CS199892B1 - Method of epithax layer growth on semiconductor material at epithaxis from liquid phase - Google Patents
Method of epithax layer growth on semiconductor material at epithaxis from liquid phase Download PDFInfo
- Publication number
- CS199892B1 CS199892B1 CS574677A CS574677A CS199892B1 CS 199892 B1 CS199892 B1 CS 199892B1 CS 574677 A CS574677 A CS 574677A CS 574677 A CS574677 A CS 574677A CS 199892 B1 CS199892 B1 CS 199892B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- melt
- liquid phase
- epithaxis
- epithax
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 12
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009548 growth disturbance Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
POPIS VYNÁLEZU
REPUBLIKA
K AUTORSKÉMUOSVEDČENIU
(61) (23) Výstavná priorita(22) Přihlášené 05 09 77(21) PV 5746-77
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY
A OBJEVY (40) Zverejnené 30 11 79(45) Vydané 30 08 82 199 892
(11) (BIJ (51) IntCl3 H 01 L 21/208 (75)
Autor vynálezu
KRÁL MILOSLAV, BRATISLAVA (54) SpCsob rastu epitaxnej vrstvy na polovodičovom materiáli při epitaxii z kvapalnej fázy 1
Vynález sa týká spdsobu rastu epitaxnej vrstvy na polovodičovom materiáli pri epitaxiiz kvapalnej fázy použitím vibrácil a spadá do oblasti polovodičovéj technologie.
Doteraz známe zariadenie na vyhotovenie epitaxných vrstiev pozostáva z nepohyblivejgrafitovéj vaničky, v ktorej je umieetnená kvapalná tavenina a pohyblivého držiaka, na kto-rom je připevněný polovodičový materiál, ktorý sa ponára do taveniny. Fočas chladnutia ta-veniny na povrchu polovodičového materiálu narastá epitaxná vrstva. Je známe, že ak sa při-vedli vibrácie do taveniny, táto sa lepšie homogenizuje, čo obmedzuje poruchy rastu epitax-nej vrstvy. Doteraz známe zariadenia privádzali vibrácie do taveniny cez nádobu, v ktorejbola tavenina umieetnená. Tento spfiaob dává vyšéiu účinnost v homogenizácii taveniny, alemenej vplýva na bezporuchový rast epitaxnej vrstvy.
Vyšéie uvedené nedostatky sa odstranujú spósobom podl’a vynálezu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že počas narastania epitaxnej vrstvy sa privádzajúna polovodičový materiál vibrácie o frekvencii 10 až 150 000 Hž cez jeho držiak. Výhodou vynálezu je, že sa účinnejSie nepomáhá bezporuchovému rastu epitaxnej vrstvy,čo má priaznivý vplyv na elektrické parametre přechodu medzi polovodičovým materiálom a na-rastenou epitaxnou vrstvou.
Na pripojenom výkrese je znázorněné epitaxné zariadenie, využívajúce spCsob podl’a vy- nálezu. 199 892
Claims (1)
199 892 2 Zariadenie sa skládá z kremennej ampule 1, výhřevného vinutia 2, z grafitovej nádob- ky z taveniny z nosnej tyčky £, z vibrátore 6, z vibrujúcej nosnej tyčky 2, z držia- ka polovodičového materiálu 8 a z polovodičového materiálu 2· Příklad 1 V ampule z křemenného skla 2» okolo ktorej je navinutá výhřevná elektrická Spirála 2,je umieatnená grafitová nádobka 2 o priemere 60 mm, v ktorej je tavenina o zložení 90 hmot-nostných percent india a 10 hmotnostných percent india-antimonu. Doteraz popísáné časti súnepohyblivé. Pomocou nosnej tyčky 2, ne ktorej je umiestnený elektromagnetický vibrátor 6,sa do taveniny vsúvajú a z nej vysúvajú vibrujúce časti: vibrujúca nosná tyčka 2» držiakpolovodičového materiálu 8 a polovodičový materiál 2· Pracovný priestor je preplachovanýčistým vodíkom. Po vyhriatí taveniny na teplotu 270 °C sa pohyblivý diel, skládájúci saz nosnej tyčky 2» z vibrujúcej nosnej tyčky 2» z vibrátore 6, z držiaka polovodičovéj doš-tičky 8 a z polovodičovéj doStičky 2 vsunie do taveniny tak, aby sa polovodičová doátička2, o priemere 20 mm úplné ponořila do taveniny 4· Počas chladnutia taveniny _£ z 270 °C na260 °C sa uvedie do činnosti pomocou nízkofrekvenčného generátora vibrátor 6, ktorý svojimivibráciemi podporuje dokonalejší rast epitaxnej vrstvy. Vzniknutá vrstva mala hrůbku asi30 pm. Po doeiahnutí 260 °C sa polovodičový materiál vysunie z taveniny. Použitá vibračnáfrekvencia bola 450 Hz. Elektrický příkon privádzaný na elektromagnetický vibrátor bol 10 Ví. Příklad 2 Podobné ako v příklade 1 sa použilo to isté zariadenie na vytvorenie vrstiev gália-arzénu při použití taveniny o zložení 3,6 g gália a 0,13 g gália-arzénu pri použitej teplo-tě 750 °C s ochladením na 740 °C a pri použití vibračnej frekvencie 4300 Hz. Výsledkom bolanarastená vrstva gália-arzénu o hrúbke 8 ^m. Příklad 3 Podobné ako v příklade 1 sa použilo to isté zariadenie na vytvorenie vrstiev gália-arzénu pri použití taveniny o zložení 3,6 g gália a 0,16 g gália-arzénu pri použití teploty780 °C s ochladením na 765 °C při použiti vibračnej frekvencie 120 KHz. Získala sa týmvrstva gália-arzénu o hrúbke 15 (im. Spdsob podl’a vynálezu je možno použiť vo všetkých prípadoch epitaxného rastu z kvspal-né j fázy, ke3 chceme zdokonaliv rast epitaxnej vrstvy. PŘEĎMET VYNÁLEZU Spdsob rastu epitaxnej vrstvy na polovodičovom materiáli pri epitaxii z kvapalnejfázy, vyznačujúci sa tým, že počas narastenia epitaxnej vrstvy sa privádzajú na polovodi-čový materiál vibrácie o frekvenci! 10 Hz až 150 000 Hz cez jeho držiak. 1 výkres
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574677A CS199892B1 (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Method of epithax layer growth on semiconductor material at epithaxis from liquid phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574677A CS199892B1 (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Method of epithax layer growth on semiconductor material at epithaxis from liquid phase |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS199892B1 true CS199892B1 (en) | 1980-08-29 |
Family
ID=5402938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS574677A CS199892B1 (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Method of epithax layer growth on semiconductor material at epithaxis from liquid phase |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS199892B1 (cs) |
-
1977
- 1977-09-05 CS CS574677A patent/CS199892B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3265469A (en) | Crystal growing apparatus | |
| JPH0412083A (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
| US2890139A (en) | Semi-conductive material purification method and apparatus | |
| KR970011030A (ko) | 단결정 성장방법 및 그 장치 | |
| US3795488A (en) | Method for producing crystal boules with extensive flat, parallel facets | |
| US3156549A (en) | Method of melting silicon | |
| CS199892B1 (en) | Method of epithax layer growth on semiconductor material at epithaxis from liquid phase | |
| KR20010020315A (ko) | 단결성 원료 보조 용해장치 및 단결정 원료 용해방법 | |
| JP2004315289A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0116765B2 (cs) | ||
| US3658598A (en) | Method of crucible-free zone melting crystalline rods, especially of semiconductor material | |
| US2589310A (en) | Process for the manufacture of artificial crystals | |
| US3867496A (en) | Method and apparatus for producing fine-grated polycrystalline bodies | |
| JP6231375B2 (ja) | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
| US2835614A (en) | Method of manufacturing crystalline material | |
| US6669776B2 (en) | Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates | |
| EP0405360A1 (en) | Method for manufacturing alloy rod having giant magnetostriction | |
| US3505025A (en) | Jacketed,cooled crucible for crystallizing material | |
| JP2018203563A (ja) | 磁歪材料の製造方法 | |
| US3649210A (en) | Apparatus for crucible-free zone-melting of crystalline materials | |
| US3607109A (en) | Method and means of producing a large diameter single-crystal rod from a polycrystal bar | |
| PT115438B (pt) | Método e aparelho para a produção de materiais texturados através de fusão de zona com laser (lfz) com aplicação de um campo magnético externo | |
| JPH026382A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| US3419417A (en) | Apparatus and method of growing a crystal from a vapor | |
| JPH055796B2 (cs) |