CS199892B1 - Sposob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy - Google Patents
Sposob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy Download PDFInfo
- Publication number
- CS199892B1 CS199892B1 CS574677A CS574677A CS199892B1 CS 199892 B1 CS199892 B1 CS 199892B1 CS 574677 A CS574677 A CS 574677A CS 574677 A CS574677 A CS 574677A CS 199892 B1 CS199892 B1 CS 199892B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- melt
- liquid phase
- epithaxis
- epithax
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 12
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009548 growth disturbance Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(54) SpCsob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy
Vynález sa týká spósobu rastu epitaxnej vrstvy na polovodičovom materiáli pri epitaxii z kvapalnej fázy použitím vibrácií a spadá do oblasti polovodičovéj technologie.
Doteraz známe zariadenie na vyhotovenie epitaxných vrstiev pozostáva z nepohyblivej grafitovéj vaničky, v ktorej je umiestnené kvapalná tavenina a pohyblivého držiaka, na ktorom je připevněný polovodičový materiál, ktorý aa ponára do taveniny. Počas chladnutia taveniny na povrchu polovodičového materiálu narastá epitaxná vrstva. Je známe, že ak sa privedú vibrácie do taveniny, táto sa lepšie homogenizuje, čo obmedzuje poruchy rastu epitaxnej vrstvy. Doteraz známe zariadenia privádzali vibrácie do taveniny cez nádobu, v ktorej bola tavenina umieetnená. Tento spósob dává vyššiu účinnost v homogenizácii taveniny, ale menej vplýva na bezporuchový rast epitaxnej vrstvy.
Vyššie uvedené nedostatky sa odstraňujú spósobom podTa vynálezu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že počas nerastania epitaxnej vrstvy sa privádzajú na polovodičový materiál vibrácie o frekvencii 10 až 150 000 Hž cez jeho držiak.
Výhodou vynálezu je, že aa účinnejšie nepomáhá bezporuchovému rastu epitaxnej vrstvy, čo má priaznivý vplyv na elektrické parametre přechodu medzi polovodičovým materiálom a narastenou epitaxnou vrstvou.
Na pripojenom výkrese je znázorněné epitaxné zariadenie, využívajúce spósob podTa vynálezu.
199 892
199 892
Zariadenie sa akladá z kremennej ampule 1, výhřevného vinutia 2, z grafitovej nádobky J, z taveniny £, z nosnej tyčky g, z vibrátore 6, z vibrujúcej nosnej tyčky g, z držiaka polovodičového materiálu 8 a z polovodičového materiálu £.
Příklad 1
V ampule z křemenného skla χ, okolo ktorej je navinutá výhřevná elektrická Spirála 2, je umiestnená grafitová nádobka g o priemere 60 mm, v ktorej je tavenina o zložení 90 hmotnostných percent india a 10 hmotnostných percent india-antimonu. Doteraz popísáné časti sú nepohyblivé. Pomocou nosnej tyčky g, na ktorej je umieetnený elektromagnetický vibrátor 6, sa do taveniny veúvajú a z nej vyaúvajú vibrujúce časti: vibrujúca nosná tyčka g, držiak polovodičového materiálu 8 a polovodičový materiál g. Pracovný priestor je preplachovsný čistým vodíkora. Po vyhriatí taveniny na teplotu 270 °C sa pohyblivý diel, skládájúci sa z nosnej tyčky g, z vibrujúcej nosnej tyčky g, z vibrátore 6, z držiaka polovodičovéj doStičky 8 a z polovodičovéj doStičky g vsunie do taveniny tak, aby sa polovodičová doátička g o priemere 20 mm úplné ponořila do taveniny 4· Počas chladnutia taveniny £ z 270 °C na 260 °C sa uvedie do činnosti pomocou nízkofrekvenčného generátore vibrátor 6, ktorý svojimi vibráciemi podporuje dokonalejší rast epitaxnej vrstvy. Vzniknutá vratva mala hrůbku asi 30 pm. Po dosiahnutí 260 °C sa polovodičový materiál vysunie z taveniny. Použitá vibračná frekvencie bola 450 Hz. Elektrický příkon privádzaný na elektromagnetický vibrátor bol 10 VI,
Příklad 2
Podobné eko v příklade 1 sa použilo to isté zariadenie na vytvorenie vrstiev gáliaarzénu pri použití taveniny o zložení 3,6 g gália a 0,13 g gália-arzénu pri použitej teplote 750 °C s ochladením na 740 °C a pri použití vibračnej frekvencie 4300 Hz. Výsledkom bola narastená vrstva gália-arzénu o hrúbke 8 ^im.
Příklad 3
Podobné ako v příklade 1 sa použilo to isté zariadenie na vytvorenie vrstiev gáliaarzénu pri použití taveniny o zložení 3,6 g gália a 0,16 g gália-arzénu pri použití teploty 780 °C a ochladením na 765 °C při použití vibračnej frekvencie 120 KHz. Získala sa tým vrstva gália-arzénu o hrúbke 15 (im.
Spfisob podl’a vynálezu je možno použit vo všetkých prípadoch epitaxného rastu z kvspalné j fázy, ke3 chceme zdokonaliv rast epitaxnej vrstvy.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZUSpfisob rastu epitaxnej vrstvy na polovodičovom materiáli pri epitaxii z kvapalnéj fézy, vyznačujúci sa tým, že počas naraetania epitaxnej vrstvy sa privádzajú na polovodičový materiál vibrécie o frekvenci! 10 Hz až 150 000 Hz cez jeho držiak.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574677A CS199892B1 (sk) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Sposob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574677A CS199892B1 (sk) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Sposob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS199892B1 true CS199892B1 (sk) | 1980-08-29 |
Family
ID=5402938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS574677A CS199892B1 (sk) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Sposob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS199892B1 (sk) |
-
1977
- 1977-09-05 CS CS574677A patent/CS199892B1/sk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3265469A (en) | Crystal growing apparatus | |
| JPH0412083A (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
| US2890139A (en) | Semi-conductive material purification method and apparatus | |
| KR970011030A (ko) | 단결정 성장방법 및 그 장치 | |
| US3795488A (en) | Method for producing crystal boules with extensive flat, parallel facets | |
| US3156549A (en) | Method of melting silicon | |
| CS199892B1 (sk) | Sposob rastu epitaxnej vrstvy ne polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy | |
| KR20010020315A (ko) | 단결성 원료 보조 용해장치 및 단결정 원료 용해방법 | |
| JP2004315289A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0116765B2 (sk) | ||
| US3658598A (en) | Method of crucible-free zone melting crystalline rods, especially of semiconductor material | |
| US2589310A (en) | Process for the manufacture of artificial crystals | |
| US3867496A (en) | Method and apparatus for producing fine-grated polycrystalline bodies | |
| JP6231375B2 (ja) | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
| US2835614A (en) | Method of manufacturing crystalline material | |
| US6669776B2 (en) | Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates | |
| EP0405360A1 (en) | Method for manufacturing alloy rod having giant magnetostriction | |
| US3505025A (en) | Jacketed,cooled crucible for crystallizing material | |
| JP2018203563A (ja) | 磁歪材料の製造方法 | |
| US3649210A (en) | Apparatus for crucible-free zone-melting of crystalline materials | |
| US3607109A (en) | Method and means of producing a large diameter single-crystal rod from a polycrystal bar | |
| PT115438B (pt) | Método e aparelho para a produção de materiais texturados através de fusão de zona com laser (lfz) com aplicação de um campo magnético externo | |
| JPH026382A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| US3419417A (en) | Apparatus and method of growing a crystal from a vapor | |
| JPH055796B2 (sk) |