůsob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu pri epitaxil z kvapalnej fázy vyznačujúci sa tým, že na vysúvajúci sa polovodičový materiál z taveniny aa působí vibráciami o frekvenci! 10 až 150 000 Hz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574577A CS201148B1 (sk) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Sp6sob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu při epitaxii z kvapalnej fázy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574577A CS201148B1 (sk) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Sp6sob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu při epitaxii z kvapalnej fázy |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS201148B1 true CS201148B1 (sk) | 1980-10-31 |
Family
ID=5402925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS574577A CS201148B1 (sk) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Sp6sob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu při epitaxii z kvapalnej fázy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS201148B1 (sk) |
-
1977
- 1977-09-05 CS CS574577A patent/CS201148B1/sk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3759671A (en) | Horizontal growth of crystal ribbons | |
| US3681033A (en) | Horizontal growth of crystal ribbons | |
| US4606037A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor single crystal | |
| GB827466A (en) | Improvements in or relating to methods of and apparatus for manufacturing single crystals | |
| GB778123A (en) | Crystal production | |
| CS201148B1 (sk) | Sp6sob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu při epitaxii z kvapalnej fázy | |
| US4461671A (en) | Process for the manufacture of semiconductor wafers | |
| US3533856A (en) | Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide | |
| US2950219A (en) | Method of manufacturing semiconductor crystals | |
| JP7782016B2 (ja) | 単結晶シリコンロッドの製造デバイスおよび製造方法 | |
| US2835614A (en) | Method of manufacturing crystalline material | |
| US4662982A (en) | Method of producing crystals of materials for use in the electronic industry | |
| JP2504550Y2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| BE880839A (fr) | Dispositif et procede pour faire croitre des cristaux de silicium sous vide, a partir de matiere fondue | |
| CN110528078A (zh) | 一种晶体取出装置 | |
| KR102074340B1 (ko) | 사파이어 웨이퍼의 표면처리 방법 | |
| CS199892B1 (sk) | Sposob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy | |
| JPS59199597A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPS56149399A (en) | Liquid phase epitaxial growing method | |
| US4465545A (en) | Method of growing single crystal cadmium telluride | |
| JPS5538039A (en) | Device for liquid-phase growth of semiconductor | |
| JPS5570040A (en) | Wire bonding device | |
| US3547708A (en) | Surface finish and dimension controlled and parallel faceted semiconductor crystals and growing process | |
| JP2751333B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JPS55104998A (en) | Production of silicon carbide crystal layer |